JPH04301676A - 多値出力駆動装置 - Google Patents
多値出力駆動装置Info
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- JPH04301676A JPH04301676A JP3066138A JP6613891A JPH04301676A JP H04301676 A JPH04301676 A JP H04301676A JP 3066138 A JP3066138 A JP 3066138A JP 6613891 A JP6613891 A JP 6613891A JP H04301676 A JPH04301676 A JP H04301676A
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- Japan
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- value output
- drive device
- voltage values
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多値出力駆動装置に関し
、特に複数の電圧値を駆動する多値出力駆動装置に関す
る。
、特に複数の電圧値を駆動する多値出力駆動装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、かかる多値出力駆動装置は、プラ
ズマディスプレイ（以下ＰＤＰと称す）やエレクトロル
ミネセンス等を駆動する装置として用いられている。
ズマディスプレイ（以下ＰＤＰと称す）やエレクトロル
ミネセンス等を駆動する装置として用いられている。
【０００３】図６はかかる従来の一例を示す多値出力駆
動装置の回路図である。図６に示すように、従来の多値
出力駆動装置は、ＰＭＯＳＦＥＴおよびＮＭＯＳＦＥＴ
からなる維持信号源１と、Ｎ個のトランジスタ２７，２
８およびダイオード２９〜３１と、２個のオープンドレ
インＩＣ３２，３５とを有している。このオープンドレ
インＩＣ３２，３５はそれぞれＮＭＯＳＦＥＴ３３，制
御回路３４と、ＮＭＯＳＦＥＴ３６，制御回路３７とで
構成される。また、出力Ｏ１〜ＯｎはＡＣメモリー型Ｐ
ＤＰの走査側電極に接続される（図示省略）。
動装置の回路図である。図６に示すように、従来の多値
出力駆動装置は、ＰＭＯＳＦＥＴおよびＮＭＯＳＦＥＴ
からなる維持信号源１と、Ｎ個のトランジスタ２７，２
８およびダイオード２９〜３１と、２個のオープンドレ
インＩＣ３２，３５とを有している。このオープンドレ
インＩＣ３２，３５はそれぞれＮＭＯＳＦＥＴ３３，制
御回路３４と、ＮＭＯＳＦＥＴ３６，制御回路３７とで
構成される。また、出力Ｏ１〜ＯｎはＡＣメモリー型Ｐ
ＤＰの走査側電極に接続される（図示省略）。
【０００４】図７は図６における回路動作を説明するた
めの各種信号のタイミング図である。図７に示すように
、トランジスタ２７，２８に供給される維持信号２は、
ＡＣメモリーＰＤＰの放電を維持するパルスであり、維
持信号源１で作成される。このパルス２はトランジスタ
２７，２８を介し出力Ｏ１〜Ｏｎに印加される。 一方、制御回路３４，３７に制御されるＮＭＯＳＦＥＴ
３３，３６がオフである時、トランジスタ２７のベース
は開放されるため、スイッチオンの状態となり、維持信
号源１からのパルス２をそのまま伝達する。また、図７
のタイミングでＮＭＯＳＦＥＴ３３（Ｔｒ３３）をオン
にすると、ダイオード３０を通してトランジスタ２７の
ベース電位を引き下げ、トランジスタ２７をオフにし、
さらにダイオード２９を通して出力Ｏ１を−ＶＥに固定
する。この電圧−ＶＥは消去パルス電圧であり、このパ
ルスでＡＣメモリーＰＤＰの維持放電を停止させる。次
に、ＮＭＯＳＦＥＴ３３をオフ状態ち戻すと、抵抗Ｒ１
を介してトランジスタ２７のベースはバイアスされる。 従って、出力Ｏ１はこの時のコレクタ電位０Ｖにまで、
抵抗Ｒ１とベースに接続される容量の時定数で比較的ゆ
っくりと立ち上る。同様にして、ＮＭＯＳＦＥＴ３６を
オンにすると、Ｏ１出力は−ＶＷまで立ち下がる。この
電圧−ＶＷは書込みパルス電圧であり、このパルスでＡ
ＣメモリーＰＤＰの維持放電を開始させる。
めの各種信号のタイミング図である。図７に示すように
、トランジスタ２７，２８に供給される維持信号２は、
ＡＣメモリーＰＤＰの放電を維持するパルスであり、維
