JPH0430570B2 - - Google Patents
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- JPH0430570B2 JPH0430570B2 JP58077218A JP7721883A JPH0430570B2 JP H0430570 B2 JPH0430570 B2 JP H0430570B2 JP 58077218 A JP58077218 A JP 58077218A JP 7721883 A JP7721883 A JP 7721883A JP H0430570 B2 JPH0430570 B2 JP H0430570B2
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- Japan
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- phosphor
- light
- radiation
- panel
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- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は放射線画像システムにおける画像変換
方法に関し、さらに詳しくは輝尽性螢光体材料
（以下単に「螢光体」という）を用いて、これに
放射線画像を記録し、次いでこれに励起光を照射
してこの放射線画像を読み出して画像を再生する
放射線画像システムにおける放射線画像変換方法
に関するものである。
方法に関し、さらに詳しくは輝尽性螢光体材料
（以下単に「螢光体」という）を用いて、これに
放射線画像を記録し、次いでこれに励起光を照射
してこの放射線画像を読み出して画像を再生する
放射線画像システムにおける放射線画像変換方法
に関するものである。
（従来技術）
従来、放射線画像を得るために銀塩を使用し
た、いわゆる放射線写真が利用されていが、近
年、特に地球規模における銀資源の枯渇等の問題
から銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方
法が望まれるようになつた。
た、いわゆる放射線写真が利用されていが、近
年、特に地球規模における銀資源の枯渇等の問題
から銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方
法が望まれるようになつた。
上述の放射線写真法にかわる方法として、被写
体を透過した放射線を螢光体に吸収せしめ、しか
る後この螢光体をある種のエネルギーで励起して
この螢光体が蓄積している放射線エネルギーを螢
光として放射せしめ、この螢光を検出して画像化
する方法が考えられている。具体的な方法とし
て、例えば米国特許第3859527号および特開昭55
−12144号には螢光体として輝尽性螢光体を用い
励起エネルギーとして可視光線および赤外線から
選ばれる電磁放射線を用いる放射線像変換方法が
提唱されている。この変換方法は、支持体上に輝
尽性螢光体層を形成したパネルを用い、このパネ
ルの輝尽性螢光体層に被写体を透過した放射線を
吸収させて放射線の強弱に対応した放射線エネル
ギーを蓄積させ、しかる後この輝尽性螢光体層を
輝尽励起光で走査することによつて蓄積された放
射線エネルギーを光の信号として取り出し、この
光の強弱によつて画像を得るものである。この最
終的な画像は、ハードコピーとして再生してもよ
いし、CRT等の受像管上に再生してもよい。
体を透過した放射線を螢光体に吸収せしめ、しか
る後この螢光体をある種のエネルギーで励起して
この螢光体が蓄積している放射線エネルギーを螢
光として放射せしめ、この螢光を検出して画像化
する方法が考えられている。具体的な方法とし
て、例えば米国特許第3859527号および特開昭55
−12144号には螢光体として輝尽性螢光体を用い
励起エネルギーとして可視光線および赤外線から
選ばれる電磁放射線を用いる放射線像変換方法が
提唱されている。この変換方法は、支持体上に輝
尽性螢光体層を形成したパネルを用い、このパネ
ルの輝尽性螢光体層に被写体を透過した放射線を
吸収させて放射線の強弱に対応した放射線エネル
ギーを蓄積させ、しかる後この輝尽性螢光体層を
輝尽励起光で走査することによつて蓄積された放
射線エネルギーを光の信号として取り出し、この
光の強弱によつて画像を得るものである。この最
終的な画像は、ハードコピーとして再生してもよ
いし、CRT等の受像管上に再生してもよい。
このような放射線画像システムにおいては、放
射線画像変換パネル（以下単に「螢光体パネル」
という）は繰返し使用することが経済的である。
射線画像変換パネル（以下単に「螢光体パネル」
という）は繰返し使用することが経済的である。
読み出し時に充分な強度の励起光を照射すれ
ば、螢光体パネルに記録されていた放射線画像に
起因する蓄積放射線エネルギーは消滅するはずで
あるが、実際には読み出し時に照射される励起光
のみでは完全には消滅しない。したがつて螢光体
パネルを繰返し使用する際には、前回の撮影像
（以下「残像」という）が残つてしまい次回の撮
影像のノイズになるという問題が生ずる。
ば、螢光体パネルに記録されていた放射線画像に
起因する蓄積放射線エネルギーは消滅するはずで
あるが、実際には読み出し時に照射される励起光
のみでは完全には消滅しない。したがつて螢光体
パネルを繰返し使用する際には、前回の撮影像
（以下「残像」という）が残つてしまい次回の撮
影像のノイズになるという問題が生ずる。
斯かるシステムにおいて、残像に起因するノイ
ズの発生を防止する具体的な方法としては、例え
ば特開昭56−11392号には螢光体の吸収波長領域
の光を含まず、輝尽励起波長領域に含まれる光で
螢光体パネルを励起して、蓄積された放射線エネ
ルギーを十分に放出させる方法が提唱されている
し、特開昭56−12599号には螢光体パネルを加熱
して蓄積された放射線エネルギーを放出させる方
法が提唱される。
ズの発生を防止する具体的な方法としては、例え
ば特開昭56−11392号には螢光体の吸収波長領域
の光を含まず、輝尽励起波長領域に含まれる光で
螢光体パネルを励起して、蓄積された放射線エネ
ルギーを十分に放出させる方法が提唱されている
し、特開昭56−12599号には螢光体パネルを加熱
して蓄積された放射線エネルギーを放出させる方
法が提唱される。
しかしながらこれらの方法では残像は像様に消
去されるため残像に起因するノイズを防止するに
は、高光強度あるいは高温で長時間の消去が必要
であるため、残像消去のための装置が大型化し、
