JPS59202099A - 放射線画像変換方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産条上の４゛１」州外”ｉｆ　） 本発明は放射線画橡システムにおける画体変換方法に関
し、さらに詳しくｉｌ″ｌニーＭ尽性螢光性螢光体材料
単に「螢光体」という）を用いて、これに放射線画１オ
を記録し、次いでこれに励起光を照射してこの放射組両
部を読み出して画１家を再生する放射線画謝システムに
おける放射線画＠変換方法に関するものである。

（従来技術） 従来、放射線画像を得るために銀塩を１史用した、いわ
ゆる放射線写真が利用されているが、近年、特に地球規
侯における銀資源の枯渇等の問題から銀塩を使用しない
で放射線＠を画像化する方法が望まれるようになった。

上述の放射線写真法にかわる方法として、被写体を透過
した放射線を螢光体に吸収せしめ、しかる後この螢光体
をある種のエネルギーで励起してこの螢光体が蓄積して
いる放射線エネルギーを螢光として放射せしめ、この螢
光を検出して両区化する方法が考えられている。具体的
な方法として、例えば米国特許第３，８５９，５２７号
および特開昭５５−］２１４４号には螢光体として輝尽
性螢光体を用い励起エネルギーとして可視光線および赤
外酬から選ばれる電磁放射線を用いる放射祿眩変換方法
が提唱されている。この変換方法は、支持体上に輝尽性
螢光体層を形成したパネルを用い、このパネルの＃１（
球性螢光体層に被写体（ｉｌ−透過した放射線を吸収さ
せて）１１．射線の強弱に対応した放射線エネルギーを
蓄積させ、しかる後この輝尽性螢光体層全輝尽励起光で
走査することによって蓄積された放射線エネルギーを光
の信号として取り出し、この光の強弱によって画はを得
るものである。この最終的な画１象＋ａ　、ハードコピ
ーとして再生してもよいし、ＣＲＴ等の受鐵讃″上に再
生してもよい。

このような放射ｋ　ｌ［ｉｌ　ｆ８！システムにおいて
は、放射線画昨変換パネル（以下単に「螢光体〕くネル
」という）は繰返し使用することが経済的である。

読み出し時に光分な強度の励起光全照射すれば、螢光体
パネルに記録されていた放射勝画隊に起因する蓄積放射
線エネルギーは消滅するはずであるが、実際にば：’ｒ
ｊｅみ出し時に照射される励起光の与では完全には消滅
しない。したがって螢光体パネルを繰返し便用する際に
は、前回の撮影像（以下「残像」という）が残ってし７
貫い次回のづ最影像のノイズ（・こなるという問題が生
ずる。

斯かるシステムにおいて、残像に起因するノイズの発生
全防止する具体的な方法としては、例えば特開昭５６−
１．１．３９２号には螢光体の吸収波長領域の光を含ま
ず、輝尽励起波長領域に含捷れる光で螢光体パネルを励
起して、蓄積はれた放射線エネルギーを十分に放出させ
る方法が提唱されているし、特開昭５６−１２５９９号
にｒ／′ｉ螢光体パネルを加熱して蓄積された放射線エ
ネルギーを放出させる方法が提唱されている。

しかしながらこれらの方法では残像ばｆ像様に消去され
るため残像に起因するノイズを防止するには、開光強度
あるいは高温で長時間の消去が必髪であるたｄ）、残像
消去のだめの装置が大型化し、システムの運転速度が低
下する欠点を有している。

螢光体の吸収波長域の光を含まず、輝尽励起波長領域に
含才れる光でのＩＡ稼消去の状態を第１図に示す。初期
には光照射によって残像は急激に減少するが減少の速度
はしだいに遅くなって消去されに〈〈なっており、妙法
の大きな部分が残像のほとんどない部分と同一のノイズ
レベルになり螢光体パネル全体が均一なノイズレベルに
達するまでには高光強度で長時間ケ要することがわかる
。熱による残１象消去の状態を第２図に示す。熱による
残１象消去も光照射による残像消去と同様螢光体ノくネ
ル全体が均一なノイズレベルに達するまでには高温で長
時間を安することがわかる。

