JPH04294190A - 記録媒体および記録の消去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光の照射によって加わ
る熱を利用して情報の記録および消去を行なうヒートモ
ード記録媒体および記録の消去方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報を熱エネルギーの形で印加し
、記録材料の形状変化や物性変化として記録するいわゆ
るヒートモード記録システムが実用化されつつある。 このようなヒートモード記録媒体としては、Ｔｅ、Ｂｉ
、Ｓｅ、Ｔｂ、Ｉｎなどを主成分とする金属材料を用い
た無機系の記録媒体、あるいは、シアニンなどのポリメ
チン系色素、フタロシアニン、ナフタロシアニン、ポル
フィリンなどの大環状アザアヌレン系色素、ナフトキノ
ン、アントラキノン系色素およびジチオール金属錯体系
色素などの有機色素を用いた記録媒体が知られている。 これらの記録媒体は集光したレーザー光の照射などによ
り熱エネルギーが加えられると、照射部分の記録層が溶
融あるいは蒸発して孔（ピット）を形成し、情報を記録
するものである。しかし、これらの記録媒体は、記録し
た情報を消去して、再び新しい情報を記録する可逆性を
有していない。

【０００３】上記のような再生専用、追記型のヒートモ
ード光記録媒体の発達とともに、記録、再生、消去が可
能な可逆記録媒体の必要性が高まっている。

【０００４】こうした可逆記録媒体として、たとえばＧ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙなどの希土類金属とＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏな
どの遷移金属とからなる合金薄膜を用いた光磁気記録媒
体がある。これは、レーザー光照射による加熱と外部印
加磁界を併用して記録し、磁化の向きによる光の振動面
の回転方向の違いを利用して再生するものである。また
、情報の消去はレーザーによる加熱と記録時とは逆向き
の外部磁界を加えることにより行なわれる。しかし、こ
の光磁気記録媒体は再生時の感度が十分でなくＳ／Ｎ比
が悪いこと、および酸化などの影響により記録感度の劣
化や記録の安定性に問題があるなどの欠点を有している
。

【０００５】また、可逆記録媒体として、Ｇｅ、Ｔｅ、
Ｓｅ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｓｎなどの元素を主成分とする無機
材料薄膜からなる記録層の結晶−非晶質間の相転移を利
用したものがある。この記録媒体はレーザー光の照射の
みで、ヒートモードで記録および消去ができる利点があ
るが、記録部と非記録部のコントラストや記録の安定性
が十分でないこと、記録層の材料の安定性に関して問題
があるなどの欠点を有している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このように従来の記録
媒体ないし記録方法は、記録の感度、消去速度、記録の
安定性、記録のコントラストなど種々の問題を残してい
る。特に、記録層の相転移や結晶状態の変化を利用した
記録媒体ないし記録方法では、消去速度の高速化や、消
去時に消し残りがなく信頼性が高い記録、消去が行なわ
れることが望まれている。

【０００７】このような観点から、本発明は記録層の結
晶状態の変化、または相変化による記録であり、記録の
消去が確実に行なわれる記録媒体および記録の消去方法
を提供するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、以上のよ
うな目的から、光照射にともなう熱により結晶状態が可
逆的に変化する記録層への記録、消去を検討した結果、
記録媒体を構成する記録層と光熱変換層を適切に組み合
わせることにより、またこれらの組み合わせと、記録時
と消去時の光ビームの条件の適切な選択とにより、上記
の目的が達成できることを見出した。

【０００９】すなわち、本発明の記録媒体は、支持体上
に少なくとも、照射光を吸収して熱に変換する第１の光
熱変換層、熱により可逆的に結晶状態の変化を起こす結
晶性有機薄膜からなる記録層および照射光を吸収して熱
に変換する第２の光熱変換層を順次積層してなるもので
ある。

【００１０】上記第２の光熱変換層は、記録時に照射す
る光に対するより、消去時に照射する光に対し相対的に
吸光度の大きな層からなることが好ましい。

【００１１】また、上記二つの光熱変換層の少なくとも
一方が、光吸収剤を含む樹脂層からなることが好ましい
。

【００１２】さらに本発明の記録の消去方法は、光を照
射して記録した前記の記録媒体に、記録時に照射した光
とは異なる波長分布の光を照射して記録を消去するもの
である。