システムの運転速度が低下する欠点を有してい
る。螢光体の吸収波長域の光を含まず、輝尽励起
波長領域に含まれる光での残像消去の状態を第１
図に示す。初期には光照射によつて残像は急激に
減少するが減少の速度はしだいに遅くなつて消去
されにくくなつており、残像の大きな部分が残像
のほとんどない部分と同一のノイズレベルになり
螢光体パネル全体が均一なノイズレベルに達する
までには高光強度で長時間を要することがわか
る。熱による残像消去の状態を第２図に示す。熱
による残像消去も光照射による残像消去と同様螢
光体パネル全体が均一なノイズレベルに達するま
でには高温で長時間を要することがわかる。
去されるため残像に起因するノイズを防止するに
は、高光強度あるいは高温で長時間の消去が必要
であるため、残像消去のための装置が大型化し、
システムの運転速度が低下する欠点を有してい
る。螢光体の吸収波長域の光を含まず、輝尽励起
波長領域に含まれる光での残像消去の状態を第１
図に示す。初期には光照射によつて残像は急激に
減少するが減少の速度はしだいに遅くなつて消去
されにくくなつており、残像の大きな部分が残像
のほとんどない部分と同一のノイズレベルになり
螢光体パネル全体が均一なノイズレベルに達する
までには高光強度で長時間を要することがわか
る。熱による残像消去の状態を第２図に示す。熱
による残像消去も光照射による残像消去と同様螢
光体パネル全体が均一なノイズレベルに達するま
でには高温で長時間を要することがわかる。
（発明の目的）
本発明の目的は上記問題点を解決し、残像に起
因するノイズのない放射線画像変換方法を提供す
ることにある。
因するノイズのない放射線画像変換方法を提供す
ることにある。
本発明の他の目的は残像消去のための装置を小
型化することが可能であり、システムの運転速度
を向上させることのできる放射線画像変換方法を
提供することにある。
型化することが可能であり、システムの運転速度
を向上させることのできる放射線画像変換方法を
提供することにある。
（発明の構成）
本発明は、輝尽性螢光体から成る放射線画像変
換パネルに、放射線画像を照射することによつて
前記放射線画像変換パネルに像様に照射放射線の
エネルギーを蓄積せしめ、しかる後該放射線画像
変換パネルを前記輝尽性螢光体の輝尽励起波長領
域に含まれる光で励起して前記放射線画像変換パ
ネルに蓄積された放射線エネルギーを輝尽光とし
て放出せしめ、これを検出して画像を再生する放
射線画像変換方法において、放射線画像照射前、
あるいは画像再生後の前記放射線画像変換パネル
に螢光体の吸収波長領域と輝尽励起波長領域とを
含む光を照射して、さきの放射線画像に起因する
蓄積された残留放射線エネルギーを消去すること
を特徴とする放射線画像変換方法によつて構成さ
れる。
換パネルに、放射線画像を照射することによつて
前記放射線画像変換パネルに像様に照射放射線の
エネルギーを蓄積せしめ、しかる後該放射線画像
変換パネルを前記輝尽性螢光体の輝尽励起波長領
域に含まれる光で励起して前記放射線画像変換パ
ネルに蓄積された放射線エネルギーを輝尽光とし
て放出せしめ、これを検出して画像を再生する放
射線画像変換方法において、放射線画像照射前、
あるいは画像再生後の前記放射線画像変換パネル
に螢光体の吸収波長領域と輝尽励起波長領域とを
含む光を照射して、さきの放射線画像に起因する
蓄積された残留放射線エネルギーを消去すること
を特徴とする放射線画像変換方法によつて構成さ
れる。
本発明において螢光体とは、最初の光もしくは
高エネルギー放射線が照射された後に、光的、熱
的、機械的、化学的または電気的等の刺激によ
り、最初の光もしくは高エネルギー放射線の照射
量に対応した光を再発光せしめる、いわゆる輝尽
性を示す螢光体をいう。ここで光とは電磁放射線
のうち可視光、紫外光、赤外光を含み、高エネル
ギー放射線とはＸ線、ガンマ線、ベータ線、アル
フア線、中性子線等を含む。
高エネルギー放射線が照射された後に、光的、熱
的、機械的、化学的または電気的等の刺激によ
り、最初の光もしくは高エネルギー放射線の照射
量に対応した光を再発光せしめる、いわゆる輝尽
性を示す螢光体をいう。ここで光とは電磁放射線
のうち可視光、紫外光、赤外光を含み、高エネル
ギー放射線とはＸ線、ガンマ線、ベータ線、アル
フア線、中性子線等を含む。
本発明において螢光体の吸収波長領域の光と
は、螢光体に吸収されることにより、螢光体中に
エネルギーとして蓄積される光であり、吸収のピ
ーク値に対して1000分の１以上の吸収がある領域
の光をいう。また、本発明において輝尽励起波長
領域の光とは、螢光体中に蓄積されたエネルギー
を輝尽螢光として放出させることのできる光であ
り、輝尽励起のピーク値に対して1000分の１以上
の輝尽励起能力のある光をいう。
は、螢光体に吸収されることにより、螢光体中に
エネルギーとして蓄積される光であり、吸収のピ
ーク値に対して1000分の１以上の吸収がある領域
の光をいう。また、本発明において輝尽励起波長
領域の光とは、螢光体中に蓄積されたエネルギー
を輝尽螢光として放出させることのできる光であ
り、輝尽励起のピーク値に対して1000分の１以上
の輝尽励起能力のある光をいう。
本発明者等は紫外線、可視光線および赤外線か
ら選ばれる電磁波を用いる残像消去についての研
究を行なつた結果、以下に示す知見を得た。
ら選ばれる電磁波を用いる残像消去についての研
究を行なつた結果、以下に示す知見を得た。
(1) 螢光体にその螢光体の吸収波長領域の光を照
射すると、残像に起因するノズルレベルとは無
関係に、照射した光エネルギーが螢光体中に蓄
積される。この様子を第３図に示す。実線で示
す曲線Ａは残像による輝尽発光強度であり、破
線で示す曲線Ｂは曲線Ａで示す残像を有する螢
光体パネルに、その螢光体の吸収波長領域の光
を照射した後の輝尽発光強度である。この図か
ら残像とは無関係に螢光体の吸収波長領域の光
のエネルギーが螢光体パネル中に一様に蓄積さ
れることが分かる。
射すると、残像に起因するノズルレベルとは無
関係に、照射した光エネルギーが螢光体中に蓄
積される。この様子を第３図に示す。実線で示
す曲線Ａは残像による輝尽発光強度であり、破
線で示す曲線Ｂは曲線Ａで示す残像を有する螢
光体パネルに、その螢光体の吸収波長領域の光
を照射した後の輝尽発光強度である。この図か
ら残像とは無関係に螢光体の吸収波長領域の光
のエネルギーが螢光体パネル中に一様に蓄積さ
れることが分かる。
(2) 螢光体にその螢光体の輝尽励起波長領域の光
を照射すると残像に起因するノイズレベルに応
じて残像が消去される。この状態を第４図に示
す。実線で示す曲線Ａは残像による輝尽発光強
