JPH04297461A - 2−チオヒダントイン誘導体 - Google Patents
2−チオヒダントイン誘導体Info
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- JPH04297461A JPH04297461A JP6279491A JP6279491A JPH04297461A JP H04297461 A JPH04297461 A JP H04297461A JP 6279491 A JP6279491 A JP 6279491A JP 6279491 A JP6279491 A JP 6279491A JP H04297461 A JPH04297461 A JP H04297461A
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- Japan
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- lower alkyl
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な2−チオヒダン
トイン誘導体に関する。
トイン誘導体に関する。
【0002】
【従来の技術】本発明化合物は、文献未載の新規化合物
である。
である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、後記するよ
うに医薬品として有用な化合物を提供することを目的と
する。
うに医薬品として有用な化合物を提供することを目的と
する。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記一
般式(1)で表される2−チオヒダントイン誘導体が提
供される。
般式(1)で表される2−チオヒダントイン誘導体が提
供される。
【0005】
【化2】
[式中R1 は低級アルキル基、低級アルケニル基、フ
ェニル低級アルキル基又は置換基として低級アルキル基
、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、低級アルコキシカ
ルボニル基及び水酸基から選ばれる基を1〜3個有する
フェニル基を、R2 は水素原子又は低級アルカノイル
基を、R3 は水素原子、低級アルキル基、フェニル基
、フェニル低級アルキル基又は低級アルコキシ基を有す
ることのあるフェニル基の1〜3個で置換されていても
よい低級アルキルチオ低級アルキル基をそれぞれ示す。 但し、R1 がメチル基、R2 が水素原子で且つR3
がメチルチオメチル基であるものを除く。]
ェニル低級アルキル基又は置換基として低級アルキル基
、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、低級アルコキシカ
ルボニル基及び水酸基から選ばれる基を1〜3個有する
フェニル基を、R2 は水素原子又は低級アルカノイル
基を、R3 は水素原子、低級アルキル基、フェニル基
、フェニル低級アルキル基又は低級アルコキシ基を有す
ることのあるフェニル基の1〜3個で置換されていても
よい低級アルキルチオ低級アルキル基をそれぞれ示す。 但し、R1 がメチル基、R2 が水素原子で且つR3
がメチルチオメチル基であるものを除く。]
【0006】上記一般式(1)で表される本発明の2−
チオヒダントイン誘導体は、抗菌、抗ウイルス、抗炎症
、抗リウマチ等の各種薬理作用を示し、抗菌剤、抗ウイ
ルス剤、抗炎症剤、抗リウマチ剤等の医薬品として有用
である。
チオヒダントイン誘導体は、抗菌、抗ウイルス、抗炎症
、抗リウマチ等の各種薬理作用を示し、抗菌剤、抗ウイ
ルス剤、抗炎症剤、抗リウマチ剤等の医薬品として有用
である。
【0007】本発明化合物を示す上記一般式(1)及び
その他の本明細書において、低級アルキル基としては、
例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル基等の直鎖又は分岐鎖状低級アルキル基を例示できる
。低級アルケニル基としては、例えばビニル、アリル、
2−ブテニル、3−ブテニル、1−メチル−2−プロペ
ニル、2−ペンテニル、3−メチル−2−ブテニル、2
−ヘキセニル基等を例示できる。フェニル低級アルキル
基としては、例えばベンジル、α−フェネチル、β−フ
ェネチル、3−フェニルプロピル、4−フェニルブチル
、1,1−ジメチル−2−フェニルエチル、5−フェニ
ルペンチル、6−フェニルヘキシル基等を例示できる。 低級アルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ
、プロポキシ、ブトキシ、tert−ブトキシ、ペンチ
ルオキシ、ヘキシルオキシ基等を例示できる。低級アル
コキシカルボニル基としては、例えばメトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブト
キシカルボニル、tert−ブトキシカルボニル、ペン
チルオキシカルボニル、ヘキシルオキシ基等を例示でき
る。ハロゲン原子には弗素原子、塩素原子、臭素原子及
び沃素原子が包含される。低級アルカノイル基としては
、例えばアセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチ
リル、バレリル、イソバレリル、トリメチルアセチル、
ヘキサノイル基等を例示できる。置換基として低級アル
キル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、低級アルコ
キシカルボニル基及び水酸基から選ばれる基を1〜3個
有するフェニル基としては、例えば4−メチルフェニル
、3−メチルフェニル、4−エチルフェニル、4−メト
キシフェニル、3−メトキシフェニル、3,4−ジメト
キシフェニル、4−クロロフェニル、3−クロロフェニ
ル、4−ブロモフェニル、4−メトキシカルボニルフェ
ニル、4−エトキシカルボニルフェニル、4−ヒドロキ
シフェニル、4−ヒドロキシ−3,5−ジ−tert−
ブチルフェニル基等を例示できる。低級アルコキシ基を
有することのあるフェニル基の1〜3個で置換されてい
てもよい低級アルキルチオ低級アルキル基としては、例
えばメチルチオメチル、ベンジルチオメチル、4−メト
キシベンジルチオメチル、トリフェニルメチルチオメチ
ル、2−ベンジルチオエチル、1−ベンジルチオエチル
、エチルチオメチル、エチルチオエチル、α−フェネチ
ルチオメチル、β−フェネチルチオメチル、3−ベンジ
ルチオプロピル、3−(3−フェニルプロピルチオ)プ
ロピル基等を例示できる。
その他の本明細書において、低級アルキル基としては、
例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル基等の直鎖又は分岐鎖状低級アルキル基を例示できる
。低級アルケニル基としては、例えばビニル、アリル、
2−ブテニル、3−ブテニル、1−メチル−2−プロペ
ニル、2−ペンテニル、3−メチル−2−ブテニル、2
−ヘキセニル基等を例示できる。フェニル低級アルキル
基としては、例えばベンジル、α−フェネチル、β−フ
ェネチル、3−フェニルプロピル、4−フェニルブチル
、1,1−ジメチル−2−フェニルエチル、5−フェニ
ルペンチル、6−フェニルヘキシル基等を例示できる。 低級アルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ
、プロポキシ、ブトキシ、tert−ブトキシ、ペンチ
ルオキシ、ヘキシルオキシ基等を例示できる。低級アル
コキシカルボニル基としては、例えばメトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブト
キシカルボニル、tert−ブトキシカルボニル、ペン
チルオキシカルボニル、ヘキシルオキシ基等を例示でき
る。ハロゲン原子には弗素原子、塩素原子、臭素原子及
び沃素原子が包含される。低級アルカノイル基としては
、例えばアセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチ
リル、バレリル、イソバレリル、トリメチルアセチル、
ヘキサノイル基等を例示できる。置換基として低級アル
キル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、低級アルコ
キシカルボニル基及び水酸基から選ばれる基を1〜3個
有するフェニル基としては、例えば4−メチルフェニル
、3−メチルフェニル、4−エチルフェニル、4−メト
キシフェニル、3−メトキシフェニル、3,4−ジメト
キシフェニル、4−クロロフェニル、3−クロロフェニ
ル、4−ブロモフェニル、4−メトキシカルボニルフェ
ニル、4−エトキシカルボニルフェニル、4−ヒドロキ
シフェニル、4−ヒドロキシ−3,5−ジ−tert−
ブチルフェニル基等を例示できる。低級アルコキシ基を
有することのあるフェニル基の1〜3個で置換されてい
てもよい低級アルキルチオ低級アルキル基としては、例
えばメチルチオメチル、ベンジルチオメチル、4−メト
キシベンジルチオメチル、トリフェニルメチルチオメチ
ル、2−ベンジルチオエチル、1−ベンジルチオエチル
、エチルチオメチル、エチルチオエチル、α−フェネチ
ルチオメチル、β−フェネチルチオメチル、3−ベンジ
ルチオプロピル、3−(3−フェニルプロピルチオ)プ
ロピル基等を例示できる。
【0008】本発明の2−チオヒダントイン誘導体は、
各種の方法により製造することができる。その具体例を
下記反応工程式に示す。 <反応工程式−1>
各種の方法により製造することができる。その具体例を
下記反応工程式に示す。 <反応工程式−1>
【0009】
【化3】
[式中R1 及びR3 はそれぞれ前記に同じ。]
【0
010】上記反応工程式−1に示すイソチオシアネート
誘導体(2)と化合物(3)との反応は、以下の要領で
