JPH06176903A - Ｃｒ系サーメット薄膜の電極構造 - Google Patents
Ｃｒ系サーメット薄膜の電極構造Info
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- JPH06176903A JPH06176903A JP4350375A JP35037592A JPH06176903A JP H06176903 A JPH06176903 A JP H06176903A JP 4350375 A JP4350375 A JP 4350375A JP 35037592 A JP35037592 A JP 35037592A JP H06176903 A JPH06176903 A JP H06176903A
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- Details Of Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 サーメット薄膜に接合されて高い密着性を示
し、機械的強度に優れた電極構造を提供する。 【構成】 基板１上に形成したＣｒ系サーメット薄膜２
の表面に、ＣｒまたはＣｒを主成分とする合金の薄膜か
らなる密着層３を設け、該密着層３上に、半田付けまた
はワイヤボンディングを行うためのベースとなるＮｉ、
ＣｕまたはＡｌよりなる電極膜４を形成する。
し、機械的強度に優れた電極構造を提供する。 【構成】 基板１上に形成したＣｒ系サーメット薄膜２
の表面に、ＣｒまたはＣｒを主成分とする合金の薄膜か
らなる密着層３を設け、該密着層３上に、半田付けまた
はワイヤボンディングを行うためのベースとなるＮｉ、
ＣｕまたはＡｌよりなる電極膜４を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は歪ゲージや発熱抵抗体等
に使用されるＣｒ系サーメット薄膜の電極構造に関す
る。
に使用されるＣｒ系サーメット薄膜の電極構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｃｒ−Ｏ、Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ、また
はＣｒ−Ａｌ−Ｏ等を構成成分とするＣｒ系サーメット
薄膜を歪ゲージや電熱抵抗素子として使用する場合に
は、Ｃｒ系サーメット薄膜上に例えば半田付け用の電極
を形成することが必要となる。この場合、通常、サーメ
ット薄膜上に、ＮｉまたはＣｕ等の金属膜を蒸着、スパ
ッタリング、湿式メッキ等の方法で成膜し、場合によっ
てはさらに半田濡れ性を良くするためにＡｕ等の金属を
薄く成膜した後、半田付けをして電極を取り出してい
る。
はＣｒ−Ａｌ−Ｏ等を構成成分とするＣｒ系サーメット
薄膜を歪ゲージや電熱抵抗素子として使用する場合に
は、Ｃｒ系サーメット薄膜上に例えば半田付け用の電極
を形成することが必要となる。この場合、通常、サーメ
ット薄膜上に、ＮｉまたはＣｕ等の金属膜を蒸着、スパ
ッタリング、湿式メッキ等の方法で成膜し、場合によっ
てはさらに半田濡れ性を良くするためにＡｕ等の金属を
薄く成膜した後、半田付けをして電極を取り出してい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
構成では、半田とＮｉあるいはＣｕとの密着性は優れて
いるものの、酸化物であるサーメット薄膜とＮｉあるい
はＣｕの間の密着が不十分で、当該部分での剥がれが生
じやすいという問題があった。
構成では、半田とＮｉあるいはＣｕとの密着性は優れて
いるものの、酸化物であるサーメット薄膜とＮｉあるい
はＣｕの間の密着が不十分で、当該部分での剥がれが生
じやすいという問題があった。
【０００４】さらに、サーメット薄膜を酸化雰囲気（酸
素、空気、または水溶液中など）に露出したり、処理を
行ったりした場合、サーメット薄膜表面が酸化してＣｒ
Ｏ2リッチとなり、上述したサーメット薄膜と金属膜と
の密着性の低下を助長するという不具合があった。
素、空気、または水溶液中など）に露出したり、処理を
行ったりした場合、サーメット薄膜表面が酸化してＣｒ
Ｏ2リッチとなり、上述したサーメット薄膜と金属膜と
の密着性の低下を助長するという不具合があった。
【０００５】本発明は上記実情に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、酸化物を含み、しかも表面に酸化膜
を形成しやすいＣｒ系サーメット薄膜に接合されて高い
密着性を示し、機械的強度に優れた電極構造を提供する
ことにある。
あり、その目的は、酸化物を含み、しかも表面に酸化膜
を形成しやすいＣｒ系サーメット薄膜に接合されて高い
密着性を示し、機械的強度に優れた電極構造を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の構成を図１で説
明する。基板１上に形成したＣｒ系サーメット薄膜２の
表面には、ＣｒまたはＣｒを主成分とする合金の薄膜か
らなる密着層３を設けてある。該密着層３上には、半田
