JPH04296593A - 記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光の照射によって加わ
る熱を利用して情報を記録する記録方法であり、消去が
可能な記録と消去が不可能な記録を同一記録媒体上に形
成するマルチモード記録方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光学的情報記録媒体としては、光
照射によって生ずる熱によって金属薄膜や有機色素薄膜
の記録層にピットを形成して記録し、ピットによる光学
的特性の変化を検出して情報を再生する追記型記録媒体
や、光照射による熱と外部磁界を利用し磁化の方向を反
転させて記録し、磁気光学効果により再生する光磁気記
録媒体または無機材料薄膜の結晶−非晶質間の相転移に
より記録し、それにともなう光学的特性の変化を検出し
て情報を再生する記録媒体のような書き替え可能型記録
媒体がある。

【０００３】記録する情報には、消去されてはならない
情報と必要に応じて消去し再記録したい情報があり、こ
れらが同一の記録媒体上に記録できる記録媒体が望まれ
る。これを実現するため前記の追記型の記録層と可逆型
の記録層を組み合わせたり、可逆型の記録層に大エネル
ギーの印加でピットを形成してしまう方法があるが、層
構成が複雑になったり、記録条件が厳しくなるなどの問
題がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、同一記録媒
体上に消去可能な記録と消去不可能な記録を容易な条件
選択によって可能にするものであり、また、安定した記
録状態と必要に応じて確実な消去が行なえる記録と、一
定の消去条件の下では安定な記録状態を維持できる信頼
性の高い記録が両立して形成できる記録方法を提供する
ものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、以上のよ
うな目的から、光エネルギー照射にともなう熱により結
晶状態が可逆的に変化する記録層への記録、消去を検討
した結果、記録層中の結晶状態の変化する部分の範囲を
コントロールすることによって、上記の目的が達成でき
ることを見出した。

【０００６】すなわち、本発明の記録方法（請求項１）
は、光照射による情報の記録、再生、消去を行なう記録
媒体であり、少なくとも支持体上に照射光を吸収して熱
に変換する光熱変換層および熱により可逆的に結晶状態
変化を起こす結晶性有機薄膜の記録層を設けた記録媒体
に対し、記録層の厚さ方向の一部分の結晶状態を変化さ
せることにより、消去光の照射によって必要に応じて消
去可能な記録を形成し、記録層の厚さ方向の全体の結晶
状態を変化させることにより、この消去光照射では消去
が不可能な記録を形成して、同一記録媒体上に異なるモ
ードの記録を形成するものである。

【０００７】また、本発明の記録方法（請求項２）は、
光照射による情報の記録、再生、消去を行なう記録媒体
であり、少なくとも支持体上に照射光を吸収して熱に変
換する光熱変換層および熱により可逆的に結晶状態変化
を起こす結晶性有機薄膜の記録層を設けた記録媒体に対
し、光照射によって光熱変換層側の記録層を部分的に変
化させて記録する方法であって、記録部分の変化部の深
さを変えて記録し、消去光の照射によって必要に応じて
消去可能な記録と、この消去光の照射によっては消去不
可能な記録を形成して同一記録媒体上に異なるモードの
記録を形成するものである。

【０００８】本発明に用いる記録媒体の記録層は、結晶
状態の可逆的な変化および相間の可逆的な変化により記
録と消去を行ない、繰り返し使用できるものである。こ
の結晶状態の変化とは、結晶の構造的な変化や相転移を
含むものであり、たとえば、結晶型間の可逆的な結晶転
移、結晶質と非晶質間の可逆的な相転移、結晶化度の可
逆的な変化、分子の配向度の可逆的な変化、結晶方位の
可逆的な変化すなわち結晶軸方向の可逆的な変化、分子
の配向方向の可逆的な変化、あるいは結晶粒の大きさ、
結晶ドメインの大きさの可逆的な変化などがあり、これ
らが記録層中で単独または複合して起こるものである。 これらの変化は、記録時または消去時に加えられる熱、
または、光照射により発生する熱によって記録層の温度
がいったん上昇し、融液相あるいは液晶相を経由して、
未記録状態から記録状態あるいは記録状態から消去状態
（未記録状態と同じ）に変化する場合や、融液相、液晶
相を経由せず温度上昇により直接的に状態間の転移が起
こる場合や、非晶状態を経由して転移する場合などがあ
る。

