JPH03158286A

JPH03158286A - 記録方法

Info

Publication number: JPH03158286A
Application number: JP1296989A
Authority: JP
Inventors: Kyoji Tsutsui; 恭治筒井
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1989-11-15
Filing date: 1989-11-15
Publication date: 1991-07-08

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の分野〕本発明は、熱の印加または光の照射により情報を記録す
るヒートモード記録媒体の記録方法に関する。

〔従来の技術〕

近年、情報を熱エネルギーの形で印加し、記録材料の形
状変化や物性変化として記録するいわゆるヒートモード
記録システムが実用化されつつある。このようなヒート
モード記録媒体としては、Ｔｅ、　Ｂｉ、Ｓｓ、　Ｔｂ
、Ｉｎなどを主成分とする金属材料を用いた無機系の記
録媒体、あるいは、シアニンなどのポリメチン系色素、
フタロシアニン、ナフタロシアニン、ポルフィリンなど
の大環状アザアヌレン系色素、ナフトキノン、アントラ
キノン系色素およびジチオール金属錯体系色素などの有
機色素を用いた記録媒体が知られている。これらの記録
媒体は集光したレーザー光の照射などにより熱エネルギ
ーが加えられると、照射部分の記録層が溶融あるいは蒸
発して孔（ピット）を形成し、情報を記録するものであ
る。しかし、これらの記録媒体は、記録した情報を消去
して、再び新しい情報を記録する可逆性を有していない
。

上記のような再生専用、追記型のヒートモード光記録媒
体の発達とともに、記録、再生、消去が可能な可逆記録
媒体の必要性が高まっている。

こうした可逆記録媒体として、たとえばＧｄ、　Ｔｂ、
Ｄｙなどの希土類金属とＦｅ、　Ｎｉ、　Ｃｏなどの遷
移金属とからなる合金薄膜を用いた光磁気記録媒体があ
る。これは、レーザー光照射による加熱と外部印加磁界
を併用して記録し、磁化の向きによる光の振動面の回転
方向の違いを利用して再生するものである。また、情報
の消去はレーザーによる加熱と記録時とは逆向きの外部
磁界を加えることにより行なわれる。しかし、この光磁
気配ｓＷｃ体は再生時の感度が十分でなくＳハ比が悪い
こと、および酸化などの影響により記録感度の劣化や記
録の安定性に問題があるなどの欠点を有している。

また、可逆記録媒体として、Ｇｅ、　Ｔｏ、　Ｓｓ、Ｓ
ｂ。

Ｉｎ、　Ｓｎなどの元素を主成分とする無機材料薄膜か
らなる記録層の結晶−非晶質間の相転移を利用したもの
がある。この記録媒体はレーザー光の照射のみで、ヒー
トモードで記録および消去ができる利点があるが、記録
部と非記録部のコントラストや記録の安定性が十分でな
いこと、記録層の材料の安定性に関して問題があるなど
の欠点を有している。

（発明が解決しようとする課題〕このように従来の記録方法は、記録の感度、消去速度、
記録の安定性、記録のコントラス１−など種々の問題を
残している。特に、記録層の相転移や結晶状態の変化を
利用した記録媒体では、消去速度の高速化や、消去時に
消し残りがなく信頼性が高い記録、消去が行なわれるこ
とが望まれている。

このような観点から、本発明は記録層の結晶状態の変化
、または相変化による記録、消去が高速かつ確実に行な
われる記録方法を提供するものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者らは、以上のような目的から、光エネルギー照
射にともなう熱により、結晶状態が可逆的に変化する記
録層への記録、消去を検討した結果、記録層中の結晶状
態の変化する部分の範囲をコントロールすることにより
、上記の目的が達成できることを見い出した。

すなわち、本発明の記録方法は、基板上に、記録光を吸
収し熱に変換する光熱変換層および実質的に記録光に対
して透明であり、熱によって可逆的な結晶状態変化を起
こして記録、消去を行なう記録層を有する記録媒体を用
い、光照射により記録層の厚さ方向の一部分の結晶状態
を変化させて記録するか、相変化させて記録するもので
あり、上記光熱変換層と記録層が直接、接している記録
媒体を用いるものである。