度であり、破線で示す曲線Ｃは曲線Ａで示す残
像を有する螢光体パネルに、その螢光体の輝尽
励起波長領域の光を照射した後の輝尽発光強度
である。この図から分かるように残像に起因す
るノイズレベルの高い部分のノイズ低下は低い
部分に比較して急速である。
を照射すると残像に起因するノイズレベルに応
じて残像が消去される。この状態を第４図に示
す。実線で示す曲線Ａは残像による輝尽発光強
度であり、破線で示す曲線Ｃは曲線Ａで示す残
像を有する螢光体パネルに、その螢光体の輝尽
励起波長領域の光を照射した後の輝尽発光強度
である。この図から分かるように残像に起因す
るノイズレベルの高い部分のノイズ低下は低い
部分に比較して急速である。
更に残像消去について永年の研究を重ねた結
果、本発明者等は、螢光体パネルにその螢光体の
吸収波長領域を含む光と、輝尽励起波長領域を含
む光とを同時に照射することによつて残像に起因
するノイズを急速に消去できることを見い出し
た。即ち残像に起因するノイズのうちノイズレベ
ルの高い部分は輝尽励起波長の光によつて前記レ
ベルが低下し、ノイズレベルの低い部分は吸収波
長領域の光によつて前記レベルが上昇する。その
結果、残像に起因するノイズのうちノイズレベル
の高い部分と、低い部分の比は急速に小さくな
り、遂には螢光体の光吸収と輝尽励起とが平衡に
達して残像は消めつする。この状態を第５図に示
す。実線で示す曲線Ａは残像による輝尽発光強度
である。前記残像Ａは、破線Ｄで示す中間過程Ｄ
を経て一点鎖線Ｅで示す最終ノイズレベルに達し
て平衡となる。
果、本発明者等は、螢光体パネルにその螢光体の
吸収波長領域を含む光と、輝尽励起波長領域を含
む光とを同時に照射することによつて残像に起因
するノイズを急速に消去できることを見い出し
た。即ち残像に起因するノイズのうちノイズレベ
ルの高い部分は輝尽励起波長の光によつて前記レ
ベルが低下し、ノイズレベルの低い部分は吸収波
長領域の光によつて前記レベルが上昇する。その
結果、残像に起因するノイズのうちノイズレベル
の高い部分と、低い部分の比は急速に小さくな
り、遂には螢光体の光吸収と輝尽励起とが平衡に
達して残像は消めつする。この状態を第５図に示
す。実線で示す曲線Ａは残像による輝尽発光強度
である。前記残像Ａは、破線Ｄで示す中間過程Ｄ
を経て一点鎖線Ｅで示す最終ノイズレベルに達し
て平衡となる。
尚最終ノイズレベルは螢光体の吸収波長領域の
光と輝尽励起波長領域の光の割合により変化する
ので、所望の最終ノイズレベルとなる様に螢光体
の吸収波長領域の光と輝尽励起波長領域の光の割
合を任意に選択することができる。また上記のよ
うに残像を消去した後最終ノイズレベルをさらに
低下させる目的で、螢光体パネルにその螢光体の
吸収波長領域を含まず、輝尽励起波長領域を含む
光を一様に照射してもよい。
光と輝尽励起波長領域の光の割合により変化する
ので、所望の最終ノイズレベルとなる様に螢光体
の吸収波長領域の光と輝尽励起波長領域の光の割
合を任意に選択することができる。また上記のよ
うに残像を消去した後最終ノイズレベルをさらに
低下させる目的で、螢光体パネルにその螢光体の
吸収波長領域を含まず、輝尽励起波長領域を含む
光を一様に照射してもよい。
次に本発明の放射線画像変換方法を該方法実施
に使用する装置のブロツク図を用いて説明する。
に使用する装置のブロツク図を用いて説明する。
第６図において１０は螢光体パネル１３に蓄積
されたノイズの原因となる放射線エネルギー（残
像）を除去するための残像消去装置（以下単に
「消去装置」という）、１３は輝尽性螢光体層を有
する螢光体パネル、１４は該螢光体パネルの放射
線潜像を輝尽光として放射させるため励起光源、
１５螢光体パネルより放射された螢光を検出する
光電変換装置、１６は光電変換装置１５で検出さ
れた光電変換信号を画像として再生する装置、１
７は再生された画像を表示する装置、１８は光源
１４からの反射光をカツトし、螢光体パネル１３
より放射された光のみを透過させるためのフイル
ターである。１５以降は１３からの光情報を何ら
かの形で画像として再生できるものであればよ
く、上記に限定されるものではない。
されたノイズの原因となる放射線エネルギー（残
像）を除去するための残像消去装置（以下単に
「消去装置」という）、１３は輝尽性螢光体層を有
する螢光体パネル、１４は該螢光体パネルの放射
線潜像を輝尽光として放射させるため励起光源、
１５螢光体パネルより放射された螢光を検出する
光電変換装置、１６は光電変換装置１５で検出さ
れた光電変換信号を画像として再生する装置、１
７は再生された画像を表示する装置、１８は光源
１４からの反射光をカツトし、螢光体パネル１３
より放射された光のみを透過させるためのフイル
ターである。１５以降は１３からの光情報を何ら
かの形で画像として再生できるものであればよ
く、上記に限定されるものではない。
また光源１４からの反射光をカツトするにはフ
イルター１８を用いずに特願昭57−124744号に示
されている発光の遅れを利用して分離する方法に
よつてもよい。さらに消去装置１０による螢光体
パネル１３の残像消去、放射線発生装置１１で発
生し、被写体１２を透過した放射線の螢光体パネ
ル１３への記録、および螢光体パネル１３に形成
された放射線画像の再生において、螢光体パネル
１３および除去装置１０は分離型もしくはポータ
ブル型であつてもよく後半の部分と同一の設置場
所に固定される必要のないことはもちろんであ
る。
イルター１８を用いずに特願昭57−124744号に示
されている発光の遅れを利用して分離する方法に
よつてもよい。さらに消去装置１０による螢光体
パネル１３の残像消去、放射線発生装置１１で発
生し、被写体１２を透過した放射線の螢光体パネ
ル１３への記録、および螢光体パネル１３に形成
された放射線画像の再生において、螢光体パネル
１３および除去装置１０は分離型もしくはポータ
ブル型であつてもよく後半の部分と同一の設置場
所に固定される必要のないことはもちろんであ
る。
第６図に示されるように、まず消去装置１０に
よつて螢光体パネル１３に蓄積されている残像を
消去する。次に被写体１２を放射線発生装置１１
と螢光体パネル１３の間に配置して放射線を照射
すると、放射線は被写体１２の各部の放射線透過
率の変化に従つて透過し、その透過像（すなわち
放射線の強弱の像）が螢光体パネル１３に入射す
る。この入射した透過像は螢光体パネル１３の螢
光体層に吸収され、これによつて螢光体層中に吸
収した放射線量に比較した数の電子及び／又は正
孔が発生し、これが螢光体のトラツプレベルに蓄
積される。すなわち放射線透過像の蓄積像（潜
像）が形成される。
よつて螢光体パネル１３に蓄積されている残像を
消去する。次に被写体１２を放射線発生装置１１
と螢光体パネル１３の間に配置して放射線を照射
すると、放射線は被写体１２の各部の放射線透過
率の変化に従つて透過し、その透過像（すなわち
放射線の強弱の像）が螢光体パネル１３に入射す
る。この入射した透過像は螢光体パネル１３の螢
光体層に吸収され、これによつて螢光体層中に吸
収した放射線量に比較した数の電子及び／又は正
孔が発生し、これが螢光体のトラツプレベルに蓄
積される。すなわち放射線透過像の蓄積像（潜
像）が形成される。
次にこの潜像を光源１４によつて螢光体パネル
１３に用いられている螢光体の輝尽励起波長領域
を含む光を螢光体パネル１３の螢光体層に照射し
てトラツプレベルに蓄積された電子及び／又は正
孔を追出し、蓄積像を螢光として放射せしめる。
この放射された螢光の強弱は蓄積された電子及
び／又は正孔の数、すなわち螢光体パネル１３の
螢光体層に吸収された放射線エネルギーの強弱に
比較しており、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置１５で電気信号に変換し、画像
再生装置１６によつて画像として再生し、画像表
示装置１７によつてこの画像を表示する。このよ
うにして残像ノイズのない画像を再生することが
できる。消去装置１０による螢光体パネル１３の
残像消去は第６図に示されるように放射線画像の
螢光体パネル１３への記録の直前である必要はな
く、前回の使用から次回の放射線画像の螢光体パ
ネル１３への記録の間ならいつでもよい。
１３に用いられている螢光体の輝尽励起波長領域
を含む光を螢光体パネル１３の螢光体層に照射し
てトラツプレベルに蓄積された電子及び／又は正
孔を追出し、蓄積像を螢光として放射せしめる。
この放射された螢光の強弱は蓄積された電子及
び／又は正孔の数、すなわち螢光体パネル１３の
螢光体層に吸収された放射線エネルギーの強弱に
比較しており、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置１５で電気信号に変換し、画像
再生装置１６によつて画像として再生し、画像表
示装置１７によつてこの画像を表示する。このよ
うにして残像ノイズのない画像を再生することが
できる。消去装置１０による螢光体パネル１３の
残像消去は第６図に示されるように放射線画像の
螢光体パネル１３への記録の直前である必要はな
く、前回の使用から次回の放射線画像の螢光体パ
ネル１３への記録の間ならいつでもよい。
第７図は本発明の方法に用いられる残像消去の
ための消去装置の概略図である。２０は消去用光
源であり、２１は螢光体パネル１３の支持体であ
り、２２は光源２０からの光源のスペクトルを変
換するためのフイルターである。消去用光源２０
と支持体２１とは相対的に移動して螢光体パネル
１３を均一に照射して残像を消去する。消去用光
源２０としては、螢光体パネル１３に用いられる
輝尽性螢光体の吸収波長領域と輝尽励起波長領域
とを含む光を少なくとも放射する光源が用いら
れ、単体光源であつてもよいし、２種類以上の光
源を組合わせて用いてもよい。具体的には、タン
グステンランプ、ハロゲンランプ、赤外線ラン
プ、紫外線ランプ、キセノンランプ、ナトリウム
ランプ、He−Neレーザ、Arレーザ等の光源が
用いられる。フイルター２２は消去用光源２０か
らの光線スペルトルを変換して、螢光体パネル１
３に用いられる輝尽性螢光体の吸収波長領域の光
と輝尽励起波長領域の光との割合を任意に設定す
るものであり、消去用光源２０を適当に選べばか
ならずしも必要ではない。
ための消去装置の概略図である。２０は消去用光
源であり、２１は螢光体パネル１３の支持体であ
り、２２は光源２０からの光源のスペクトルを変
換するためのフイルターである。消去用光源２０
と支持体２１とは相対的に移動して螢光体パネル
１３を均一に照射して残像を消去する。消去用光
源２０としては、螢光体パネル１３に用いられる
輝尽性螢光体の吸収波長領域と輝尽励起波長領域
とを含む光を少なくとも放射する光源が用いら
れ、単体光源であつてもよいし、２種類以上の光
源を組合わせて用いてもよい。具体的には、タン
グステンランプ、ハロゲンランプ、赤外線ラン
プ、紫外線ランプ、キセノンランプ、ナトリウム
ランプ、He−Neレーザ、Arレーザ等の光源が
用いられる。フイルター２２は消去用光源２０か
らの光線スペルトルを変換して、螢光体パネル１
３に用いられる輝尽性螢光体の吸収波長領域の光
と輝尽励起波長領域の光との割合を任意に設定す
るものであり、消去用光源２０を適当に選べばか
ならずしも必要ではない。
本発明に必要な消去装置１０は上記例示のほ
か、パネル１３を最終的に均一に光照射して残像
を消去できるものであれば何でもよく、上記に限
定されるものではない。
か、パネル１３を最終的に均一に光照射して残像
を消去できるものであれば何でもよく、上記に限
定されるものではない。
螢光体パネル１３の中に蓄積されたノイズの原
因となる残像を完全に消去するのに要する光照射
時間は、蓄積されている放射線エネルギーの量、
消去用光源２０より放射される光の波長および強
度等の種々のフアクターによつて広い範囲で変化
するが、一般には数秒から数分の照射で十分であ
る。
因となる残像を完全に消去するのに要する光照射
時間は、蓄積されている放射線エネルギーの量、
消去用光源２０より放射される光の波長および強
度等の種々のフアクターによつて広い範囲で変化
するが、一般には数秒から数分の照射で十分であ
る。
本発明の放射線画像変換方法において用いられ
る蛍光体パネル１３及び蓄積像を螢光として放射
せしめるための励起光源１４について以下に詳細
に説明する。
る蛍光体パネル１３及び蓄積像を螢光として放射
せしめるための励起光源１４について以下に詳細
に説明する。
蛍光体パネル１３の構造は第８図ａに示される
ように支持体３０と、この支持体３０の片面上に
形成された蛍光体層３１よりなる。この蛍光体層
３１はいわゆる輝尽性蛍光体からなる。
ように支持体３０と、この支持体３０の片面上に
形成された蛍光体層３１よりなる。この蛍光体層
３１はいわゆる輝尽性蛍光体からなる。
このような蛍光体としては例えば特開昭48−
80487号記載のBaSO4：Ax（但しＡはDy、Tbお
よびTmのうち少なくとも１種であり、ｘは、
0.001≦ｘ＜モル％である。）で表わされる蛍光
体、特開昭48−80488号記載のMgSO4：Ax（但し
ＡはHoおよびDyのうち少なくとも１種であり、
ｘは0.001≦ｘ＜１モル％である。）で表わされる
蛍光体、特開昭48−80489号記載のSrSO4：Ax
（但しＡはTm、TbおよびDyのうち少なくとも１
種であり、ｘは、0.001≦ｘ＜モル％である。）で
表わされる蛍光体、特開昭51−29889号記載の
Na2SO4およびBaSO4等にMn，DyおよびTbのう
ち少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭52−
30487号記載のBeO，LiF，MgSO4およびCaF2等
の蛍光体、特開昭53−39277号記載のLi2B4O7：
Cu，Agの蛍光体、特開昭54−47883号記載のLi2
Ｏ・（B2O2）ｘ：Cu（但しｘは２＜ｘ≦３）、お
よびLi2Ｏ（B2O3）ｘ：Cu，Ag（但しｘは２＜ｘ
≦３）等の蛍光体、米国特許3859527号記載の
SrS：Ce，Sm、SrS：Eu，Sm、La2O2Ｓ：Eu，
Smおよび（Zn，Cd）Ｓ：Mn，Ｘ（但しＸはハロ
ゲン）で表わせられる蛍光体。特開昭55−121142
号記載のZnS：Cu，Pb蛍光体、一般式がBaO・
xAl2O3：Eu（但し0.8≦ｘ≦10）で表わされるア
ルミン酸バリウム蛍光体、および一般式がM〓
Ｏ・xSiO2：Ａ（但しM〓はMg，Ca，Sr，Zn，Cd
またはBaであり、ＡはCe，Tb，Eu，Tm，Pb，
Tl，BiおよびMnのうち少なくとも１種であり、
ｘは0.5≦ｘ≦2.5である。）で表わされるアルカ
リ土類金属珪酸塩系蛍光体。特開昭55−12143号
記載の一般式が （Ba1−ｘ−yMgCay）FX：Eu （但しＸはBrおよびClの中の少なくとも１つ
であり、ｘ，ｙおよびｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦
0.6、xy≠０および10-6≦ｅ≦５×10-2なる条件
を満たす数である。）で表わされるアルカリ土類
弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55−12144号記
載の一般式が LnOX：xA （但しLnはLa，Ｙ，GdおよびLuの少なくと
も１つを、ＸはCl及び／又はBrを、ＡはCe及
び／又はTbを、ｘは０＜ｘ＜0.1を満足する数字
を表わす。）で表わされる蛍光体、特開昭55−
12145号記載の一般式が （Ba1xM〓ｘ）FX：yA （但しM〓はCa，Sr，ZnおよびCdのうちの少
なくとも１つを、ＸはCl，Brおよびのうちの
少なくとも１つを、ＡはEu，Tb，Ce，Tm，
Dy，Pr，Ho，Nd，Yb及びErのうち少なくとも
１つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦0.2
なる条件を満す数字を表わす。）で表わされる蛍
光体、特開昭55−84389号記載の一般式がBaFX，
xCe，yA（但し、ＸはCl0Brおよびのうちの少
なくとも１つＡはIn，Tl，Cd，SmおよびZrのう
ちの少なくとも１つであり、ｘおよびｙはそれぞ
れ０≦ｘ≦２×10-1および０＜ｙ≦５×10-2であ
る。）で表わされる蛍光体、特開昭55−160078号
記載の一般式が M〓FXxA：yLn （但しM〓はBa，Ca，Sr，Mg，ZnおよびCd
のうちの少なくとも１種、ＡはBeO，MgO，
CaO，SrO，BaO，ZnO，Al2O3，Y2O3，La2
O3，IN2O3，SiO2，TiO2，ZrO2，GeO2，SnO2，
Nb2O5，Ta2O5，およびThO2のうち少なくとも
１種、LnはEu，Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，Ho，
Nd，Yb，Er，SmおよびGdのうちの少なくとも
１種、ｘはCl，Brおよびのうちの少なくとも
１種であり、ｘおよびｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ
≦0.5および０＜ｙ≦0.2なる条件を満たす数であ
る。）で表わされる希土類元素付活２価金属フル
オロハライド蛍光体、一般式がZnS：Ａ、CdS：
Ａ，（Zn，Cd）Ｓ：Ａ、ZnS：Ａ，Ｘおよび
CdS：Ａ，Ｘ（但しＡはCu，Ag，AuまたはMnで
あり、Ｘはハロゲンである。）で表わされる蛍光
体、特願昭57−148285号記載の下記一般式 〔〕または〔〕、 一般式〔〕 xM3（PO4）2・NX2：yA 一般式〔〕 M3（PO4）2：yA （式中、ＭおよびＮはそれぞれMg，Ca，Sr，
Ba，ZnおよびCdの少なくとも１種、ｘはＦ，
Cl，Brおよびの少なくとも１種、ＡはEu，
Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，Ho，Nd，Yb，Er，
Sb，Tl，MnおよびSnの少なくとも１種を表わ
す。またｚおよびｙは、０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１
なる条件を満たす数字である。）で表わされる蛍
光体、および下記一般式〔〕または〔〕、 一般式〔〕 nReX3・mAX′2：xEu 一般式〔〕 nReX3・mAX′2：xEu・ySm （但しReはLa，Gd，Ｙ，Luの少なくとも一
種、Ａはアルカリ土類金属、Ba，Sr，Caの少な
くとも一種、ＸおよびX′はＦ，Cl，Brの少なく
とも一種を表わす。またｘおよびｙは、１×10-4
＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜ｙ＜１×10-1なる条
件を満たす数字であり、ｎ／ｍは、１×10-3＜
ｎ／ｍ＜７×10-1なる条件を満たす。）で表わさ
れる蛍光体等が挙挙げられる。。
80487号記載のBaSO4：Ax（但しＡはDy、Tbお
よびTmのうち少なくとも１種であり、ｘは、
0.001≦ｘ＜モル％である。）で表わされる蛍光
体、特開昭48−80488号記載のMgSO4：Ax（但し
ＡはHoおよびDyのうち少なくとも１種であり、
ｘは0.001≦ｘ＜１モル％である。）で表わされる
蛍光体、特開昭48−80489号記載のSrSO4：Ax
（但しＡはTm、TbおよびDyのうち少なくとも１
種であり、ｘは、0.001≦ｘ＜モル％である。）で
表わされる蛍光体、特開昭51−29889号記載の
Na2SO4およびBaSO4等にMn，DyおよびTbのう
ち少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭52−
30487号記載のBeO，LiF，MgSO4およびCaF2等
の蛍光体、特開昭53−39277号記載のLi2B4O7：
Cu，Agの蛍光体、特開昭54−47883号記載のLi2
Ｏ・（B2O2）ｘ：Cu（但しｘは２＜ｘ≦３）、お
よびLi2Ｏ（B2O3）ｘ：Cu，Ag（但しｘは２＜ｘ
