JPH04299821A - 集束イオンビーム装置 - Google Patents
集束イオンビーム装置Info
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- JPH04299821A JPH04299821A JP3089569A JP8956991A JPH04299821A JP H04299821 A JPH04299821 A JP H04299821A JP 3089569 A JP3089569 A JP 3089569A JP 8956991 A JP8956991 A JP 8956991A JP H04299821 A JPH04299821 A JP H04299821A
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は集束イオンビーム装置、
特に、試料表面の帯電防止のために電子シャワーを照射
する機能を備えた集束イオンビーム装置における電子シ
ャワーの調整技術に関する。
特に、試料表面の帯電防止のために電子シャワーを照射
する機能を備えた集束イオンビーム装置における電子シ
ャワーの調整技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトマスクやレクチルなどの試料表面
上に形成されたパターンの修正を行う装置として、集束
イオンビーム装置が広く用いられている。一般に、この
ような試料にイオンビームを照射すると、イオンの正電
荷により試料表面が帯電することになる。この帯電が生
じると、試料表面を観察できなくなるなどの弊害が生じ
るため、イオンの正電荷を電子によって中和する方法が
採られている。すなわち、イオンビームを照射するため
のイオン銃とは別に、中和用電子シャワーを照射するた
めの電子銃が用意され、イオンビームの照射とともに、
電子シャワーの照射を行っている。
上に形成されたパターンの修正を行う装置として、集束
イオンビーム装置が広く用いられている。一般に、この
ような試料にイオンビームを照射すると、イオンの正電
荷により試料表面が帯電することになる。この帯電が生
じると、試料表面を観察できなくなるなどの弊害が生じ
るため、イオンの正電荷を電子によって中和する方法が
採られている。すなわち、イオンビームを照射するため
のイオン銃とは別に、中和用電子シャワーを照射するた
めの電子銃が用意され、イオンビームの照射とともに、
電子シャワーの照射を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、イオン
の正電荷による中和を適切に行うためには、電子シャワ
ーの照射電流量、照射位置範囲などを調整する必要があ
る。このような調整方法として、たとえば、特開平１−
７６６６２号公報には、導電性の試料表面と非導電性の
試料表面とを用意し、イオンビーム照射時に得られる両
者の像が同等となるように、電子シャワーを調整する方
法が開示されている。しかしながら、この方法では、電
子シャワーの照射状態を定量的に知ることができないた
め、十分な調整を行うことができないという問題がある
。定量的な情報を得る方法としては、蛍光試料に電子シ
ャワーを照射して観察したり、レジストが塗布された基
板などの上に電子シャワーを照射した後、このレジスト
を現像してその像を観察したりする方法が行われている
が、正確な情報が得られなかったり、手間がかかったり
するという問題がある。
の正電荷による中和を適切に行うためには、電子シャワ
ーの照射電流量、照射位置範囲などを調整する必要があ
る。このような調整方法として、たとえば、特開平１−
７６６６２号公報には、導電性の試料表面と非導電性の
試料表面とを用意し、イオンビーム照射時に得られる両
者の像が同等となるように、電子シャワーを調整する方
法が開示されている。しかしながら、この方法では、電
子シャワーの照射状態を定量的に知ることができないた
め、十分な調整を行うことができないという問題がある
。定量的な情報を得る方法としては、蛍光試料に電子シ
ャワーを照射して観察したり、レジストが塗布された基
板などの上に電子シャワーを照射した後、このレジスト
を現像してその像を観察したりする方法が行われている
が、正確な情報が得られなかったり、手間がかかったり
するという問題がある。
【０００４】そこで本発明は、電子シャワーの正確な調
整を容易に行い得る機能を備えた集束イオンビーム装置
を提供することを目的とする。
整を容易に行い得る機能を備えた集束イオンビーム装置
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、集束イオンビ
ーム装置において、試料をＸＹ平面上に載置するための
ＸＹステージと、このＸＹステージをＸＹ平面に沿って
移動させるための駆動系と、ＸＹステージ上の試料にイ
オンビームを照射するためのイオン銃と、イオンビーム
の照射による帯電を中和するために、試料に電子シャワ
ーを照射する電子銃と、ＸＹステージ上の一部に設けら
れた微小電流測定素子と、駆動系に対して所定の制御信
号を与えることにより、電子シャワー照射領域において
、微小電流測定素子をＸ方向およびＹ方向に移動させ、
各位置における微小電流測定素子による測定電流値を検
出する制御装置と、この制御装置によって検出された測