本発明に用いる記録媒体の記録層は、結晶状態の可逆的
な変化および相間の可逆的な変化により記録と消去を行
ない、繰り返し使用できるものである。この結晶状態の
変化とは、結晶の構造的な変化や相転移を含むものであ
り、たとえば、結晶型間の可逆的な結晶転移、結晶質と
非晶質間の可逆的な相転移、結晶化度の可逆的な変化、
分子の配向度の可逆的な変化、結晶方位の可逆的な変化
すなわち結晶軸方向の可逆的な変化、分子の配向方向の
可逆的な変化、あるいは結晶粒の大きさ。

結晶ドメインの大きさの可逆的な変化などがあり、これ
らが記録層中で単独または複合して起こるものである。

これらの変化は、記録時または消去時に加えられる熱、
または、光照射により発生する熱によって記録層の温度
がいったん上昇し、融液相あるいは液晶相を経由して、
未記録状態から記録状態あるいは記録状態から消去状態
（未記録状態と同じ）に変化する場合や、融液相、液晶
相を経由せず温度上昇により直接的に状態間の転移が起
こる場合や、非晶状態を経由して転移する場合などがあ
る。

このような記録、消去が行なりれる記録媒体には、たと
えば以下のようなものがある。有機材料の結晶−結晶間
、結晶−非晶間の転移を利用するものとして、たとえば
、銅フタロシアニン、マグネシウムフタロシアニンなど
のフタロシアニン系材料があり、配向状態と等方性状態
または非晶状態間の転移を利用する高分子液晶材料また
は低分子液晶材料がある。液晶材料の場合は配向状態を
形成するために電界または磁界を利用する場合もある。

さらに、有機の薄膜状結晶の結晶状態の可逆的な変化を
利用するものでは、たとえば脂肪酸または脂肪酸誘導体
、安息香酸誘導体、融点が５０℃以上のｎ−アルカンま
たはその誘導体などがある。

本発明でいう脂肪酸または脂肪酸誘導体とは、詳しくは
飽和または不飽和のモノまたはジカルボン酸またはこれ
らのエステル、アミド、アニリド、ヒドラジド、ウレイ
ド、無水物５あるいはアンモニウム塩または金属塩のよ
うな脂肪酸塩は意味する。この場合、エステルは２個以
上のとドロキシ基を持つ化合物とのエステル、たとえば
モノ、ジまたはトリグリセリドなどを含む。また、これ
らのものはハロゲン、ヒドロキシ基、アシル基、アシル
オキシ基、あるいは置換または無置換の７リール基によ
り置換されていてもよい、これらの飽和または不飽和脂
肪酸は直鎖のものでも枝分れしたものでもよく、不飽和
脂肪酸は二重結合または三重結合を１個持つものでも、
２個以上持つものでもよい。これらの脂肪酸中の炭化水
素鎖の炭素数は１０以上であることが好ましい。

飽和脂肪酸の具体例としては、たとえば、ウンデカン酸
、ラウリン酸、ミリスチン酸、ペンタデカン酸、バルミ
チン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン酸、ナノデカン酸
、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、セロチン酸
、モンタン酸、メリシン酸などがあり、不飽和脂肪酸と
しては、たとえば、オレイン酸、エライジン酸、リノー
ル酸、ソルビン酸、ステアロール酸などがある。またエ
ステルの具体例としては、たとえば、これらの脂肪酸の
メチルエステル、エチルエステル、ヘキシルエステル、
オクチルエステル、デシルエステル、ドデシルエステル
、テトラデシルエステル、ステアリルエステル、エイコ
シルエステル、トコシルエステルなどがある。また、金
属塩の例としては。

たとえば、これらの脂肪酸のナトリウム、カリウム、マ
グネシウム、カルシウム、ニッケル、コバルト、亜鉛、
カドミウム、アルミニウムなどの金属塩である。

また、本発明でいう安息香酸誘導体には、詳しくは、下
記一般式（１）−（ｒＶ）で表わされる安息香酸および
そのエステル、アミド、アニリドなどが含まれる。また
、この他に置換されていてもよいヒドラジド、ウレイド
あるいは無水物、金属塩、アンモニウム塩などの塩類が
含まれる。また、エステルは一般式（ＩＩ）で表わされ
る化合物以外に。

脂肪族炭化水素化合物の多価アルコールあるいは、複数
のヒドロキシ基を持つ芳香族炭化水素とのエステルを含
む。

一般式中のＲ１、Ｒ２、Ｒ１、およびその他の安息香酸
誘導体の置換基としては、たとえば水素、アルキル基、
アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基。