実施できる。即ち、化合物(2)と化合物(3)とを適
当な不活性溶媒中で加熱した後、酸で処理する。上記に
おいて不活性溶媒としては、例えばN,N−ジメチルホ
ルムアミド(DMF)、エタノール等を使用できる。加
熱条件としては、一般に室温〜100℃の温度範囲にて
約1〜5時間程度を採用できる。得られる粗生成物は、
引き続いて酢酸、ポリリン酸等の酸と共に室温〜100
℃で約10〜60分間処理を行なうことにより、目的化
合物(1a)に導くことができる。 〈反応工程式−2〉
010】上記反応工程式−1に示すイソチオシアネート
誘導体(2)と化合物(3)との反応は、以下の要領で
実施できる。即ち、化合物(2)と化合物(3)とを適
当な不活性溶媒中で加熱した後、酸で処理する。上記に
おいて不活性溶媒としては、例えばN,N−ジメチルホ
ルムアミド(DMF)、エタノール等を使用できる。加
熱条件としては、一般に室温〜100℃の温度範囲にて
約1〜5時間程度を採用できる。得られる粗生成物は、
引き続いて酢酸、ポリリン酸等の酸と共に室温〜100
℃で約10〜60分間処理を行なうことにより、目的化
合物(1a)に導くことができる。 〈反応工程式−2〉
【0011】
【化4】
[式中R1 及びR3 は前記に同じ。R2aは低級ア
ルカノイル基を示す。]
ルカノイル基を示す。]
【0012】上記反応工程式−2において、化合物(1
a)のアルカノイル化反応は、塩基性溶媒中で又は塩基
触媒の存在下に不活性溶媒中で、原料化合物と酸無水物
とを反応させることにより行ない得る。上記塩基性溶媒
としては、例えばピリジン、コリジン、ルチジン、トリ
エチルアミン等を使用できる。不活性溶媒としては、例
えばTHF、ジエチルエーテル、クロロホルム、ジクロ
ロメタン、DMF等を使用でき、この場合上記塩基性溶
媒を塩基触媒として約1〜3倍モル量程度併用する。ま
た、酸無水物としては、例えば無水酢酸、無水プロピオ
ン酸、無水酪酸、無水吉草酸、無水カプロン酸、無水ヘ
プタン酸等を使用できる。反応は、0〜100℃の温度
条件下に、1〜24時間程度で完結し、かくして目的化
合物(1b)が得られる。
a)のアルカノイル化反応は、塩基性溶媒中で又は塩基
触媒の存在下に不活性溶媒中で、原料化合物と酸無水物
とを反応させることにより行ない得る。上記塩基性溶媒
としては、例えばピリジン、コリジン、ルチジン、トリ
エチルアミン等を使用できる。不活性溶媒としては、例
えばTHF、ジエチルエーテル、クロロホルム、ジクロ
ロメタン、DMF等を使用でき、この場合上記塩基性溶
媒を塩基触媒として約1〜3倍モル量程度併用する。ま
た、酸無水物としては、例えば無水酢酸、無水プロピオ
ン酸、無水酪酸、無水吉草酸、無水カプロン酸、無水ヘ
プタン酸等を使用できる。反応は、0〜100℃の温度
条件下に、1〜24時間程度で完結し、かくして目的化
合物(1b)が得られる。
【0013】上記それぞれの工程における目的化合物は
、通常の分離手段により容易に単離精製することができ
る。この分離手段としては、慣用される各種方法、例え
ば、溶媒抽出法、再結晶、吸着クロマトグラフィー、イ
オン交換クロマトグラフィー等を例示できる。
、通常の分離手段により容易に単離精製することができ
る。この分離手段としては、慣用される各種方法、例え
ば、溶媒抽出法、再結晶、吸着クロマトグラフィー、イ
オン交換クロマトグラフィー等を例示できる。
【0014】
【実施例】以下、本発明を更に詳しく説明するため、本
発明化合物の製造例を実施例として挙げる。
発明化合物の製造例を実施例として挙げる。
【0015】
【実施例1】3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4
−ヒドロキシフェニル)−5−ベンジルチオメチル−2
−チオヒダントインの製造 4−フェニル−3,5−ジ−tert−ブチルフェニル
イソチオシアネート5gとS−ベンジルシステイン4.
1gをDMF300mlに溶解し、80℃で1.8時間
撹拌した。反応液中に水を入れ、酢酸エチルで抽出し、
酢酸エチル層を無水炭酸マグネシウムで乾燥後、濃縮し
て油状物質を得た。次に、この油状物質を100mlの
酢酸に溶かし、95〜100℃で45分撹拌した。酢酸
を減圧留去し、残渣に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を
加え、クロロホルムで抽出した。クロロホルム層を無水
炭酸マグネシウムで乾燥後、濃縮して得られた粗生成物
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒…ク
ロロホルム:酢酸エチル=30:1)にて精製し、目的
化合物7.7gを得た。得られた化合物の構造並びに物
性を、化合物1として第1表に示す。
−ヒドロキシフェニル)−5−ベンジルチオメチル−2
−チオヒダントインの製造 4−フェニル−3,5−ジ−tert−ブチルフェニル
イソチオシアネート5gとS−ベンジルシステイン4.