【０００９】このような記録、消去が行なわれる記録媒
体には、たとえば以下のようなものがある。有機材料の
結晶−結晶間、結晶−非晶間の転移を利用するものとし
て、たとえば、銅フタロシアニン、マグネシウムフタロ
シアニンなどのフタロシアニン系材料がある。さらに、
有機の薄膜状結晶の結晶状態の可逆的な変化を利用する
ものでは、たとえば脂肪酸または脂肪酸誘導体、安息香
酸誘導体、融点が５０℃以上のｎ−アルカンまたはその
誘導体などがある。

【００１０】本発明でいう脂肪酸または脂肪酸誘導体と
は、詳しくは飽和または不飽和のモノまたはジカルボン
酸またはこれらのエステル、アミド、アニリド、ヒドラ
ジド、ウレイド、無水物、あるいはアンモニウム塩また
は金属塩のような脂肪酸塩は意味する。この場合、エス
テルは２個以上のヒドロキシ基を持つ化合物とのエステ
ル、たとえばモノ、ジまたはトリグリセリドなどを含む
。また、これらのものはハロゲン、ヒドロキシ基、アシ
ル基、アシルオキシ基、あるいは置換または無置換のア
リール基により置換されていてもよい。これらの飽和ま
たは不飽和脂肪酸は直鎖のものでも枝分れしたものでも
よく、不飽和脂肪酸は二重結合または三重結合を１個持
つものでも、２個以上持つものでもよい。これらの脂肪
酸中の炭化水素鎖の炭素数は１０以上であることが好ま
しい。

【００１１】飽和脂肪酸の具体例としては、たとえば、
ウンデカン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、ペンタデカ
ン酸、パルミチン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン酸、
ナノデカン酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸
、セロチン酸、モンタン酸、メリシン酸などがあり、不
飽和脂肪酸としては、たとえば、オレイン酸、エライジ
ン酸、リノール酸、ソルビン酸、ステアロール酸などが
ある。またエステルの具体例としては、たとえば、これ
らの脂肪酸のメチルエステル、エチルエステル、ヘキシ
ルエステル、オクチルエステル、デシルエステル、ドデ
シルエステル、テトラデシルエステル、ステアリルエス
テル、エイコシルエステル、ドコシルエステルなどがあ
る。また、金属塩の例としては、たとえば、これらの脂
肪酸のナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウ
ム、ニッケル、コバルト、亜鉛、カドミウム、アルミニ
ウムなどの金属塩である。

【００１２】また、本発明でいう安息香酸誘導体には、
詳しくは、下記化１中の一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）で表わ
される安息香酸およびそのエステル、アミド、アニリド
などが含まれる。また、この他に置換されていてもよい
ヒドラジド、ウレイドあるいは無水物、金属塩、アンモ
ニウム塩などの塩類が含まれる。また、エステルは一般
式（ＩＩ）で表わされる化合物以外に、脂肪族炭化水素
化合物の多価アルコールあるいは、複数のヒドロキシ基
を持つ芳香族炭化水素とのエステルを含む。

【００１３】

【化１】 一般式中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、およびその他の安息香酸
誘導体の置換基としては、たとえば水素、アルキル基、
アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基
、アントラニル基などのアリール基であり、Ｒ１はこれ
らの他、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン、ニトロ
基、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボキシル基およびそ
のエステル、置換されていてもよいカルバモイル基、ス
ルホ基およびそのエステルあるいはアルキル基、フェニ
ル基、置換フェニル基で置換されていてもよいアミノ基
などがある。また、上記のアルキル基、アルコキシ基、
アリール基は、Ｒ１と同様の置換基で置換されていても
よい。また、アルキル基、アルコキシ基は、直鎖状のも
のでも枝分れしたものでもよく、炭素数２個以上のもの
にあっては炭素鎖中に、１個以上の不飽和結合を含んで
いてもよい。