持信号源１で作成される。このパルス２はトランジスタ
２７，２８を介し出力Ｏ１〜Ｏｎに印加される。 一方、制御回路３４，３７に制御されるＮＭＯＳＦＥＴ
３３，３６がオフである時、トランジスタ２７のベース
は開放されるため、スイッチオンの状態となり、維持信
号源１からのパルス２をそのまま伝達する。また、図７
のタイミングでＮＭＯＳＦＥＴ３３（Ｔｒ３３）をオン
にすると、ダイオード３０を通してトランジスタ２７の
ベース電位を引き下げ、トランジスタ２７をオフにし、
さらにダイオード２９を通して出力Ｏ１を−ＶＥに固定
する。この電圧−ＶＥは消去パルス電圧であり、このパ
ルスでＡＣメモリーＰＤＰの維持放電を停止させる。次
に、ＮＭＯＳＦＥＴ３３をオフ状態ち戻すと、抵抗Ｒ１
を介してトランジスタ２７のベースはバイアスされる。 従って、出力Ｏ１はこの時のコレクタ電位０Ｖにまで、
抵抗Ｒ１とベースに接続される容量の時定数で比較的ゆ
っくりと立ち上る。同様にして、ＮＭＯＳＦＥＴ３６を
オンにすると、Ｏ１出力は−ＶＷまで立ち下がる。この
電圧−ＶＷは書込みパルス電圧であり、このパルスでＡ
ＣメモリーＰＤＰの維持放電を開始させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の多値出
力駆動装置は、各出力当りディスクリートのトランジス
タ，抵抗，ダイオードを必要とし、オープンドレインド
ライバＩＣも２個必要とするため、部品数が多いという
欠点がある。また、二つのオープンドレインドライバＩ
Ｃに印加している電圧が−ＶＥと−ＶＷと異なり、各制
御回路に入力するロジック信号のレベルが異なるため、
光アイソレーション等のレベル変換回路を要する他に、
小型化且つロウコスト化が難しいという欠点がある。さ
らに、−ＶＥから０Ｖ迄の立上り及び−ＶＷから０Ｖへ
の立上りは、抵抗およびトランジスタのベースにつなが
る容量の時定数でゆっくりと立上るため、消去および書
込み動作に時間を要する。すなわち、書込みライン数を
増やせないので、維持パルスを増やして輝度を上げるこ
とが難しいという欠点がある。また更に、ダイオードＤ
１，オープンドレインドライバＩＣ３２で構成される−
ＶＥの回路は、電流を引き込むこと（ｐｕｌｌ動作）し
かできず、電流を押し出すこと（ｐｕｓｈ動作）ができ
ないため、−ＶＥよりも低い−ＶＳＵＳ，−ＶＷから−
ＶＥへ直接引き上げることができず、駆動条件が制約さ
れる。つまり、多値電圧の中の中間電圧でｐｕｓｈ−ｐ
ｕｌｌ動作できないという欠点がある。
力駆動装置は、各出力当りディスクリートのトランジス
タ，抵抗，ダイオードを必要とし、オープンドレインド
ライバＩＣも２個必要とするため、部品数が多いという
欠点がある。また、二つのオープンドレインドライバＩ
Ｃに印加している電圧が−ＶＥと−ＶＷと異なり、各制
御回路に入力するロジック信号のレベルが異なるため、
光アイソレーション等のレベル変換回路を要する他に、
小型化且つロウコスト化が難しいという欠点がある。さ
らに、−ＶＥから０Ｖ迄の立上り及び−ＶＷから０Ｖへ
の立上りは、抵抗およびトランジスタのベースにつなが
る容量の時定数でゆっくりと立上るため、消去および書
込み動作に時間を要する。すなわち、書込みライン数を
増やせないので、維持パルスを増やして輝度を上げるこ
とが難しいという欠点がある。また更に、ダイオードＤ
１，オープンドレインドライバＩＣ３２で構成される−
ＶＥの回路は、電流を引き込むこと（ｐｕｌｌ動作）し
かできず、電流を押し出すこと（ｐｕｓｈ動作）ができ
ないため、−ＶＥよりも低い−ＶＳＵＳ，−ＶＷから−
ＶＥへ直接引き上げることができず、駆動条件が制約さ
れる。つまり、多値電圧の中の中間電圧でｐｕｓｈ−ｐ
ｕｌｌ動作できないという欠点がある。
【０００６】本発明の目的は、かかる部品数の低減と、
小型化および低コスト化と、維持パルスや多値電圧の増
大とを達成することのできる多値出力駆動装置を提供す
ることにある。
小型化および低コスト化と、維持パルスや多値電圧の増
大とを達成することのできる多値出力駆動装置を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明の多値出力駆
動装置は、複数の電極を持つ表示パネルを複数の電圧値
で駆動する多値出力駆動装置において、Ｐチャネル型Ｍ
ＯＳＦＥＴとＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴおよびダイオー
ドを１つの半導体基板に搭載し、複数の電圧値に接続さ
れる複数の駆動ＭＯＳＦＥＴと、前記複数の駆動ＭＯＳ
ＦＥＴを制御する複数のレベル変換器と、ダイオードマ
トリクスとを各出力部に有して構成される。
動装置は、複数の電極を持つ表示パネルを複数の電圧値
で駆動する多値出力駆動装置において、Ｐチャネル型Ｍ
ＯＳＦＥＴとＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴおよびダイオー
ドを１つの半導体基板に搭載し、複数の電圧値に接続さ
れる複数の駆動ＭＯＳＦＥＴと、前記複数の駆動ＭＯＳ
ＦＥＴを制御する複数のレベル変換器と、ダイオードマ
トリクスとを各出力部に有して構成される。
【０００８】また、第２の発明の多値出力駆動装置は、
複数の電極を持つ表示パネルを複数の電圧値で駆動する
多値出力駆動装置において、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ
とＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴを１つの半導体基板上に搭
載し、複数の電圧値に接続される複数の双方向性スイッ
チと前記複数の双方向性スイッチを制御する複数のレベ
ル変換器とを各出力部に有して構成される。
複数の電極を持つ表示パネルを複数の電圧値で駆動する
多値出力駆動装置において、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ
とＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴを１つの半導体基板上に搭
載し、複数の電圧値に接続される複数の双方向性スイッ
チと前記複数の双方向性スイッチを制御する複数のレベ
ル変換器とを各出力部に有して構成される。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１０】図１は本発明の第一の実施例を示す多値出
力駆動装置の回路図である。図１に示すように、本実施
例は、電源−ＶＳＵＳと接地間に直列接続したＰチャネ
ル型ＭＯＳＦＥＴ（ＰＭＯＳ）およびＮチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ（ＮＭＯＳ）からなり且つそれらの接続点から維
持信号２を出力する維持信号源１と、各種電源−ＶＥ，
−ＶＷ，−ＶＷ＋５，ＶＤＤおよび制御入力１３の供給
を受けＯ１〜Ｏｎに各種の電圧値を出力する多値出力ド
ライバＩＣ３とを有する。この多値出力ドライバＩＣ３
は１つの半導体基板上に形成され、ｎ個の出力Ｏ１〜Ｏ
ｎの各出力部、例えば出力Ｏ１は駆動ＭＯＳＦＥＴ７〜
９とそれらを駆動するレベル変換器４〜６とそれらを制
御する制御回路１２及びマトリクスダイオード１０，１
１とを有している。また、制御入力１３は−ＶＷを基準
とした５Ｖ振幅の信号を入力し、制御回路１２はＯ１ａ
〜Ｏ１ｃ信号を出力する。また、レベル変換器４〜６は
−ＶＷ〜−ＶＷ＋５Ｖの振幅を−ＶＷ〜ＶＤＤの振幅に
変換し、駆動ＭＯＳＦＥＴ７〜９のゲートに入力する。 これら駆動ＭＯＳＦＥＴ７〜９はゲート酸化膜を厚くし
て高耐圧化し、−ＶＷ〜ＶＤＤの高電圧振幅に耐えられ
るように設定される。
力駆動装置の回路図である。図１に示すように、本実施
例は、電源−ＶＳＵＳと接地間に直列接続したＰチャネ
ル型ＭＯＳＦＥＴ（ＰＭＯＳ）およびＮチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ（ＮＭＯＳ）からなり且つそれらの接続点から維
持信号２を出力する維持信号源１と、各種電源−ＶＥ，
−ＶＷ，−ＶＷ＋５，ＶＤＤおよび制御入力１３の供給
を受けＯ１〜Ｏｎに各種の電圧値を出力する多値出力ド
ライバＩＣ３とを有する。この多値出力ドライバＩＣ３
は１つの半導体基板上に形成され、ｎ個の出力Ｏ１〜Ｏ
ｎの各出力部、例えば出力Ｏ１は駆動ＭＯＳＦＥＴ７〜
９とそれらを駆動するレベル変換器４〜６とそれらを制
御する制御回路１２及びマトリクスダイオード１０，１
１とを有している。また、制御入力１３は−ＶＷを基準
とした５Ｖ振幅の信号を入力し、制御回路１２はＯ１ａ
〜Ｏ１ｃ信号を出力する。また、レベル変換器４〜６は
−ＶＷ〜−ＶＷ＋５Ｖの振幅を−ＶＷ〜ＶＤＤの振幅に
変換し、駆動ＭＯＳＦＥＴ７〜９のゲートに入力する。 これら駆動ＭＯＳＦＥＴ７〜９はゲート酸化膜を厚くし
