JPH0316786A - 記録媒体および記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の分野〕 本発明は，熱の印加または光の照射により情報を記録す
るヒートモード記録媒体および記録方法に関し、詳しく
は，薄膜状結晶を有する記録媒体と、その薄膜状結晶の
部分的な結晶状態の可逆的な変化に基づく記録方法に関
する。 〔従来の技術〕 近年、情報を熱エネルギーの形で印加し，記録材料の形
状変化や物性変化として記録するいわゆるヒートモード
記録システムが実用化されつつある．このようなヒート
モード記録媒体としては、Ｔｅ，　Ｂｉ．　Ｓｓ％Ｔｂ
．　Ｉｎなどを主成分とする金属材料を用いた無機系の
記録媒体、あるいは、シアニンなどのポリメチン系色素
、フタ口シアニン、ナフタロシアニン、ボルフィリンな
どの大環状アザアヌレン系色素、ナフトキノン、アント
ラキノン系色素およびジチオール金属錯体系色素などの
有機色素を用いた記録媒体が知られている．これらの記
録媒体は集光したレーザー光の照射などによリ熱エネル
ギーが加えられると、照射部分の記録層が溶融あるいは
蒸発して孔（ビット）を形成し、情報を記録するもので
ある。しかし、これらの記録媒体は、記録した情報を消
去して，再び新しい情報を記録する可逆性を有していな
い。 上記のような再生専用、追記型のヒートモード光記録媒
体の発達とともに、記録、再生、消去が可能な可逆記録
媒体の必要性が高まっている。 こうした可逆記録媒体として、たとえばＧｄ．　Ｔｂ、
ｏｙなどの希土類元素とＦｅ．　Ｎｉ，　Ｃｏなどの遷
移金属とからなる合金薄膜を用いた光磁気記録媒体があ
る．これは、レーザー光照射による加熱と外部印加磁界
を併用して記録し、磁化の向きによる光の振動面の回転
方向の違いを利用して再生するものである。また、情報
の消去はレーザーによる加熱と記録時とは逆向きの外部
磁界を加えることにより行なわれる．しかし、この光磁
気記録媒体は再生時の感度が十分でな＜　Ｓ／Ｎ比が悪
いこと、および酸化などの影響により記録感度の劣化や
記録の安定性に問題があるなどの欠点を有している。 また、可逆記録媒体として、Ｇｅ，　Ｔｅ．　Ｓｅ．Ｓ
ｂ，Ｉｎ．　Ｓｎなどの元素を主成分とする無機材料薄
膜からなる記録層の結晶一非品質問の相転移を利用した
ものがある．この記録媒体はレーザー光の照射のみで、
ヒートモードで記録および消去ができる利点があるが、
記録部と非記録部のコントラストや記録の安定性が十分
でないこと、記録層の材料の安定性に関して問題がある
などの欠点を有している．

【発明が解決しようとする課題】

このように、従来の記録媒体を用いた記録媒体および記
録方法は、記録の感度、消去速度、記録の安定性、記録
部と非記録部のコントラストなどに種々の問題を残して
いる．また使用する記録媒体は安全性の面から、毒性の
ない材料を用いたものであることが望ましい． このような観点から、本発明は情報の記録、再生および
消去が可能な記録媒体を用い、情報を高速かつ高密度に
記録し、長期間安定に保存できる記録媒体および記録方
法を提供するものである．〔課題を解決するための手段
〕 本発明者らは以上のような目的から、種々の材料の熱変
化を検討した結果、結晶或長軸によって成長速度が異な
る薄膜状結晶を記録層に用い、部分的に熱を印加して溶
融し、再結晶化すると，周囲の結晶は異なる方向に結晶
化すること、この部分を適当な温度に再加熱し徐冷する
と、元の状態に戻ることを見出した。本発明の記録媒体
および記録方法は、このような薄膜状結晶の結晶軸方向
