JPH0864749A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH0864749A JPH0864749A JP6200865A JP20086594A JPH0864749A JP H0864749 A JPH0864749 A JP H0864749A JP 6200865 A JP6200865 A JP 6200865A JP 20086594 A JP20086594 A JP 20086594A JP H0864749 A JPH0864749 A JP H0864749A
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- JP
- Japan
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- lead frame
- island
- dimple
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】アイランド部の反りの低減が図れると共に、製
造コストの低減が図れるリードフレームを提供する。 【構成】アイランド部３にディンプル７の加工を施して
なるリードフレーム１において、上記アイランド部３の
周縁部におけるディンプル加工が施されない無加工部９
の幅ｗを０．１mm以下にしてある。従って、アイランド
部３の周縁部の無加工部９の幅ｗが０．１mm以下と狭い
ため、アイランド部３にプレス成型によりディンプル加
工を施しても、ディンプル加工部の材料の伸びに追従し
て周縁部の材料も伸びるようになり、アイランド部３の
反りを低減することが可能となる。また、プレス成型で
ディンプル加工を施せることから、リードフレーム１の
製造コストの低減が図れる。
造コストの低減が図れるリードフレームを提供する。 【構成】アイランド部３にディンプル７の加工を施して
なるリードフレーム１において、上記アイランド部３の
周縁部におけるディンプル加工が施されない無加工部９
の幅ｗを０．１mm以下にしてある。従って、アイランド
部３の周縁部の無加工部９の幅ｗが０．１mm以下と狭い
ため、アイランド部３にプレス成型によりディンプル加
工を施しても、ディンプル加工部の材料の伸びに追従し
て周縁部の材料も伸びるようになり、アイランド部３の
反りを低減することが可能となる。また、プレス成型で
ディンプル加工を施せることから、リードフレーム１の
製造コストの低減が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に用いられ
るリードフレームに係り、特にアイランド部にディンプ
ル加工を施してなるリードフレームに関する。
るリードフレームに係り、特にアイランド部にディンプ
ル加工を施してなるリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置は、リードフレーム
のアイランド部に半導体素子を搭載した後、リードフレ
ームの各リード部の内端と上記半導体素子の各電極とを
ワイヤで接続し、更にこれらアイランド部、半導体素
子、リード部の内端及びワイヤを樹脂で封止することに
より形成される。この場合における上記リードフレーム
のアイランド部と封止樹脂との接着強度の向上等を図る
ために、上記リードフレームのアイランド部に複数のデ
ィンプル（窪み）を加工することが一般に行われている
（特開昭５５−１６０４４９号公報、特開平５−１０９
９７１号公報、特開平５−２１８２７５号公報等参
照）。
のアイランド部に半導体素子を搭載した後、リードフレ
ームの各リード部の内端と上記半導体素子の各電極とを
ワイヤで接続し、更にこれらアイランド部、半導体素
子、リード部の内端及びワイヤを樹脂で封止することに
より形成される。この場合における上記リードフレーム
のアイランド部と封止樹脂との接着強度の向上等を図る
ために、上記リードフレームのアイランド部に複数のデ
ィンプル（窪み）を加工することが一般に行われている
（特開昭５５−１６０４４９号公報、特開平５−１０９
９７１号公報、特開平５−２１８２７５号公報等参
照）。
【０００３】上記リードフレームのアイランド部にディ
ンプル加工を施す方法としては、金型を用いたプレス成
型による加工方法と、エッチングによる加工方法とがあ
る。前者のプレス成型による加工方法は、後者のエッチ
ングによる加工方法と比べて製造コストの低減が図れる
利点を有している。また、従来のリードフレームにおい
ては、図８に示すようにアイランド部３の周縁部にディ