≦３）等の蛍光体、米国特許3859527号記載の
SrS：Ce，Sm、SrS：Eu，Sm、La2O2Ｓ：Eu，
Smおよび（Zn，Cd）Ｓ：Mn，Ｘ（但しＸはハロ
ゲン）で表わせられる蛍光体。特開昭55−121142
号記載のZnS：Cu，Pb蛍光体、一般式がBaO・
xAl2O3：Eu（但し0.8≦ｘ≦10）で表わされるア
ルミン酸バリウム蛍光体、および一般式がM〓
Ｏ・xSiO2：Ａ（但しM〓はMg，Ca，Sr，Zn，Cd
またはBaであり、ＡはCe，Tb，Eu，Tm，Pb，
Tl，BiおよびMnのうち少なくとも１種であり、
ｘは0.5≦ｘ≦2.5である。）で表わされるアルカ
リ土類金属珪酸塩系蛍光体。特開昭55−12143号
記載の一般式が （Ba1−ｘ−yMgCay）FX：Eu （但しＸはBrおよびClの中の少なくとも１つ
であり、ｘ，ｙおよびｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦
0.6、xy≠０および10-6≦ｅ≦５×10-2なる条件
を満たす数である。）で表わされるアルカリ土類
弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55−12144号記
載の一般式が LnOX：xA （但しLnはLa，Ｙ，GdおよびLuの少なくと
も１つを、ＸはCl及び／又はBrを、ＡはCe及
び／又はTbを、ｘは０＜ｘ＜0.1を満足する数字
を表わす。）で表わされる蛍光体、特開昭55−
12145号記載の一般式が （Ba1xM〓ｘ）FX：yA （但しM〓はCa，Sr，ZnおよびCdのうちの少
なくとも１つを、ＸはCl，Brおよびのうちの
少なくとも１つを、ＡはEu，Tb，Ce，Tm，
Dy，Pr，Ho，Nd，Yb及びErのうち少なくとも
１つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦0.2
なる条件を満す数字を表わす。）で表わされる蛍
光体、特開昭55−84389号記載の一般式がBaFX，
xCe，yA（但し、ＸはCl0Brおよびのうちの少
なくとも１つＡはIn，Tl，Cd，SmおよびZrのう
ちの少なくとも１つであり、ｘおよびｙはそれぞ
れ０≦ｘ≦２×10-1および０＜ｙ≦５×10-2であ
る。）で表わされる蛍光体、特開昭55−160078号
記載の一般式が M〓FXxA：yLn （但しM〓はBa，Ca，Sr，Mg，ZnおよびCd
のうちの少なくとも１種、ＡはBeO，MgO，
CaO，SrO，BaO，ZnO，Al2O3，Y2O3，La2
O3，IN2O3，SiO2，TiO2，ZrO2，GeO2，SnO2，
Nb2O5，Ta2O5，およびThO2のうち少なくとも
１種、LnはEu，Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，Ho，
Nd，Yb，Er，SmおよびGdのうちの少なくとも
１種、ｘはCl，Brおよびのうちの少なくとも
１種であり、ｘおよびｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ
≦0.5および０＜ｙ≦0.2なる条件を満たす数であ
る。）で表わされる希土類元素付活２価金属フル
オロハライド蛍光体、一般式がZnS：Ａ、CdS：
Ａ，（Zn，Cd）Ｓ：Ａ、ZnS：Ａ，Ｘおよび
CdS：Ａ，Ｘ（但しＡはCu，Ag，AuまたはMnで
あり、Ｘはハロゲンである。）で表わされる蛍光
体、特願昭57−148285号記載の下記一般式 〔〕または〔〕、 一般式〔〕 xM3（PO4）2・NX2：yA 一般式〔〕 M3（PO4）2：yA （式中、ＭおよびＮはそれぞれMg，Ca，Sr，
Ba，ZnおよびCdの少なくとも１種、ｘはＦ，
Cl，Brおよびの少なくとも１種、ＡはEu，
Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，Ho，Nd，Yb，Er，
Sb，Tl，MnおよびSnの少なくとも１種を表わ
す。またｚおよびｙは、０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１
なる条件を満たす数字である。）で表わされる蛍
光体、および下記一般式〔〕または〔〕、 一般式〔〕 nReX3・mAX′2：xEu 一般式〔〕 nReX3・mAX′2：xEu・ySm （但しReはLa，Gd，Ｙ，Luの少なくとも一
種、Ａはアルカリ土類金属、Ba，Sr，Caの少な
くとも一種、ＸおよびX′はＦ，Cl，Brの少なく
とも一種を表わす。またｘおよびｙは、１×10-4
＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜ｙ＜１×10-1なる条
件を満たす数字であり、ｎ／ｍは、１×10-3＜
ｎ／ｍ＜７×10-1なる条件を満たす。）で表わさ
れる蛍光体等が挙挙げられる。。
しかしながら、本発明の放射線画像変換方法に
用いられる蛍光体は上述の蛍光体に限られるもの
ではなく、放射線を照射した後励起光を照射した
場合に輝尽発光を示すものであればいかなる蛍光
体であつてもよいことは言うまでもない。
用いられる蛍光体は上述の蛍光体に限られるもの
ではなく、放射線を照射した後励起光を照射した
場合に輝尽発光を示すものであればいかなる蛍光
体であつてもよいことは言うまでもない。
次に蛍光体パネル１３の製造法の一例を以下に
示す。
示す。
先づ蛍光体をポリビニルブラチール、硝化綿等
のバインダ−溶剤溶液（溶剤シクロヘキサン、ア
セトン、酢酸、エチルおよび酢酸・ブチルの混液
等）に混合し、粘度がおよそ50センチストークス
の塗布液を調製する。次にこの塗布液を水平に置
いたポリエチレンテレフタレートフイルム（支持
体）上に均一に塗布し、一昼夜放置し自然乾燥す
ることによつて好ましくは300μｍ程度の厚みの
蛍光体層を形成し、蛍光体パネル１３とする。支
持体としてはプラスチツクフイルムの他に例えば
透明なガラス板やアルミニウムなどの金属板等を
用いてもよい。
のバインダ−溶剤溶液（溶剤シクロヘキサン、ア
セトン、酢酸、エチルおよび酢酸・ブチルの混液
等）に混合し、粘度がおよそ50センチストークス
の塗布液を調製する。次にこの塗布液を水平に置
いたポリエチレンテレフタレートフイルム（支持
体）上に均一に塗布し、一昼夜放置し自然乾燥す
ることによつて好ましくは300μｍ程度の厚みの
蛍光体層を形成し、蛍光体パネル１３とする。支
持体としてはプラスチツクフイルムの他に例えば
透明なガラス板やアルミニウムなどの金属板等を
用いてもよい。
なお、蛍光体パネル１３は第８図ｂに示される
ような２枚のガラス板等の透明な基板３３，３４
