JPH0430097B2 - - Google Patents
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- JPH0430097B2 JPH0430097B2 JP58034340A JP3434083A JPH0430097B2 JP H0430097 B2 JPH0430097 B2 JP H0430097B2 JP 58034340 A JP58034340 A JP 58034340A JP 3434083 A JP3434083 A JP 3434083A JP H0430097 B2 JPH0430097 B2 JP H0430097B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光学的に情報を書き込みから読み出し
が可能な記録媒体膜の製造方法に係り、特に膜の
幾何的な変形を情報の記録となさしめた記録媒体
膜の製造方法に関する。
が可能な記録媒体膜の製造方法に係り、特に膜の
幾何的な変形を情報の記録となさしめた記録媒体
膜の製造方法に関する。
基板上に形成された記録媒体膜に情報に対応さ
れたパルス変調レーザビームを照射し、局部的に
加熱して、膜に脹らみを形成される光学的な記録
方式は、特開昭56−15341号公報、特開昭56−
127937号公報に記載されており、我々も特許を既
に出願（特願昭57−39426号）している。前者２
つに比べ後者は格段に優れているが、テストを重
ねているうちに以下の欠点があることが判明し
た。即ち、特願昭57−39426号で述べているTe，
Bi，In，Cd，Zn，Pbのような低融点金属にＮ，
Ｃ，Ｈ，Ｏ，Ｐ，Ｉ，Br，Ｓ等のガスとの組合
わせで形成した膜にレーザ照射すると、150℃前
後で膜は脹らむが簡単に600℃にもなり、膜がと
けて穴が形成されてしまい、脹らみはなくなつて
しまうことである。レーザのパワー制御を精密に
行えば解決するのだが、半導体レーザの再現性、
均一性、並びに媒体膜の再現性、均一性の現状を
みると、制御技術を向上させるよりも脹らみが簡
単にこわれない膜材質を開発した方がよい。
れたパルス変調レーザビームを照射し、局部的に
加熱して、膜に脹らみを形成される光学的な記録
方式は、特開昭56−15341号公報、特開昭56−
127937号公報に記載されており、我々も特許を既
に出願（特願昭57−39426号）している。前者２
つに比べ後者は格段に優れているが、テストを重
ねているうちに以下の欠点があることが判明し
た。即ち、特願昭57−39426号で述べているTe，
Bi，In，Cd，Zn，Pbのような低融点金属にＮ，
Ｃ，Ｈ，Ｏ，Ｐ，Ｉ，Br，Ｓ等のガスとの組合
わせで形成した膜にレーザ照射すると、150℃前
後で膜は脹らむが簡単に600℃にもなり、膜がと
けて穴が形成されてしまい、脹らみはなくなつて
しまうことである。レーザのパワー制御を精密に
行えば解決するのだが、半導体レーザの再現性、
均一性、並びに媒体膜の再現性、均一性の現状を
みると、制御技術を向上させるよりも脹らみが簡
単にこわれない膜材質を開発した方がよい。
なお特開昭56−127937号公報では基板上有機
層／金属質光吸収層を形成し、光吸収層を局部加
熱して有機層を間接加熱してガスを発生させ光吸
収層を隆起、変形させる方式であり、光エネルギ
ーを大きく必要とするのが欠点である。
層／金属質光吸収層を形成し、光吸収層を局部加
熱して有機層を間接加熱してガスを発生させ光吸
収層を隆起、変形させる方式であり、光エネルギ
ーを大きく必要とするのが欠点である。
また特開昭56−15341号公報では基板上に金属
質光反射層、光透過層、薄い金属質光吸収層を用
いて、低いレーザエネルギーで光透過層を分解さ
せ、発生したガスで薄い金属質光吸収層を隆起変
形をさせている。但し、この３層構造は膜厚の制
限が厳しく、製作の歩留りが極めて低いことと薄
い（１〜数ｎｍ）金属質の脹らみのため脹らみ度
合を一定、並びに長期間保持することが難かしい
所謂、信頼性が低い事が大きな欠点である。
質光反射層、光透過層、薄い金属質光吸収層を用