定電流値の分布を画面に表示するディスプレイ装置と、
を設けたものである。
ーム装置において、試料をＸＹ平面上に載置するための
ＸＹステージと、このＸＹステージをＸＹ平面に沿って
移動させるための駆動系と、ＸＹステージ上の試料にイ
オンビームを照射するためのイオン銃と、イオンビーム
の照射による帯電を中和するために、試料に電子シャワ
ーを照射する電子銃と、ＸＹステージ上の一部に設けら
れた微小電流測定素子と、駆動系に対して所定の制御信
号を与えることにより、電子シャワー照射領域において
、微小電流測定素子をＸ方向およびＹ方向に移動させ、
各位置における微小電流測定素子による測定電流値を検
出する制御装置と、この制御装置によって検出された測
定電流値の分布を画面に表示するディスプレイ装置と、
を設けたものである。
【０００６】
【作 用】本発明による装置では、試料表面上に形成
される電子シャワーのスポット領域を、微小電流測定素
子によって走査することにより、照射電子密度分布を直
接測定することができる。しかも、微小電流測定素子は
、ＸＹステージの一部に設けられているので、このＸＹ
ステージの駆動系をそのまま利用して微小電流測定素子
の走査を行うことができる。こうして測定された照射電
子密度分布は、ディスプレイ装置の画面上に表示される
ため、電子シャワーの強度、スポットの径、スポットの
位置、を容易に把握することができ、電子シャワーの正
確な調整を容易に行うことができる。
される電子シャワーのスポット領域を、微小電流測定素
子によって走査することにより、照射電子密度分布を直
接測定することができる。しかも、微小電流測定素子は
、ＸＹステージの一部に設けられているので、このＸＹ
ステージの駆動系をそのまま利用して微小電流測定素子
の走査を行うことができる。こうして測定された照射電
子密度分布は、ディスプレイ装置の画面上に表示される
ため、電子シャワーの強度、スポットの径、スポットの
位置、を容易に把握することができ、電子シャワーの正
確な調整を容易に行うことができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を図示する実施例に基づいて説
明する。図１は本発明の一実施例に係る集束イオンビー
ム装置のイオンビーム照射を行う主要部の構成を示す斜
視図である。イオン銃１０は、イオン源１１とイオン光
学系１２とによって構成されている。イオン光学系１２
は、種々の電極やアパーチャーによって構成されており
、イオン源１１で発生したイオンを集束イオンビームと
して試料Ｓに照射する。電子銃２０は、試料Ｓに対して
電子シャワーを照射する機能を有する。すなわち、イオ
ン銃１０からのイオンビームの照射により、試料Ｓの表
面に発生した正電荷は、電子銃２０から照射された電子
シャワーによって中和される。
明する。図１は本発明の一実施例に係る集束イオンビー
ム装置のイオンビーム照射を行う主要部の構成を示す斜
視図である。イオン銃１０は、イオン源１１とイオン光
学系１２とによって構成されている。イオン光学系１２
は、種々の電極やアパーチャーによって構成されており
、イオン源１１で発生したイオンを集束イオンビームと
して試料Ｓに照射する。電子銃２０は、試料Ｓに対して
電子シャワーを照射する機能を有する。すなわち、イオ
ン銃１０からのイオンビームの照射により、試料Ｓの表
面に発生した正電荷は、電子銃２０から照射された電子
シャワーによって中和される。
【０００８】ガスインジェクタ３０は、試料Ｓの表面に
対して所定のガス（たとえばピレンガス）を噴射する機
能を有する。たとえば、このガスの分子をイオンと反応
させて試料表面に膜を形成し、試料上のパターンの修正
を行うことができる。また、二次荷電粒子検出器４０は
、試料Ｓの表面からの二次荷電粒子を検出する機能を有
し、この検出器の出力信号に基づいて、試料上のパター
ンの像を観察することができる。
対して所定のガス（たとえばピレンガス）を噴射する機
能を有する。たとえば、このガスの分子をイオンと反応
させて試料表面に膜を形成し、試料上のパターンの修正
を行うことができる。また、二次荷電粒子検出器４０は
、試料Ｓの表面からの二次荷電粒子を検出する機能を有
し、この検出器の出力信号に基づいて、試料上のパター
ンの像を観察することができる。
【０００９】試料Ｓは、ＸＹステージ１００上に載置さ
れる。ＸＹステージ１００は、ステッピングモータ１１
０により図のＸ軸方向に駆動され、ステッピングモータ
１２０により図のＹ軸方向に駆動される。本発明の特徴
は、このＸＹステージ１００の一部に、微小電流測定素
子が設けられている点である。この実施例では、微小電
流測定素子としてファラデーカップＦを用いており、こ
のファラデーカップＦは、ＸＹステージ１００上におい
て試料Ｓを載置するのに妨げとならない場所に取り付け
られている。また、ファラデーカップＦの測定面は、試
料Ｓの表面とほぼ同じ高さになるように調整されている
。したがって、ＸＹステージ１００を移動させることに
より、電子銃２０から照射された電子シャワーの照射領
域下に、ファラデーカップＦを移動させることができる
。
れる。ＸＹステージ１００は、ステッピングモータ１１
０により図のＸ軸方向に駆動され、ステッピングモータ
１２０により図のＹ軸方向に駆動される。本発明の特徴
は、このＸＹステージ１００の一部に、微小電流測定素