の変化に基づくものである． すなわち、本発明の記録媒体は方向により結晶の成長速
度が異なる材料の薄膜状結晶であるか、これを含む記録
層を用いることを特徴とする記録媒体であり、この記録
層と記録時に照射された光の一部または全部を吸収し熱
に変換する光熱変換層とを併せ持つことを特徴とする記
録媒体である。 また、この記録層が光学的異方性を有する有機薄膜状結
晶であり、方向により結晶の成長速度が異なる材料の薄
膜状結晶である記録媒体である。 また、本発明の記録方法は、上記記＠層に熱の印加ある
いは光を照射することにより薄膜状結晶を部分的かつ一
時的に溶融した後、方向により結晶の成長速度が異なる
材料の再結晶化することにより、周囲の結晶の結晶軸と
は方向の異なる結晶として記録することを特徴とする記
録方法である。 本発明の記録媒体の好ましい構成例を第１図〜第５図に
示す。第１図は基板１上に、方向により結晶の成長速度
が異なる材料の薄膜状結晶からなる記録層２を設けた記
録媒体、第２図は基板１上に記録時に照射された光の一
部または全部を吸収し熱に変換する光熱変換層３（必要
に応じ光の一部を反射する層を兼ねる）を設け、その上
に上記記録層２を設けた記録媒体、第３図は基板ｌ上に
記録層２、光熱変換層３を順次積層した記録媒体，第４
図は第２図に示す記録媒体の光熱変換層３と記録層２の
間に、たとえば記録層の薄膜状結晶の均一性の向上など
を目的とする下引き層４を設けた記録媒体、第５図は第
４図の記録媒体の記録層２の上にさらに保護層５を設け
た記録媒体である． 本発明を特徴づける記録層は、薄膜状の結晶からなり、
その結晶が戒長ずる方向によって、その成長速度が異な
っているものである。たとえば第６図に示すように基板
、光熱変換層および記録層よりなる記録媒体で、記録層
の薄膜状結晶の最も成長速度の大きな方向が、全体に一
様な方向（矢印）に向いて状態のものである．したがっ
て、この薄膜状結晶の方位（結晶軸の方向）は，どの部
分でもほぼ同じ状態になっている。このような状態の薄
膜状結晶は、たとえば、２枚の基板間に加熱して材料の
融液をはさみ込み薄膜とし、基板を一方向から冷却して
、結晶化することによって得られる。方向によって結晶
の成長速度が異なる材料では、成長速度の大きな方向を
結晶化方向に優先的に配向することが多い． 本発明の記録方法は，このような記録媒体に対して熱を
印加して薄膜状結晶の一部分を溶融させる。部分的に熱
を印加する方法には，たとえばサーマルヘッドのような
微小な発熱体を接触させてもよいし、小さなスポットに
集光した光を照射して行なってもよい．光照射による場
合には、記録層がその光を吸収して発熱するか、あるい
は別に設けた光熱変換層で発熱させる．薄膜状結晶が光
を吸収しない場合には、記録層中に光熱変換物質を含有
させてもよい． 上記の方法で部分的に熱を印加すると、ｇ録層の薄膜状
結晶中には温度分布が形成される．たとえば、レーザー
光を照射して加熱した場合、照射された部分では、レー
ザー光のスポットそのものの持つ強度分布（ガウス分布
）とスポットの外側への熱伝導により温度分布が形成さ
れる。レーザー光を照射したときの微小なスポット内の
温度分布を測定することは困難であるが、第６図のよう
な構成の記録媒体で、レーザー光の強度分布、波長、各
層による光吸収、熱伝導を考慮し，各層の厚さ、密度、
比熱、熱伝導率、屈折率を後記する表−ｌに示す値とし
てシュミレーションすると、たとえば波長７ＢＯｎ＋＊
．ビーム径５μ鳳φのレーザー光を強度４ｍＶでｌ００