いて、低いレーザエネルギーで光透過層を分解さ
せ、発生したガスで薄い金属質光吸収層を隆起変
形をさせている。但し、この３層構造は膜厚の制
限が厳しく、製作の歩留りが極めて低いことと薄
い（１〜数ｎｍ）金属質の脹らみのため脹らみ度
合を一定、並びに長期間保持することが難かしい
所謂、信頼性が低い事が大きな欠点である。
本発明の目的は、レーザビーム照射により膜の
変形を起させ情報を記録させる光記録用媒体膜の
製造方法において、変形の有無、又は変形度合を
任意に変形させてデジタル又はアナログ信号を高
感度に記録でき、かつ信頼性の高い長寿命な光学
的記録媒体膜の製造方法を提供するにある。
変形を起させ情報を記録させる光記録用媒体膜の
製造方法において、変形の有無、又は変形度合を
任意に変形させてデジタル又はアナログ信号を高
感度に記録でき、かつ信頼性の高い長寿命な光学
的記録媒体膜の製造方法を提供するにある。
本発明は次の実験事実に基づいてなされたもの
である。即ち本発明者等はレーザビーム照射によ
り変形を起させ、情報を記録できる膜としてTe
−Ｃ膜を先に出願（特願昭56−169882号）した。
この膜の特長は、約3nｍ径という微細なTe結晶
微粒子の集合であり、これら微粒子間の空隙はア
ルキル分子で満たされ、粒子とアルキル分子とは
アルキルTeで結ばれているという独特な構造を
もつており、酸化されないという記録媒体膜にと
つては極めて優れた高い信頼性を保証できる構造
をもつた膜となつている。この膜を加熱すると
140℃位でアルキルTeが分解し、続いてアルキル
分子の蒸発が起る。蒸発後に残つた膜はTe金属
膜であり、この膜も440℃位でとけて穴が形成さ
れる。このレーザビームパワーを制御し、140℃
より低めのパワーを照射すると、アルキル分子ガ
スをうまく膜内にとじこめることができガスの膨
脹により膜を脹らまむことができる。但し、テス
トを重ねていくうち蓄積された熱により簡単に穴
があくという前述の様な欠点があることがわかつ
た。
である。即ち本発明者等はレーザビーム照射によ
り変形を起させ、情報を記録できる膜としてTe
−Ｃ膜を先に出願（特願昭56−169882号）した。
この膜の特長は、約3nｍ径という微細なTe結晶
微粒子の集合であり、これら微粒子間の空隙はア
ルキル分子で満たされ、粒子とアルキル分子とは
アルキルTeで結ばれているという独特な構造を
もつており、酸化されないという記録媒体膜にと
つては極めて優れた高い信頼性を保証できる構造
をもつた膜となつている。この膜を加熱すると
140℃位でアルキルTeが分解し、続いてアルキル
分子の蒸発が起る。蒸発後に残つた膜はTe金属
膜であり、この膜も440℃位でとけて穴が形成さ
れる。このレーザビームパワーを制御し、140℃
より低めのパワーを照射すると、アルキル分子ガ
スをうまく膜内にとじこめることができガスの膨
脹により膜を脹らまむことができる。但し、テス
トを重ねていくうち蓄積された熱により簡単に穴
があくという前述の様な欠点があることがわかつ
た。
そこで本発明はこれらの欠点を除去すべく熱等
により穴あいたりしない信頼性の高い光学的記録
膜の製造方法を見出した点に基づいている。
により穴あいたりしない信頼性の高い光学的記録
膜の製造方法を見出した点に基づいている。
以下本発明を実施例を基に、図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
実施例 １
第１図は本発明の記録膜を製作するのに必要な
膜形成装置の概略図である。真空装置１をあらか
じめ排気ポンプ（図示していない）で高真空に排
気したのち、バルブ２を開きメタン系炭化水素ガ
スを収納した容器３からそのガスを流して真空圧
にして10-2〜10-3Torr台にする。真空装置内に
はあらかじめ金属板４と基板５とが対向する様に
配置され、両者には直流又は交流電圧が電源６を
介して印加される。金属板４には水７等により冷
却されるのが望ましく、又メタン系炭化水素ガス
を希釈し、かつ膜形成速度を上げるためバルブ９
を有する不活性ガス収納した容器８を備えた方が
良い。
膜形成装置の概略図である。真空装置１をあらか
