JPH04309256A - リードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体チップ製造に用い
られるリードフレームに関し、特に半導体チップを組み
付けるアイランド部にディンプル加工を施したリードフ
レームに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体チップの小型軽量化に伴い
、リードフレームも同様にコンパクト化の傾向にある。 また、このような半導体チップにおいては、封止効率の
向上による信頼性向上が要求される。このため、従来よ
り、リードフレームのアイランド部（半導体チップの組
み付け部）に凹部（ディンプル）を形成することによっ
て、モールド成型時に封止材を当該凹部に入り込ませ、
封止材とリードフレームの喰い付き、密着性を向上させ
ている。

【０００３】図４には、従来のリードフレームのアイラ
ンド部の平面状態（ディンプル配置）が示されている。 図から分かるように、従来のリードフレームにおいては
、アイランド部１０の片面に、プレス加工により略均一
にディンプル１２が形成されている。これにより、モー
ルド成型時に封止材（図示せず）がディンプル１２の凹
部に入り込み、リードフレームと封止材の喰い付き、密
着性が向上する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の方式では、ディンプル加工時の加工歪がア
イランド部に残留歪として残り、ディンプル加工側に凸
状の反りが発生するという問題点があった。すなわち、
一般にアイランドの反りは、実用上Ｘ軸，Ｙ軸共に２０
μｍ以下に抑える必要があるのに対し、従来のリードフ
レームの反りは、ディンプル深さを３０μｍとした場合
にＸ軸２０〜３０μｍ，Ｙ軸７０〜　１００μｍ、ディ
ンプル深さを５〜１０μｍとした場合にＸ軸１０〜２０
μｍ，Ｙ軸３０〜４０μｍとなる。

【０００５】上記のような反りは、反対方向に突起物を
設けた修正駒で強制的に修正することも可能であるが、
修正可能な反り量は３０〜４０μｍが限界であるため、
ディンプル深さ５〜１０μｍの場合の修正後のアイラン
ド反りは、一般的にＸ軸１０μｍ、Ｙ軸２０μｍ程度が
限界とされている。

【０００６】そして、上記のようなアイランド部の反り
は、チップボンディング不良や、ワイヤボンディング不
良、封止不良等を引き起こす原因となっていた。

【０００７】他方、上記のような不都合を解決する手段
として、図５に示されているように、リードフレームの
両面にディンプルを形成し、アイランド表面の残留歪を
表裏で打ち消すことによって、反りを減少させる方法も
あるが、プレス加工時のバラツキにより量産上安定した
品質を得るのは困難である。また、ディンプルの加工方
法としては、プレス加工の他にエッチング加工による方
法もあり、エッチング加工によれば加工歪の影響が小さ
く所望の形状，深さのディンプルを形成することが可能
であるが、製造工程が複雑となり生産性が低下するとい
う不都合がある。

【０００７】

【発明の目的】本発明はかかる点に鑑みてなされたもの
であり、リードフレームと封止材の密着性が高く、生産
性に優れ、且つディンプル加工によるアイランド反りの
ないリードフレームを提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、半導体チップを組み付けるためのアイラン
ド部の片面に、リードフレーム板厚の１／２程度（５０
〜７０μｍ）の深さにプレス成形された多数のディンプ
ル（凹部）よって各々構成される複数のディンプル領域
と、これら複数のディンプル領域の各々の間に、ディン
プル成形時にアイランド部に生じる残留歪みを緩衝する
ディンプル成形されない所定の非ディンプル領域とを備
えている。

【０００９】

【作用】本発明は、上記のように複数のディンプル領域
の間に所定の非ディンプル領域を設けているため、プレ
ス加工によってアイランド部に生じる残留歪みが当該非
ディンプル領域において０となり、アイランド部全体の
反りが緩和される。従って、ディンプル加工後、修正駒
等による若干の修正を加えることにより、アイランド部
の反りが殆どなくなる。一方、ディンプルはリードフレ
ーム板厚の１／２程度（５０〜７０μｍ）と、従来の約
５倍の深さに成形しているため、封止材との密着性も高
い。 また、ディンプルはアイランド部の片面に、プレス加工
によって成形されるため、１回のプレス工程によって容
易に形成することができる。

【００１０】

【実施例】次に、本発明の一実施例を添付図面を参照し
つつ詳細に説明する。図１には実施例に係るリードフレ
ーム２０の全体の構造が示され、図２にはリードフレー
ム２０の中央に形成されたアイランド部２２の表面状態
（ディンプル配置）が示されている。なお、図１におい
ては、リードフレーム２０として通常のデュアル・イン
ライン・パッケージ（ＤＩＰ）タイプを一例として示す
が、半導体の用途によって種々の形状のリードフレーム
およびアイランド形状となることは言うまでもない。

【００１１】アイランド部２２の片面には、複数のディ
ンプル２４が、３つのブロック状に形成されている。そ
して、各ブロックの間に、１〜５ｍｍ程度の非ディンプ
ル領域２６が設けられている。なお、ブロック数はアイ
ランド形状、大きさ、ディンプル数により変更すること
も可能である。

【００１２】上記のようなディンプル２４は、アイラン
ド成型打抜きの前、あるいは後にディンプル・コイニン
グ加工を行うことによって成形する。成形されるディン
プル２４の形状は、円錐形，四角錐形等の凹形状であり
、リードフレーム板厚の１／２程度の深さ（５０〜７０
μｍ）とする。

【００１３】上記のように構成された実施例においては
、３つのディンプル領域の各々間に２つの非ディンプル
領域２６を設けているため、プレス加工により生じる残
留歪が非ディンプル領域２６で０となり、アイランド部
２２全体の反りが緩和され、ディンプル深さ５０〜７０
μｍのアイランド部の反りは１５〜２５μｍとなる。従
って、ディンプル加工後、反りと反対方向への若干の修
正（０．３ｍｍ程度の突起を設けた修正駒によりプレス
加工時に修正）を加えることにより、アイランド部２２
の反りがほとんどなくなる。一方、ディンプル２４はア
イランド部２２の片面にのみに形成しているが、リード
フレーム２０の板厚の１／２程度（５０〜７０μｍ）と
、従来の約５倍の深さに形成しているため、封止材との
密着性も高く、また、１回のプレス工程によって容易に
成形することができる。

【００１４】図３には、本発明の他の実施例に係るアイ
ランド部２８の表面状態（ディンプル配置）が示されて
いる。この例は、ディンプル２４による周囲の輪郭部と
内部ブロックとの間に非ディンプル領域３０を形成した
ものである。この実施例においても、上記図２に示した
実施例と同様の作用効果が得られる。

【００１５】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、ディンプル２４の配置は、図２及び図３に
示されたものの他に、放射状等にしても良い。

【発明の効果】以上説明したように、本発明によるリー
ドフレームは、半導体チップを組み付けるためのアイラ
ンド部の片面に、リードフレーム板厚の１／２程度（５
０〜７０μｍ）の深さにプレス成形された多数のディン
プル（凹部）よって各々構成される複数のディンプル領
域と、これら複数のディンプル領域の各々の間に、ディ
ンプル成形時にアイランド部に生じる残留歪みを緩衝す
るディンプル成形されない所定の非ディンプル領域とを
備えているため、ディンプル加工によるアイランド反り
を極小に抑えることができるという効果がある。また、
リードフレームの生産性が向上するとともに、寸法精度
の優れた高品質のリードフレームを提供できるという効
果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、リードフレームの全体構造を示す平面
図である。

【図２】図２は、実施例に係るリードフレームのアイラ
ンド部のディンプル配置を示す平面図である。

【図３】図３は、本発明の他の実施例に係るリードフレ
ームのアイランド部のディンプル配置を示す平面図であ
る。

【図４】図４は、従来のリードフレームのアイランド部
のディンプル配置を示す平面図である。

【図５】図５は、従来のリードフレームのアイランド部
の構造を示す断面図である。

【符号の説明】

２０　　　　　　リードフレーム ２２，２８　　　　　　アイランド部 ２４　　　　　　ディンプル

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　半導体チップを組み付けるためのアイ
   ランド部を有するリードフレームにおいて、前記アイラ
   ンド部の片面に、前記リードフレーム板厚の１／２程度
   の深さにプレス成形された多数のディンプル（凹部）よ
   って各々構成される複数のディンプル領域と、前記複数
   のディンプル領域の各々の間に、前記ディンプル成形時
   に前記アイランド部に生じる残留歪みを緩衝するディン
   プル成形されない所定の非ディンプル領域とを備えたこ
   とを特徴とするリードフレーム。