【００１４】また、本発明でいうｎ−アルカンの誘導体
とは、炭素鎖中に１個または複数個の二重結合または三
重結合を含む化合物、水素原子が１個以上ハロゲン原子
で置換された化合物、および末端の炭素原子にアルキル
基、アルコキシ基で置換されていてもよいベンゼン環が
結合した化合物である。具体的には、たとえば、テトラ
コサン、ペンタコサン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、
オクタコサン、ノナコサン、トリアコンタン、ドトリア
コンタン、テトラトリアコンタン、ヘキサトリアコンタ
ン、オクタトリアコンタン、テトラコンタンなどのｎ−
アルカンまたはこれらを主成分とする混合物、いわゆる
パラフィン、パラフィンろうがある。また誘導体として
は、１−ヘキサコセン、１−ヘプタコセン、１−オクタ
コセン、１−トリアコンテン、１−テトラトリアコンテ
ン、１−ヘキサトリアコンテン、１−オクタトリアコン
テン、１−テトラコンテン、ドコシルベンゼン、テトラ
コシルベンゼン、ヘキサコシルベンゼン、オクタコシル
ベンゼン、トリアコンチルベンゼン、トリトリアコンチ
ルベンゼン、テトラトリアコンチルベンゼン、ヘキサト
リアコンチルベンゼン、１，１８−ジブロムオクタデカ
ン、１，２０−ジブロムエイコサン、１，２２−ジブロ
ムドコサンなどがある。

【００１５】本発明に用いる記録媒体は、基本的に図１
（ａ）に示すように、支持体１上に照射光を吸収し熱に
変換する光熱変換層２、熱によって可逆的な結晶状態変
化または相変化を起こす記録層３を設けたものであり、
また図１（ｂ）のように、さらにその上に保護層４を設
けたものである。記録は、この記録媒体に対し、集光し
た光束を情報にしたがって点滅させて照射して行なわれ
る。光照射が行なわれると、記録媒体に入射した光は光
熱変換層で吸収され熱に変換され、この熱が記録層に伝
わり、記録層が昇温する。このとき記録層の記録温度す
なわち結晶状態が変化する温度以上に到達し、続いて光
照射が止み降温すれば、その部分に記録が形成される。 たとえばこの結晶状態変化が溶融状態を経由して起こる
場合には、融点以上になった部分が降温して結晶化する
とき、最初の結晶状態（周囲の非記録部分の状態）とは
異なった状態になり記録となる。

【００１６】本発明の記録方法は上記のような特徴を有
する記録媒体を用いるもので、先ず請求項１の記録方法
について説明する。

【００１７】請求項１の記録方法は、上記の記録媒体を
用い、記録層の厚さ方向の一部分の結晶状態を変化させ
ることにより、消去光の照射によって必要に応じて消去
可能な記録を形成し、記録層の厚さ方向の全体の結晶状
態を変化させることにより、この消去光の照射では消去
が不可能な記録を形成して、同一記録媒体上に異なるモ
ードの記録を形成するものである。

【００１８】上記の記録媒体において、記録層の昇温は
、記録層の片側に隣接する光熱変換層から伝えられる熱
によって起こるため、記録時に記録層が記録温度以上に
なる範囲は、記録光の照射時間と強度によって変化する
。照射時間が短い場合は、光熱変換層で発生した熱が記
録層の上部まで到達しないうちに光照射が止まってしま
うため、記録層の一部分だけが記録温度以上になり、こ
の部分だけ結晶状態が変化して記録となる。照射時間が
長いと、記録層の上部まで十分に熱が伝わるため、記録
層の全体が記録温度以上になり、全体の結晶状態が変化
した記録となる。また、同じ照射時間であっても、記録
光の強度が弱いときは、記録温度以上になる範囲がせま
く、記録層の一部だけ結晶状態が変化して記録ができる
が、強度が強いときは、記録層全体が記録温度以上に到
達し、全体が変化した記録が形成される。

【００１９】記録は記録温度以上（たとえば融点以上）
に昇温すればよく、記録層の記録を形成すべき範囲の中
が均一な温度である必要はない。一方、消去は記録温度
より低い相転移温度、液晶温度、再配列温度などに再加
熱することによって起こるものであり、これらの一定の
温度範囲に均一に加熱されなければならない。これらの
温度範囲は数℃〜数１０℃の間であり、光照射によって
光熱変換層に発生する熱が記録層に伝導して、記録部分
全体がこの範囲に入るようにするためには、記録光の照
射時間より長い照射時間が必要になる。

