JPH051749B2 - - Google Patents
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- JPH051749B2 JPH051749B2 JP61105933A JP10593386A JPH051749B2 JP H051749 B2 JPH051749 B2 JP H051749B2 JP 61105933 A JP61105933 A JP 61105933A JP 10593386 A JP10593386 A JP 10593386A JP H051749 B2 JPH051749 B2 JP H051749B2
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。
ことのできる光記録媒体に関するものである。
（従来の技術）
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素又はこれらの化合物が使用されている
（特公昭47−26897）。とくにテルルセレン系合金
はよく使用されている（特公昭54−41902，特公
昭57−7919，特公昭57−56058）。近年、記録装置
を小型化するため、レーザ光源としては半導体レ
ーザが使用されてきている。半導体レーザは発振
波長が8000Å前後であるが、テルルセレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射
率と適度な吸収率が得られる（フイジカ・ステイ
タス・ソリダイ（phys.stat.sol，７，1964））。
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、Te等のカル
コゲン元素又はこれらの化合物が使用されている
（特公昭47−26897）。とくにテルルセレン系合金
はよく使用されている（特公昭54−41902，特公
昭57−7919，特公昭57−56058）。近年、記録装置
を小型化するため、レーザ光源としては半導体レ
ーザが使用されてきている。半導体レーザは発振
波長が8000Å前後であるが、テルルセレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射
率と適度な吸収率が得られる（フイジカ・ステイ
タス・ソリダイ（phys.stat.sol，７，1964））。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、テルルセレン合金の組成を制御
することは容易ではなく、量産性に問題があつ
た。又、記録再生特性においても充分な性能では
なかつた。
することは容易ではなく、量産性に問題があつ
た。又、記録再生特性においても充分な性能では
なかつた。
本発明の目的は、量産性がよく、かつ耐候性が
よく、かつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体
を提供することにある。
よく、かつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体
を提供することにある。
（問題を解決するための手段）
本発明の光記録媒体は基板上に形成した記録層
の１部をレーザ光により選択的に除去して情報を
記録する光記録媒体であつて、前記基板上にセレ
ン層、金層、テルル層、金層、セレン層を順次積
層して前記記録層とすることとを特徴とする。
の１部をレーザ光により選択的に除去して情報を
記録する光記録媒体であつて、前記基板上にセレ
ン層、金層、テルル層、金層、セレン層を順次積
層して前記記録層とすることとを特徴とする。
（作用）
光記録媒体は従来第２図のような構成になつて
いた。即ち、基板１の上に記録層２１が設けられ
ている。記録用レーザ光は基板１を通して記録層
２１に集光照射され、ピツト２２が形成される基
板１としてはポリカーボネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基板１に
は通常案内溝が設けられている。記録層２１とし
ては通常テルルセレン合金が使用されている。し
かしながら、テルルセレン合金の組成を制御する
ことは容易ではなく、量産性に問題があつた。
又、ピツトをトラツク１周にわたつて均一に形成
することは困難であるため、充分に良好な記録再
生特性は得られなかつた。
いた。即ち、基板１の上に記録層２１が設けられ
ている。記録用レーザ光は基板１を通して記録層
２１に集光照射され、ピツト２２が形成される基
板１としてはポリカーボネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基板１に
は通常案内溝が設けられている。記録層２１とし
ては通常テルルセレン合金が使用されている。し
かしながら、テルルセレン合金の組成を制御する
ことは容易ではなく、量産性に問題があつた。
又、ピツトをトラツク１周にわたつて均一に形成
することは困難であるため、充分に良好な記録再
生特性は得られなかつた。
本発明者らは、基板の上にセレン層、テルル
層、セレン層を順次積層して記録層とすることに
より、耐候性に優れ、かつトラツク１周にわたつ
てピツトを均一に形成でき、良好な記録再生特性
を有する光記録媒体となることを見出し、すでに
提案している。本発明はこれをさらに改善したも
のであり、第１図に示すように基板１の上にセレ
ン層２、金層３、テルル層４、金層５、セレン層
６を順次積層して記録層を形成する。金層３と金
層５を形成することにより、記録により形成され
るピツトが大きく拡がらないようになる。したが
つて、ピットをつめて記録できるので高密度記録
が可能となる。又、記録パワー変動に対する余裕
度も大きくなるので実用的な光記録媒体となる。
この理由はあまり明確ではないが、ピツト形成に
よる反射率変化の主要因であるテルル層４の表面
張力が金層５の形成により変化することによるこ
とと、テルル層４の有無による表面エネルギーの
差が金層３の形成により変化することによつてピ
ツトが拡がりにくくなるものと思れれる。
層、セレン層を順次積層して記録層とすることに
より、耐候性に優れ、かつトラツク１周にわたつ
てピツトを均一に形成でき、良好な記録再生特性
を有する光記録媒体となることを見出し、すでに
提案している。本発明はこれをさらに改善したも
のであり、第１図に示すように基板１の上にセレ
ン層２、金層３、テルル層４、金層５、セレン層
６を順次積層して記録層を形成する。金層３と金
層５を形成することにより、記録により形成され
るピツトが大きく拡がらないようになる。したが
つて、ピットをつめて記録できるので高密度記録
が可能となる。又、記録パワー変動に対する余裕
度も大きくなるので実用的な光記録媒体となる。
この理由はあまり明確ではないが、ピツト形成に
よる反射率変化の主要因であるテルル層４の表面
張力が金層５の形成により変化することによるこ
とと、テルル層４の有無による表面エネルギーの
差が金層３の形成により変化することによつてピ
ツトが拡がりにくくなるものと思れれる。
実施例 １
以下本発明の実施例について説明する。内径15
mm、外径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート樹
脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入れ、６×
10- 6Torr以下に排気した。蒸発源としては、第
１の抵抗加熱用ボートにTeを入れ、第２の抵抗
加熱用ボートにSeを入れ、電子ビーム加熱用る
つぼにAuを入れた。まずSeを50Å厚蒸着し、次
にAuを２Å厚蒸着し、次にTeを225Å厚蒸着し、
次にAuを３Å厚蒸着し、最後にSeを50Å厚蒸着
した。この光デイスクを95℃で１時間アニールし
たのち、波長8300Åにおける基板入射反射率を測
定したところ36％であつた。波長8300Åの半導体
レーザ光を基板を通して入射して1.5μmφ程度に
絞り、媒体線速度5.6m／sec、記録周波数3.77M
Hz、記録パルス幅70nsecの条件で記録し、
0.7mWで再生した。記録パワーは6.0mWにおい
て、バンド幅30kHzのキヤリアーとノイズとの比
（Ｃ／Ｎ）は50dBと良好であつた。又、Ｃ／Ｎが
45dB以上得られる記録パワー領域は6.0mWから
8.0mWと広範囲であつた。比較のための50Å厚
のSe、225Å厚のTe、50Å厚のSeの光デイスク
では、記録パワー5.0mWにおいてＣ／Ｎは48dB
であり、Ｃ／Ｎが45dB以上得られる記録パワー
領域は5.0mWから6.5mWと狭い範囲であつた。
mm、外径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート樹
脂デイスク基板を真空蒸着装置内に入れ、６×
10- 6Torr以下に排気した。蒸発源としては、第
１の抵抗加熱用ボートにTeを入れ、第２の抵抗
加熱用ボートにSeを入れ、電子ビーム加熱用る
つぼにAuを入れた。まずSeを50Å厚蒸着し、次
にAuを２Å厚蒸着し、次にTeを225Å厚蒸着し、
次にAuを３Å厚蒸着し、最後にSeを50Å厚蒸着
した。この光デイスクを95℃で１時間アニールし
たのち、波長8300Åにおける基板入射反射率を測
定したところ36％であつた。波長8300Åの半導体
レーザ光を基板を通して入射して1.5μmφ程度に
絞り、媒体線速度5.6m／sec、記録周波数3.77M
Hz、記録パルス幅70nsecの条件で記録し、
0.7mWで再生した。記録パワーは6.0mWにおい
て、バンド幅30kHzのキヤリアーとノイズとの比
（Ｃ／Ｎ）は50dBと良好であつた。又、Ｃ／Ｎが
45dB以上得られる記録パワー領域は6.0mWから
8.0mWと広範囲であつた。比較のための50Å厚
のSe、225Å厚のTe、50Å厚のSeの光デイスク
では、記録パワー5.0mWにおいてＣ／Ｎは48dB
であり、Ｃ／Ｎが45dB以上得られる記録パワー
領域は5.0mWから6.5mWと狭い範囲であつた。
次に、本実施例のデイスクを70℃80％の高温高
湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調べ
たが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。
湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を調べ
たが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。
実施例 ２
実施例１と同様にして、80Å厚のSe、1.5Å厚
のAu、240Å厚のTe、1.5厚のAu、80Å厚のSeを
順次積層して、しかる後、窒素ガス中95℃３時間
アニールを行なつて光記録媒体を作製した。実施
例１と同様の記録再生実験により、6.0mWの記
録パワーにおいてＣ／Ｎは48dBと良好であり、
45dB以上のＣ／Ｎを得られる記録パワー領域は
5.5mWから8.0mWと広範囲であつた。
のAu、240Å厚のTe、1.5厚のAu、80Å厚のSeを
順次積層して、しかる後、窒素ガス中95℃３時間
アニールを行なつて光記録媒体を作製した。実施
例１と同様の記録再生実験により、6.0mWの記
録パワーにおいてＣ／Ｎは48dBと良好であり、
45dB以上のＣ／Ｎを得られる記録パワー領域は
5.5mWから8.0mWと広範囲であつた。
本発明において上下のセレン層の膜厚はそれぞ
れ５〜100Åの範囲、テルル層の膜厚は100〜500
Åの範囲、上下の金層の膜厚はそれぞれ0.5〜50
Åの範囲が記録再生特性、耐候性の観点から望ま
しい。なお、ここにいう0.5〜50Åの金層という
のは、重量平均に相当する膜厚であり、実際には
不連続となつている。
れ５〜100Åの範囲、テルル層の膜厚は100〜500
Åの範囲、上下の金層の膜厚はそれぞれ0.5〜50
Åの範囲が記録再生特性、耐候性の観点から望ま
しい。なお、ここにいう0.5〜50Åの金層という
のは、重量平均に相当する膜厚であり、実際には
不連続となつている。
（発明の効果）
上記実施例から明らかなように、本発明により
量産性に優れ、かつ耐候性に優れ、かつ高感度で
信号品質の良好な光記録媒体が得られる。
量産性に優れ、かつ耐候性に優れ、かつ高感度で
信号品質の良好な光記録媒体が得られる。
第１図は本発明の光記録媒体の一例を示す断面
概略図、第２図は従来の光記録媒体の断面概略図
である。図において、１は基板、２，６はセレン
層、３，５は金層、４はテルル層、２１は記録
層、２２はピツトを表わす。
概略図、第２図は従来の光記録媒体の断面概略図
である。図において、１は基板、２，６はセレン
層、３，５は金層、４はテルル層、２１は記録
層、２２はピツトを表わす。
Claims (1)
- １ 基板上に形成した記録層の一部をレーザ光に
より選択的に除去して情報を記録する光記録媒体
において、前記基板上にセレン層、金層、テルル
層、金層、セレン層を順次積層して前記記録層と
することを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61105933A JPS62261483A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61105933A JPS62261483A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62261483A JPS62261483A (ja) | 1987-11-13 |
| JPH051749B2 true JPH051749B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=14420651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61105933A Granted JPS62261483A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62261483A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6020041A (en) * | 1997-12-15 | 2000-02-01 | Eastman Kodak Company | Performance recording media for recordable element using gold reflector |
-
1986
- 1986-05-08 JP JP61105933A patent/JPS62261483A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62261483A (ja) | 1987-11-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |