JPH02155260A - 樹脂封止型半導体装置のリードフレーム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置のリードフレームInfo
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- JPH02155260A JPH02155260A JP63310332A JP31033288A JPH02155260A JP H02155260 A JPH02155260 A JP H02155260A JP 63310332 A JP63310332 A JP 63310332A JP 31033288 A JP31033288 A JP 31033288A JP H02155260 A JPH02155260 A JP H02155260A
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- JP
- Japan
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- semiconductor element
- semiconductor device
- lead frame
- island
- resin
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
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- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、封止樹脂によって半導体素子が囲繞された半
導体装置を製造する場合に使用する樹脂封止型半導体装
置のリードフレームに関する。
導体装置を製造する場合に使用する樹脂封止型半導体装
置のリードフレームに関する。
従来、この種の樹脂封止型半導体装置のリードフレーム
は第４図に示すように構成されている。
は第４図に示すように構成されている。
これを同図および第５図（第４図のり−ドフレームから
製造された半導体装置を示す）に基づいて説明すると、
同図において、符号１で示すものは外枠２に吊りリード
３によって弾性保持され半導体素子４を接合するアイラ
ンド、５はこのアイランドｌ上の半導体素子４にワイヤ
６を介して接続されかつ各々がタイバー７によって連結
されたリードである。このリード５は、前記ワイヤ６に
接続するインナーリード８と、このインナーリード８に
連接する外部接続用のアウターリード９とによって構成
されている。なお、図中符号１０は前記リード３の一部
、前記半導体素子４および前記ワイヤ６を囲繞する封止
樹脂である。また、１１は前記アイランド１に前記半導
体素子４を接合する接着剤である。
製造された半導体装置を示す）に基づいて説明すると、
同図において、符号１で示すものは外枠２に吊りリード
３によって弾性保持され半導体素子４を接合するアイラ
ンド、５はこのアイランドｌ上の半導体素子４にワイヤ
６を介して接続されかつ各々がタイバー７によって連結
されたリードである。このリード５は、前記ワイヤ６に
接続するインナーリード８と、このインナーリード８に
連接する外部接続用のアウターリード９とによって構成
されている。なお、図中符号１０は前記リード３の一部
、前記半導体素子４および前記ワイヤ６を囲繞する封止
樹脂である。また、１１は前記アイランド１に前記半導
体素子４を接合する接着剤である。
次に、この種のリードフレームを用いて半導体装置を製
造する方法について説明する。
造する方法について説明する。
先ず、アイランド１上に接着剤１１によって半導体素子
４を接合する。次いで、この半導体素子４とインナーリ
ード８とをワイヤ６によって接続する。しかる後、この
ワイヤ６、インナーリード８および半導体素子４を封止
樹脂１０によって囲繞する。そして、タイバー７を切断
してからリード曲げ加工を施す。
４を接合する。次いで、この半導体素子４とインナーリ
ード８とをワイヤ６によって接続する。しかる後、この
ワイヤ６、インナーリード８および半導体素子４を封止
樹脂１０によって囲繞する。そして、タイバー７を切断
してからリード曲げ加工を施す。
このようにして、半導体装置を製造することができる。
ところで、従来の樹脂封止型半導体装置のリードフレー
ムにおいては、アイランド１が矩形状に形成されており
、このため半導体装置の製造時にアイランド上１に半導
体素子４を接合すると、樹脂封止前の半導体装置の高さ
がアイランド１の高さ、半導体素子４の高さおよび接着
層の高さを加算した寸法となり、半導体装置が高さ方向
に大型化し、近年における半導体装置の小型化に応じる
ことができないという問題があった。また、周知のよう
にリードフレーム用の素材と封止樹脂１０の界面接着力
は、半導体素子４と封止樹脂１０の界面接着力と比較し
て低いものであるため、封止樹脂１０内外に生じる作用
力によって封止樹脂１０がフレーム素材の接着界面から
剥離したり、あるいは封止樹脂１０にクラックカイ化じ
たりしてデバイスとしての信頬性が低下するという問題
もあった。
ムにおいては、アイランド１が矩形状に形成されており
、このため半導体装置の製造時にアイランド上１に半導
体素子４を接合すると、樹脂封止前の半導体装置の高さ
がアイランド１の高さ、半導体素子４の高さおよび接着
層の高さを加算した寸法となり、半導体装置が高さ方向
に大型化し、近年における半導体装置の小型化に応じる
ことができないという問題があった。また、周知のよう
にリードフレーム用の素材と封止樹脂１０の界面接着力
は、半導体素子４と封止樹脂１０の界面接着力と比較し
て低いものであるため、封止樹脂１０内外に生じる作用
力によって封止樹脂１０がフレーム素材の接着界面から
剥離したり、あるいは封止樹脂１０にクラックカイ化じ
たりしてデバイスとしての信頬性が低下するという問題
もあった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、近年
における半導体装置の小型化を図ることができると共に