ナフチル基、アントラニル基などのアリール基であり、
Ｒ４はこれらの他、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲ
ン、ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボキシル
基およびそのエステル、置換されていてもよいカルバモ
イル基、スルホ基およびそのエステルあるいはアルキル
基、フェニル基、置換フェニル基で置換されていてもよ
いアミノ基などがある。また、上記のアルキル基、アル
コキシ基、アリール基は、Ｒ１と同様の１ａ換基で置換
されていてもよい。また、アルキル基、アルコキシ基は
、直鎖状のものでも枝分れしたものでもよく、炭素数２
個以上のものにあっては炭素鎖中に、１個以上の不飽和
結合を含んでいてもよい。

また、本発明でいうｎ−アルカンの誘導体とは、炭素鎖
中に１個または複数個の二重結合または三重結合を含む
化合物、水素原子が１個以上ハロゲン原子で置換された
化合物、および末端の炭素原子にアルキル基、アルコキ
シ基で置換されていてもよいベンゼン環が結合した化合
物である。具体的には、たとえば、テトラコサン、ペン
タコサン。

ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコサ
ン、トリアコンタン、トドリアコンタン、テトラトリア
コンタン、ヘキサトリアコンタン、オクタトリアコンタ
ン、テトラコンタンなどのｎ−アルカンまたはこれらを
主成分とする混合物、いわゆるパラフィン、パラフィン
ろうがある。また誘導体としては、１−へキサコセン、
■−へプタコセン、ｌ−オフタコセン、１−トリアコン
チン、ｌ−テトラトリアコンチン、１−ヘキサトリアコ
ンチン、１−オクタトリアコンチン、１−テトラコンチ
ン、トコシルベンゼン、テトラコンタンゼン、ヘキサコ
シルベンゼン、オフタコシルベンゼン、トリアコンチル
ベンゼン、トリトリアコンチルベンゼン、テトラトリア
コンチルベンゼン、ヘキサトリアコンチルベンゼン、１
，１８−ジブロムオクタデカン、１゜２０−ジブロムエ
イコサン、１，２２−ジブロムトコサンなどがある。

本発明に用いる記録媒体は、基本的には第１図に示すよ
うに基板１上に、記録光を吸収し熱に変換する光熱変換
層２を設け、その北に記録光に対して実質的に透明であ
り、熱によって可逆的な結晶状態または相変化を起こす
記録層３および保護層４を有するものである。記録は小
さくしぼった光束を情報にしたがって点滅させて照射し
て行なう。記録媒体中で光を熱に変換し、その熱で記録
層を変化させて記録する。本発明はこのとき、記録層中
の厚さ方向の一部分のみの結晶状態を変化させて記録す
るものであるが、これを達成するためには記録層中に第
２図に示すような温度分布を形成する必要がある。

第１図の記録媒体に短時間の光照射が行なわれると、保
護層と記録層は記録光に対して実質的に透明であり光を
吸収しないので、記録層中では発熱は起こらない。記録
光は大部分その下の光熱変換層で吸収され、ここで熱が
発生する。この熱が光熱変換層と接する記録層に伝わり
、記録層が変化する。記録光の照射は短時間であるので
、照射が止めば熱はすぐに拡散し冷却される。記録Ｍを
形成する有機薄膜状結晶や高分子液晶の層は熱伝導率が
小さいため、光熱変換層からの熱は短時間では記録層の
厚さ全体には伝わらず、光照射終了時には第２図に示す
ような温度分布が形成されて、記録層の下側の光熱変換
層に近い部分だけがいったん加熱され、すぐに冷却する
ことにより、第３図に示すようにこの部分（図中５で示
す部分）だけ、結晶状態に変化が起こり記録される。た
とえば、この結晶状態の変化が溶融状態を経由して起こ
る場合には、融点以上の温度になった光熱変換層に近い
部分だけが溶融し、続いて起こる冷却によって結晶化す
るとき、最初の状態すなわち周囲の結晶状態とは異なっ
た状態に固化して記録となる。