（発明の目的） 本発明の目的は上記間（辿点を解決し、残像に起因する
ノイズの々い放射線画膿変換方法を提供することにある
。

本発明の１也の目的は残像消去のための装置を小塑化す
ることが可能であり、システムの運転速度台・向上させ
ることのできる放射線画１象変換方法を提供することに
ある。

（発明の構成） 本９（へ明Ｖま、輝尽性螢光体から成る放射線画像変換
パネルに、放射線画像を照射することによって前記放射
線画像変換パネルに像様に照射放射線のエネルギーを蓄
積せし７め、しかる後該放射線画像変換パネルを前記輝
尽性螢光体の輝尽励起波長領域（（含寸れる光で励起し
て前記放射線画（像変換パネルに蓄積された放射線エネ
ルギーをｋＶ尽光として放出せしめ、これを検出して画
像を再生する放射に頃画像変換方法において、放射線画
像照射前、あるいは画飽再生後の前記放射線画像変換パ
ネルに螢光体の吸収波長領域と輝尽励起波長領域とを含
む元を照射して、さきの放射線画像に起因する衿イ貨さ
れた残留放射線エネルギーを消去することを特徴とする
放射線１ｉＩｉｉ像変換方法によって構成される。

本発明において螢光体とは、最初の光もしくは高エネル
ギー放射線が照射された後に、光重、熱的、機械的、化
学的または電気的等の刺倣により、最初の光もしくは爾
エネルギー放射線の照射瞼に対応した光を再発光せしめ
る、いわゆる輝尽性を示す螢光体をいう。ここで光とは
電磁放射線のうち可視光、紫外光、赤外光を含み、高エ
ネルギーＩヅ射線とはＸ線、ガンマ綜、ベータ線、アル
ファ線、中性子線等を含む。

本発明において螢光体の吸収波長領域の光とは、螢光体
に吸収されることにより、螢光体中にエネルギーとして
畜、ｌＪ！（される光であり、吸収のピーク直に対して
］　０　（ｌ　Ｏ分の１以上の吸収がある領域の光をい
う。寸だ、本発明において輝尽励起波長毎４域の光とは
、螢光体中に苗槓されたエネルギー會ル１１尽螢光とし
て放出式せることのできる光であり、烏尽励起のピーク
値に対して１０００　　分の１以上の輝尽励起能力のあ
る光をいう。

本発明者等は紫外線、可視光線および赤外線から選ばれ
る柘：磁波を用いる妙法消去についてのイυ（究を行な
った結果、以下に示す卸見を得た。

（］）・詐光体にその螢光体の吸収波長領域の光を照射
−すると、残１汐に起因するノズルレベルとは無関係に
、照射しブこ光エネルギーが螢光体中Ｖこ蓄ＡＲされる
。この様子を第３図に示す。実線で示す曲線Ａは残像に
よる輝尽発光強度であり、破線で示す曲線Ｂは凹線Ａで
示す残（家を有する螢光体パネルに、その螢光体の吸収
波長領域の光を照射した後の輝尽発光強度である。この
図から残随とは無関係に螢光体の吸収波長領域の光のエ
ネルギーが螢）′ｔ、体パネル甲に一様に蓄積されるこ
とが分かる。

（２）螢光体にその螢光体の輝尽励起波長領域の元を照
射すると残像に起因するノイズレベルに応じて残１３セ
が消去される。この状態ｋｖＪ４図に示す。＃紛で示す
曲線Ａは残（Ｈｖｃよる輝尽発光強度であり、破線で示
す曲線Ｃは曲線Ａで示す残１象を有する螢光体パネルに
、その螢光体の輝尽励起波長領域の光を照射した後の輝
尽発光強度である。この図から分かるように残１家に起
因するノイズレベルの高い部分のノイズ低下は低い部分
に比較して急速である。