て高耐圧化し、−ＶＷ〜ＶＤＤの高電圧振幅に耐えられ
るように設定される。
【００１１】図２は図１に示すレベル変換器の回路図で
あり、図３は図１における回路動作を説明するための各
種信号のタイミング図である。図２および図３に示すよ
うに、駆動ＭＯＳＦＥＴ７〜９はＴｒ７〜Ｔｒ９に示す
ようなタイミングでオン・オフ動作する。このような高
耐圧ＩＣは、近年のＩＣ技術の進歩により、集積度が高
く出力数の多いものが安価に生産できるようになってい
る。
あり、図３は図１における回路動作を説明するための各
種信号のタイミング図である。図２および図３に示すよ
うに、駆動ＭＯＳＦＥＴ７〜９はＴｒ７〜Ｔｒ９に示す
ようなタイミングでオン・オフ動作する。このような高
耐圧ＩＣは、近年のＩＣ技術の進歩により、集積度が高
く出力数の多いものが安価に生産できるようになってい
る。
【００１２】さらに、このような完全ＣＭＯＳ（相補型
ＭＯＳ）構成をとることによって、高速スイッチングお
よび低消費電力化が実現できる。すなわち、図１におい
て、維持信号源１をＩＣ外部に設け、外部で維持信号（
パルス）２を作っているのは、この維持パルス２が全出
力に常時入っているため消費電力が大きく、この発熱を
ＩＣ外部で消費させるためである。この維持信号源１の
部分には、各種の回路が用いられる。
ＭＯＳ）構成をとることによって、高速スイッチングお
よび低消費電力化が実現できる。すなわち、図１におい
て、維持信号源１をＩＣ外部に設け、外部で維持信号（
パルス）２を作っているのは、この維持パルス２が全出
力に常時入っているため消費電力が大きく、この発熱を
ＩＣ外部で消費させるためである。この維持信号源１の
部分には、各種の回路が用いられる。
【００１３】図４（ａ），（ｂ）はそれぞれ図１に示す
維持信号源に用いた無効電力回収回路図およびその信号
のタイミング図である。図４（ａ），（ｂ）に示すよう
に、この無効電力回収回路は、ＰＭＯＳ１４，２０およ
びＮＭＯＳ１５〜１７，２０と、ツエナーダイオードＺ
Ｄ１，ＺＤ２と、ダイオード１８，１９と、容量Ｃ１お
よび電源ＶＧと、インダクタＬとで構成される。かかる
インダクタＬとコンデンサＣ１により容量性負荷Ｃ２で
消費される無効電力を回収することができ、低電力で小
型かつロウコストの駆動システムを構築できる。
維持信号源に用いた無効電力回収回路図およびその信号
のタイミング図である。図４（ａ），（ｂ）に示すよう
に、この無効電力回収回路は、ＰＭＯＳ１４，２０およ
びＮＭＯＳ１５〜１７，２０と、ツエナーダイオードＺ
Ｄ１，ＺＤ２と、ダイオード１８，１９と、容量Ｃ１お
よび電源ＶＧと、インダクタＬとで構成される。かかる
インダクタＬとコンデンサＣ１により容量性負荷Ｃ２で
消費される無効電力を回収することができ、低電力で小
型かつロウコストの駆動システムを構築できる。
【００１４】上述した第一の実施例によれば、多値出力
ドライバＩＣ３で耐圧２５０Ｖ，出力電流２００ｍＡ，
出力数３２程度のものは、６×７ｍｍ平方程度のペレッ
トに収める事ができ、モールド封止をして１個数百円程
度で大量生産できる。また、走査側ライン数５１２本の
カラーＡＣとメモリーＰＤＰを駆動する場合、従来５１
２回路分のディスクリート部品を必要としたのに対し、
本実施例によれば、１６個のドライバーＩＣ３で実現す
ることができる。
ドライバＩＣ３で耐圧２５０Ｖ，出力電流２００ｍＡ，
出力数３２程度のものは、６×７ｍｍ平方程度のペレッ
トに収める事ができ、モールド封止をして１個数百円程
度で大量生産できる。また、走査側ライン数５１２本の
カラーＡＣとメモリーＰＤＰを駆動する場合、従来５１
２回路分のディスクリート部品を必要としたのに対し、
本実施例によれば、１６個のドライバーＩＣ３で実現す
ることができる。
【００１５】図５（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第
二の実施例を説明するための多値出力駆動装置の回路図
およびその入出力信号のタイミング図である。図５（ａ
），（ｂ）に示すように、本実施例が前述した第一の実
施例と比較して異る点は、ダイオードマトリクスを用い
ずにＮＭＯＳ２４，２５からなる双方向性スイッチを用
いる点にある。この双方向性スイッチはダイオードマト
リクスに比べ若干ペレットサイズが増大するものの、電
圧Ｖ０，Ｖ２間の中間電圧Ｖ１のｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ動