【００２０】記録層の一部だけに記録が形成されている
場合は、比較的短時間の光照射で記録部分を消去温度範
囲に入れることができるが、層全体に記録が形成されて
いる場合は、全体を消去温度範囲に入れるためには、こ
れよりかなり長い照射時間が必要になる。さらに、記録
層の一部に記録されている場合は、変化部分の周囲を未
変化の結晶がかこんでいるため、周囲からの規制力を受
けやすい状態にあり、その分、消去されやすい状態にあ
るのに対し、全体が変化している場合は、これに比べ周
囲の結晶からの規制力を受けにくい状態となっているた
め、消去されにくい状態にある。したがって、両者の記
録の消去条件は大きく異なり、層の一部が変化した記録
を消去できる条件で消去光を照射すれば、全体が変化し
た記録は消去されない。一定の条件で照射すれば、形成
される温度分布は一定であり、消去光が何回照射されて
も、全体が変化した記録は消去されることはない。

【００２１】以上のように、記録層の一部分の結晶状態
が変化した記録は消去可能な記録となり、全体が変化し
た記録は消去不可能な記録となり、記録条件を変えるこ
とにより二つのモードの記録が同一記録媒体上に記録で
きることになる。

【００２２】次に請求項２の記録方法について説明する
。請求項２の記録方法は、前述の記録媒体を用い、光照
射によって光熱変換層側の記録層を部分的に変化させて
記録するものであり、記録部分の変化部の深さを変えて
記録し、消去光の照射によって必要に応じて消去可能な
記録と、この消去光の照射によっては消去不可能な記録
を形成して、同一記録媒体上に異なるモードの記録を形
成するものである。

【００２３】前述の記録媒体において、記録層の昇温は
、記録層の片側に隣接する光熱変換層から伝えられる熱
によって起こるため、記録時に記録層中に形成される温
度分布は記録光の照射時間と強度によって変化し、照射
時間が長いほど、また強度が強いほど深い部分まで熱が
到達しする。したがって、記録によって結晶状態が変化
する範囲は、記録光の照射時間または強度によってコン
トロールできる。短時間または低いパワーの光で記録す
れば浅い記録が形成され、長時間または高パワーの光で
記録すれば深い記録ができる。

【００２４】記録は記録温度以上（たとえば融点以上）
に昇温すればよく、記録層の記録を形成すべき範囲の中
が均一な温度である必要はない。一方、消去は記録温度
より低い相転移温度、液晶温度、再配列温度などに再加
熱することによって起こるものであり、これらの一定の
温度範囲に均一に加熱されなければならない。これらの
温度範囲は数℃〜数１０℃の間であり、光照射によって
光熱変換層に発生する熱が記録層に伝導して、記録部分
全体がこの範囲に入るようにするためには、記録光より
長い照射時間が必要になる。また、この照射時間は記録
されている部分の深さが深くなければなるほど消去光の
照射時間は長くしなければならない。したがって、消去
光を一定の照射条件で照射すれば、この消去光で消去し
得る記録部分の深さは限定される。請求項２の記録方法
は、記録部分の深さの異なる２種類の記録を形成し、そ
のうち浅い記録が消去できるのに必要なレベルの条件で
消去光を照射する。このとき深い記録は記録部分の大部
分が消去温度には到達せず、この部分は記録状態は維持
される。これは消去光が何回照射されても同様であり、
深い記録はこの消去条件では消去されることはない。こ
れらの２種類の記録レベルの差は大きいことが望ましい
。消去可能な浅い記録は再生時に記録として十分識別で
きる範囲で、できるだけ浅くすることが望ましい。

【００２５】記録の深さは、直接的な手段によって測定
することが困難な場合が多いが、たとえば、記録されて
いない部分の結晶膜と記録層の厚さ全体が変化して記録
した部分の複屈折の大きさを求め、これと両者の光学軸
方向の関係から、記録層の厚さの一部分が変化して記録
されて部分の記録の深さを推定できる。記録によって変
化した部分が複屈折を示さない場合は、記録スポットの
複屈折の大きさから容易に推定できる。また、光照射に
よって形成される温度分布を記録媒体の層構成、各層の
光学的、熱的物性値から、光吸収と熱伝導を考慮し、シ
ュミレーションにより求めることができ、記録の深さを
この温度分布から推定することができる。これらの結果
から、その記録媒体に対する消去可能な記録を形成する
条件、消去不可能な記録を形成する条件、消去の条件を
決めることができる。