このように記録層の一部分だけを加熱して記録するには
、記録層そのものが光を吸収して発熱するよりも、記録
する層と光を吸収し熱を発生する光熱変換層が分離し、
かつ接触していることが好ましい。高密度な記録を行な
うには記録層は薄膜であることが要求されるが、記録層
が光を吸収し、しかもその一部分だけが高温になるよう
にするためには、吸光度が非常に高く記録層の表面付近
でのみ光が吸収されるようにしなければならない。

記録層の材料は必ずしもこのように高い吸光度は得られ
ず、一般的には記録光を吸収する色素を混入させること
が多い。しかし、これにより記録材料の結晶状態の形成
や変化に悪い影響を及ぼすこともある。

本発明の記録方法では、透明な記り層と光熱変換層が分
かれているため記録層を部分的に加熱することが容易で
ある。前述のように記録層と光熱変換層は直接、接して
いることが望ましいが、たとえば記録層の薄膜状結晶の
均一性や、高分子液晶層の配向性を向上させるために、
下引き層あるいは配向膜を設けることも可能である。た
だし、この場合も、記録層が局部的に加熱されるように
するために、これらの層はできるだけ薄いほうがよく、
１μｍ以下であることが好ましい。

本発明に用いる記録層は加えられた熱の量あるいは到達
した温度によって、結晶−結晶間の転移や結晶質−非晶
質間の相転移、配向状態の変化、配向方向の変化が可逆
的に起こる層である。たとえば薄膜状の結晶からなる記
録層が光照射により加熱溶融し、急冷されると、その部
分が非晶質となって固定されたり、結晶の配向方向が変
化して固定され情報が記録される。次に、記録時には別
の条件で光を照射して溶融温度より低い温度に加熱した
り、記録時より長時間加熱したり、冷却速度がおそくな
るようにして照射すると、記録によって結晶状態が変化
した部分が、記録前の結晶の状態に戻り、消去が行なわ
れる。このとき、本発明の記録方法によれば、記録され
た状態は第３図に示すように記録層の厚さ方向の一部分
が変化しただけであるため、その周囲は元の未記録状態
の結晶に囲まれている。この状態と、第４図に示すよう
に記＠層が記録時に旧全体にわたって結晶状態が変化し
ている状態を比較すると、消去時には厚さ方向の一部だ
けが変化しているもののほうが。

変化部分の周囲の結晶の規制力によって元の結晶状態に
戻りやすく、したがって消去速度が速く。

また消え残りがなくなる。

本発明で用いる記録媒体の光熱変換層は、たとえば白金
、チタン、シリコン、クロム、ニッケル、ゲルマニウム
、アルミニウムなどの金属または半金属の層を用いれば
よく、光の一部を反射する反射層と兼用することができ
る。また基板には、−般的に用いられるガラス板やアク
リル樹脂、ポリカーボネート樹脂などのプラスチック板
が使用できる。保護層には、ガラスまたは樹脂などの記
録光、再生光、消去光に対し透明な層が使用できる。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。

実施例１光学研磨された直径４インチ（ｌｏｌ、６１１＋ｍ）、
１グさ１．２１のガラスディスク上に、厚さ約９００人
のクロム（Ｃｒ）蒸着膜を設は光熱変換層とした。この
上に塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体（ユニオンカーバ
イド社製：ＶＹＨ）Ｉ）の５ｗｔ％テトラヒドロフラン
溶液を塗布し、乾燥して厚さ約０．２．の樹脂層を設け
た。

次に、この樹脂層上にステアリンＭ（シグマ社製：純度
９９％）のｌＯすｔ％テトラヒドロフラン溶液を塗布し
、４５℃で乾燥した。さらに、その上に前記と同じ塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体の５ｗｔ％テトラヒドロフ
ラン溶液を塗布し、４５℃で乾燥した。このディスクを
温度９５℃に加熱したホットプレート上にのせ２分間放
置した後、ホットプレート上を一方向にゆっくり移動さ
せて、ホットプレー１−からはずしていった。このとき
ステアリン酸融液層は、ホットプレートからはずれた部
分から結晶化し、一方向に拡がって全体が結晶化した。

以上の操作により、最終的にＣｒ層上にほぼ−様な方向
に配向したステアリン酸の薄膜状結晶よりなる記録層（
厚さ約０．８μｓ＋）と、その上に塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体よりなる保護層（厚さ約０．６．ｉｓ）が
形成された。

このようにして作成した記録媒体を９０ＯＲＰＭで回転
させながら、直径ｌ趨に集光した波長８３０ｎｍの半導
体レーザー光を下記（１）および（２）の条件で照射し
、スパイラル状の記録を形成した。このとき、ディスク
上の記録した部分における記録方向の線速度は約３５０
０−４０００ｍｏ＋／ｓｅｅである。

照射条件（１）点灯条件二周波数２００ＫＩＩｚ、デユ
ーティ比５０％記録媒体面での強度８５ｍＷ記録ラインの間隔：約３．５μｍ（中心間）（２）点灯
条件二連続点灯記録媒体面での強度：Ｓ約記録ラインの間隔：約１癖（中心間）上記（１）の条件でレーザー光を照射した記録媒体を反
射偏光顕微鏡を用い直交ニコル状態で＆ｊｌ察すると、
記り層のレーザー光照射部分に幅約１μｍのライン状の
記録部が形成されているのが、明瞭なコントラストで１
ｆｉＡできた。ただし、この記録部は通常の光学顕微鏡
観察では、はとんど確認できない程度であった。

上記（２）の条件でレーザー光を照射した記録媒体と同
様に偏光顕微鏡を用いて観察すると、記録媒体の照射範
囲全面にほとんどすき間なく記録されているのが認めら
れた。この全面記録を行なった記録媒体について、記録
を行なう前と記録後の同一部分のＸ線回折を測定した。

記録前のＸ線回折を第５図、記録後のＸ線回折を第６図
に示す。第５図より、記録前はステアリン酸のＣ型結晶
の長面間隔に基づく回折線のみが認められ、ａ　＋　ｂ
　＠を平行に配向した構造になっていた。しかし、第６
図の記録後では、短面間隔に基づく回折線（２（３＝２
１．６°）が現われ、記録層の記録部の中にｃ！Ｊｌを
基板に平行に配向した構造が形成されたことを示してい
る。

次に、（２）の条件で記録した記録媒体の上部の保護層
を一端から剥離するとステアリン酸記録層が下部のＣｒ
層側と上部の保１層側に分黙し、上部は保護層といっし
ょに剥離された。このふたつに分かれたステアリン酸記
録層について前記と同様Ｘ線回折を測定した。上部保護
層側のＸ線回折を第７図に、下部Ｃｒ層側のＸ線回折を
第８図に示す。第７図の保護層側のステアリン酸結晶膜
は第５図の記録前のＸ線回折図と一致するのに対し、第
８図のＣｒ層側のステアリン酸結晶には、第６図の記録
後の記録層全体のＸ線回折に現われたと同様な短面間隔
に基づく回折線（２θ＝２１．６°）が認められた７以
上の結果より、ステアリン酸薄膜状結晶への記録が結晶
の配向方向の変化によるものであること、この条件での
レーザー光照射では記＠層の全体が変化して記録されて
いるのではなく、Ｃｒｑ側の一部分だけが変化して記録
されていることがわかる。

レーザー光を′照射したとき記録層中にどのような温度
分布が形成されているかは実際に測定することができな
いため、レーザー光の強度分布、記録媒体各層の光吸収
と熱伝導を考慮し、各層の厚さ、光吸収特性、熱伝導率
、比熱などの熱特性を表−１に示す値とし、記録層中の
温度分布をシュミレーションすると、第９図に示すよう
な結果が得られた。この記録媒体では、レーザー光はＣ
ｒＷＪのみで吸収されて熱に変わり、この熱が記録層に
伝わる。この条件では照射時間が非常に短かく、また記
録層の熱伝導率も小さいため、記録層のＣｒ層に近い部
分だけが昇温しで、この部分だけが溶融するが、レーザ
ー光の照射が止まると直ちに冷却され再び結晶化し、記
録されるものと考えられる。

これは前記の実験結果と一致する。

表−１欣に、（１）の条件で記録した記録媒体に対して。

直径５μ−に集光した波長７３０ｎｍの半導体レーザー
光を記録媒体面での強度が１　、５１！Ｉｗとなるよう
に連続点灯し、線速５０ｍｍ／ｓｅｃの速度で、すでに
形成されている記録部と重なるように直線状に走査した
。

この記録媒体を反射偏光顕微鏡でＷｔｒＡすると、５１
φのレーザー光が走査した部分は、１μｍφのレーザー
光で形成された記録が約２．５／Ｊ１１の幅で帯状に消
去されていた。

