JPH0429665U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0429665U JPH0429665U JP7190790U JP7190790U JPH0429665U JP H0429665 U JPH0429665 U JP H0429665U JP 7190790 U JP7190790 U JP 7190790U JP 7190790 U JP7190790 U JP 7190790U JP H0429665 U JPH0429665 U JP H0429665U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- cell
- cap
- evaporation source
- molecular beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例を示すＧａ用セル
の概略構成図、第２図は従来のＧａ用セルの概略
構成図である。 図において、１は放熱防止筒、２はるつぼ、３
はＧａ、４は加熱用ヒータ、５は熱電対、６はシ
ヤツタ、７はキヤツプ、９はドーナツ状部材、１
０はＧａ用セルである。なお、各図中の同一符号
は同一または相当部分を示す。
の概略構成図、第２図は従来のＧａ用セルの概略
構成図である。 図において、１は放熱防止筒、２はるつぼ、３
はＧａ、４は加熱用ヒータ、５は熱電対、６はシ
ヤツタ、７はキヤツプ、９はドーナツ状部材、１
０はＧａ用セルである。なお、各図中の同一符号
は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- るつぼの中に蒸発源を収容し、前記るつぼを加
熱して前記蒸発源を蒸発させ、基板上に所望の化
合物半導体の結晶成長を行うための分子線エピタ
キシー用セルにおいて、前記るつぼと、このるつ
ぼを押え付けるキヤツプとの間に、薄板からなる
リングを複数枚積層したドーナツ状部材を設置し
たことを特徴とする分子線エピタキシー用セル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7190790U JPH0429665U (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7190790U JPH0429665U (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0429665U true JPH0429665U (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=31609365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7190790U Pending JPH0429665U (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0429665U (ja) |
-
1990
- 1990-07-03 JP JP7190790U patent/JPH0429665U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0429665U (ja) | ||
| JPS62276505A (ja) | カラ−フイルタの製造方法 | |
| JPH02132665U (ja) | ||
| JPS63127593U (ja) | ||
| JPH0322067U (ja) | ||
| JPH0440762U (ja) | ||
| JPS6379636U (ja) | ||
| JPS62119635U (ja) | ||
| JPS6329926U (ja) | ||
| JPS6355426U (ja) | ||
| JPH0460548U (ja) | ||
| JPH0324601U (ja) | ||
| JPS62147334U (ja) | ||
| JPS6170931U (ja) | ||
| JPH03100439U (ja) | ||
| JPS62169190U (ja) | ||
| JPH0430547U (ja) | ||
| JPH0325569U (ja) | ||
| JPS60156181U (ja) | 結晶成長装置 | |
| JPH02123723U (ja) | ||
| JPH0476682U (ja) | ||
| JPS6187053U (ja) | ||
| JPS60132470U (ja) | 分子線結晶成長装置 | |
| JPS58128975U (ja) | 真空蒸着用蒸発源 | |
| JPS60176061U (ja) | 集光加熱装置 |