【００２６】以上のように、記録層浅く記録された記録
は消去可能な記録となり、深く記録された記録は消去不
可能な記録となり、記録条件を変えることにより二つの
モードの記録が同一記録媒体上に記録できることになる
。

【００２７】本発明で用いる記録媒体の光熱変換層は、
たとえば白金、チタン、シリコン、クロム、ニッケル、
ゲルマニウム、アルミニウムなどの金属または半金属の
層を用いればよく、光の一部を反射する反射層と兼用す
ることができる。また基板には、一般的に用いられるガ
ラス板やアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂などのプ
ラスチック板が使用できる。保護層には、ガラスまたは
樹脂などの記録光、再生光、消去光に対し透明な層が使
用できる。

【００２８】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。

【００２９】実施例１ 光学研磨された直径４インチ（１０１．６ｍｍ）、厚さ
１．２ｍｍのガラスディスク上に、光熱変換層であるＣ
ｒ層を真空蒸着により設けた。厚さは約９５０Åであっ
た。この基板を温度９０℃にコントロールしたホットプ
レート上にＣｒ層を上にしてのせ、その上にベヘン酸（
シグマ社製：純度９９％）を少量のせ、溶融させた。 厚さ約０．１ｍｍのガラス板をベヘン酸融液上にかぶせ
、融液を全面に均一に拡げてはさみ込んだ。次に、この
ディスクをホットプレート上でゆっくり動かし、ホット
プレートからはずしていった。ディスクはホットプレー
トからはずれた部分から温度が下がり、この部分からベ
ヘン酸融液層の結晶化が始まり、徐々に一方向に拡がっ
て全体が結晶化した。ガラス板をはく離した後、この結
晶膜上にポリビニルアルコールの１０ｗｔ％水溶液を塗
布した。以上の操作によりＣｒ層上にほぼ一様な方向に
配向したベヘン酸の薄膜状結晶よりなる記録層（厚さ約
０．６μｍ）と、その上にポリビニルアルコールよりな
る保護層（厚さ約０．３μｍ）が形成された。

【００３０】このようにして作成した記録媒体に対し、
次の二つの条件でレーザー光（７８０ｎｍ）を照射して
記録を行なった。 （１）記録媒体の移動線速度４０００ｍｍ／ｓｅｃ、照
射光の強度４ｍＷ、 照射スポット径１μｍφ （２）記録媒体の移動線速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、照射光
の強度３ｍＷ、 照射スポット径５μｍφ 記録光の強度は記録媒体面での強度である。照射後、こ
の記録媒体を偏光顕微鏡を用いクロスニコルで観察した
ところ、いずれの条件でも記録層の照射部分にライン状
の記録が明瞭なコントラストで認められた。

【００３１】次に、この記録媒体を線速１００ｍｍ／ｓ
ｅｃで移動しながら、直径５μｍの照射スポットで、上
記（１）、（２）の条件で形成した記録と重なるように
消去用のレーザー光を照射した。同様に顕微鏡で観察す
ると、（１）の条件での記録は強度２．２ｍＷの消去光
の照射で完全に消去されていたが、（２）の条件での記
録はこの消去光ではほとんど変化せず消去はできなかっ
た。（２）の条件での記録は消去光の強度を変化させて
も消去できず、また繰り返し照射しても同様であった。 したがって、この記録媒体に対し、（１）の条件では消
去可能な記録が形成でき、（２）の条件では消去不可能
な記録が形成できることがわかった。

【００３２】照射条件（１）、（２）のとき、記録媒体
中に形成される温度分布をシュミレーションにより求め
、記録層内の記録温度以上になる部分を求めた。 （１）の条件では照射時間は０．２５μｓｅｃであり、
このとき記録が形成される範囲は図２（ａ）となり、記
録は記録層の厚さ方向の一部分に形成されているのに対
し、（２）の条件では照射時間１００μｓｅｃであり、
このとき記録が形成される範囲は図２（ｂ）となり、記
録は記録層の厚さ方向全体が変化して形成されているこ
とがわかる。このことから同一記録媒体に対し、記録層
の一部を変化させて記録するか、全体を変化させて記録
するかにより、消去可能な記録と消去不可能な記録が形
成できることがわかる。