【００１３】本発明に用いる記録媒体の記録層は、結晶
状態の可逆的な変化および相間の可逆的な変化により記
録と消去を行ない、繰り返し使用できるものである。こ
の結晶状態の変化とは、結晶の構造的な変化や相転移を
含むものであり、たとえば、結晶型間の可逆的な結晶転
移、結晶質と非晶質間の可逆的な相転移、結晶化度の可
逆的な変化、分子の配向度の可逆的な変化、結晶方位の
可逆的な変化すなわち結晶軸方向の可逆的な変化、分子
の配向方向の可逆的な変化、あるいは結晶粒の大きさ、
結晶ドメインの大きさの可逆的な変化などがあり、これ
らが記録層中で単独または複合して起こるものである。 これらの変化は、記録時または消去時に加えられる熱、
または、光照射により発生する熱によって記録層の温度
がいったん上昇し、融液相あるいは液晶相を経由して、
非記録状態から記録状態あるいは記録状態から消去状態
（非記録状態と同じ）に変化する場合や、融液相、液晶
相を経由せず温度上昇により直接的に状態間の転移が起
こる場合や、非晶状態を経由して転移する場合などがあ
る。

【００１４】このような記録、消去が行なわれる記録層
の材料には、たとえば以下のようなものがある。有機材
料の結晶−結晶間、結晶−非晶間の転移を利用するもの
として、たとえば、銅フタロシアニン、マグネシウムフ
タロシアニンなどのフタロシアニン系材料がある。さら
に、有機の薄膜状結晶の結晶状態の可逆的な変化を利用
するものでは、たとえば脂肪酸または脂肪酸誘導体、安
息香酸誘導体、融点が５０℃以上のｎ−アルカンまたは
その誘導体などがある。

【００１５】本発明でいう脂肪酸または脂肪酸誘導体と
は、詳しくは飽和または不飽和のモノまたはジカルボン
酸またはこれらのエステル、アミド、アニリド、ヒドラ
ジド、ウレイド、無水物、あるいはアンモニウム塩また
は金属塩のような脂肪酸塩は意味する。この場合、エス
テルは２個以上のヒドロキシ基を持つ化合物とのエステ
ル、たとえばモノ、ジまたはトリグリセリドなどを含む
。また、これらのものはハロゲン、ヒドロキシ基、アシ
ル基、アシルオキシ基、あるいは置換または無置換のア
リール基により置換されていてもよい。これらの飽和ま
たは不飽和脂肪酸は直鎖のものでも枝分れしたものでも
よく、不飽和脂肪酸は二重結合または三重結合を１個持
つものでも、２個以上持つものでもよい。これらの脂肪
酸中の炭化水素鎖の炭素数は１０以上であることが好ま
しい。

【００１６】飽和脂肪酸の具体例としては、たとえば、
ウンデカン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、ペンタデカ
ン酸、パルミチン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン酸、
ナノデカン酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸
、セロチン酸、モンタン酸、メリシン酸などがあり、不
飽和脂肪酸としては、たとえば、オレイン酸、エライジ
ン酸、リノール酸、ソルビン酸、ステアロール酸などが
ある。またエステルの具体例としては、たとえば、これ
らの脂肪酸のメチルエステル、エチルエステル、ヘキシ
ルエステル、オクチルエステル、デシルエステル、ドデ
シルエステル、テトラデシルエステル、ステアリルエス
テル、エイコシルエステル、ドコシルエステルなどがあ
る。また、金属塩の例としては、たとえば、これらの脂
肪酸のナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウ
ム、ニッケル、コバルト、亜鉛、カドミウム、アルミニ
ウムなどの金属塩である。

【００１７】また、本発明でいう安息香酸誘導体には、
詳しくは、下記一般式化１中の（Ｉ）〜（ＩＶ）で表わ
される安息香酸およびそのエステル、アミド、アニリド
などが含まれる。また、この他に置換されていてもよい
ヒドラジド、ウレイドあるいは無水物、金属塩、アンモ
ニウム塩などの塩類が含まれる。また、エステルは一般
式（ＩＩ）で表わされる化合物以外に、脂肪族炭化水素
化合物の多価アルコールあるいは、複数のヒドロキシ基
を持つ芳香族炭化水素とのエステルを含む。