付けまたはワイヤボンディングを行うためのベースとな
るＮｉ、ＣｕまたはＡｌよりなる電極膜４を形成してあ
る。
明する。基板１上に形成したＣｒ系サーメット薄膜２の
表面には、ＣｒまたはＣｒを主成分とする合金の薄膜か
らなる密着層３を設けてある。該密着層３上には、半田
付けまたはワイヤボンディングを行うためのベースとな
るＮｉ、ＣｕまたはＡｌよりなる電極膜４を形成してあ
る。
【０００７】
【作用】上記構成において、上記密着層３はＣｒまたは
Ｃｒを主成分とする合金からなり、Ｃｒ系サーメット薄
膜２と同一の元素を主たる構成成分とする。このため、
密着層３はサーメット薄膜２に対し良好な密着性を有
し、一方で、同じ金属膜である電極膜４に対する密着性
にも優れる。従って、サーメット薄膜２と電極膜４との
間に挿入されて電極部の接合強度を大幅に向上させ、剥
離等の発生を抑制する。
Ｃｒを主成分とする合金からなり、Ｃｒ系サーメット薄
膜２と同一の元素を主たる構成成分とする。このため、
密着層３はサーメット薄膜２に対し良好な密着性を有
し、一方で、同じ金属膜である電極膜４に対する密着性
にも優れる。従って、サーメット薄膜２と電極膜４との
間に挿入されて電極部の接合強度を大幅に向上させ、剥
離等の発生を抑制する。
【０００８】
【実施例】図１に本発明の一実施例を示す。図におい
て、基板１上には、Ｃｒ−Ｏ、Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ、または
Ｃｒ−Ａｌ−Ｏ等を構成成分とするＣｒ系サーメット薄
膜２が形成してある。該サーメット薄膜２上には密着層
３が形成してある。上記密着層３は純Ｃｒ、あるいはＣ
ｒを主成分とする合金からなり、Ｃｒを主成分とする合
金としては具体的にはＣｒ−Ｃｕ、Ｃｒ−Ｍｏ等が挙げ
られる。密着層３の膜厚は、通常１０〜１００nm程度で
あり、膜厚がこれより薄いと成膜の安定性が損なわれ、
厚くするのは経済的に不利である。さらに上記密着層３
上には、半田付けまたはワイヤボンディングのベースと
なるＮｉ、ＣｕまたはＡｌからなる電極膜４を成膜して
ある。
て、基板１上には、Ｃｒ−Ｏ、Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ、または
Ｃｒ−Ａｌ−Ｏ等を構成成分とするＣｒ系サーメット薄
膜２が形成してある。該サーメット薄膜２上には密着層
３が形成してある。上記密着層３は純Ｃｒ、あるいはＣ
ｒを主成分とする合金からなり、Ｃｒを主成分とする合
金としては具体的にはＣｒ−Ｃｕ、Ｃｒ−Ｍｏ等が挙げ
られる。密着層３の膜厚は、通常１０〜１００nm程度で
あり、膜厚がこれより薄いと成膜の安定性が損なわれ、
厚くするのは経済的に不利である。さらに上記密着層３
上には、半田付けまたはワイヤボンディングのベースと
なるＮｉ、ＣｕまたはＡｌからなる電極膜４を成膜して
ある。
【０００９】半田付けの際には、上記電極膜４上に直接
半田付けするか、あるいは、さらに半田濡れ性を良くす
るために、上記電極膜４上にＡｕ、Ａｇ等の金属薄膜５
を積層した後、上記金属薄膜５上に半田６付けしてもよ
い。なお、電極膜４にＡｌを使用した場合には、通常、
金属薄膜５を用いず、超音波で表面のＡｌ2 ０3 膜を破
りながらアルミ半田（特殊半田）を付ける。
半田付けするか、あるいは、さらに半田濡れ性を良くす
るために、上記電極膜４上にＡｕ、Ａｇ等の金属薄膜５
を積層した後、上記金属薄膜５上に半田６付けしてもよ
い。なお、電極膜４にＡｌを使用した場合には、通常、
金属薄膜５を用いず、超音波で表面のＡｌ2 ０3 膜を破
りながらアルミ半田（特殊半田）を付ける。
【００１０】上記積層膜の成膜には、通常の真空成膜
法、例えば蒸着、スパッタリング、または減圧ＣＶＤ法
等が使用できる。特に、上記密着層３を成膜した後、そ
のまま真空を破らずに上記電極膜４、金属薄膜５を連続
的に成膜することが望ましい。これにより、上記密着層
３表面が酸化して表面にＣｒＯ2 層が形成されることを
抑制し、上記密着層３と電極膜４、さらに電極膜４と金
属薄膜５各層間の密着性をより向上させることができ
る。
法、例えば蒸着、スパッタリング、または減圧ＣＶＤ法
等が使用できる。特に、上記密着層３を成膜した後、そ
のまま真空を破らずに上記電極膜４、金属薄膜５を連続
的に成膜することが望ましい。これにより、上記密着層
３表面が酸化して表面にＣｒＯ2 層が形成されることを
抑制し、上記密着層３と電極膜４、さらに電極膜４と金
属薄膜５各層間の密着性をより向上させることができ
る。
【００１１】本発明の効果を調べるため、次のようにし
て積層膜を作製した。基板１上に形成されたＣｒ系サー
メット薄膜２の上に、まず密着層３として純Ｃｒの膜を
スパッタリング法で５０〜１００nmの膜厚に成膜し、そ
のまま真空を破らずに半田付けのベースとなるＮｉ層を
スパッタリング法で２００〜６００nmの膜厚に成膜して
電極膜４とした。さらに、そのまま真空を破らずに半田
濡れ性を良くするためのＡｕ層を３０〜１５０nmの膜厚
に連続して成膜して、金属薄膜５とし、Ｃｒ−Ｎｉ−Ａ
ｕの３層からなる積層膜を形成した。
て積層膜を作製した。基板１上に形成されたＣｒ系サー