μｓｅｃ照射した直後の温度分布は第７図のようになる
．温度分布は記録層の厚さ方向には温度差が小さく，横
方向には、中央が最も高く周辺に行くほど低くなる．こ
のとき薄膜状結晶の融点以上になった部分（中央部）は
溶融状態になる。レーザー光の照射を止めると熱が拡散
し、スポット内部では全体に温度が低下していく．融点
以上の温度になり溶融状態になっていた部分は、周辺部
分から凝固点以下になっていくため，溶融部分の範囲が
小さくなっていく、つまりスポットの周辺部から結晶化
が起る。レーザー光のスポットを走査したときは，ライ
ン状に溶融し、そのラインの外側から結晶化していく．
このような加熱方法をとると，温度の低下が速いため、
結晶化は数μｓｏＣ程度の時間で完結する。このように
高速に結晶化すると、成長速度の最も大きな方向を結晶
の成長方向、すなわち、照射部分の外側から中央に向か
って優先的に配向させて結晶化し、結果的にこの部分の
結晶の方向が周囲の結晶とは異なった方向になり記録さ
れる．この様子は、たとえば第８図のような状態である
． このような薄膜状結晶への部分的な短時間の熱の印加に
よって形成された結晶軸の方向の異なる記録部は，光学
的な手段により検出できる。特に、薄膜状結晶が光学的
な異方性を有する結晶であれば，記録部は偏光顕微鏡に
より明瞭なコントラストで観察できるし、偏光を用いれ
ば記録された情報を容易に読み出し再生することができ
る．再生は、具体的には，記録媒体に集光した偏光（レ
ーザー光）を入射させ，その反射または透過光を入射さ
せた光の振動方向と直交する振動方向の光を透過するよ
うに置かれた偏光子を通して、光の強度を検知すること
により行なうことができる．再生に用いる光の強度は記
録および消去に用いる光に比べ十分に弱めて，記録層の
温度が記録温度および消去温度まで上らない程度とする
。 このように結晶軸方向の変化として記録された部分は、
記録とは異なる条件で加熱、冷却することにより消去す
ることもできる。たとえば、結晶状薄膜の記録部分を含
む範囲を加熱溶融させた後、記録時のような急冷ではな
く、徐冷すると溶融した部分の外側の結晶と同様な方向
に結晶化し、結果的に記録は消去される。また、薄膜状
結晶の材料の種類によっては、溶融する温度より低い温
度に加熱することによって消去できる場合もある。 この温度は、記録層が完全には溶融しない温度であるが
、分子が十分に熱運動し得る程度の温度である。消去温
度範囲は、記録層の材料、純度などにより変化する。記
録が消去される様子は，偏光顕微鏡でａ察しながら、記
録媒体の温度を上げていくことにより確認できる。 本発明の記録媒体の記録層に用いる材料としては、成長
速度が異なる結晶成長軸を有する薄膜状結晶を形或でき
る材料であればいずれのものを用いることができる。前
述のように結晶軸方向の変化として記録された部分を偏
光特性の差によって検出する場合には、この薄膜状結晶
が光学的な異方性を持つことが好ましい。このような材
料の具体例としては、たとえば有機材料では、脂肪酸ま
たは脂肪酸誘導体、安息香酸誘導体あるいは融点が５０
℃以上のｎ−アルカンなどがあげられるが、これらに限
定されるものではない． 本発明でいう脂肪酸または脂肪酸誘導体とは、詳しくは
飽和または不飽和のモノまたはジカルボン酸またはこれ
らのエステル、アミド、アニリド、ヒドラジド、ウレイ
ド、無水物、あるいはアンモニウム塩または金属塩のよ
うな脂肪酸塩は意味する．この場合、エステルは２個以
上のヒドロキシ基を持つ化合物とのエステル、たとえば
モノ、ジまたはトリグリセリドなどを含む。また，これ