【００３３】実施例２ 実施例１で用いたベヘン酸の代わりにステアリン酸を用
いた以外は実施例１と同様にして記録媒体を作成した。

【００３４】このようにして作成した記録媒体に対し、
次の二つの条件でレーザー光を照射して記録を行なった
。 （１）記録媒体の移動線速度４０００ｍｍ／ｓｅｃ、照
射光の強度５ｍＷ、 照射スポット径１μｍφ （２）記録媒体の移動線速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、照射光
の強度３．５ｍＷ、 照射スポット径５μｍφ 照射後、偏光顕微鏡により（１）、（２）いずれの場合
も明瞭なライン状の記録が形成されていることを確認し
た。

【００３５】次に、この記録媒体を線速５０ｍｍ／ｓｅ
ｃで移動しながら、直径５μｍの照射スポットで、上記
（１）、（２）の条件での記録を重なるように消去用の
レーザー光を照射した。同様に顕微鏡で観察すると（１
）の条件での記録は２．０ｍＷの消去光照射で完全に消
去されていたが、（２）の条件での記録はほとんど変化
せず消去はできなかった。（２）の条件での記録は消去
光の強度を変化させても消去できず、また繰り返し照射
しても同様であった。したがって、この記録媒体に対し
（１）の条件では消去可能な記録が形成でき、（２）の
条件では消去不可能な記録が形成できることがわかった
。

【００３６】実施例３ 実施例１と同様にして作成した記録媒体を線速４０００
ｍｍ／ｓｅｃで移動させながら、直径１μｍに集光した
波長８３０ｎｍの半導体レーザー光を記録媒体面での強
度が４ｍＷおよび８ｍＷとなるように点灯し照射して記
録を行なった。この記録媒体を反射型偏光顕微鏡を用い
クロスニコル状態で観察したところ、記録層のレーザー
光照射部分にライン状の記録が形成されているのが明瞭
なコントラストで観察できた。

【００３７】次に、この記録媒体を線速１００ｍｍ／ｓ
ｅｃで移動しながら、直径５μｍに集光した波長７８０
ｎｍの消去用のレーザー光を記録媒体面での強度が２．
２ｍＷとなるようにして点灯し、記録部分と重なるよう
に照射した。偏光顕微鏡で観察すると、強度４ｍＷの記
録に消去用レーザー光を照射した部分は記録ラインが完
全に消去されていた。一方、強度８ｍＷで照射した記録
に消去用レーザー光を照射した部分は記録ラインにほと
んど変化は認められず、この消去条件では消去できなか
った。また、同じ条件で繰り返し消去光を照射しても、
やはり消去はできなかった。したがって、この記録媒体
に対し、４ｍＷで記録すれば消去可能な記録が形成でき
、８ｍＷで記録すれば消去不可能な記録が形成できるこ
とがわかった。

【００３８】実施例４ 実施例１と同様にして作成した記録媒体を線速４０００
ｍｍ／ｓｅｃおよび８００ｍｍ／ｓｅｃで移動させなが
ら直径１μｍに集光した８３０ｎｍの半導体レーザーを
記録媒体面での強度が４ｍＷとなるようにして照射し記
録を行なった。偏光顕微鏡で観察すると、いずれも明瞭
なライン状の記録が確認できた。

【００３９】次に、実施例３と同様の条件で消去用のレ
ーザー光を記録部分と重なるように照射した。その結果
、線速４０００ｍｍ／ｓｅｃで照射した記録は完全に消
去できること、線速８００ｍｍ／ｓｅｃで照射した記録
はほとんど変化がなく消去できないことがわかった。 両者の記録の線速から、照射時間０．２５μｓｅｃでは
消去可能な記録が、照射時間１．２５μｓｅｃでは消去
不可能な記録が形成できることがわかった。

【００４０】この記録媒体に対し、線速４０００ｍｍ／
ｓｅｃ（照射時間０．２５μｓｅｃ）と線速８００ｍｍ
／ｓｅｃ（照射時間１．２５μｓｅｃ）で記録光を照射
したとき、記録媒体中に形成される温度分布のシュミレ
ーションより、記録層内の記録温度（融点）以上になる
部分を求めると図３（ａ）および（ｂ）のようになり、
４０００ｍｍ／ｓｅｃに比べ８００ｍｍ／ｓｅｃでは約
１．８倍深い部分まで結晶状態は変化していることがわ
かる。このことから、同一消去条件では浅い記録は消去
できるが、深い記録は消去されないことがわかる。