間に蛍光体を挾みこんで任意の厚さの蛍光体層３
２とし、その周囲を密封した構造のものでも良
い。
ような２枚のガラス板等の透明な基板３３，３４
間に蛍光体を挾みこんで任意の厚さの蛍光体層３
２とし、その周囲を密封した構造のものでも良
い。
本発明の放射線画像変換方法において前記蛍光
体パネル１３の蛍光体層３２を励起する光の励起
光源１４としては蛍光体層３２に用いられている
蛍光体の輝尽励起波長領域を含む光を少なくとも
放射する光源が用いられる。この光源はバンドス
ペクトル分布を持つた光を放射する光源であつて
もよいし、He−Neレーザ、YAGレーザ、ルビ
ーレーザ、Arレーザ、半導体レーザ等の単一波
長の光を放射する光源であつてもよい。特にレー
ザ光を用いる場合、高い輝尽励起エネルギーを得
られる。
体パネル１３の蛍光体層３２を励起する光の励起
光源１４としては蛍光体層３２に用いられている
蛍光体の輝尽励起波長領域を含む光を少なくとも
放射する光源が用いられる。この光源はバンドス
ペクトル分布を持つた光を放射する光源であつて
もよいし、He−Neレーザ、YAGレーザ、ルビ
ーレーザ、Arレーザ、半導体レーザ等の単一波
長の光を放射する光源であつてもよい。特にレー
ザ光を用いる場合、高い輝尽励起エネルギーを得
られる。
（実施例）
次に実施例を示し、本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれに限定されるものではない。
が、本発明はこれに限定されるものではない。
実施例 １
蛍光体パネルはBaFBr：Euから成る蛍光体８
重量部とポリビニルブチラール１重量部を溶剤
（シクロヘキサン）を用いて分散させ、これをポ
リエチレンテレフタレート基板上に均一に塗布
し、一昼夜放置し、自然乾燥することによつて約
300μｍの蛍光体層を形成して作製した。第９図
に該蛍光体の吸収スペクトルＦ及び輝尽励起スペ
クトルＧを示した。この蛍光体パネルに管電圧
80KVのＸ線を10ミリレントゲン被写体を通して
照射し、１回目の潜像を形成した。次にこの蛍光
体パネルに第１０図に示すスペクトルを有する
Xe−ランプ光を60万ルツクス・秒照射して１回
目の潜像を消去し、続いて１回目の潜像を形成し
たと同様の方法で２回目の潜像を形成した。次に
この蛍光体プレートをArレーザで励起して２回
目の潜像を読み出した。
重量部とポリビニルブチラール１重量部を溶剤
（シクロヘキサン）を用いて分散させ、これをポ
リエチレンテレフタレート基板上に均一に塗布
し、一昼夜放置し、自然乾燥することによつて約
300μｍの蛍光体層を形成して作製した。第９図
に該蛍光体の吸収スペクトルＦ及び輝尽励起スペ
クトルＧを示した。この蛍光体パネルに管電圧
80KVのＸ線を10ミリレントゲン被写体を通して
照射し、１回目の潜像を形成した。次にこの蛍光
体パネルに第１０図に示すスペクトルを有する
Xe−ランプ光を60万ルツクス・秒照射して１回
目の潜像を消去し、続いて１回目の潜像を形成し
たと同様の方法で２回目の潜像を形成した。次に
この蛍光体プレートをArレーザで励起して２回
目の潜像を読み出した。
このようにして読み出したＸ線画像は１回目の
Ｘ線画像に起因する残像ノイズのない鮮明なもの
であつた。
Ｘ線画像に起因する残像ノイズのない鮮明なもの
であつた。
比較例 １
実施例１と同様にして蛍光体パネルを作製し、
１回目の潜像を形成した。次にこの蛍光体パネル
に500nm以下の短波長光を色ガラスフイルターで
カツトした第１１図に示すスペクトルを有する
Xe−ランプ光を60万ルツクス・秒照射し、続い
て１回目の潜像を形成したと同様の方法で２回目
の潜像を形成した。次にこの蛍光体プレートを実
施例１と同様にArレーザで励起して２回目の潜
像を読み出した。
１回目の潜像を形成した。次にこの蛍光体パネル
に500nm以下の短波長光を色ガラスフイルターで
カツトした第１１図に示すスペクトルを有する
Xe−ランプ光を60万ルツクス・秒照射し、続い
て１回目の潜像を形成したと同様の方法で２回目
の潜像を形成した。次にこの蛍光体プレートを実
施例１と同様にArレーザで励起して２回目の潜
像を読み出した。
このようにして読み出したＸ線画像は１回目の
Ｘ線画像に起因する残像ノイズにより画像が著し
く劣化した。
Ｘ線画像に起因する残像ノイズにより画像が著し
く劣化した。
実施例 ２
実施例１と同様にして蛍光体パネルを作製し、
１回目の潜像を形成した。次にこの蛍光体パネル
に実施例１と同様にしてXeランプ光を30万ルツ
クス・秒照射した後500nm以下の短波長光を色ガ
ラスフイルターでカツトした第２図に示すスペク
トルを有するタングステンランプ光を30万ルツク
ス・秒照射し、続いて１回目の潜像を形成したと
同様の方法で２回目の潜像を形成した。次にこの
蛍光体プレートを実施例１と同様はArレーザで
励起して２回目の潜像を読み出した。このように
して読み出したＸ線画像は１回目のＸ線画像に起
因する残像ノイズのない鮮明なものであつた。
１回目の潜像を形成した。次にこの蛍光体パネル
に実施例１と同様にしてXeランプ光を30万ルツ
クス・秒照射した後500nm以下の短波長光を色ガ
ラスフイルターでカツトした第２図に示すスペク
トルを有するタングステンランプ光を30万ルツク
ス・秒照射し、続いて１回目の潜像を形成したと
同様の方法で２回目の潜像を形成した。次にこの
蛍光体プレートを実施例１と同様はArレーザで
励起して２回目の潜像を読み出した。このように
して読み出したＸ線画像は１回目のＸ線画像に起
因する残像ノイズのない鮮明なものであつた。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明においてはノイズ
の原因となる前回の放射線画像に起因する残像は
新しい放射線画像の記録前に消去されるのでノイ
ズのない鮮明な放射線画像を再生することができ
る。このように本発明は蛍光体を用いた放射線画
像変換方法におけるノイズの問題を解決するもの
であり、本発明の工業的利用価値は非常に大きい
ものである。
の原因となる前回の放射線画像に起因する残像は
新しい放射線画像の記録前に消去されるのでノイ
ズのない鮮明な放射線画像を再生することができ
る。このように本発明は蛍光体を用いた放射線画
像変換方法におけるノイズの問題を解決するもの
であり、本発明の工業的利用価値は非常に大きい
ものである。
第１図は、光による残像消去状態の時間経過を
示す図、第２図は加熱による残像消去の状態を示
す図、第３図は蛍光体の吸収波長領域の光照射に
よる輝尽発光強度の変化を示す図、第４図は蛍光
体の輝尽励起波長領域の光照射による輝尽発光強
度の変化を示す図、第５図は蛍光体の吸収波長領