メット薄膜２の上に、まず密着層３として純Ｃｒの膜を
スパッタリング法で５０〜１００nmの膜厚に成膜し、そ
のまま真空を破らずに半田付けのベースとなるＮｉ層を
スパッタリング法で２００〜６００nmの膜厚に成膜して
電極膜４とした。さらに、そのまま真空を破らずに半田
濡れ性を良くするためのＡｕ層を３０〜１５０nmの膜厚
に連続して成膜して、金属薄膜５とし、Ｃｒ−Ｎｉ−Ａ
ｕの３層からなる積層膜を形成した。
【００１２】次に、上記のようにして得られた積層膜上
に半田６を盛り、これを溶解して銅線７を半田付けした
後、引っ張り試験を行った。その結果、膜の単位面積当
たりに換算した引っ張り力：約２５０〜３００gf/mm2に
おいて銅線７が根元から引きちぎれた。密着層３とサー
メット薄膜２の界面における剥がれは生じなかった。こ
れに対し、密着層３を形成しない従来の構成の積層膜で
同様の引っ張り試験を行ったところ、引張り力：０〜３
０gf/mm2でサーメット薄膜２とＮｉ電極膜４との間で剥
がれが生じた。かくして、本発明の構成を用いることに
より、電極膜４とサーメット薄膜２の密着性が著しく向
上していることがわかる。
に半田６を盛り、これを溶解して銅線７を半田付けした
後、引っ張り試験を行った。その結果、膜の単位面積当
たりに換算した引っ張り力：約２５０〜３００gf/mm2に
おいて銅線７が根元から引きちぎれた。密着層３とサー
メット薄膜２の界面における剥がれは生じなかった。こ
れに対し、密着層３を形成しない従来の構成の積層膜で
同様の引っ張り試験を行ったところ、引張り力：０〜３
０gf/mm2でサーメット薄膜２とＮｉ電極膜４との間で剥
がれが生じた。かくして、本発明の構成を用いることに
より、電極膜４とサーメット薄膜２の密着性が著しく向
上していることがわかる。
【００１３】なお、半田溶解の方法としては、熱風、赤
外線、ホットプレート、コテ等のどの方法を用いてもよ
く、いずれも同様の結果が得られた。
外線、ホットプレート、コテ等のどの方法を用いてもよ
く、いずれも同様の結果が得られた。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、Ｃｒ系
サーメット薄膜と電極膜の間の密着性を飛躍的に向上さ
せることができる。従って、良好な電気的特性と機械的
強度を有し、歪ゲージや発熱抵抗体等の電極として好適
に使用できる。
サーメット薄膜と電極膜の間の密着性を飛躍的に向上さ
せることができる。従って、良好な電気的特性と機械的
強度を有し、歪ゲージや発熱抵抗体等の電極として好適
に使用できる。
【図１】本発明の一実施例を示す電極の部分拡大断面図
である。
である。
１ 基板 ２ Ｃｒ系サーメット薄膜 ３ 密着層 ４ 電極膜 ５ 金属薄膜 ６ 半田 ７ 銅線
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成したＣｒ系サーメット薄膜
の表面に、ＣｒまたはＣｒを主成分とする合金の薄膜か
らなる密着層を設け、該密着層上に、半田付けまたはワ
イヤボンディングを行うためのベースとなるＮｉ、Ｃｕ
またはＡｌよりなる電極膜を形成したことを特徴とする
Ｃｒ系サーメット薄膜の電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4350375A JPH06176903A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | Ｃｒ系サーメット薄膜の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4350375A JPH06176903A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | Ｃｒ系サーメット薄膜の電極構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06176903A true JPH06176903A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18410065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4350375A Withdrawn JPH06176903A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | Ｃｒ系サーメット薄膜の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06176903A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5455195A (en) * | 1994-05-06 | 1995-10-03 | Texas Instruments Incorporated | Method for obtaining metallurgical stability in integrated circuit conductive bonds |