らのものはハロゲン、ヒドロキシ基，アシル基、アシル
オキシ基、あるいは置換または無置換のアリール基によ
り置換されていてもよい。これらの飽和または不飽和脂
肪酸は直鎖のものでも枝分れしたものでもよく、不飽和
脂肪酸は二重結合または三重結合を１個持つものでも、
２個以上持つものでもよい．これらの脂肪酸中の炭化水
素鎖の炭素数は１０以上であることが好ましい． 飽和脂肪酸の具体例としては、たとえば、ウンデカン酸
、ラウリン酸、ミリスチン酸、ペンタデカン酸、バルミ
チン酸、ヘプタデカン酸，ステアリン酸、ナノデカン酸
、アラキン酸，ベヘン酸、リグノセリン酸、セロチン酸
、モンタン酸、メリシン酸などがあり，不飽和脂肪酸と
しては、たとえば、オレイン酸、エライジン酸、リノー
ル酸，ソルビン酸、ステアロール酸などがある．またエ
ステルの具体例としては、たとえば、これらの脂肪酸の
メチルエステル、エチルエステル、ヘキシルエステル、
オクチルエステル，デシルエステル、ドデシルエステル
、テトラデシルエステル、ステアリルエステル、エイコ
シルエステル、ドコシルエステルなどがある。また、金
属塩の例としては、たとえば、これらの脂肪酸のナトリ
ウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、ニッケル
、コバルト、亜鉛、カドミウム、アルミニウムなどの金
属塩である． また、本発明でいう安息香酸誘導体には、詳しくは、下
記一般式（！）〜（ＩＶ）で表わされる安息香酸および
そのエステル、アミド、アニリドなどが含まれる．また
、この他に置換されていてもよいヒドラジド、ウレイド
あるいは無水物、金属塩、アンモニウム塩などの塩類が
含まれる．また、エステルは一般式（ｎ）で表わされる
化合物以外に、脂肪族炭化水素化合物の多価アルコール
あるいは、複数のヒドロキシ基を持つ芳香族炭化水素と
のエステルを含む。 Ｉｔ． 一般式中のＲ，、Ｒ２、Ｒ，、およびその他の安息香酸
誘導体の置換基としては、たとえば水素、アルキル基、
アルコキシ基，フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基
、アントラニル基などのアリール基であり、Ｒユはこれ
らの他、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン、ニトロ
基、ヒドロキシ基，シアノ基，カルボキシル基およびそ
のエステル、置換されていてもよいカルバモイル基、ス
ルホ基およびそのエステルあるいはアルキル基、フェニ
ル基、置換フェニル基で置換されていてもよいアミノ基
などがある。また，上記のアルキル基、アルコキシ基、
アリール基は、Ｒよと同様の置換基で置換されていても
よい。また，アルキル基、アルコキシ基は，直鎖状のも
のでも技分れしたものでもよく，炭素数２個以上のもの
にあっては炭素鎖中に、１個以上の不飽和結合を含んで
いてもよい．また、本発明でいうｎ−アルカンの誘導体
とは、炭素鎖中に１個または複数個の二重結合または三
重結合を含む化合物、水素原子が１個以上ハロゲン原子
で置換された化合物，および末端の炭素原子にアルキル
基、アルコキシ基で置換されていてもよいベンゼン環が
結合した化合物である。具体的には、たとえば、テトラ
コサン、ペンタコサン，ヘキサコサン，ヘプタコサン、
オクタコサン、ノナコサン、トリアコンタン、ドトリア
コンタン，テトラトリアコンタン、ヘキサトリアコンタ
ン、オクタトリアコンタン、テトラコンタンなどのｎ−
アルカンまたはこれらを主成分とする混合物、いわゆる