域の光と輝尽励起波長領域の光を同時に照射した
場合の輝尽発光強度の変化を示す図、第６図は本
発明の放射線画像変換方法に用いる装置のブロツ
ク図、第７図は本発明の放射線画像変換方法に用
いられる残像消去のための消去装置の概略図、第
８図ａおよびｂは、本発明の上記方法に用いられ
る放射線画像変換パネルの構造を示す断面図、第
９図は蛍光体の吸収スペクトル及び輝尽励起スペ
クトルを示す図、第１０図及び第１１図はXeラ
ンプの発光スペクトルを示す図、第１２図はタン
グステンランプの発光スペクトルを示す図であ
る。 １０……消去装置、１１……放射線発生装置、
１２……被写体、１３……放射線画像変換パネ
ル、１４……励起光源、１５……光電変換装置、
１６……画像再生装置、１７……画像表示装置、
１８……フイルター、２０……消去用光源、２１
……フイルター、２０……消去用光源、２１……
支持体、２２……フイルター、３０……支持体、
３１，３２……蛍光体層、３３，３４……透明支
持体。
示す図、第２図は加熱による残像消去の状態を示
す図、第３図は蛍光体の吸収波長領域の光照射に
よる輝尽発光強度の変化を示す図、第４図は蛍光
体の輝尽励起波長領域の光照射による輝尽発光強
度の変化を示す図、第５図は蛍光体の吸収波長領
域の光と輝尽励起波長領域の光を同時に照射した
場合の輝尽発光強度の変化を示す図、第６図は本
発明の放射線画像変換方法に用いる装置のブロツ
ク図、第７図は本発明の放射線画像変換方法に用
いられる残像消去のための消去装置の概略図、第
８図ａおよびｂは、本発明の上記方法に用いられ
る放射線画像変換パネルの構造を示す断面図、第
９図は蛍光体の吸収スペクトル及び輝尽励起スペ
クトルを示す図、第１０図及び第１１図はXeラ
ンプの発光スペクトルを示す図、第１２図はタン
グステンランプの発光スペクトルを示す図であ
る。 １０……消去装置、１１……放射線発生装置、
１２……被写体、１３……放射線画像変換パネ
ル、１４……励起光源、１５……光電変換装置、
１６……画像再生装置、１７……画像表示装置、
１８……フイルター、２０……消去用光源、２１
……フイルター、２０……消去用光源、２１……
支持体、２２……フイルター、３０……支持体、
３１，３２……蛍光体層、３３，３４……透明支
持体。
Claims (1)
- １ 輝尽性螢光体から成る放射線画像変換パネル
に、放射線画像を照射することによつて前記放射
線画像変換パネルに像様に照射放射線のエネルギ
ーを蓄積せしめ、しかる後該放射線画像変換パネ
ルを前記輝尽性螢光体の輝尽励起波長領域に含ま
れる光で励起して前記放射線画像変換パネルに蓄
積された放射線エネルギーを輝尽光として放出せ
しめ、これを検出して画像を再生する放射線画像
変換方法において、放射線画像記録前、あるいは
画像再生後の前記放射線画像変換パネルに前記螢
光体の吸収波長領域と輝尽励起波長領域とを含む
光を照射して、さきの放射線画像に起因する蓄積
された残留放射線エネルギーを消去することを特
徴とする放射線画像変換方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58077218A JPS59202099A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 放射線画像変換方法 |
| JP5105439A JP2544697B2 (ja) | 1983-04-30 | 1993-05-06 | 放射線画像変換方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58077218A JPS59202099A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 放射線画像変換方法 |
| JP5105439A JP2544697B2 (ja) | 1983-04-30 | 1993-05-06 | 放射線画像変換方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5105439A Division JP2544697B2 (ja) | 1983-04-30 | 1993-05-06 | 放射線画像変換方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59202099A JPS59202099A (ja) | 1984-11-15 |
| JPH0430570B2 true JPH0430570B2 (ja) | 1992-05-22 |
Family
ID=26418324
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58077218A Granted JPS59202099A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 放射線画像変換方法 |
| JP5105439A Expired - Lifetime JP2544697B2 (ja) | 1983-04-30 | 1993-05-06 | 放射線画像変換方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5105439A Expired - Lifetime JP2544697B2 (ja) | 1983-04-30 | 1993-05-06 | 放射線画像変換方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (2) | JPS59202099A (ja) |
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| JPS59202099A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-15 | コニカ株式会社 | 放射線画像変換方法 |
-
1983
- 1983-04-30 JP JP58077218A patent/JPS59202099A/ja active Granted
-
1993
- 1993-05-06 JP JP5105439A patent/JP2544697B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| JPH0627556A (ja) | 1994-02-04 |
| JPS59202099A (ja) | 1984-11-15 |
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