【００１８】

【化１】 一般式中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、およびその他の安息香酸
誘導体の置換基としては、たとえば水素、アルキル基、
アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基
、アントラニル基などのアリール基であり、Ｒ１はこれ
らの他、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン、ニトロ
基、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボキシル基およびそ
のエステル、置換されていてもよいカルバモイル基、ス
ルホ基およびそのエステルあるいはアルキル基、フェニ
ル基、置換フェニル基で置換されていてもよいアミノ基
などがある。また、上記のアルキル基、アルコキシ基、
アリール基は、Ｒ１と同様の置換基で置換されていても
よい。また、アルキル基、アルコキシ基は、直鎖状のも
のでも枝分れしたものでもよく、炭素数２個以上のもの
にあっては炭素鎖中に、１個以上の不飽和結合を含んで
いてもよい。また、本発明でいうｎ−アルカンの誘導体
とは、炭素鎖中に１個または複数個の二重結合または三
重結合を含む化合物、水素原子が１個以上ハロゲン原子
で置換された化合物、および末端の炭素原子にアルキル
基、アルコキシ基で置換されていてもよいベンゼン環が
結合した化合物である。具体的には、たとえば、テトラ
コサン、ペンタコサン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、
オクタコサン、ノナコサン、トリアコンタン、ドトリア
コンタン、テトラトリアコンタン、ヘキサトリアコンタ
ン、オクタトリアコンタン、テトラコンタンなどのｎ−
アルカンまたはこれらを主成分とする混合物、いわゆる
パラフィン、パラフィンろうがある。また誘導体として
は、１−ヘキサコセン、１−ヘプタコセン、１−オクタ
コセン、１−トリアコンテン、１−テトラトリアコンテ
ン、１−ヘキサトリアコンテン、１−オクタトリアコン
テン、１−テトラコンテン、ドコシルベンゼン、テトラ
コシルベンゼン、ヘキサコシルベンゼン、オクタコシル
ベンゼン、トリアコンチルベンゼン、トリトリアコンチ
ルベンゼン、テトラトリアコンチルベンゼン、ヘキサト
リアコンチルベンゼン、１，１８−ジブロムオクタデカ
ン、１，２０−ジブロムエイコサン、１，２２−ジブロ
ムドコサンなどがある。

【００１９】本発明の記録媒体は、基本的には図１に示
すように基板１上に記録光を吸収し熱に変換する第１の
光熱変換層２、その上に記録光に対して実質的に透明で
あり、熱によって可逆的な結晶状態または相変化を起こ
す記録層３、さらにその上に第２の光熱変換層４を有す
るものである。図２は、これらの層の上にさらに保護層
５を設けたものである。第２の光熱変換層は照射した光
の一部を吸収して熱に変換する層であり、その他の光は
主に透過する層である。また、第１の光熱変換層は照射
した光の一部を吸収し熱に変換する層であり、反射光を
用いて再生を行なう場合には、その他の光は主に反射す
る層であり、透過層を用いて再生を行なう場合には、そ
の他の光は主に反射する層である。また、この層は記録
光に対しても消去光に対しても光吸収の程度に大きな差
はなく、どちらの光に対しても光熱変換層として働く層
である。

【００２０】上記の第２の光熱変換層は、記録時に照射
する光に対するより、消去時に照射する光に対し相対的
に吸光度の大きな層で構成することが好ましい。この場
合、第２の光熱変換層は記録光の波長では光吸収は小さ
く、大部分の光を透過し、消去光の波長ではこれに比べ
光吸収が大きく、消去光の一部を吸収し熱に変換し、残
りの光は主に透過する。すなわち、記録光に対しては光
熱変換層としては働かず、消去光に対しては光熱変換層
として働く。