パラフィン、パラフィンろうがある．また誘導体として
は、ｌ−へキサコセン、ｌ−へプタコセン、１−オクタ
コセン，１−トリアコンテン、１−テトラトリアコンテ
ン、１−ヘキサトリアコンテン．１−オクタトリアコン
テン，ｌ−テトラコンテン，ドコシルベンゼン、テトラ
コシルベンゼン，ヘキサコシルベンゼン、オクタコシル
ベンゼン、トリアコンチルベンゼン、トリトリアコンチ
ルベンゼン、テトラトリアコンチルベンゼン、ヘキサト
リアコンチルベンゼン、ｌ，１８−ジブロムオクタデカ
ン、１，２０−ジブロムエイコサン、１，２２−ジブロ
ムドコサンなどがある． 使用する記録層の材料は、好ましくは融点が５０〜２０
０℃、特に６０〜ｌ５０℃の範囲のものが好ましい。 これより低いと記録の保存性に問題があり、また高いと
記録に要するエネルギーが大きくなり記録速度がおそく
なる． 本発明の記録媒体の記録層には、これらの材料のｌ種ま
たは２種以上を混合して用いることができる．また本発
明における記録層は、これらの材料を主成分とする薄膜
状結晶を含むものであるが、これ以外に層を形成する上
で必要に応じ樹脂を用いることができる．樹脂としては
、たとえば，ポリ塩化ビニル，塩化ビニルー酢酸ビニル
共重合体、塩化ビニルー酢酸ビニルービニルアルコール
共重合体、塩化ビニルー酢酸ビニルーマレイン酸共重合
体、塩化ビニルーアクリレート共重合体、ポリ塩化ビニ
リデン、塩化ビニリデンーアクリロニトリル共重合体、
ポリエステル，ポリアミド，ポリアクリレート、ポリメ
タクリレート，ポリカーボネート，ポリウレタン、シリ
コン樹脂などが挙げられる．記録層中に樹脂を用いる場
合、記録層全体で前記記録層材料１に対して、樹脂は重
量比で３以下、特に１以下であることが好ましい． 本発明の記録媒体の基板としては、たとえばガラス板，
金属板またはポリメチルメタクリレート，ポリカーボネ
ートなどのプラスチック板を用いることができる。また
光熱変換層を設けて、光照射により記録を行なう場合、
光熱変換層には、たとえば白金、チタン、シリコン，ク
ロム、ニッケル、ゲルマニウム、アルミニウムなどの金
属または半金属の層を設ければよい。また、これら以外
に照射した光を吸収する色素、たとえばアゾ系色素、シ
アニン系色素，ナフトキノン系色素、アントラキノン系
色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素
、スクアリリウム系色素、ジチオール錯体系色素、アズ
レニウム系色素などの層であってもよい．また、光熱変
換層ではなくこれらの光熱変換物質を直接記録層中に含
有させてもよい．また、記録感度の向上などのため、両
者を併用してもよい． 下引き層４には、たとえばポリ塩化ビニル、塩化ビニル
ー酢酸ビニル共重合体、塩化ビニルーアクリレート共重
合体、ポリ塩化ビニリデン、ポリエステル，ボリアミド
、ポリイミド、ポリカーボネート，ポリエステル、ポリ
ウレタン、アクリル樹脂、シリコン樹脂などを用いるこ
とができる。また保護層５には、これらの樹脂を用いる
か、ガラス板を用いてもよい．ガラス板を用いる場合は
、下引き層と同様の目的で、これらの樹脂層設けたもの
であってもよいし，ガラスの表面の性質を改良する表面
改質材たとえばシラン系、チタネート系表面処理剤で処
理したものであってもよい．〔発明の効果〕 本発明に記録媒体および記録方法は、記録層に穴をあけ
たり、記録層の表面形状を変化させたりするものではな
く、薄膜状結晶の結晶状態を変化させるだけであるため
，記録層の到達温度、冷却温度を適当にコントロールす
ることにより、容易に記録と消去が行なえるものである
．記録は偏光特性の差として検出できるため、記録部と
非記録部のコントラストが高く、高速に信頼性の高い再
生が行なえる．また、記録部も非記録部と同様安定な結
晶状態にあるため、記録された情報は長期間にわたり保
存することができる． 〔実施例〕 以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する． 実施例１ 光学研磨されたガラス板上に光反射層であり、かつ光熱
変換層であるクロム層を真空蒸着により設けた。厚さは
約９００入であった．一方，保護層となるガラス板（厚
さ０．１＋ｍｍ）の片面にギャップ材として直径約１μ
鳳のシリカ粒子を微量付着させた。 この両者を１００℃の恒温槽中に入れ加熱した後、同温
度でガラス基板のクロム層上にベヘン酸（シグマ社製：
純度９９％以上）を少量のせて溶融させた。 次に保護層のガラス板をギャップ材の付着した面を下に
して、ベヘン酸の融液上に一端から静かにかぶせ、融液
を全面に拡げてはさみ込んだ．さらにガラス板の上から
均一に荷重をかけ，基板の一端から冷却し、べヘン酸を
ゆっくり一方向から結晶化させて、薄膜状の結晶とした
．以上の操作によりクロム層上に、ほぼ一様な配向をし
たべヘン酸の結晶薄膜からなる記録層（厚さ０．８μｍ
）とその上に厚さ約０．１ａ＋ｍのガラスよりなる保護
層が形成された。 ここで、記録層のべヘン酸結晶の状態を調べるため、同
様にして作威した記録媒体の保護層のガラス板をはく離
し、Ｘ線回折を測定した．その結果は、第９図に示すよ
うにべヘン酸Ｃ型結晶の長面間隔（４８．３人）に基づ
く回折線のみしか現われず、この結晶薄膜がａ軸、ｂ軸
を基板に対してほぼ平行にし、Ｃ軸が立ち上った状態に
配向していることを示している． 上記のようにして作或した記録媒体に、直径５μｍに集
光した波長７８０ｎｍの半導体レーザー光を強度が記録
媒体面で１０＋ｍＶになるように連続点灯し、直線状に
照射した。このとき走査速度は１００ｍｍ／ｓｅＣとし
た．この記録媒体を反射偏光顕微鏡を用いクロスニコル
で観察すると、明るい非記録部の中に暗いライン状の記
録部が見えた．また、この状態から記録媒体を４５゜回
転すると明暗が逆転し、暗い非記録部に明いライン状の
記録部がｍ察された。 これは記録部の結晶方位が周囲の非記録部の結晶の方位
と異なっていることを示している．次に，偏光顕微鏡で
記録をＩｌ！察しながら記録媒体の温度を２℃ｌ分の速
度で上昇させていくと，６０℃位から記録が消え始め、
７５℃では完全に消え、この温度から冷却することによ
り記録が消去できることがわたった。なお、非記録部の
べヘン酸結晶は約７９℃から溶融することより，この記
録が薄膜状結晶そのものの融点より低い温度で消去され
ることが確認された． 実施例２ 記録層の材料としてベヘン酸の代わりにステアリン酸（
シグマ社製：純度９９％以上）を用いた以外は実施例ｌ
と同様にして、クロム層上に、ほぼ一様な配向をしたス
テアリン酸の薄膜状結晶からなる記録層（厚さ約０．８
μｍ）とその上に厚さ約０．ｌ鳳一のガラスよりなる保
護層を有する記録媒体を作成した． この記録媒体に実施例１と同様にレーザー光を走査した
。ただし、照射強度は記録媒体面で８ｍＷとした６照射
後，偏光顕微鏡でａｍすると実施例ｌのベヘン酸の場合
と同様の記録が認確できた．また、偏光顕微鏡でｔＲ祭
し・ながら記録媒体の温度を２℃／分の速度で上昇させ
ていくと、６７℃で記録が完全に消え，この温度から冷
却することにより記録が消去できることがわかった．な