更に残１啄消去について永年の研究を重ねた結果、本発
明者等は、螢光体パネルにその螢光体の１及収彼長領域
を含む光と、輝尽励起波長領域を含む光とを同時に照射
することによって残鍬に起因するノイズを急速に消去で
きることを見い出した。即ち残１象に起因するノイズの
うちノイズレベルの高い１′ｌＩＳ分は４尽励起仮長の
光によって前記レベルが１氏下し、ノイズレベルの１な
い部分は吸収波長領域の光によってＩｊｉＪ記レベルが
上昇する。その結果、妙味に起因するノイズのうちノイ
ズレベルの高い部分と、低い部分の比は急速に小さくな
り、遂にに螢光体の光吸収と牌尽励起とが十′酷にに達
しで残１欺は消めつする。この状態を第５図に示す。実
線で示す曲ａＡは残像による輝尽発光強度である。

［」ＩＪ記残ｆ４ξＡは、破線りで示す中間過程りを経
て一点鎖１ｆｆｌ　Ｅで示す最終ノイズレベルに達して
平衡トなる。

伺坂終ノイズレベルば螢光体の吸収波長領域の光と輝尽
励起波長領域のっしの割合により変化するので、所望の
最終ノイズレベルとなる様に螢光体の吸収波長領域の光
と輝尽励起波長領域の元の゛ｈｌＩ会ヲ任意に選択する
ことができる。また上記のように残１象を消去した後最
終ノイズレベルをさらに低下させる目的で、螢光体パネ
ルにその螢光体の吸収波長領域を宮捷ず、輝尽励起波長
領域を含む光を一様に照射してもよい。

次に本発明の放射線画隊変換方法を該方法実施に１更用
する装置のブロック図を用いて説明する。

第６図において１０は螢光体パネル１３に蓄積きれたノ
イズの原因となる放射線エネルギー（残１尿）全除去す
るための残１象消去装置（以下単に［消去装置」という
）、１３はル＋１尽性螢光体層を４丁する螢光体パネル
、１４は該螢光体パネルの放射、“尿潜謙をル１を局光
として放射させるための励起光源、１．５ｉｌ−ｊ：螢
光体パネルより放射された螢光を検出する光電変換装置
、１６は光電変換装置１５で検出された光電変換信号を
画隊として再生する装置、１７は再生された両部を表示
する装置、１８は光源】４がらの反射光をカット踵螢光
体パネル１３より放射きれた光のみを透過させるための
フィルターである。、１５以降ｋｉ−１３からの光情報
を何らかの形で両部として再生できるものであれはよく
、上記に限定されるものではない。

才た光源１４からの反射光をカットするにはフィルター
］８を用いずに！ｆ、ｆ願昭５７−１２４７４．４号に
示されている発光の遅れを利用して分離する方法によっ
てもよい。さらに消去装置１０による螢光体パネル１３
の残ｆ象消去、放射線発生装置１１で発生し、被写体１
２を透過した放射線の螢光体パネル１３への記録、およ
び螢光本パネル１３に形成された放射録画像の再生にお
いて、−Ｘ冠・光体パネル１３および除去装置１０１ｄ
分認型もしくはポータプル型であってもよく後半の部分
と同一の設置場所に固定される必ヅのないことはもちろ
んである。

第６図に示されるように、まず消去装置１０によって螢
光体パネル１３に＃積されている残１象を消去する。次
に被写体１２全放射線兆生装置１１と螢光体パネル１３
０Ｉｂ＋に自装置して放身寸１ｆ設をｌＦ（え射すると
、ｂ反射線は被写体１２の各部の放射線透過率の変化に
従って透過し、その逍過滓（すなわち放射線の強弱の＠
）が螢光体パネル１３に入射する。この入射した透過１
象は螢光体パネル１３の螢光体層て吸収され、これによ
って螢光体層中に吸収した放射線量に比例した数の電子
及び／又は正孔が発生し、これが螢光体のトラップレベ
ルに蓄積される。すなわち放射急透過１家の蓄積（象（
溜隊）が形成される。