じめ排気ポンプ（図示していない）で高真空に排
気したのち、バルブ２を開きメタン系炭化水素ガ
スを収納した容器３からそのガスを流して真空圧
にして10-2〜10-3Torr台にする。真空装置内に
はあらかじめ金属板４と基板５とが対向する様に
配置され、両者には直流又は交流電圧が電源６を
介して印加される。金属板４には水７等により冷
却されるのが望ましく、又メタン系炭化水素ガス
を希釈し、かつ膜形成速度を上げるためバルブ９
を有する不活性ガス収納した容器８を備えた方が
良い。
金属板をAg板とし、メタン系炭化水素ガスを
メタンガス、不活性ガスをArガスとして放電を
起させると、メタンガスが解離して、−Ｈ基、−
CH3基、−H2基、−CH2基等が発生し、直ちにAg
板に衝突して、Ag−Ｈ、Ag−CH3、Ag−CH2
等のアルキル金属が反応生成される。但したたき
出されたAg原子がすべてアルキル金属になるの
ではなく、原子又は分子のまゝ基板上に積層され
る量もかなりある。基板上にはAg原子、アルキ
ルAg、アルキル分子が混在した格好になり膜が
形成されていく。Ag板のかわりにTe板を使用す
れば上述のTe−Ｃ膜が得られるが、Agの場合に
は構造は同じだが粒子の径、組成比等が異なつた
膜が得られた。これらの因子はガスの混合比、ガ
ス流量、印加電圧、装置の内部形状により変化す
るので、一概には言えず、又Teの場合よりも印
加電圧を上げないとAg膜が形成できないので正
確な比較はできないが、Ag微粒子の径はほヾ60
ÅとなりTe−Ｃ膜に比べて大きい。構造が同じ
なので、この膜をAg−Ｃ膜と略称する。この膜
を加熱すると180℃近辺でアルキル分子の蒸発が
おこり、膜はAg金属膜に相変化する。加熱を続
けると、1400℃近辺でとけ始め、穴があき始め
る。膜厚をある程度厚くするとアルキル分子が蒸
発するとき膜を脹らます。例えば、300nｍの膜
厚の場合、レーザ照射パワーを適当に選ぶと
200nｍの高々に脹らますことが出来る。一旦脹
らんだ膜は膜が破れない限りその状態を保つてい
る。膜の破れは熱による膜の融解が第１の原因で
ある。Te−Ｃ膜の場合、140℃近辺で脹らみ、
440℃近辺でとけてしまうので脹らみを保持でき
る温度差は約300℃しかない。一旦脹らんだ膜の
部分に弱いレーザ光を何回も照射していると、熱
の逃げ場がなくなり膜に熱がたまり、膜をとかし
てしまうが、300℃位の温度差では簡単に膜がと
けてしまう。ところが本発明であるAg−Ｃ膜は
ほヾ1200℃の温度差があるため膜がとけるという
ことはない。
メタンガス、不活性ガスをArガスとして放電を
起させると、メタンガスが解離して、−Ｈ基、−
CH3基、−H2基、−CH2基等が発生し、直ちにAg
板に衝突して、Ag−Ｈ、Ag−CH3、Ag−CH2
等のアルキル金属が反応生成される。但したたき
出されたAg原子がすべてアルキル金属になるの
ではなく、原子又は分子のまゝ基板上に積層され
る量もかなりある。基板上にはAg原子、アルキ
ルAg、アルキル分子が混在した格好になり膜が
形成されていく。Ag板のかわりにTe板を使用す
れば上述のTe−Ｃ膜が得られるが、Agの場合に
は構造は同じだが粒子の径、組成比等が異なつた
膜が得られた。これらの因子はガスの混合比、ガ
ス流量、印加電圧、装置の内部形状により変化す
るので、一概には言えず、又Teの場合よりも印
加電圧を上げないとAg膜が形成できないので正
確な比較はできないが、Ag微粒子の径はほヾ60
ÅとなりTe−Ｃ膜に比べて大きい。構造が同じ
なので、この膜をAg−Ｃ膜と略称する。この膜
を加熱すると180℃近辺でアルキル分子の蒸発が
おこり、膜はAg金属膜に相変化する。加熱を続
けると、1400℃近辺でとけ始め、穴があき始め
る。膜厚をある程度厚くするとアルキル分子が蒸
発するとき膜を脹らます。例えば、300nｍの膜
厚の場合、レーザ照射パワーを適当に選ぶと
200nｍの高々に脹らますことが出来る。一旦脹
らんだ膜は膜が破れない限りその状態を保つてい
る。膜の破れは熱による膜の融解が第１の原因で
ある。Te−Ｃ膜の場合、140℃近辺で脹らみ、