【００４１】実施例５ 実施例１で用いたベヘン酸の代わりにステアリン酸を用
いた以外は実施例１と同様にして記録媒体を作成した。 この記録媒体を線速４０００ｍｍ／ｓｅｃで移動させな
がら直径１μｍに集光した８３０ｎｍのレーザー光を強
度５ｍＷおよび１０ｍＷで照射した。偏光顕微鏡で観察
すると、いずれも明瞭なライン状の記録が確認できた。

【００４２】次に、この記録媒体を線速５０ｍｍ／ｓｅ
ｃで移動しながら、直径５μｍに集光した消去用のレー
ザー光を強度２．０ｍＷとなるようにして照射したとこ
ろ、強度５ｍＷで照射した記録は完全に消去できたが、
強度１０ｍＷで照射した記録はほとんど変化せず消去で
きなかった。この結果から、この記録媒体に対し５ｍＷ
で記録すれば消去可能な記録が形成でき、１０ｍＷで記
録すれば消去不可能な記録が形成できることがわかった
。

【００４３】この記録媒体に対し、線速４０００ｍｍ／
ｓｅｃ（照射時間０．２５μｓｅｃ）で、記録光強度５
ｍＷと１０ｍＷのとき記録媒体中に形成される温度分布
のシュミレーションより、記録層内の記録温度（融点）
以上になる範囲を求めると図４（ａ）および（ｂ）のよ
うになり、５ｍＷに比べ１０ｍＷでは約１．７倍深い部
分まで結晶状態が変化していることがわかる。このこと
から、同一消去条件では浅い記録は消去できないが、深
い記録は消去できないことがわかった。

【００４４】

【発明の効果】請求項１及び請求項２の記録方法によれ
ば、同一の記録媒体上に記録光の照射条件を変えるだけ
で、消去可能な記録と消去不可能な記録が容易に形成で
き、これにより、記録媒体の適用範囲が広まり、また、
効率的な情報の保存が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明に用いる
記録媒体の基本構成を示す断面図。

【図２】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ温度分布のシュ
ミレーションより求めた消去可能な記録と消去不可能な
記録の記録部分の具体例を示す図。

【図３】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ温度分布のシュ
ミレーション（照射時間を変化）より求めた消去可能な
記録と消去不可能な記録の記録部分の具体例を示す図。

【図４】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ温度分布のシュ
ミレーション（記録光強度を変化）より求めた消去可能
な記録と消去不可能な記録の記録部分の具体例を示す図
。

【符号の説明】

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　光照射による情報の記録、再生、消去
   を行なう記録媒体であり、少なくとも支持体上に照射光
   を吸収して熱に変換する光熱変換層および熱により可逆
   的に結晶状態変化を起こす結晶性有機薄膜の記録層を設
   けた記録媒体に対し、記録層の厚さ方向の一部分の結晶
   状態を変化させることにより、消去光の照射によって必
   要に応じて消去可能な記録を形成し、記録層の厚さ方向
   の全体の結晶状態を変化させることにより、この消去光
   の照射では消去が不可能な記録を形成して、同一記録媒
   体上に異なるモードの記録を形成することを特徴とする
   記録方法。
2. 【請求項２】　　光照射による情報の記録、再生、消去
   を行なう記録媒体であり、少なくとも支持体上に照射光
   を吸収して熱に変換する光熱変換層および熱により可逆
   的に結晶状態変化を起こす結晶性有機薄膜の記録層を設
   けた記録媒体に対し、光照射による情報の記録、再生、
   消去を行なう記録媒体であり、少なくとも支持体上に照
   射光を吸収して熱に変換する光熱変換層および熱により
   可逆的に結晶状態変化を起こす結晶性有機薄膜の記録層
   を設けた記録媒体に対し、光照射によって光熱変換層側
   の記録層を部分的に変化させて記録する方法であって、
   記録部分の変化部の深さを変えて記録し、消去光の照射
   によって必要に応じて消去可能な記録と、この消去光の
   照射によっては消去不可能な記録を形成して、同一記録
   媒体上に異なるモードの記録を形成することを特徴とす
   る記録方法。