【００２１】記録は小さくしぼった光束を情報にしたが
って点滅させながら照射して行なう。光照射が行なわれ
ると、記録媒体に入射した光の一部は第２の光熱変換層
で吸収され熱に変換される。第２の光熱変換層を透過し
た光は、記録層も透過し、第１光熱変換層でまた一部が
吸収され熱に変換される。第１の光熱変換層がその他の
光の大部分を反射するときには、反射光は再び第２の光
熱変換層に入射し、一部は吸収され熱に変換され、残り
の光は透過する。第１および第２の光熱変換層で発生し
た熱は、その間にある記録層へ伝わり、記録層が昇温す
る。このとき記録層の記録温度、すなわち結晶状態が変
化する温度以上に到達し、続いて光照射が止み降温すれ
ばその部分に記録が形成される。たとえば、この結晶状
態変化が溶融状態を経由して起こる場合には、融点以上
になった部分が降温して結晶化するとき、最初の結晶状
態（周囲の非記録部分の状態）とは異なった状態に固化
して記録となる。また、記録は記録層の厚さ方向の全体
が変化する必要はなく、再生時に記録として識別できる
程度に層の一部分に形成されていてもよい。消去は結晶
状態が周囲と同じ結晶状態になることによって行なわれ
るが、このとき記録が層の厚さ方向が全体に変化してい
るより、一部が変化している場合のほうが、周囲の結晶
からの規制力が働きやすく、消去がしやすくなる。

【００２２】第２の光熱変換層を記録時に照射する光に
対するより、消去時に照射する光に対し相対的に吸光度
の大きな層で構成した記録媒体を用いた場合には、記録
層と接する第１の光熱変換層で記録光が吸収され、ここ
で発生した熱が記録層に伝わって記録が行われるため、
照射時間が十分短ければ、記録層の第１の光熱変換層に
近い部分だけが昇温し、この部分だけに記録が形成され
、消去にとってより有利となる。

【００２３】記録は記録温度以上（たとえば融点以上）
に昇温すればよく、均一な温度分布に加熱される必要は
なく、また、記録層の一部分（たとえば光熱変換層の近
く）だけが昇温すればよいので、ごく短時間の光照射で
行なうことができる。一方、消去は記録温度より低い相
転移温度、液晶温度、再配列温度などに再加熱されるこ
とによって起こるものであり、これらの一定の温度範囲
に均一に加熱されなければならない。これらの温度範囲
は数℃〜数１０℃であり、光照射によって光熱変換層に
発生する熱が記録層に伝導して、記録部分がこの範囲に
入るようにするためには、消去光は記録光の照射時間よ
り長い照射時間が必要になる。特に記録層がひとつの光
熱変換層と接している構造では、熱が片側から伝わるだ
けであるため温度分布の片寄りが大きく、均一に加熱す
るためにはより長い時間照射する必要がある。本発明の
記録媒体では記録層の両側に光熱変換層があるため、入
射した消去光の一部は第２の光熱変換層で吸収され、残
りの光の一部は第１の光熱変換層で吸収される。さらに
そこで反射された光は再び第２光熱変換層で一部が吸収
される。したがって記録層の両側に設置された両方の光
熱変換層から熱が伝わるため均一な温度分布が得られや
すく、片側に光熱変換層がある場合に比べ短時間の照射
で消去が可能になる。第１の光熱変換層と第２の光熱変
換層の光吸収の割合は、記録媒体の全体の構成、用いる
材料の熱物性と光照射条件によって決まる温度分布を考
慮して決める必要がある。

【００２４】また、光熱変換層を記録時に照射する光に
対するより、消去時に照射する光に対し相対的に吸光度
の大きな層で構成した記録媒体を用いた場合には、消去
光に対しては第１および第２の両方の光熱変換層が働く
。すなわち、入射した消去光の一部は第２の光熱変換層
で吸収され、残りの光の一部は第２の光熱変換層で吸収
される。さらに、そこで反射そた光は再び第２の光熱変
換層で一部が吸収される。したがって、この場合も、片
側だけ光熱変換層を設けたものに比べ、短時間の照射で
消去が可能となる。

【００２５】本発明で用いる記録媒体の第１の光熱変換
層は、たとえば白金、チタン、シリコン、クロム、ニッ
ケル、ゲルマニウム、アルミニウムなどの金属または半
金属の層を用いればよく、光の一部を反射する反射層と
兼用することができる。