以上の結果より、ステアリン酸結晶からなる記録層の厚
さ方向の一部に形成された記録は、レーザー光を重ねて
照射することにより消去できることがわかった。

実施例２光学研磨された直径４インチ（１０１，６１１ｕ＊）、
厚さ１．２ｍａ＋のガラスディスク上に、光熱変換層で
あるＣｒ層を真空蒸着により設けた。厚さは約９５０人
であった。この基板を温度９５’Ｃにコントロールした
ホットプレート上にＣｒ層を上にしてのせその−ににベ
ヘン酸くシグマ社製；純度９９％）を少量のせ溶融させ
た。厚さ約０，１ｏ＋ｍのガラス板をベヘン酸融液上に
かぶせ、融液を全面に均一に拡げてはさみ込んだ。次に
、このディスクをホラ１−プレート上でゆっくり一方向
に勘かし、ホットプレー１−からはずしていった。ディ
スクはホットプレー１〜からはずれた部分から温度が下
がり、この部分からベヘン酸融液層の結晶化が始まり、
徐々に一方向に拡がって全体が結晶化した。この結晶膜
上にポリビニルアルコールのｌ０ｗｔ％水溶液を塗布し
た。以上の操作により、Ｃｒｌ上にほぼ−様な方向に配
向したステアリン酸の薄膜状結晶よりなる記録層ＩＪさ
約０．６１．ｉｍ）と、その上にポリビニルアルコール
よりなる保護層（厚さ約０．３μｍ）が形成された。

このようにして作成した記録媒体に、記録時のレーザー
光の強度を６１とした以外は実施例１の照射条件（１）
と同様に照射した記録を行なったところ、記録は偏光顕
微鏡で明瞭に観察できた。

次に、実施例１と同様に、直径５趨に集光した半導体レ
ーザー光を強度２ｍＷとなるように連続点灯し、線速５
０ｍｍ八ｅｃの速度で、すでに形成されている記録部と
重なるように直線状に走査した。その後、偏光顕微鏡で
ｉｌｌ察すると、５癖φのレーザー光が走査した部分は
、１−φのレーザー光により形成された記録が、約３Ｉ
ｓの幅で帯状に消去されていた。

〔発明の効果〕

本発明の記録方法は、記録層に穴をあけたり、記録層の
表面形状を変化させたりするものではなく、記録層の厚
さ方向の一部分の結晶状態を変化させるか、あるいは相
変化させて記録を行うので、記録時の変化部分が消去の
際に元の状態に戻りゃすいため消し残りがなくかつ消去
速度が高速化され、信頼性の高い記録、消去を高速に行
うことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に用いる記録媒体の基本的な構成を示
す断面図で１図中１は基板、２は光熱変換漕、３は記録
層、４は保護層を示す。第２図は、レーザー光照射時に記録層中に形成される温
度分布を示す図である。第３図は、第２図に示す温度分
布に対応して形成された記８Ｎ中の変化部分５を示す図
である。第４図は、記録層の厚さ方向にわたり全体に記
録が形成された状態を示す図である。第５図は、未記録の記録層のＸ線回折図で、第６図は、
はぼ全面にレーザー光を照射して記録した後の記録層の
Ｘ１回折図である。第７図は、全面記録後の記録層を保
護層側と基板側に分離したときの保護層側の記録層のＸ
線回折図であり、第８図は、基板側の記録層のＸ線回折
図である。第９図は、シュミレーションより求めた照射時間０．２
５μｓｅｃのときの記録層中に形成される温度分布を示
す図である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板上に、記録光を吸収し熱に変換する光熱変換
層および実質的に記録光に対して透明であり、熱によっ
て可逆的な結晶状態変化または相変化を起こして記録、
消去を行なう記録層を有する記録媒体を用い、光照射に
より記録層の厚さ方向の一部分の結晶状態を変化させて
記録するか、または相変化させることにより記録するこ
とを特徴とする記録方法。
（２）上記光熱変換層と上記記録層が直接、接している
記録媒体を用いる請求項（１）記載の記録方法。
（３）上記記録層が脂肪酸または脂肪酸誘導体、安息香
酸誘導体、ｎ−アルカンまたはその誘導体の薄膜状結晶
であるか、高分子液晶の層である記録媒体を用いる請求
項（１）記載の記録方法。