JPH0430795Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この考案は例えば高速応答型ICを試験するIC
試験装置に用いて好適なICソケツトに関する。

「従来の技術」 ICの機能を試験するにはICを所定の電気回路
に接続し、動作状態におく必要がある。この場合
ICの端子を半田付けによつて電気回路に接続す
る方法が採れないから普通はソケツトによつて
ICを電気回路に対して着脱自在に接続し、ICを
自動的に交換しながらICを順次試験する方法が
採られている。

第４図及び第５図に従来のICソケツトを示す。

第４図に示すICソケツトは端子がプリント基
板の孔に差し込まれて実装される形式のICと嵌
合するソケツトの場合を示す。

つまり絶縁ブロツク１にコンタクト収納孔２が
形成され、このコンタクト収納孔２に合掌形のコ
ンタクト３を装着し、この合掌形コンタクト３に
IC４の端子５を差し込んで接触させる構造とさ
れる。

第５図に示すICソケツトは表面実装用ICを接
続するICソケツトの構造を示す。

このICソケツトは絶縁ブロツク１に形成され
たコンタクト収納孔２に接片形コンタクト６が装
着され、この接片形コンタクト６に表面実装用
IC７の端子８を圧接させて接触させる構造とさ
れる。

「考案が解決しようとする問題点」 従来のICソケツトのコンタクト３及び６はIC
４又は７の端子５又は８に対し、接触力を確保す
ること及びバネ寿命を考慮すると支持部９と接触
部までの間の機械的な長さＬが必要となる。

この結果コンタクト３又は６の部分に第６図に
示すようにインダクタンス成分１０が発生し、高
速信号が流れるとき、このインダクタンス成分１
０が邪魔な存在となる。

特にICに電力を供給する電源端子の回路にイ
ンダクタンス成分が存在すると、ICが動作する
のに伴なつて電流消費量が高速度で変化したとす
ると、その高速電流がインダクタンス成分１０を
通ることによつて電圧降下を生じさせ、ICに与
えられる電源電圧が第７図に示すように高速度に
変化し、これが被試験ICの動作に悪い影響を与
え、高速動作型ICの試験の信頼性を悪化させて
いる。

「問題点を解決するための手段」 この考案ではICソケツトを構成する絶縁ブロ
ツクの外壁面に互に絶縁された二枚の導電層を形
成し、この二枚の導電層に電源供給回路を接続す
ると共に、この二枚の導電層とICの電源端子に
接触するコンタクトとの間を接続片で接続し、更
に二枚の導電層の間にコンデンサを接続した構造
としたものである。

この考案の構造によればICソケツトを構成す
る絶縁ブロツクの外壁面に導電層を形成する構造
としたから、この導電層の厚み及び面積を大きく
採ることができる。

この結果導電層のインダクタンス成分を小さく
することができ、この導電層を接続片を介して
ICの電源端子と接触するコンタクトの遊端側に
接続するから電源端子と接触するコンタクトのイ
ンダクタンス成分を導電層によつて短絡すること
ができ、実質的にインダクタンス成分を除去する
ことができる。

更に、この考案では二枚の導電層の間にコンデ
ンサを接続したから、このコンデンサの接続によ
つてICの電源端子の間の極く間近かにコンデン
サが接続されたことになり、電源電圧の変動を除
去する作用が得られる。

「実施例」 第１図にこの考案の一実施例を示す。この実施
例では合掌形コンタクト３を具備したICソケツ
トにこの考案を適用した場合を示す。

図中１１Ａ，１１Ｂは絶縁ブロツク１の外壁面
に形成した二枚の導電層を示す。この二枚の導電
層１１Ａ，１１Ｂは例えば銅箔等を被着して形成
することができる。

この例ではデイアルインライン型IC用のソケ
ツトにこの考案を適用した場合を示す。このため
ICソケツトのコンタクト３は絶縁ブロツク１に
対してデイアルインラインに配列して形成された
コンタクト収納孔２に収納され、更にコンタクト
収納孔２が配列された外側の外壁面のそれぞれに
導電層１１Ａ，１１Ｂを被着形成する。

デイアルインライン型ICの場合、電源端子は
二列の端子の配列の互に逆の端部に設けられる。
従つて第１図の例では３Ａ，３ＢはIC４の電源
端子と接触するコンタクトを示す。

この考案ではこの電源端子と接触するコンタク
ト３Ａ，３Ｂの遊端側と導電層１１Ａ，１１Ｂの
間を接続片１２で接続する構造としたものであ
る。

このためにコンタクト３Ａと３Ｂを収納したコ
ンタクト収納孔２と外壁面との間にスリツト１３
を形成し、このスリツト１３を通じて接続片１２
をコンタクト収納孔２と外壁面との間に挿通す
る。接続片１２の一端側はＬ字状に折曲げて導電
層１１Ａ，１１Ｂに溶着、或は半田付し、他端は
コンタクト３Ａと３Ｂの遊端側、特にIC４の端
子５との接触部に可及的に近接した位置に電気的
に接続する。

コンタクト３Ａ，３Ｂから接触片１２に受ける
偏倚力は接触片１２のたわみと、導電層１１Ａ，
１１Ｂが外側にたわむことによつて吸収すること
ができる。

導電層１１Ａ，１１Ｂは絶縁ブロツク１の裏面
側にも延長形成され、この部分でコンタクト３
Ａ，３Ｂの基部側と電気的に接続すると共に、互
に対向する部分にコンデンサ１４を接続する。こ
のコンデンサ１４は例えば0.3マイクロフアラド
程度の容量でよい。

第３図はこの考案の他の実施例を示す。この例
では平面実装型ICソケツトにこの考案を適用し
た場合を示す。

この場合もコンタクト収納孔２と外壁面との間
にスリツト１３を形成し、このスリツト１３を通
じて接続片１２を絶縁ブロツク１の外壁面とコン
タクト収納孔２の間に挿通し、一端を導電層１１
Ａ，１１Ｂにそれぞれ接続し、他端側をIC７の
電源端子と接触するコンタクト６Ａと６Ｂにそれ
ぞれ接続する。

「考案の効果」 以上説明したようにこの考案によればICソケ
ツトのICの電源端子と接触するコンタクト３Ａ，
３Ｂ又は６Ａ，６Ｂの遊端側を絶縁ブロツク１の
外壁面に被着形成した導電層１１Ａ，１１Ｂに接
続し、更にコンタクト３Ａ，３Ｂ又は６Ａ，６Ｂ
の基端側を導電層１１Ａ，１１Ｂに接続した構造
としたからコンタクト３Ａ，３Ｂ及び６Ａ，６Ｂ
は導電層１１Ａ，１１Ｂによつて電気的に導通さ
れ、インダクタンス成分を導電層１１Ａ，１１Ｂ
によつて短絡することができる。

よつてコンタクト３Ａ，３Ｂ又は６Ａ，６Ｂの
インダクタンス成分は等価的に除去されたと見る
ことができ、この結果高速動作型のICを接続し
て動作させても電源回路にインダクタンス成分が
存在しないからICに与えられる電源電圧がICに
流れる電流の変化によつて変動することがない。
よつてICを安定に動作させることができる。

更に導電層１１Ａ，１１Ｂの間にコンデンサ１
４を接続したから接続片１２等にわずかに存在す
るインダクタンス成分によつて電圧変動が発生し
たとしても、このコンデンサ１４によつてその電
圧変動を平滑することができ、ICの電源電圧を
更に一層安定化させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の一実施例を示す平面図、第
２図は第１図に示すＡ−Ａ線上の断面図、第３図
はこの考案の変形実施例を示す断面図、第４図及
び第５図は従来の技術を説明するための断面図、
第６図は従来の技術の欠点を説明するための等価
回路図、第７図は従来の技術の欠点を説明するた
めの波形図である。 １……絶縁ブロツク、２……コンタクト収納
孔、３，６……コンタクト、３Ａ，３Ｂ，６Ａ，
６Ｂ……ICの電源端子に接続されるコンタクト、
４……デイアルライン型IC、５，８……ICの端
子、７……平面実装用IC、１１Ａ，１１Ｂ……
導電層、１２……接続片、１３……スリツト、１
４……コンデンサ。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 Ａ ICの端子と接触するコンタクトが絶縁ブロ
   ツクに形成されたコンタクト収納孔に装着され
   て構成されたICソケツトにおいて、 Ｂ ICソケツトを構成する絶縁ブロツクの外壁
   面に被着した少なくとも二枚の導電層と、 Ｃ この二枚の導電層とICの電源端子と接触す
   るコンタクトの遊端側の間をそれぞれ接続する
   接続片と、 Ｄ 上記二枚の導電層の間に接続したコンデンサ
   と、 から成るICソケツト。