お非記録部のステアリン酸結晶は約６９℃から溶融する
ことより、この記録が薄膜状結晶そのものの融点より低
い温度で消去されることが確認された．実施例３ 実施例１と同様にクロムを真空蒸着したガラス基板を用
意した．このクロム層上にポリイミド樹脂溶液（日本合
威ゴム社製：ＪＩＢ−１）を塗布し、温度１５０℃で１
時間乾燥して、厚さ約０．１μｍのポリイミド層を設け
た．一方、保護層となる厚さ約０，ｌａｍのガラス板を
用意し、その片面に同様に厚さ約０．１μｎのポリイミ
ド層を設け，さらにその上にギャップ材として直径約１
μ麿のシリカ粒子を微量付着させた．この両方を温度１
４０℃の恒温槽中に入れ加熱した後，同温度でガラス基
板上のポリイミド層上に４−ヘキサデシルオキシ安息香
酸を少量のせ溶融させた．次に、一方のガラス板をギャ
ップ材の付着した面を下にして、その融液上に一端から
静かにかぶせ、融液を全体に拡げてはさみ込んだ．さら
にかぶせたガラス板の上から均一に荷重をかけ、基板の
一端から冷却し、一方向からゆっくり結晶化させた。以
上の操作によりクロム層、ポリイミド層、ほぼ一様な配
向をした４−ヘキサデシルオキシ安息香酸の結晶薄膜よ
りなる記録層（厚さ約０．８μｍ）、ポリイミド層及び
ガラスがその順に基板に積層された記．録媒体を得た． この記録媒体に実施例１と同様にレーザー光を走査した
．ただし、照射強度を記録媒体面で１２ＩｌｌＩ１とし
た．照射後、偏光顕微鏡で観察すると実施例１と同様の
記録が確認できた。また、偏光顕微鏡で観察しながら記
録媒体の温度を２℃／分の速度で上昇させていくと、８
０℃で記録が完全に消え、この温度から冷却することに
より記録が消去できることがわかった．なお非記録部の
結晶薄膜は約ｉｔ５℃より溶融することから、この記録
が、薄膜状結晶そのものの融点より低い温度で消去され
ることが確認された。 表−１

【図面の簡単な説明】

第ｌ図〜第５図は本発明の記録媒体の断面図であり、図
中１は基板、２は成長速度の異なる結晶或長軸を有する
薄膜状結晶からなる記録層、３は光熱変換層、４は下引
き層、５は保護層を示す．第６図は記録層の薄膜状結晶
の結晶軸方向の例を示す図であり、第７図は第６図の記
録媒体にレーザー光を照射したときに形成される温度分
布の例を示す図である。また、第８図は第６図の記録媒
体にレーザー光を照射したときに形成される記録部分と
非記録部分を上方より見たときの結晶軸方向の例を示す
図である。 第９図は記録層にベヘン酸の薄膜状結晶を用いたときの
，記録層のＸ線回折図である。 第７図 ５μｍφ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）方向により結晶の成長速度が異なる材料の薄膜状
   結晶から成るか、またはこれを含む記録層を有すること
   を特徴とする記録媒体。
2. （２）記録時に照射された光の一部または全部を吸収し
   熱に変換する光熱変換層と方向により結晶の成長速度が
   異なる材料の薄膜状結晶から成るか、またはこれを含む
   記録層を有することを特徴とする記録媒体。
3. （３）方向により結晶の成長速度が異なる材料の薄膜状
   結晶が、光学的異方性を有する有機薄膜状結晶である請
   求項（１）または（２）の記録媒体。
4. （４）請求項（１）〜（３）の何れか記載の記録媒体に
   熱を印加、あるいは光を照射することにより薄膜状結晶
   を部分的にかつ一時的に溶融した後、再結晶化させるこ
   とにより、周囲の結晶とは方向の異なる結晶として記録
   することを特徴とする記録方法。