次にこの潜１νを光源１４によって螢光体パネル１３に
用いられている螢光体の輝尽励起波長領域を含む光を螢
光体パネル１３の螢光体層に照射してトラップレベルに
蓄積された電子及び／又汀正孔を追出し、蓄）Ｊ（嫁を
螢光として放芽］せしめる。この放射された螢光の強弱
は蓄積された電子及び／又は正孔の数、すなわち螢光体
パネル１３の螢光体層に吸収さｉ％だ放射線エネルギー
の強弱に比例しており、この光信号′（ｉｌ−レリえば
光電子増倍管等の光電変換装置面１５で・［６気侶号に
変換し、１Ｉｌｉ！１間再生装＋ａ１６によって両部と
して再生し、画１′＃表示装置置１７によってこの画数
を・表示する。このようにして残像ノイズのない画ｉｆ
Ｊ　”ｃ再生することができる。消去装置１０による螢
光体パネル１３の’ｉ３．　ＣＨＩ消去は第６図に示さ
れるように放射線画叡の螢ブじ体パネル１３への記録の
直前である必要はなく、前回の１史川から次回の放射巻
１−鐵の螢光体パネル１３への記録の間ならいつでもよ
い。

、１７図は本発明の方法に用いられる残像消去のだｄ）
の消去装置６のな、Ｌ略図である。２０は消去用光源で
あり、２１け・螢光体パネル１３の支持体であり、２２
は九θ皐２０からのつ℃線のスペクトル全変換するたぬ
のフィルターである。消去用光源２０と支持体２１とは
相対的に移Ｊ１カして螢光体パネル１３ヲ均一に照射（
〜で残像を消去する。消去用光源２０としてに、螢光体
パネル１３に用いられる輝尽性螢光体の吸収波長領域と
凡尽励起波長領域とを含む光を少なくとも放射する光電
が用いられ、単体光源であってもよいし、２４：：Ｉｉ
　’Ａ以上の光源を組合わせて用いてもよい。具体的に
は、タングステンランプ、ハロゲンランフ、赤外汀、槍
ランプ、紫外腺ランプ、キセ、ノンランプ、ナトリウム
ランプ、Ｈｅ　−Ｎθレーザ、Ａｒ　Ｖ−ザ等の光源が
用いらｒしる。フィルター２２は消去用光源２０からの
光線スペクトルを変換して、螢光体パネル１３に用いら
れる郡尽性・ご７光体の吸収波長領域の光と峰尽励起波
畏領域の光との割合を任意に設定するものであり、７１
去用元源２ｏを適当に選べばかならずしも心安ではない
。

本発明に必要な消去装置１０は上記例示のほか、パネル
１３を最終的に均一に光照射して残数全消去できるもの
であれば何でもよく、上記に限定されるものではない。

螢光体パネル１３の中に蓄積されたノイズの原因となる
残像を完全に消去するのに要する光照射時間は、蓄積さ
れている放射線エネルギーの１什、消去用光源２０より
放射される光のＩＥＬ張および強度等の種々のファクタ
ーによって広い範囲で変イヒする本発明の放射線像変換
方法において用いられる蛍光体パネル１３及び蓄積像を
蛍光として放射せしめるための励起光源１４について以
下に詳細に説明する。

蛍光体パネル１３の構造は第８図（ａ）に示されるよう
に支持体間と、この支持体３００片面上に形成された蛍
光体層３１よりなる。この蛍光体層３１はいわゆる輝尽
性蛍光体からなる。

このような蛍光体としては例えば特開昭４８−８０４８
７号記載のＢａＳＯ４：Ａｘ　　（但し７ＡはＤｙ、　
ＴｂおよびＴｍのうち少なくとも１種であり、又は、０
．００１≦ｘ（１モル％である。）で表わされる蛍光体
、特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇ５Ｏ，：　Ａｘ
（但しＡはＨＯおよびＤｙのうちの少なくとも１種であ
り、Ｘはｏ、ｏｏｉ≦Ｘ≦１モル％である。）で表わさ
れる蛍光体、特開昭４８−８０４８９号記載のＳｒＳＯ
４：Ａｘ　（但しＡはＴｍ　、　ＴｂおよびＤｙのうち
の少なくとも１種であり、又は０．００１≦ｘ　（１モ
ル％である。）で表わされる蛍光体、特開昭５１−２９
８８９号記載のＮａ２５Ｏ，、ＣａＳＯ４およびＢａ５
Ｏ，等にＭｎ　、　ＤｙおよびＴｂ　のうち少なくとも
１種を添加した蛍光体、特開昭５２−３０４８７号記載
のＢｅｄ。

ＬｉＦ　、　Ｍｇ２５ｏ４およびＣａＦ、　　等の蛍光
体、特開昭５３−３９２７７号記載のＬ１２Ｂ４Ｏ７：
　ＣｕＡｇ等の蛍光体、特開昭５４−４７８８３号記載
のＬｉ２Ｏｅ　（Ｂ２０２）ｘ　：　Ｃｕ（但しＸは２
　（ｘ≦３）、およびＬｉ２０（Ｂ２０３）ｘ　：　Ｃ
ｕ。

Ａｇ（但しＸは２〈ｘ≦３）等の蛍光体、米国特許３．
８５９，５２７号記載のＳ　ｒ　Ｓ　：　Ｃｅ　、Ｓｍ
　ｓ　Ｓ　ｒ　Ｓ　：　Ｅｕ　＋８ｍ１Ｌａ、０２Ｓ　
：　Ｅｕ　、　Ｓｍおよび（Ｚｎ　、　Ｃｄ）　Ｓ　：
Ｍｎ、Ｘ　（但しＸはハロゲン）で表わせられる蛍光体
。特開昭５５−１２１４２号記載のＺｎＳ　：　Ｃｕ　
、　Ｐ６蛍光体、一般式％式％） れるアルミン酸バリウム蛍光体、および一般式が■ Ｍ　Ｏ＠ｘｓｉｏ、　：　Ａ（但しＭｎはＭｇ　、　Ｃ
ａ　、　Ｓｒ　、ｚｍ、　ＣｄまたはＢａ　であり、Ａ
はＣｅ　、Ｔｂ　、Ｅｕ　、Ｔｍ、Ｐｂ　、　Ｔｅ　。

Ｂｉ　　およびＭｎ　のうち少な（とも１種であり、Ｘ
は０．５≦Ｘ≦２．５である。）で表わされるアルカリ
土類金属珪酸塩系蛍光体。特開昭５５−１２１４３号記
載の一般式が （Ｂａｄ　Ｘ　ｙＭｇｚＣａｙ　）　ＦＸ　：　ｅＥｕ
”　＋（但しＸはＢｒおよびＣｅの中の少なくとも１つ
であり、ア、ｙおよびｅはそれぞれＯ（ｘ　＋　ｙ≦０
．６、ｘｙｌｏおよび１０−６≦ｅ≦５Ｘ１０”なる栄
件を満たす数である。）で表わされるアルカリ土類弗化
ノ１０ゲン化物蛍光体、類開昭５５−１２１４４号記載
の一般式が ＬｎＯＸ　　：　　ｘＡ （但しｌ、ｎはＬａ、Ｙ、Ｇｄおよびｌｕの少なくとも
１つを、Ｘはｃｅ及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び／ス
レまＴｂを、Ｘはｏ　＜　ｘ　＜　０．１を満足する数
字を表わす。）で表わされる蛍光体、特開昭５５−１２
１４５号口己載の一般式が （Ｂａｄ　−ｘＭ　ｚ　）　ＦＸ　：ｙＡ（但しＭ　は
Ｍａ　、　Ｃａ　、　Ｓｒ　、　ＺｎおよびＣｄのうち
の少なくとも１つを、ＸばＣｇ、Ｂｒおよび工のうちの
少なくとも１つを、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ
、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ。