作が可能になるという利点がある。また、Ｏ１ａ〜Ｏ１
ｃはそれぞれレベル変換器４〜６に供給する入力であり
、２３はＰＭＯＳ，２６はＮＭＯＳである。このため、
出力Ｏ１〜Ｏｎの各々にＶ０〜Ｖ２の各種電圧を出力す
る。
二の実施例を説明するための多値出力駆動装置の回路図
およびその入出力信号のタイミング図である。図５（ａ
），（ｂ）に示すように、本実施例が前述した第一の実
施例と比較して異る点は、ダイオードマトリクスを用い
ずにＮＭＯＳ２４，２５からなる双方向性スイッチを用
いる点にある。この双方向性スイッチはダイオードマト
リクスに比べ若干ペレットサイズが増大するものの、電
圧Ｖ０，Ｖ２間の中間電圧Ｖ１のｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ動
作が可能になるという利点がある。また、Ｏ１ａ〜Ｏ１
ｃはそれぞれレベル変換器４〜６に供給する入力であり
、２３はＰＭＯＳ，２６はＮＭＯＳである。このため、
出力Ｏ１〜Ｏｎの各々にＶ０〜Ｖ２の各種電圧を出力す
る。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の多値出力
駆動装置は、制御回路，レベル変換器，駆動ＭＯＳＦＥ
Ｔを一つのＩＣペレットに一体化することにより、部品
点数を削減し、大幅に小型化できるという効果がある。 また、本発明は制御入力が−ＶＷを基準とする５Ｖの振
幅の信号を入力するだけてよく、制御系の基準を−ＶＷ
に設定すればアイソレーションも必要としないので、大
量生産でき、低コスト化を実現できるという効果がある
。さらに、本発明は維持信号源に無効電力回収回路を使
用することにより、無効電力の９０％近くを回収でき、
小型の信号源を使うことができるので、システム全体と
して大幅に小型且つ軽量化できるという効果がある。ま
た、本発明は駆動条件が制約されることもなく、維持パ
ルスや多値電圧の増大を実現できるという効果がある。
駆動装置は、制御回路，レベル変換器，駆動ＭＯＳＦＥ
Ｔを一つのＩＣペレットに一体化することにより、部品
点数を削減し、大幅に小型化できるという効果がある。 また、本発明は制御入力が−ＶＷを基準とする５Ｖの振
幅の信号を入力するだけてよく、制御系の基準を−ＶＷ
に設定すればアイソレーションも必要としないので、大
量生産でき、低コスト化を実現できるという効果がある
。さらに、本発明は維持信号源に無効電力回収回路を使
用することにより、無効電力の９０％近くを回収でき、
小型の信号源を使うことができるので、システム全体と
して大幅に小型且つ軽量化できるという効果がある。ま
た、本発明は駆動条件が制約されることもなく、維持パ
ルスや多値電圧の増大を実現できるという効果がある。
【図１】本発明の第一の実施例を示す多値出力駆動装置
の回路図である。
の回路図である。
【図２】図１に示すレベル変換器の回路図である。
【図３】図１における回路動作を説明するための各種信
号のタイミング図である。
号のタイミング図である。
【図４】図１に示す維持信号源に用いた無効電力回収回
路および信号のタイミングを示す図である。
路および信号のタイミングを示す図である。
【図５】本発明の第二の実施例を説明するための多値出
力駆動装置の回路および入出力信号のタイミングを示す
図である。
力駆動装置の回路および入出力信号のタイミングを示す
図である。
【図６】従来の一例を示す多値出力駆動装置の回路図で
ある。
ある。
【図７】図６における回路動作を説明するための各種信
号のタイミング図である。
号のタイミング図である。
１ 維持信号源
３ 多値出力ドライバＩＣ
４〜６ レベル変換器
７，１４，２０，２３ ＰＭＯＳＦＥＴ８，９，
１５〜１７，２１，２４〜２６ ＮＭＯＳＦＥＴ １０，１１，１８，１９ ダイオード１２
制御回路 １３ 制御入力 ２２ 出力端子
１５〜１７，２１，２４〜２６ ＮＭＯＳＦＥＴ １０，１１，１８，１９ ダイオード１２
制御回路 １３ 制御入力 ２２ 出力端子
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の電極を持つ表示パネルを複数の
電圧値で駆動する多値出力駆動装置において、Ｐチャネ
ル型ＭＯＳＦＥＴとＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴおよびダ
イオードを１つの半導体基板に搭載し、複数の電圧値に