、デバイスとしての信頬性を向上させることができる樹
脂封止型半導体装置のリードフレームを提供するもので
ある。
における半導体装置の小型化を図ることができると共に
、デバイスとしての信頬性を向上させることができる樹
脂封止型半導体装置のリードフレームを提供するもので
ある。
本発明に係る樹脂封止型半導体装置のリードフレームは
、吊りリードによって弾性保持されたアイランドを有す
るリードフレームであって、このリードフレームのアイ
ランドを、半導体素子が挿通ずる枠体およびこの枠体に
一体に設けられ半導体素子を周囲から保持する弾性変形
可能な突起体によって構成したものである。
、吊りリードによって弾性保持されたアイランドを有す
るリードフレームであって、このリードフレームのアイ
ランドを、半導体素子が挿通ずる枠体およびこの枠体に
一体に設けられ半導体素子を周囲から保持する弾性変形
可能な突起体によって構成したものである。
本発明においては、樹脂封止前の半導体装置の高さを半
導体素子の高さと同一の寸法に設定することができると
共に、アイランドと封止樹脂の接着面積を小さくするこ
とができる。
導体素子の高さと同一の寸法に設定することができると
共に、アイランドと封止樹脂の接着面積を小さくするこ
とができる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係る樹脂封止型半導体装置のリードフ
レームを示す平面図、第２図は同じく本発明おけるリー
ドフレームを用いて製造する半導体装置を示す断面図で
、同図以下において第４図および第５図と同一の部材に
ついては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同
図において、符号２１で示すリードフレームＡのアイラ
ンドは、半導体素子４が挿通する枠体２２およびこの枠
体２２に一体に設けられ半導体素子４を周囲から保持す
る弾性変形可能な４つの突起体２３〜２６によって構成
されている。
レームを示す平面図、第２図は同じく本発明おけるリー
ドフレームを用いて製造する半導体装置を示す断面図で
、同図以下において第４図および第５図と同一の部材に
ついては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同
図において、符号２１で示すリードフレームＡのアイラ
ンドは、半導体素子４が挿通する枠体２２およびこの枠
体２２に一体に設けられ半導体素子４を周囲から保持す
る弾性変形可能な４つの突起体２３〜２６によって構成
されている。
このように構成されたリードフレームを用いる半導体装
置を製造する方法（樹脂封止前の工程）につき、第３図
（ａ）〜（Ｃ）によって説明する。
置を製造する方法（樹脂封止前の工程）につき、第３図
（ａ）〜（Ｃ）によって説明する。
先ず、同図（ａｌに示すようにリードフレームＡを載置
台２７上に保持する。このとき、突起体２３〜２６のう
ち各々が互いに対峙する２つの突起体２３．２５間と突
起体２４．２６間の距離は、半導体素子４の横。
台２７上に保持する。このとき、突起体２３〜２６のう
ち各々が互いに対峙する２つの突起体２３．２５間と突
起体２４．２６間の距離は、半導体素子４の横。
縦寸法より小さい寸法に設定されている。例えば、２つ
の突起体２３．２５間の距離および半導体素子４の横寸
法をｌｓとｌｃとすると、ｌ、＜ｌｃを満足する。次い
で、同図中）に示すように突き上げビン２８によって突
起体２３〜２６を突き上げることにより、突起体２３．
２５間と突起体２４．２６間の距離を拡げてアイランド
２１内に臨ませる。しかる後、突起体２３〜２６に対す
る突き上げビン２８による押圧状態を解除する。
の突起体２３．２５間の距離および半導体素子４の横寸
法をｌｓとｌｃとすると、ｌ、＜ｌｃを満足する。次い
で、同図中）に示すように突き上げビン２８によって突
起体２３〜２６を突き上げることにより、突起体２３．
２５間と突起体２４．２６間の距離を拡げてアイランド
２１内に臨ませる。しかる後、突起体２３〜２６に対す
る突き上げビン２８による押圧状態を解除する。
このようにして、樹脂封止前の半導体装置を製造するこ
とができる。
とができる。
すなわち、本発明におけるリードフレームを用いる半導
体装置の半導体素子４は、周囲から突起体２３〜２６に
よって弾性保持されるのである。
体装置の半導体素子４は、周囲から突起体２３〜２６に
よって弾性保持されるのである。
したがって、本発明においては、樹脂封止前の半導体装
置の高さを半導体素子４の高さと同一の寸法に設定する
ことができ、半導体装置の高さを従来のものより小さい
寸法に設定することができる。
置の高さを半導体素子４の高さと同一の寸法に設定する
ことができ、半導体装置の高さを従来のものより小さい
寸法に設定することができる。
また、本発明においては、樹脂封止時にアイランド２１
の樹脂接着面積を小さくすることができるから、封止樹
脂１０の接着界面からの剥離発生や封止樹脂１０のクラ
ック発生を抑制することができる。
の樹脂接着面積を小さくすることができるから、封止樹
脂１０の接着界面からの剥離発生や封止樹脂１０のクラ
ック発生を抑制することができる。
さらに、本発明においては、突起体２３〜２６を半導体
素子４の電極（図示せず）に直接接続することができる
から、グイボンディング工程とワイヤボンディング工程
を同時に同一箇所で行うことができる。
素子４の電極（図示せず）に直接接続することができる
から、グイボンディング工程とワイヤボンディング工程
を同時に同一箇所で行うことができる。
なお、本実施例においては、突起体２３〜２６の個数を
四個としたが、本発明はこれに限定されるものでないこ
とは勿論である。
四個としたが、本発明はこれに限定されるものでないこ
とは勿論である。
以上説明したように本発明によれば、吊りリードによっ
て弾性保持されたアイランドを有するリードフレームで
あって、このリードフレームのアイランドを、半導体素
子が挿通する枠体およびこの枠体に一体に設けられ半導
体素子を周囲から保持する弾性変形可能な突起体によっ
て構成したので、樹脂封止前の半導体装置の高さが半導
体素子の高さと同一の寸法に設定することができる。し
たがって、半導体装置の高さを従来のものより小さい寸
法に設定することができるから、近年における半導体装
置の小型化を図ることができる。また、樹脂封止時にお
けるアイランドの樹脂接着面積を小さくすることができ
るから、封止樹脂の接着界面からの剥離発生や封止樹脂
のクラック発生を抑制することができるから、デバイス
としての信鎖性を向上させることができる。さらに、突
起体を半導体素子の電極を直接接続することができるか
ら、ダイボンディング工程とワイヤボンディング工程を
同時に同一箇所で行うことができ、半導体装置の製造を
簡単に行えるといった利点もある。
て弾性保持されたアイランドを有するリードフレームで
あって、このリードフレームのアイランドを、半導体素
子が挿通する枠体およびこの枠体に一体に設けられ半導
体素子を周囲から保持する弾性変形可能な突起体によっ
て構成したので、樹脂封止前の半導体装置の高さが半導
体素子の高さと同一の寸法に設定することができる。し
たがって、半導体装置の高さを従来のものより小さい寸
法に設定することができるから、近年における半導体装
置の小型化を図ることができる。また、樹脂封止時にお
けるアイランドの樹脂接着面積を小さくすることができ
るから、封止樹脂の接着界面からの剥離発生や封止樹脂
のクラック発生を抑制することができるから、デバイス
としての信鎖性を向上させることができる。さらに、突
起体を半導体素子の電極を直接接続することができるか
ら、ダイボンディング工程とワイヤボンディング工程を
同時に同一箇所で行うことができ、半導体装置の製造を
簡単に行えるといった利点もある。
第１図は本発明に係る樹脂封止型半導体装置のリードフ
レームを示す平面図、第２図は同じく本発明おけるリー
ドフレーム゛を用いて製造する半導体装置を示す断面図
、第３図＋ａ）〜（Ｃ１は本発明におけるリードフレー
ムを用いる半導体装置の製造方法を説明するための断面
図、第４図は従来のリードフレームを示す平面図、第５
図はそのリードフレームを用いて製造する半導体装置を
示す断面図である。 ３・・・・吊りリード、４・・・・半導体素子、２１・
・・・アイランド、２２・・・・枠体、２３〜２６・・
・・突起体、Ａ・・・・リードフレーム。 第１図 代 理 人 大 岩 増 雄へ： リート
７し′− 第 図 第 図 第 図
レームを示す平面図、第２図は同じく本発明おけるリー
ドフレーム゛を用いて製造する半導体装置を示す断面図
、第３図＋ａ）〜（Ｃ１は本発明におけるリードフレー
ムを用いる半導体装置の製造方法を説明するための断面
図、第４図は従来のリードフレームを示す平面図、第５
図はそのリードフレームを用いて製造する半導体装置を
示す断面図である。 ３・・・・吊りリード、４・・・・半導体素子、２１・
・・・アイランド、２２・・・・枠体、２３〜２６・・
・・突起体、Ａ・・・・リードフレーム。 第１図 代 理 人 大 岩 増 雄へ： リート
７し′− 第 図 第 図 第 図
Claims (1)
- 吊りリードによって弾性保持されたアイランドを有する
リードフレームであって、このリードフレームのアイラ
ンドを、半導体素子が挿通する枠体およびこの枠体に一
体に設けられ半導体素子を周囲から保持する弾性変形可
能な突起体によって構成したことを特徴とする樹脂封止
型半導体装置のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63310332A JPH02155260A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 樹脂封止型半導体装置のリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63310332A JPH02155260A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 樹脂封止型半導体装置のリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02155260A true JPH02155260A (ja) | 1990-06-14 |
Family
ID=18003958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63310332A Pending JPH02155260A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 樹脂封止型半導体装置のリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02155260A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04299561A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-22 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6327041A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
-
1988
- 1988-12-07 JP JP63310332A patent/JPH02155260A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6327041A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04299561A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-22 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 |
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