【００２６】第２の光熱変換層は、消照光の一部を吸収
しそれ以外を透過する必要があるため、たとえば光吸収
剤を含有した樹脂層などを用いることができる。光吸収
剤としては、たとえば、アゾ系色素、シアニン系色素、
ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、スクアリ
リウム系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニ
ン系色素、ナフトキノン系色素、ポルフィリン系色素、
インジゴ系色素、ジチオール錯体系色素、アズレニウム
系色素、キノンイミン系色素、キノンジミイン系色素な
どを用いることができ、光吸収剤は記録、消去に用いる
光の波長により選択する。また樹脂としては、たとえば
ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩
化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体、塩
化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合体、塩化ビニ
ル−アクリレート共重合体、ポリ塩化ビニリデン、塩化
ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリエステル
、ポリアミド、ポリアクリレート、ポリメタクリレート
、ポリカーボネート、ポリウレタン、シリコーン樹脂、
ポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデン−トリフルオ
ロエチレン共重合体、フッ化ビニリデン−テトラフルオ
ロエチレン共重合体、ポリエーテルイミド、ポリイミド
、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリスルホン、ポリアリレート、不飽和ポリエステ
ル樹脂などの熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂などの熱また
は紫外線硬化性の樹脂などが挙げられ、記録時、消去時
の層の昇温の程度により選択する。

【００２７】また基板には、一般的に用いられるガラス
板やアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂などのプラス
チック板が使用できる。保護層には、ガラスまたは樹脂
などの記録光、再生光，消去光に対し透明な層が使用で
きる。

【００２８】本発明において、第２の光熱変換層を記録
時に照射する光に対するより、消去時に照射する光に対
し相対的に吸光度の大きな層で構成する場合は、記録光
の大部分を透過し消去光の一部を吸収する必要があるた
め、記録光に対してより消去光をより多く吸収する光吸
収剤を含有した樹脂層を用いることができる。この場合
、光吸収剤は記録光と消去光の波長分布により選択する
。光吸収剤および樹脂としては前記したものを用いるこ
とができる。

【００２９】本発明では、以上のような記録媒体に対し
て波長分布の異なる二つの光源を用い、一方を記録光と
し、もう一方を消去光とする。また再生時には、どちら
の光源も用いることができるが、光の利用効率から考え
ると、強度を弱めた記録光を用いるのが好ましい。光源
には半導体レーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザーなどのレーザ
ー光を用いるのが好ましく、第２の光熱変換層の吸収ス
ペクトルとの関係から、二つの異なる発振波長を持つレ
ーザーを選択すればよい。

【００３０】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。

【００３１】実施例１ フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン共重合体のテ
トラヒドロフラン溶液に下記構造式化２で表わされるフ
タロシアニン染料を樹脂に対して３重量％加え、厚さ約
０．１ｍｍのガラス板上にスピンコート法により乾燥後
の膜厚が０．４μｍになるように塗布し、第２の光熱変
換層とした。この膜の吸収スペクトルは図３に示すよう
になり、吸収極大波長は７８３ｎｍであった。

【００３２】

【化２】

【００３３】一方、光学研磨された直径４インチ（１０
１．６ｍｍ）、厚さ１．２ｍｍのガラスディスク上に、
厚さ約１０００ÅのＣｒ蒸着膜を設けた。このＣｒ層は
第１の光熱変換層である。このガラスディスクを温度９
０℃にコントロールしたホットプレート上にＣｒ層を上
にしてのせ、その上にステアリン酸（日本油脂製：純度
９９．９％）を少量のせ、溶融させた。この融液上に第
２の光熱変換層を設けたガラス板を下向きにかぶせ、融
液を全面に均一に拡げてはさみ込んだ。次にこのディス
クをホットプレート上でゆっくり動かし、ホットプレー
トからはずしていった。ディスクはホットプレートから
はずれた部分から温度が下がり、この部分から結晶化が
始まり徐々に一方向に拡がり全体が結晶化した。

【００３４】このようにして作成した基板、第１の光熱
変換層、記録層、第２の光熱変換層、保護層からなる記
録媒体を９００ＲＰＭで回転しながら、直径１μｍに集
光した波長８３０ｎｍの半導体レーザー光を記録媒体面
での強度５ｍＷとなるようにして照射した。照射後、記
録媒体を反射型偏光顕微鏡を用いクロスニコルで観察し
たところ、レーザー光照射部分に幅約１μｍのライン状
の記録が明瞭なコントラストで認められた。