| EP3690389A4 (en) * | 2017-09-29 | 2021-07-21 | Minebea Mitsumi Inc. | STRAIN GAUGE |
| US11454488B2 (en) | 2017-09-29 | 2022-09-27 | Minebea Mitsumi Inc. | Strain gauge with improved stability |
| US11542590B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-01-03 | Minebea Mitsumi Inc. | Strain gauge |
| US11543309B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-03 | Minebea Mitsumi Inc. | Strain gauge and sensor module |
| US11692806B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-07-04 | Minebea Mitsumi Inc. | Strain gauge with improved stability |
| US11747225B2 (en) | 2018-04-05 | 2023-09-05 | Minebea Mitsumi Inc. | Strain gauge with improved stability and stress reduction |
| US11774303B2 (en) | 2018-10-23 | 2023-10-03 | Minebea Mitsumi Inc. | Accelerator, steering wheel, six-axis sensor, engine, bumper and the like |
-
1992
- 1992-12-03 JP JP4350375A patent/JPH06176903A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5455195A (en) * | 1994-05-06 | 1995-10-03 | Texas Instruments Incorporated | Method for obtaining metallurgical stability in integrated circuit conductive bonds |
| EP3690389A4 (en) * | 2017-09-29 | 2021-07-21 | Minebea Mitsumi Inc. | STRAIN GAUGE |
| US11454488B2 (en) | 2017-09-29 | 2022-09-27 | Minebea Mitsumi Inc. | Strain gauge with improved stability |
| US11542590B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-01-03 | Minebea Mitsumi Inc. | Strain gauge |
| US11543308B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-01-03 | Minebea Mitsumi Inc. | Strain gauge |
| US11692806B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-07-04 | Minebea Mitsumi Inc. | Strain gauge with improved stability |
| US11702730B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-07-18 | Minebea Mitsumi Inc. | Strain gauge |
| US11543309B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-03 | Minebea Mitsumi Inc. | Strain gauge and sensor module |
| US11747225B2 (en) | 2018-04-05 | 2023-09-05 | Minebea Mitsumi Inc. | Strain gauge with improved stability and stress reduction |
| US11774303B2 (en) | 2018-10-23 | 2023-10-03 | Minebea Mitsumi Inc. | Accelerator, steering wheel, six-axis sensor, engine, bumper and the like |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |