JPH0430728U - - Google Patents

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JPH0430728U
JPH0430728U JP7218790U JP7218790U JPH0430728U JP H0430728 U JPH0430728 U JP H0430728U JP 7218790 U JP7218790 U JP 7218790U JP 7218790 U JP7218790 U JP 7218790U JP H0430728 U JPH0430728 U JP H0430728U
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etched
dry etching
impedance
substrate
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JP7218790U
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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案にかかるドライエツチング装置
の要部断面図、第２図は本考案にかかる下部電極
の平面図、第３図は従来のドライエツチング装置
の要部断面図である。 図において、１は反応チヤンバ、２は上部電極
、３，９は下部電極、４はウエハー、５はガス導
入口、６は排気口、７は絶縁体、８は高周波電源
、１０は制御系、９ａ〜９ｑは下部電極の各ブロ
ツク、Ｚａ〜Ｚｆは各ブロツクに接続する各イン
ピーダンスを示している。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 電極上に被エツチング基板を載置し、高周波電
    力を印加してエツチングするドライエツチング装
    置において、 前記電極を複数ブロツクに絶縁分割し、各ブロ
    ツクにそれぞれインピーダンスを接続して該イン
    ピーダンスを個々に制御し、前記電極上に載置し
    た被エツチング基板のエツチング速度を選択的に
    相違させるように構成してなることを特徴とする
    ドライエツチング装置。
JP7218790U 1990-07-04 1990-07-04 Pending JPH0430728U (ja)

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JP7218790U JPH0430728U (ja) 1990-07-04 1990-07-04

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JPH0430728U true JPH0430728U (ja) 1992-03-12

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JP (1) JPH0430728U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001144079A (ja) * 1999-09-03 2001-05-25 Ulvac Japan Ltd プラズマ処理装置
JP2008244063A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001144079A (ja) * 1999-09-03 2001-05-25 Ulvac Japan Ltd プラズマ処理装置
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