【００３５】次に、この記録を行なった記録媒体に直径
５μｍに集光した半導体レーザー光（波長７８０ｎｍ）
を照射強度３．５ｍＷ、線速２００ｍｍ／ｓｅｃで記録
部分と重なるように照射した。照射後、前と同様に観察
したところ、消去光ビームが走査した部分では、記録が
幅約３μｍの帯状に消去されていた。

【００３６】比較例１ 第２の光熱変換層を設けなかった以外は実施例１と同様
にして記録媒体を作成し、同様に記録、消去を行なった
が、記録は完全には消去できなかった。消去光の強度を
変化させても同様に完全な消去はできなかった。ただし
、消去光の走査速度を１００ｍｍ／ｓｅｃとしたところ
、強度２．５ｍＷの照射で消去ができた。

【００３７】以上の結果から、第２の光熱変換層がない
場合には、線速度をおそくして照射時間を長くし、記録
層全体が均一な温度に加熱されるようにしなければ消去
ができないのに対し、本発明の実施例では、記録層の両
側に設けられた光熱変換層から熱が伝わるため、照射時
間が短かくても均一に加熱でき、完全な消去が行なえる
ことが確認された。

【００３８】実施例３ 実施例１において記録層の材料をステアリン酸からべヘ
ン酸（日本油脂製：純度９９．８％）に変えた以外は同
様にして記録媒体を作成した。記録媒体を９００ＲＰＭ
で回転しながら、直径１μｍに集光した波長８３０ｎｍ
の半導体レーザー光を強度８ｍＷとなるようにして照射
した。偏光顕微鏡で観察したところ、レーザー光照射部
分に幅約１μｍのライン状の明瞭な記録が認められた。

【００３９】次に、この記録を行なった記録媒体に直径
５μｍに集光した半導体レーザー光（波長７８０ｎｍ）
を照射強度４．０ｍＷ、線速２００ｍｍ／ｓｅｃで記録
部分と重なるように照射した。照射後、同様に観察した
ところ、消去光ビームが走査した部分では、記録が幅約
２．５μｍの帯状に消去されていた。

【００４０】比較例３ 実施例３において、第２の光熱変換層を設けなかった以
外は実施例３と同様にして記録媒体を作成し、同様に記
録、消去を行なったが、記録は完全には消去できず、記
録を消去するためには消去光の走査線速度を１００ｍｍ
／ｓｅｃにする必要があった。

【００４１】

【発明の効果】本発明の記録媒体および記録の消去方法
によれば、熱によって結晶状態が変化して形成された記
録が、消し残りなく容易にかつ確実に消去でき、また高
速な消去が可能になる。したがって、繰り返し使用にお
いても信頼性の高い情報の記録消去を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に用いる記録媒体の基本的な構成を示す
断面図。

【図２】本発明に用いる記録媒体の基本的な別の構成を
示す断面図。

【図３】光吸収剤と樹脂よりなる第２の光熱変換層の吸
収スペクトルの例を示す図。

【符号の説明】

１　　基板　　　　　　　　　　　　　　　　　　２　
　第１の光熱変換層３　　記録層　　　　　　　　　　
　　　　　　４　　第２の光熱変換層５　　保護層

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　支持体上に少なくとも、照射光を吸収
   しで熱に変換する第１の光熱変換層、熱により可逆的に
   結晶状態の変化を起こす結晶性有機薄膜からなる記録層
   および照射光を吸収して熱に変換する第２の光熱変換層
   を順次積層してなることを特徴とする記録媒体。
2. 【請求項２】　　上記第２の光熱変換層が、記録時に照
   射する光に対するより、消去時に照射する光に対し相対
   的に吸光度の大きな層からなることを特徴とする請求項
   １記載の記録媒体。
3. 【請求項３】　　上記二つの光熱変換層の少なくとも一
   方が、光吸収剤を含む樹脂層であることを特徴とする請
   求項１又は２記載の記録媒体。
4. 【請求項４】　　光を照射して記録した請求項１ないし
   ３のいずれか一項に記載の記録媒体に対して、記録時に
   照射した光とは異なる波長分布の光を照射して記録を消
   去することを特徴とする記録の消去方法。