Ｙｂ及びＥｒのうちの少なくとも１つを、Ｘ及びｙは０
≦Ｘ≦０６及びＯ≦ｙ≦０．２なる条件な慴す数字を表
わす。）で表わされる蛍光体、特開昭５５−８４３８９
号記載の一般式がＢａＦＸ、ｘＣａ、ｙＡ　（但し、Ｘ
はＣｅ、Ｂｒ　オよび工のうちの少なくとも１つＡはＩ
ｍ、Ｔｅ、Ｃｄ、ＳｍおよびＺｒのうちの少な（とも１
つであり、Ｘおよびｙはそれぞれ０〈ｘ≦２　Ｘｌ０−
１および０＜ｙ≦５　Ｘ　１０−２である。）で表わさ
れる蛍光体、特開昭５５−１６００７８号記載の一般式
がＭｎＦＸ　ｘＡ　：　ｙＬｎ （但しＭｎはＢａ、Ｃａ、Ｓｒ　、Ｍｇ、ＺｎおよびＣ
ｄのうちの少なくとも１種、ＡはＢｅｏ、ＭｇＯ，Ｃａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＢａＯ，ＺｎＯ。

Ａｅ２ｏ、　、　Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ，、
５ｉＯ１ｙ　ＴｉＯ２、ＺｒＯ２。

Ｇｅｍ、　ｌ　ＳｎＯ２，Ｎｂ、＋よびＴｈｅ、のうち
少なくとも１種、ＬｎはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ　、Ｔｍ、Ｄ
ｙ、Ｐｒ、ＨＯ，Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、ＳｍおよびＧｄの
うちの少なくとも１種、Ｘは（Ｊ、Ｂｒ　および工のう
ちの少なくとも１種であり、Ｘおよびｙはそれぞれ５×
１０≦Ｘ≦０，５およびＯ＜ｙ≦０．２なる東０件を満
たす数である。）で表わされる希土類元素付活２価金属
フルオロハライド蛍光体、一般式がＺｎＳ　：　Ａ、　
ＣｄＳ　：Ａ、　（Ｚｎ　、Ｃｄ　）Ｓ　：Ａ、　Ｚｎ
Ｓ−：Ａ、ＸおよびＣｄＳ：Ａ、Ｘ　（但しＡはＣｕ、
Ａｇ、Ａｕ　　またはＭｎであり、Ｘはハロゲンである
。）で表わされる蛍光体、特願昭５７−１４８２８５号
記載の下記一般式ＣＩｌまたは（社）、 一般式ＣＤ　　ｘｉｓ　（ＰＯ４）２　”　ＮＸ２　：
　ｙＡ一般式Ｄ　　Ｍｓ　（ＰＯ４）２　：　ｙＡ（式
中、ＭおよびＮはそれぞれＭｇ　、　Ｃａ　、　Ｓｒ　
、Ｂａ。

Ｚｎオヨびｃｄの少なくとも１種、Ｘ　ハＦ　、　Ｃｅ
　、Ｂｒおよび■の少なくとも１種、ＡはＥｕ　、　Ｔ
ｂ　、　Ｃｅ　、Ｔｍ。

Ｄｙ　、　Ｐｒ　、Ｈｏ　、Ｎｄ　、Ｙｂ　、Ｅｒ　、
Ｓｂ　、Ｔｅ　、ＭｎおよびＳｎの少なくとも１種を表
わす。またＸおよびｙは、ｏくＸ≦６．０≦ｙ≦１なる
条件を満たす数字である。）で表わされる蛍光体、およ
び下記一般式〔■〕または〔関、 一般式０１１Ｄ　　ｎＲｅＸ３　＠　ｍＡＸ；　：　ｘ
Ｅｕ一般式ＣＩＹＪｎＲｅＸｓ　ｍｍＡＸ４　：ｘＥｕ
　＊　ｙｓｍ（但しＲｅはＬａ、Ｇｄ、　Ｙ　、　Ｌｕ
　　の少なくとも一種、Ａはアルカリ土類金属、Ｂａ、
Ｓｒ、Ｃａ　　の少なくとも一種、ＸおよびＸ′はＦ、
ｃｅ、Ｂｒの少なくとも一種を表わす。またＸおよ・び
ｙは、Ｉ　Ｘ　１０　’　（ｘ　（３Ｘ１（１”、Ｉ　
ＸＩＯ’（７（Ｉ　ＸＩＯ”ナル条件を満たす数字であ
り、％は、１×１ｏ−３＜ｎＡｎ〈７Ｘ１０−１なる条
件を満たす。）で表わされる蛍光体等が挙げもれる。

しかしながら、本発明の放射線画像変換方法に用いられ
る蛍光体は上述の蛍光体に限られるものではなく、放射
線を照射した後励起光を照射し７た場合に輝尽発光を示
すものであればいかなる蛍光体であってもよいことは言
うまでもない。

次に蛍光体パネル１３の製造法の一例を以下に示す。

先づ蛍光体をポリビニルブチラール、硝化綿等のバイン
ダー溶剤溶液（溶剤シクロヘキサン、アセトン、酢酸、
エチルおよび酢酸・ブチルの混液等）に混合し、粘度が
およそ５０センチストークスの塗布液を調製する。次に
この塗布液を水平に置いたポリエチレンテレフタレート
フィルム（支持体）上に均一に塗布し、−昼夜放置し自
然乾燥することによって好ましくは３００μｍ程度の厚
みの蛍光体層を形成し、蛍光体パネル１３とする。支持
体としてはプラスチックフィルムの他に例えば透明なガ
ラス板やアルミニウムなどの金属板等を用いてもよい。

なお、蛍光体パネル１３は第８図（ｂ）に示されるよう
な２枚のガラス板等の透明な基板３３、あ間に蛍光体を
挾みこんで任意の厚さの蛍光体層３２とし、その周囲を
密封した構造のものでも良い。

本発明の放射線画像変換方法において前記蛍光励起波長
領域を含む光を少なくとも放射する光源が用いられる。

この光源はバンドスペクトル分布を持った光を放射する
光源であってもよいし、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、ＹＡＧレー
ザ、ルビーレーザ、Ａｒレーザ、半導体レーザ等の単一
波長の光を放射する光源であってもよい。特にレーザ光
を用いる場合、高い輝尽励起エネルギーを得られる。

（実施例） 次に実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。

実施例１ 蛍光体パネルはＢａＦＢｒ　：Ｅｕから成る蛍光体８重
量部とポリビニルブチラール１重量部を溶剤（シクロヘ
キサン）を用いて分散させ、これをポリエチレンテレフ
タレート基板上に均一に塗布し、−昼夜放置し、自然乾
燥することによって約３００μｍの蛍光体層を形成して
作製した。第９図に該蛍光体の吸収スペクトルＦ及び輝
尽励起スペクトルＧを示した。この蛍光体パネルに管電
圧８０ＫＶのＸ線を１０ミリレントゲン被写体を通して
照射し、１回目の潜像を形成した。次にこの蛍光体パネ
ルに第１０図に示すスペクトルを有するＸｅ−ランプ光
をω万ルックス・秒照射して１回目の潜像を消去し、続
いて１回目の潜像を形成したと同様の方法で２回目の潜
像を形成した。次にこの蛍光体プレートなＡｒレーザで
励起して２回目の潜像を読み出した。

このようにして読み出したＸ線画像は１回目のＸ線画像
に起因する残像ノイズのない鮮明なものであった。

比較例１ 実施例１と同様にして蛍光体パネルを作製し、１回目の
潜像を形成した。次にこの蛍光体パネル・に５００ｎｍ
以下の短波長光を色ガラスフィルターでカットした第１
１図に示すスペクトルを有するＸｅ　−ランプ光を６０
万ルツクス・秒照射し、続いて１回目の潜像を形成した
と同様の方法で２回目の潜像を形成した。次にこの蛍光
体プレートを実施例１と同様にＡｒレーザで励起して２
回目の潜像を読み出した。

このようにして読み出したＸ線画像は１回目のＸ線画像
に起因する残像ノイズにより画像が著しく劣化した。

実施例２ 実施例１と同様にして蛍光体パネルを作製し、１回目の
潜像を形成した。次にこの蛍光体パネルに実施例１と同
様にしてＸｅランプ光を３０万ルツクス・秒照射した後
５００ｎｍ以下の短波長光を色ガラスフィルターでカッ
トした第２図に示すスペクトルを有するタングステンラ
ンプ光を３０万ルツクス・秒照射し、続いて１回目の潜
像を形成したと同様の方法で２回目の潜像を形成した。

次にこの蛍光体プレートナ実施例１と同様はＡｒレーザ
で励起して２回目の潜像を読み出した。このようにして
読み出したＸ線画像は１回目のＸ線画像に起因する残像
ノイズのない鮮明なものであった。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明においてはノイズの原因と
なる前回の放射線画像に起因する残像は新しい放射線画
像の記録前に消去されるのでノイズのない鮮明な放射線
画像を再生することができる。このように本発明は蛍光
体を用いた放射線画像変換方法におけるノイズの問題を
解決するものであり、本発明の工業的利用価値は非常に
太きいものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、光による残像消去状態の時間経過を示す図、
第２図は加熱による残像消去の状態を示す図、第３図は
蛍光体の吸収波長領域の光照射による輝尽発光強度の変
化を示す図、第４図は蛍光体の輝尽励起波長領域の光照
射による輝尽発光強度の変化を示す図、第５図は蛍光体
の吸収波長領域の光と輝尽励起波長領域の光を同時に照
射した場合の輝尽発光強度の変化を示す図、第６図は本
発明の放射線画像変換方法に用いる装置のブロック図、
第７図は本発明の放射線画像変換方法に用いられる残像
消去のための消去装置の概略図、第８図（ａ）および（
ｂ）は、本発明の上記方法に用いられる放射線像変換パ
ネルの構造を示す断面図、第９図は蛍光体の吸収スペク
トル及び輝尽励起スペクトルを示す図、第１０図及び第
１１図はＸｓランプの発光スペクトルを示す図、第１２
図はタングステンランプの発光スペクトルを示す図であ
る。 ｌＯ・・・消去装置　　　　１１・・・放射線発生装置
１２・・・被写体　　　　　１３・・・放射線画像変換
パネル１４・・・励起光源　　　　１５・・・光電変換
装値１６・・画像再生装置　　１７・・・画像表示装置
１８・・・フィルター　　　（９）・・・消去用光源２
１・・・支持体　　　　　ｎ・・・フィルター加・・・
支持体　　　　　３１　、３２・・・蛍光体層３３　、
３４・・・透明支持体 代理人　　桑　原　義　美 第　１　口 １　　　　　　１０　　　　　　１（Ｘ）　　　　　　
＋α℃光照酊誘藺　　−ｍ−→ 第２図 １　　　　　　１０　　　　　１００　　　　　　Ｔｏ
。 刀ロ３Ｎ４０デト聞−−−−−−−−−−らン第３　目 ０　　　　２　　　　４　　　　６８　　　　１０ノで
イ〜ルイ立　置　−〉 °あ　→　　６シ ハ６−ギデーノｌし・・１スク＝１　　　−６シ・第５
　図 ０　　　２　　　４　　　４　　　　Ｂ　　　　１０ノ
（０−？ル　拉　ｉ　−一−−−） 第　８　図 （シ）　　　　　　　　　　　　（ｂ）３０　３１　　
　　　　　　　３３　３２　３４第９図 ２００　　　　　　　４００　　　　　　　４ω　　　
　　　　　ざυヲ】：芝＝おミ、（ｎｍ） 第１０田 濠畏（ｎｒｎ） Ｎｌｌ　　面 第＋２１１ シ＊４ｔｎｒＦ１７

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 輝尽性螢光体から成る放射線画１象変挨パネルに、放射
   緋−隙全照射することによって前記放射線画１象変換パ
   ネルに１様に照射放射線のエネルギーを蓄積せしめ、し
   かる後該放射線画昧俊換パネルを前記輝尽性螢光体の輝
   尽励起波長領域に含才れる光で励起して前記放射線画像
   変換パネルに蓄積された放射線エイ・ルギーを輝尽光と
   １−で放出せしめ、これを検出して画橡を再生する放射
   線画１．４：変換方法において、放射線画像記録前、あ
   るいは（ｌ！ｊｌ像再生後の前ｑ己放射ＧＵ像変換パネ
   ルに前記螢光体の吸収波長領域と輝尽励起波長領域とを
   含む光を照射して、さきの放射線ＵＩ厳に起因する蓄積
   された残留放射想工洋ルキーを消云することを特徴とす
   る放射線画１象変換方法。