子が設けられている点である。この実施例では、微小電
流測定素子としてファラデーカップＦを用いており、こ
のファラデーカップＦは、ＸＹステージ１００上におい
て試料Ｓを載置するのに妨げとならない場所に取り付け
られている。また、ファラデーカップＦの測定面は、試
料Ｓの表面とほぼ同じ高さになるように調整されている
。したがって、ＸＹステージ１００を移動させることに
より、電子銃２０から照射された電子シャワーの照射領
域下に、ファラデーカップＦを移動させることができる
。
【００１０】本発明の要点は、ファラデーカップＦによ
って、電子銃２０から照射される電子シャワーの強度分
布を測定することである。この強度分布測定を行うため
の構成要素を、図２にブロック図で示す。ここで、イオ
ン銃１０、電子銃２０、ＸＹステージ１００、ファラデ
ーカップＦ、および試料Ｓは、図１に示す斜視図で説明
したものと同一の要素であり、駆動系２００は、図１に
示すステッピングモータ１１０および１２０に対応する
要素である。この他に、ファラデーカップＦで測定され
た微小電流を増幅するための増幅器２１０、ここで増幅
された信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器２２
０、駆動系２００に対する制御を行うとともにＡ／Ｄ変
換器２２０から与えられるデジタル信号を処理する制御
装置３００、および測定結果の表示を行うディスプレイ
装置４００という各構成要素が用意されている。制御装
置３００は、具体的にはパーソナルコンピュータによっ
て構成されている。なお、図１に示したガスインジェク
タ３０および二次荷電粒子検出器４０は、本発明につい
ての必須構成要素ではないため、図２においては図示を
省略した。
って、電子銃２０から照射される電子シャワーの強度分
布を測定することである。この強度分布測定を行うため
の構成要素を、図２にブロック図で示す。ここで、イオ
ン銃１０、電子銃２０、ＸＹステージ１００、ファラデ
ーカップＦ、および試料Ｓは、図１に示す斜視図で説明
したものと同一の要素であり、駆動系２００は、図１に
示すステッピングモータ１１０および１２０に対応する
要素である。この他に、ファラデーカップＦで測定され
た微小電流を増幅するための増幅器２１０、ここで増幅
された信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器２２
０、駆動系２００に対する制御を行うとともにＡ／Ｄ変
換器２２０から与えられるデジタル信号を処理する制御
装置３００、および測定結果の表示を行うディスプレイ
装置４００という各構成要素が用意されている。制御装
置３００は、具体的にはパーソナルコンピュータによっ
て構成されている。なお、図１に示したガスインジェク
タ３０および二次荷電粒子検出器４０は、本発明につい
ての必須構成要素ではないため、図２においては図示を
省略した。
【００１１】図２に示す装置において、イオン銃１０か
らのイオンビームＩは、試料Ｓの表面に照射される。こ
のとき、試料Ｓの帯電を中和するために、電子銃２０か
ら電子シャワーＥが照射される。ただし、適切な中和を
行うためには、電子シャワーＥの強度、ビーム径、照射
位置を調整する必要がある。この装置では、次のように
して、電子シャワーＥの電子密度分布がディスプレイ装
置４００に表示されるため、このような調整を正確に、
かつ、容易に行うことが可能になる。まず、制御装置３
００は、制御系２００に対して、ＸＹステージ１００を
移動させるような制御信号を与える。この移動により、
ファラデーカップＦが電子シャワーＥの照射領域内にく
るようにし、ファラデーカップＦをＸ方向にΔｘずつ、
Ｙ方向にΔｙずつ、移動させるようにし、ファラデーカ
ップＦにより電子シャワーＥの照射領域を走査するよう
にする。一般に、ファラデーカップＦの径は、１００μ
程度であり、ΔｘおよびΔｙの大きさも同程度にするの
が好ましい。ファラデーカップＦの走査中に、電子銃２
０から電子シャワーＥを照射すれば、この電子シャワー
Ｅに起因してファラデーカップＦに微小電流が流れこと
になる。各走査位置においてファラデーカップＦが検出
した微小電流は、増幅器２１０で増幅され、Ａ／Ｄ変換
器２２０でデジタル化された後、制御装置３００に入力
される。したがって、制御装置３００は、どの位置にお
いてどの程度の電流が検出されたかという情報を得るこ
とができる。別言すれば、電子シャワーＥが試料Ｓの表
面に形成するスポットの電子密度分布が得られることに
なる。そこで、制御装置３００は、この電子密度分布を
ディスプレイ装置４００の画面に表示する。
らのイオンビームＩは、試料Ｓの表面に照射される。こ
のとき、試料Ｓの帯電を中和するために、電子銃２０か
ら電子シャワーＥが照射される。ただし、適切な中和を
行うためには、電子シャワーＥの強度、ビーム径、照射
位置を調整する必要がある。この装置では、次のように
して、電子シャワーＥの電子密度分布がディスプレイ装
置４００に表示されるため、このような調整を正確に、
かつ、容易に行うことが可能になる。まず、制御装置３
００は、制御系２００に対して、ＸＹステージ１００を
移動させるような制御信号を与える。この移動により、
ファラデーカップＦが電子シャワーＥの照射領域内にく
るようにし、ファラデーカップＦをＸ方向にΔｘずつ、
Ｙ方向にΔｙずつ、移動させるようにし、ファラデーカ
ップＦにより電子シャワーＥの照射領域を走査するよう
にする。一般に、ファラデーカップＦの径は、１００μ
程度であり、ΔｘおよびΔｙの大きさも同程度にするの
が好ましい。ファラデーカップＦの走査中に、電子銃２
０から電子シャワーＥを照射すれば、この電子シャワー
Ｅに起因してファラデーカップＦに微小電流が流れこと
になる。各走査位置においてファラデーカップＦが検出
した微小電流は、増幅器２１０で増幅され、Ａ／Ｄ変換
器２２０でデジタル化された後、制御装置３００に入力
される。したがって、制御装置３００は、どの位置にお
いてどの程度の電流が検出されたかという情報を得るこ
とができる。別言すれば、電子シャワーＥが試料Ｓの表
面に形成するスポットの電子密度分布が得られることに
なる。そこで、制御装置３００は、この電子密度分布を
ディスプレイ装置４００の画面に表示する。
【００１２】図３は、このようにして表示された電子密
度分布の一例を示す図である。この表示では、ＸＹステ
ージの駆動方向に対応するＸ方向およびＹ方向に、それ
ぞれピッチΔｘおよびΔｙで画素が配列されている。各
画素は、その位置においてファラデーカップＦが検出し
た微小電流値に対応した濃度で表示されている。あるい
は、微小電流値に対応して画素の色を変えるようにして
もかまわない。オペレータは、この表示を見て、どのよ
うな強度の電子シャワーが、どのような分布で照射され
ているかを認識することができ、試料Ｓの表面に形成さ
れたスポットの径の大きさや形成位置を認識することも
できる。したがって、この表示を見ながら、電子シャワ
ーの強度、ビーム径、照射位置、の調整を正確に行うこ
とが可能である。しかも、調整後の分布は、ファラデー
カップＦによる走査を再度行うだけで得られるため、操
作も非常に簡単である。
度分布の一例を示す図である。この表示では、ＸＹステ
ージの駆動方向に対応するＸ方向およびＹ方向に、それ
ぞれピッチΔｘおよびΔｙで画素が配列されている。各
画素は、その位置においてファラデーカップＦが検出し
た微小電流値に対応した濃度で表示されている。あるい
は、微小電流値に対応して画素の色を変えるようにして
もかまわない。オペレータは、この表示を見て、どのよ
うな強度の電子シャワーが、どのような分布で照射され
ているかを認識することができ、試料Ｓの表面に形成さ
れたスポットの径の大きさや形成位置を認識することも
できる。したがって、この表示を見ながら、電子シャワ
ーの強度、ビーム径、照射位置、の調整を正確に行うこ
とが可能である。しかも、調整後の分布は、ファラデー
カップＦによる走査を再度行うだけで得られるため、操
作も非常に簡単である。
【００１３】以上本発明を図示する実施例に基づいて説
明したが、本発明はこの実施例のみに限定されるもので
はなく、この他にも種々の態様で実施可能である。たと
えば、ファラデーカップＦの走査をより高精度に行うた
めに、レーザ干渉系などをもちいた位置制御を行っても
よい。
明したが、本発明はこの実施例のみに限定されるもので
はなく、この他にも種々の態様で実施可能である。たと
えば、ファラデーカップＦの走査をより高精度に行うた
めに、レーザ干渉系などをもちいた位置制御を行っても
よい。
【００１４】
【発明の効果】以上のとおり本発明による集束イオンビ
ーム装置では、試料表面上に形成される電子シャワーの
スポット領域を、微小電流測定素子によって走査するこ
とにより、照射電子密度分布を直接測定するようにした
ため、電子シャワーの強度、スポットの径、スポットの
位置、を容易に把握することができ、電子シャワーの正
確な調整を容易に行うことができる。
ーム装置では、試料表面上に形成される電子シャワーの
スポット領域を、微小電流測定素子によって走査するこ
とにより、照射電子密度分布を直接測定するようにした
ため、電子シャワーの強度、スポットの径、スポットの
位置、を容易に把握することができ、電子シャワーの正
確な調整を容易に行うことができる。
【図１】本発明の一実施例に係る集束イオンビーム装置
のビーム照射部分の構成を示す斜視図である。
のビーム照射部分の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施例に係る集束イオンビーム装置
の電子シャワー測定部分の構成を示すブロック図である
。
の電子シャワー測定部分の構成を示すブロック図である
。
【図３】図２に示す装置におけるディスプレイ装置の画
面上に表示された電子密度分布の一例を示す図である。
面上に表示された電子密度分布の一例を示す図である。
１０…イオン銃
１１…イオン源
１２…イオン光学系
２０…電子銃
３０…ガスインジェクタ
４０…二次荷電粒子検出器
１００…ＸＹステージ
１１０，１２０…ステッピングモータ
２００…駆動系
２１０…増幅器
２２０…Ａ／Ｄ変換器
３００…制御装置
４００…ディスプレイ装置
Ｅ…電子シャワー
Ｆ…ファラデーカップ
Ｉ…イオンビーム
Ｓ…試料
Claims (1)
- 【請求項１】 試料をＸＹ平面上に載置するためのＸ
Ｙステージと、このＸＹステージを前記ＸＹ平面に沿っ
て移動させるための駆動系と、前記ＸＹステージ上の試
料にイオンビームを照射するためのイオン銃と、イオン
ビームの照射による帯電を中和するために、前記試料に
電子シャワーを照射する電子銃と、前記ＸＹステージ上
の一部に設けられた微小電流測定素子と、前記駆動系に
対して所定の制御信号を与えることにより、前記電子シ
ャワー照射領域において、前記微小電流測定素子をＸ方
向およびＹ方向に移動させ、各位置における前記微小電
流測定素子による測定電流値を検出する制御装置と、前
記制御装置によって検出された測定電流値の分布を画面
に表示するディスプレイ装置と、を備えることを特徴と
する集束イオンビーム装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3089569A JP2965739B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 集束イオンビーム装置 |
| US07/848,031 US5164596A (en) | 1991-03-28 | 1992-03-09 | Focused ion beam irradiating apparatus |
| KR1019920004599A KR100274265B1 (ko) | 1991-03-28 | 1992-03-20 | 집속이온빔장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3089569A JP2965739B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 集束イオンビーム装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04299821A true JPH04299821A (ja) | 1992-10-23 |
| JP2965739B2 JP2965739B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=13974442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3089569A Expired - Lifetime JP2965739B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 集束イオンビーム装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5164596A (ja) |
| JP (1) | JP2965739B2 (ja) |
| KR (1) | KR100274265B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52130357A (en) * | 1976-04-26 | 1977-11-01 | Shinku Riko Kk | Highhpressure thermobalance |
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| KR100640567B1 (ko) * | 2000-03-06 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 집속 이온 빔 장치 |
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| DE60122379T2 (de) * | 2000-12-26 | 2007-08-09 | Epion Corp., Billerica | Ladungskontroll- und dosimetriesystem sowie verfahren für einen gas-cluster-ionenstrahl |
| US20060192144A1 (en) * | 2005-02-11 | 2006-08-31 | Ptr-Precision Technologies, Inc. | Electron beam welding method and apparatus |
| US8851442B2 (en) * | 2008-01-22 | 2014-10-07 | Honeywell International Inc. | Aerogel-bases mold for MEMS fabrication and formation thereof |
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- 1992-03-20 KR KR1019920004599A patent/KR100274265B1/ko not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52130357A (en) * | 1976-04-26 | 1977-11-01 | Shinku Riko Kk | Highhpressure thermobalance |
| JP2004500483A (ja) * | 1999-12-06 | 2004-01-08 | エピオン コーポレイション | ガスクラスターイオンビームによる薄い導電性フィルムを平滑化するための方法および装置 |
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