440℃近辺でとけてしまうので脹らみを保持でき
る温度差は約300℃しかない。一旦脹らんだ膜の
部分に弱いレーザ光を何回も照射していると、熱
の逃げ場がなくなり膜に熱がたまり、膜をとかし
てしまうが、300℃位の温度差では簡単に膜がと
けてしまう。ところが本発明であるAg−Ｃ膜は
ほヾ1200℃の温度差があるため膜がとけるという
ことはない。
実際、アクリル円板基板上に約300nｍ厚のAg
−Ｃ膜を形成し、この基板を回転させ乍ら光デイ
スクメモリとしての評価を行つた。半導体レーザ
（波長0.8μｍ）のビームを1μｍ〓に絞りこみ、Ag
−Ｃ膜にパルス状に照射し、Ag−Ｃ膜の反射光
量変化をビーム強度をかえ乍ら測定した所、3M
Hz変調で、膜面３ｍＷのレーザ光の時反射光量が
変化することが判明した。この時膜面が脹らみ、
反射光が乱反射により散乱させられているのであ
る。この反射光量の差を２値記録の出力として測
定すると55dB以上のＳ／Ｈ比がとれることが判
明した。膜を脹らますには膜の厚さに制限があ
る。薄すぎてはアルキル分子の蒸発の時膜を簡単
に破つてしまい、脹まず穴をあけてしまう。逆に
厚すぎては蒸発圧力が膜の張力に勝てないため、
脹ますことはできない。膜内アルキル分子の含有
量にもよるが、Ag−Ｃ膜の場合、ほヾ100nｍ〜
1000nｍの範囲であれば、膜は脹らむことが判明
した。
−Ｃ膜を形成し、この基板を回転させ乍ら光デイ
スクメモリとしての評価を行つた。半導体レーザ
（波長0.8μｍ）のビームを1μｍ〓に絞りこみ、Ag
−Ｃ膜にパルス状に照射し、Ag−Ｃ膜の反射光
量変化をビーム強度をかえ乍ら測定した所、3M
Hz変調で、膜面３ｍＷのレーザ光の時反射光量が
変化することが判明した。この時膜面が脹らみ、
反射光が乱反射により散乱させられているのであ
る。この反射光量の差を２値記録の出力として測
定すると55dB以上のＳ／Ｈ比がとれることが判
明した。膜を脹らますには膜の厚さに制限があ
る。薄すぎてはアルキル分子の蒸発の時膜を簡単
に破つてしまい、脹まず穴をあけてしまう。逆に
厚すぎては蒸発圧力が膜の張力に勝てないため、
脹ますことはできない。膜内アルキル分子の含有
量にもよるが、Ag−Ｃ膜の場合、ほヾ100nｍ〜
1000nｍの範囲であれば、膜は脹らむことが判明
した。
半導体レーザビームで照射するのだから半導体
レーザが出しうる出力で膜が脹らまねばならな
い。その制限はアルキル分子が蒸発する温度が
300℃以下の膜と対応させることができる。又、
脹らんだ膜が破れないためには金属膜の融解温度
が600℃以上となる物質で構成することが望まし
い。
レーザが出しうる出力で膜が脹らまねばならな
い。その制限はアルキル分子が蒸発する温度が
300℃以下の膜と対応させることができる。又、
脹らんだ膜が破れないためには金属膜の融解温度
が600℃以上となる物質で構成することが望まし
い。
記録された時の膜の状態を第２図に示す。基板
１１上に形成したAg−Ｃ膜１２にレーザビーム
をパルス状に照射すると、Ag−Ｃ膜に含まれて
いたアルキル分子が蒸発しようとして膜面を押し
上げ、膜を脹らます１３。その後レーザビームパ
ワーを1/10以下に下げ反射強度をとると、脹らん
だ部分１３では散乱のため反射強度は減少し、脹
らみの有無が判別できる。即ち情報記録となる。
別に膜の脹らみ度合を照射レーザビームの強度で
制御できるという利点もある。上記の膜では３ｍ
Ｗで200nｍ高さに脹らんだが2.5ｍＷでは150nｍ，
2.0ｍＷでは100nｍ脹らむ。従がつてアナログ信
号をも脹らみの度合として記録させることが出来
る。レーザ照射する前のAg−Ｃ膜はAg微粒子の
周辺をアルキル分子が囲んでいるため、Ag微粒
子は全く酸化されず、極めて信頼性の高い安定し
た膜である。レーザ照射後の膜はAgの結晶質に
変化するが、Ag膜の表面は大気中で直ちに表面
酸化され、安定な被膜でおおわれてしまう。一旦
おおわれたAg膜はそれ以上酸化されることがな
く、極めて安定している。従つて記録後の安定性
は極めて高く、記録の長期保存には最適である。
１１上に形成したAg−Ｃ膜１２にレーザビーム