1gをDMF300mlに溶解し、80℃で1.8時間
撹拌した。反応液中に水を入れ、酢酸エチルで抽出し、
酢酸エチル層を無水炭酸マグネシウムで乾燥後、濃縮し
て油状物質を得た。次に、この油状物質を100mlの
酢酸に溶かし、95〜100℃で45分撹拌した。酢酸
を減圧留去し、残渣に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を
加え、クロロホルムで抽出した。クロロホルム層を無水
炭酸マグネシウムで乾燥後、濃縮して得られた粗生成物
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒…ク
ロロホルム:酢酸エチル=30:1)にて精製し、目的
化合物7.7gを得た。得られた化合物の構造並びに物
性を、化合物1として第1表に示す。
【0016】
【実施例2〜13】実施例1と同様にして、第1表に示
す各化合物(化合物2〜13)を製造した。得られた各
化合物の構造及び物性を第1表に併記する。
す各化合物(化合物2〜13)を製造した。得られた各
化合物の構造及び物性を第1表に併記する。
【0017】
【実施例14】1−アセチル−3−メチル−5−ベンジ
ルチオメチル−2−チオヒダントインの製造実施例8で
得られた化合物(化合物8)300mgにピリジン3m
lと無水酢酸0.3mlを加え、室温にて1夜撹拌した
。反応混合物を氷水中に入れ、酢酸エチルで抽出した。 酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー(展開溶媒…ジエチルエーテ
ル:n−ヘキサン=1:3)にて精製し、目的化合物3
17mgを得た。得られた化合物の構造並びに物性を第
1表に示す。
ルチオメチル−2−チオヒダントインの製造実施例8で
得られた化合物(化合物8)300mgにピリジン3m
lと無水酢酸0.3mlを加え、室温にて1夜撹拌した
。反応混合物を氷水中に入れ、酢酸エチルで抽出した。 酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー(展開溶媒…ジエチルエーテ
ル:n−ヘキサン=1:3)にて精製し、目的化合物3
17mgを得た。得られた化合物の構造並びに物性を第
1表に示す。
【0018】
【実施例15】実施例14と同様にして、第1表に示す
化合物(化合物15)を製造した。得られた化合物の構
造及び物性を第1表に併記する。
化合物(化合物15)を製造した。得られた化合物の構
造及び物性を第1表に併記する。
【0019】
【実施例16〜21】実施例1と同様にして、第1表に
示す各化合物(化合物16〜21)を製造した。得られ
た各化合物の構造及び物性を第1表に併記する。
示す各化合物(化合物16〜21)を製造した。得られ
た各化合物の構造及び物性を第1表に併記する。
【0020】
【表1】
【0021】
【表2】
【0022】
【表3】
【0023】
【表4】
【0024】
【表5】
【0025】
【表6】
Claims (1)
- 【請求項1】一般式 【化1】 [式中R1 は低級アルキル基、低級アルケニル基、フ
ェニル低級アルキル基又は置換基として低級アルキル基
、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、低級アルコキシカ
ルボニル基及び水酸基から選ばれる基を1〜3個有する
フェニル基を、R2 は水素原子又は低級アルカノイル
基を、R3 は水素原子、低級アルキル基、フェニル基
、フェニル低級アルキル基又は低級アルコキシ基を有す
ることのあるフェニル基の1〜3個で置換されていても
よい低級アルキルチオ低級アルキル基をそれぞれ示す。 但し、R1 がメチル基でR2 が水素原子で且つR3
がメチルチオメチル基であるものを除く。]で表され
る2−チオヒダントイン誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6279491A JPH04297461A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 2−チオヒダントイン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6279491A JPH04297461A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 2−チオヒダントイン誘導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04297461A true JPH04297461A (ja) | 1992-10-21 |
Family
ID=13210613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6279491A Pending JPH04297461A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 2−チオヒダントイン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04297461A (ja) |
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-
1991
- 1991-03-27 JP JP6279491A patent/JPH04297461A/ja active Pending
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