接続される複数の駆動ＭＯＳＦＥＴと、前記複数の駆動
ＭＯＳＦＥＴを制御する複数のレベル変換器と、ダイオ
ードマトリクスとを各出力部に有することを特徴とする
多値出力駆動装置。 - 【請求項２】 複数の電極を持つ表示パネルを複数の
電圧値で駆動する多値出力駆動装置において、Ｐチャネ
ル型ＭＯＳＦＥＴとＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴを１つの
半導体基板上に搭載し、複数の電圧値に接続される複数
の双方向性スイッチと前記複数の双方向性スイッチを制
御する複数のレベル変換器とを各出力部に有することを
特徴とする多値出力駆動装置。 - 【請求項３】 前記複数の電圧値は、その１つを外部
からのパルス駆動装置により駆動されることを特徴とす
る請求項１あるいは請求項２記載の多値出力駆動装置。 - 【請求項４】 前記パルス駆動装置は、インダクタと
コンデンサを備える無効電力回収装置を用いることを特
徴とする請求項３記載の多値出力駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3066138A JP2776044B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 多値出力駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3066138A JP2776044B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 多値出力駆動装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04301676A true JPH04301676A (ja) | 1992-10-26 |
| JP2776044B2 JP2776044B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=13307206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3066138A Expired - Fee Related JP2776044B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 多値出力駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2776044B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07160219A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-23 | Fujitsu Ltd | 平面表示装置の駆動装置 |
| JPH0990900A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-04-04 | Nec Corp | プラズマディスプレイパネル駆動回路の制御方法 |
| JP2003228320A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
| KR100750277B1 (ko) * | 2006-01-06 | 2007-08-20 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 및 그 구동 방법 |
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Citations (3)
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| JPH04127192A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Fujitsu Ltd | ガス放電表示駆動回路 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3066138A patent/JP2776044B2/ja not_active Expired - Fee Related
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