をパルス状に照射すると、Ag−Ｃ膜に含まれて
いたアルキル分子が蒸発しようとして膜面を押し
上げ、膜を脹らます１３。その後レーザビームパ
ワーを1/10以下に下げ反射強度をとると、脹らん
だ部分１３では散乱のため反射強度は減少し、脹
らみの有無が判別できる。即ち情報記録となる。
別に膜の脹らみ度合を照射レーザビームの強度で
制御できるという利点もある。上記の膜では３ｍ
Ｗで200nｍ高さに脹らんだが2.5ｍＷでは150nｍ，
2.0ｍＷでは100nｍ脹らむ。従がつてアナログ信
号をも脹らみの度合として記録させることが出来
る。レーザ照射する前のAg−Ｃ膜はAg微粒子の
周辺をアルキル分子が囲んでいるため、Ag微粒
子は全く酸化されず、極めて信頼性の高い安定し
た膜である。レーザ照射後の膜はAgの結晶質に
変化するが、Ag膜の表面は大気中で直ちに表面
酸化され、安定な被膜でおおわれてしまう。一旦
おおわれたAg膜はそれ以上酸化されることがな
く、極めて安定している。従つて記録後の安定性
は極めて高く、記録の長期保存には最適である。
実施例 ２
第１図の装置を用いて金属板にAg板、メタン
化炭化水素ガスにエタンガス、不活性ガスにAr
ガスを用いて膜を形成し、光デイスクメモリとし
ての評価を行つた。ガスがメタンガスからエタン
ガスにかえた所、膜構造はほヾ同じ結果が得られ
たが、アルキル分子が蒸発しようとし、膜が脹ら
む温度が190℃といくらか上昇した。情報記録の
特性は実施例１と同じであつた。
化炭化水素ガスにエタンガス、不活性ガスにAr
ガスを用いて膜を形成し、光デイスクメモリとし
ての評価を行つた。ガスがメタンガスからエタン
ガスにかえた所、膜構造はほヾ同じ結果が得られ
たが、アルキル分子が蒸発しようとし、膜が脹ら
む温度が190℃といくらか上昇した。情報記録の
特性は実施例１と同じであつた。
実施例 ３
第１図の装置を用いて金属板にGe板、メタン
系炭化水素にメタンガス、不活性ガスにArガス
を用いて膜を形成し、光デイスクメモリとしての
評価を行なつた。膜構造はAgの場合と同じであ
つたが、微粒子の径がAgの時よりも小さく約50
Åとなつていた。アルキル分子が蒸発する温度は
180℃とAgと類似している。情報記録の特性は
Ag−Ｃ膜と同じであつた。記録の保存期間は70
℃，85％という高温高湿に放置した時間と反射率
の変化を測定した。一般に金属膜の反射率低下は
膜の酸化によるといわれ、この高温高湿状態に20
日耐えれば10年間の寿命、５ケ月耐えれば50年以
上の寿命があるといわれる。
系炭化水素にメタンガス、不活性ガスにArガス
を用いて膜を形成し、光デイスクメモリとしての
評価を行なつた。膜構造はAgの場合と同じであ
つたが、微粒子の径がAgの時よりも小さく約50
Åとなつていた。アルキル分子が蒸発する温度は
180℃とAgと類似している。情報記録の特性は
Ag−Ｃ膜と同じであつた。記録の保存期間は70
℃，85％という高温高湿に放置した時間と反射率
の変化を測定した。一般に金属膜の反射率低下は
膜の酸化によるといわれ、この高温高湿状態に20
日耐えれば10年間の寿命、５ケ月耐えれば50年以
上の寿命があるといわれる。
この条件でAg−Ｃ，Ge−Ｃ膜を評価するとす
べて50年以上という結果が得られた。
べて50年以上という結果が得られた。
又、情報が記録されたと同等のAg膜、Ge膜を
も評価した所、すべて50年以上の寿命があるとい
う結果が得られた。従つて情報の長期保存には最
適な記録媒体膜であるといえる。
も評価した所、すべて50年以上の寿命があるとい
う結果が得られた。従つて情報の長期保存には最
適な記録媒体膜であるといえる。
なお、ここではAg膜、Ge膜を例としてとり上
げた。他の安定な金属、例えばRd，Nb，Ta，
Au，Ir等でも、同一効果をもつた膜を形成させ
る事が可能であり光デイスクメモリー媒体膜とし
て有用である。
げた。他の安定な金属、例えばRd，Nb，Ta，
Au，Ir等でも、同一効果をもつた膜を形成させ
る事が可能であり光デイスクメモリー媒体膜とし
て有用である。
第１図は本発明の記録媒体膜を形成するための
装置の概略図、第２図は本発明の方法で作成した
記録媒体膜に情報を記録させた場合の膜の断面図
である。 １：真空装置、２，９：バルブ、３：メタン系
炭化水素ガスを収納した容器、４：金属板、５，
１１：基板、６：電源、７：水、８：不活性ガス
を収納した容器、１２：Ag−Ｃ膜、１３：張ら
んだ部分。
装置の概略図、第２図は本発明の方法で作成した
記録媒体膜に情報を記録させた場合の膜の断面図
である。 １：真空装置、２，９：バルブ、３：メタン系
炭化水素ガスを収納した容器、４：金属板、５，
１１：基板、６：電源、７：水、８：不活性ガス
を収納した容器、１２：Ag−Ｃ膜、１３：張ら
んだ部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電磁放射線により情報を記録し再生のできる
情報記録媒体膜の製造方法において、該媒体膜に
アルキル分子と600℃以上の融点をもつた金属と
からなるアルキル金属の成分を含ませておき、該
電磁放射線照射による熱により、該アルキル金属
が分解し、アルキル成分ガスが発生し、該アルキ
ル成分ガスの膨脹により該媒体膜が脹らみ等の変
形を伴なわせ、その変形の度合または変形の有無
を情報の記録となさしめたことを特徴とする光学
的記録媒体膜の製造方法。 ２ アルキル金属の成分を含ませるのにメタン系
炭化水素ガスと不活性ガスとの混合ガス中におい
て、アルキル金属と同一成分である金属板と基板
との間に放電を起させて、アルキル金属ガスを発
生させ、該基板上に不活性ガスを主体としたこと
による金属膜とメタン系炭化水素ガスによるアル
キル金属膜とを同時に成長させたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の光学的記録媒体膜
の製造方法。 ３ 膜の変形は100℃〜300℃の温度範囲で発生
し、該媒体膜の融解温度は600℃以上であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的
記録媒体膜の製造方法。 ４ 媒体膜の膜厚は100nｍ〜1000nｍであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的
記録媒体膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58034340A JPS59160845A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 光学的記録媒体膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58034340A JPS59160845A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 光学的記録媒体膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59160845A JPS59160845A (ja) | 1984-09-11 |
| JPH0430097B2 true JPH0430097B2 (ja) | 1992-05-20 |
Family
ID=12411407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58034340A Granted JPS59160845A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 光学的記録媒体膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59160845A (ja) |
-
1983
- 1983-03-04 JP JP58034340A patent/JPS59160845A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59160845A (ja) | 1984-09-11 |
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