ンプル７の加工が施されない無加工部９を比較的広い幅
で残して、アイランド部３の中央領域にのみディンプル
７の加工が施されていた。
ンプル加工を施す方法としては、金型を用いたプレス成
型による加工方法と、エッチングによる加工方法とがあ
る。前者のプレス成型による加工方法は、後者のエッチ
ングによる加工方法と比べて製造コストの低減が図れる
利点を有している。また、従来のリードフレームにおい
ては、図８に示すようにアイランド部３の周縁部にディ
ンプル７の加工が施されない無加工部９を比較的広い幅
で残して、アイランド部３の中央領域にのみディンプル
７の加工が施されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のリードフレームにおいては、アイランド部に施
したプレス成型によるディンプル加工に起因してアイラ
ンド部に反りが発生するという問題があった。これは、
アイランド部におけるディンプル加工を施した部分の材
料がプレス成型時に図８に矢印で示す方向に伸びるのに
対して、無加工部である周縁部の材料が伸びないため、
アイランド部に残留応力が生じるためである。このた
め、リードフレームの大半が、エッチングによりディン
プル加工されているのが現状であり、製造コストの増大
を余儀なくされていた。
た従来のリードフレームにおいては、アイランド部に施
したプレス成型によるディンプル加工に起因してアイラ
ンド部に反りが発生するという問題があった。これは、
アイランド部におけるディンプル加工を施した部分の材
料がプレス成型時に図８に矢印で示す方向に伸びるのに
対して、無加工部である周縁部の材料が伸びないため、
アイランド部に残留応力が生じるためである。このた
め、リードフレームの大半が、エッチングによりディン
プル加工されているのが現状であり、製造コストの増大
を余儀なくされていた。
【０００５】本発明の目的は、上記問題点を解決し、ア
イランド部の反りの低減が図れると共に、製造コストの
低減が図れるリードフレームを提供することにある。
イランド部の反りの低減が図れると共に、製造コストの
低減が図れるリードフレームを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載のリードフレームは、アイランド部にデ
ィンプル加工を施してなるリードフレームにおいて、上
記アイランド部の周縁部におけるディンプル加工が施さ
れない無加工部の幅を０．１mm以下にしたことを特徴と
する。
に請求項１記載のリードフレームは、アイランド部にデ
ィンプル加工を施してなるリードフレームにおいて、上
記アイランド部の周縁部におけるディンプル加工が施さ
れない無加工部の幅を０．１mm以下にしたことを特徴と
する。
【０００７】請求項２記載のリードフレームは、アイラ
ンド部にディンプル加工を施してなるリードフレームに
おいて、上記アイランド部の周縁部におけるディンプル
加工が施されない無加工部を残さずにアイランド部の周
縁部を含む全域にディンプル加工を均等に施してなるこ
とを特徴とする。
ンド部にディンプル加工を施してなるリードフレームに
おいて、上記アイランド部の周縁部におけるディンプル
加工が施されない無加工部を残さずにアイランド部の周
縁部を含む全域にディンプル加工を均等に施してなるこ
とを特徴とする。
【０００８】請求項３記載のリードフレームは、アイラ
ンド部にディンプル加工を施してなるリードフレームに
おいて、上記アイランド部の周縁部に適宜間隔で圧痕を
施してなることを特徴とする。
ンド部にディンプル加工を施してなるリードフレームに
おいて、上記アイランド部の周縁部に適宜間隔で圧痕を
施してなることを特徴とする。
【０００９】
【作用】請求項１記載のリードフレームによれば、アイ
ランド部の周縁部の無加工部の幅が０．１mm以下と狭く
したため、アイランド部にプレス成型によりディンプル
加工を施しても、ディンプル加工部の材料の伸びに追従
して周縁部の材料も伸びるようになり、アイランド部の
残留応力が低減する。従って、アイランド部の反りの低
減が図れ、また、プレス成型でディンプル加工を施せる
ことから、リードフレームの製造コストの低減が図れ
る。
ランド部の周縁部の無加工部の幅が０．１mm以下と狭く
したため、アイランド部にプレス成型によりディンプル
加工を施しても、ディンプル加工部の材料の伸びに追従
して周縁部の材料も伸びるようになり、アイランド部の
残留応力が低減する。従って、アイランド部の反りの低
減が図れ、また、プレス成型でディンプル加工を施せる
ことから、リードフレームの製造コストの低減が図れ
る。
【００１０】請求項２記載のリードフレームによれば、
アイランド部の周縁部に無加工部を残さずにアイランド
部の周縁部を含む全域にディンプル加工を均等に施して
いるため、アイランド部の全域が均等に伸びるようにな
り、アイランド部の残留応力が低減若しくは生じない。
従って、アイランド部の反りの低減ないし解消が図れ、
また、プレス成型でディンプル加工を施せることから、
リードフレームの製造コストの低減が図れる。
アイランド部の周縁部に無加工部を残さずにアイランド
部の周縁部を含む全域にディンプル加工を均等に施して
いるため、アイランド部の全域が均等に伸びるようにな
り、アイランド部の残留応力が低減若しくは生じない。
従って、アイランド部の反りの低減ないし解消が図れ、
また、プレス成型でディンプル加工を施せることから、
リードフレームの製造コストの低減が図れる。
【００１１】請求項３記載のリードフレームによれば、
アイランド部の周縁部に適宜間隔で圧痕を施しているた
め、ディンプル加工部の材料の伸びに対して周縁部の材
料も圧痕の加工により伸びてバランスするようになり、
アイランド部の残留応力が低減若しくは解消する。従っ
て、アイランド部の反りの低減ないし解消が図れ、ま
た、プレス成型でディンプル加工及び圧痕を施せること
から、リードフレームの製造コストの低減が図れる。
アイランド部の周縁部に適宜間隔で圧痕を施しているた
め、ディンプル加工部の材料の伸びに対して周縁部の材
料も圧痕の加工により伸びてバランスするようになり、
アイランド部の残留応力が低減若しくは解消する。従っ
て、アイランド部の反りの低減ないし解消が図れ、ま
た、プレス成型でディンプル加工及び圧痕を施せること
から、リードフレームの製造コストの低減が図れる。
【００１２】
【実施例】以下に、本発明の実施例を添付図面に基いて
詳述する。
詳述する。
【００１３】図２において、１は帯状に連続した金属薄
板の打抜き加工により形成されるリードフレームであ
り、このリードフレーム１には形成すべき半導体装置よ
りも大きい方形の枠部２が長手方向に隣接して形成され
る。上記枠部２の中央には半導体素子を搭載するための
方形のアイランド部３が上下の連結部４を介して形成さ
れ、枠部２には上記アイランド部３の四辺から非接触で
放射状に配されたリード部５が形成される。このような
リードフレーム１の製造工程において、上記アイランド
部３の半導体素子が搭載される面とは反対側の面には、
図４に示すような金型６を用いたプレス成型によって図
３ないし図１に示すようなディンプル７の加工が施され
る。上記金型６は、上記ディンプル７を加工するための
例えば角錐形状のパンチ部８を縦横所定の配列にて複数
有し、これらパンチ部８を上記アイランド部３の加工面
に押圧することによりディンプル７を均等の間隔で加工
するように構成されている。
板の打抜き加工により形成されるリードフレームであ
り、このリードフレーム１には形成すべき半導体装置よ
りも大きい方形の枠部２が長手方向に隣接して形成され
る。上記枠部２の中央には半導体素子を搭載するための
方形のアイランド部３が上下の連結部４を介して形成さ
れ、枠部２には上記アイランド部３の四辺から非接触で
放射状に配されたリード部５が形成される。このような
リードフレーム１の製造工程において、上記アイランド
部３の半導体素子が搭載される面とは反対側の面には、
図４に示すような金型６を用いたプレス成型によって図
３ないし図１に示すようなディンプル７の加工が施され
る。上記金型６は、上記ディンプル７を加工するための
例えば角錐形状のパンチ部８を縦横所定の配列にて複数
有し、これらパンチ部８を上記アイランド部３の加工面
に押圧することによりディンプル７を均等の間隔で加工
するように構成されている。
【００１４】そして、本実施例では、図１に示すように
上記アイランド部の周縁部におけるディンプル７の加工
が施されない無加工部９の幅ｗが０．１mm以下に設定さ
れている。すなわち、上記無加工部９の幅ｗを０．１mm
以下とすることにより、ディンプル加工部の材料の伸び
１０ａに対して無加工部９の材料の張力が負け、無加工
部９の材料もディンプル加工部の材料の伸び１０ａに追
従して伸びる１０ｂようになる。従って、ディンプル加
工部の伸び１０ａを周縁部で拘束する拘束力が低減する
ことから、アイランド部３の残留応力が低減し、アイラ
ンド部３の反り変形の低減が図れるようになっている。
上記アイランド部の周縁部におけるディンプル７の加工
が施されない無加工部９の幅ｗが０．１mm以下に設定さ
れている。すなわち、上記無加工部９の幅ｗを０．１mm
以下とすることにより、ディンプル加工部の材料の伸び
１０ａに対して無加工部９の材料の張力が負け、無加工
部９の材料もディンプル加工部の材料の伸び１０ａに追
従して伸びる１０ｂようになる。従って、ディンプル加
工部の伸び１０ａを周縁部で拘束する拘束力が低減する
ことから、アイランド部３の残留応力が低減し、アイラ
ンド部３の反り変形の低減が図れるようになっている。
【００１５】このように構成されたリードフレーム１を
用いて半導体装置を製造する場合には、図５に示すよう
にアイランド部３のディンプル加工面とは反対側の面に
半導体素子１１を搭載した後、リードフレーム１の各リ
ード部５の内端と上記半導体素子１１の各電極とをワイ
ヤ１２で接続する。上記アイランド部３、半導体素子１
１、リード部５の内端及びワイヤ１２を樹脂１３で封止
した後、リードフレーム１の枠部２からリード部５を切
り離すことにより半導体装置１４が得られる。そして、
この半導体装置１４においては、アイランド部３にディ
ンプル加工が施されているため、リードフレーム１のア
イランド部３と封止樹脂１３との接着強度の向上等が図
れる。
用いて半導体装置を製造する場合には、図５に示すよう
にアイランド部３のディンプル加工面とは反対側の面に
半導体素子１１を搭載した後、リードフレーム１の各リ
ード部５の内端と上記半導体素子１１の各電極とをワイ
ヤ１２で接続する。上記アイランド部３、半導体素子１
１、リード部５の内端及びワイヤ１２を樹脂１３で封止
した後、リードフレーム１の枠部２からリード部５を切
り離すことにより半導体装置１４が得られる。そして、
この半導体装置１４においては、アイランド部３にディ
ンプル加工が施されているため、リードフレーム１のア
イランド部３と封止樹脂１３との接着強度の向上等が図
れる。
【００１６】上記構成からなるリードフレーム１におい
ては、アイランド部３の周縁部の無加工部９の幅ｗが
０．１mm以下と狭くされているため、アイランド部３に
プレス成型によりディンプル７の加工を施しても、ディ
ンプル加工部の材料の伸びに追従して周縁部の材料も伸
びるようになり、アイランド部３の残留応力が低減す
る。従って、アイランド部３の反りの低減が図れ、ま
た、プレス成型でディンプル７の加工を施せることか
ら、リードフレーム１の製造コストの低減が図れる。
ては、アイランド部３の周縁部の無加工部９の幅ｗが
０．１mm以下と狭くされているため、アイランド部３に
プレス成型によりディンプル７の加工を施しても、ディ
ンプル加工部の材料の伸びに追従して周縁部の材料も伸
びるようになり、アイランド部３の残留応力が低減す
る。従って、アイランド部３の反りの低減が図れ、ま
た、プレス成型でディンプル７の加工を施せることか
ら、リードフレーム１の製造コストの低減が図れる。
【００１７】図６は、本発明に係るリードフレームの他
の実施例を部分的に示している。本実施例のリードフレ
ーム１は、アイランド部３の周縁部に無加工部を残さず
にアイランド部３の周縁部を含む全域にプレス成型によ
りディンプル７の加工が均等に施されている。従って、
上記リードフレーム１においては、アイランド部３の周
縁部を含む全域にディンプル加工が均等に施されること
により、アイランド部３の周縁部を含む全域が均等に伸
びるようになるため、アイランド部３の反りの低減ない
し解消が図れる。また、プレス成型でアイランド部の全
域にディンプル７の加工を施せることから、リードフレ
ーム１の製造コストの低減が図れる。
の実施例を部分的に示している。本実施例のリードフレ
ーム１は、アイランド部３の周縁部に無加工部を残さず
にアイランド部３の周縁部を含む全域にプレス成型によ
りディンプル７の加工が均等に施されている。従って、
上記リードフレーム１においては、アイランド部３の周
縁部を含む全域にディンプル加工が均等に施されること
により、アイランド部３の周縁部を含む全域が均等に伸
びるようになるため、アイランド部３の反りの低減ない
し解消が図れる。また、プレス成型でアイランド部の全
域にディンプル７の加工を施せることから、リードフレ
ーム１の製造コストの低減が図れる。
【００１８】図７は、本発明に係るリードフレームの他
の実施例を部分的に示している。本実施例のリードフレ
ーム１は、アイランド部３の周縁部を除く中央領域にプ
レス成型によりディンプル７の加工が均等に施されると
共に、アイランド部３の周縁部に適宜間隔で圧痕１５が
施されている。なお、上記圧痕１５は、ディンプル７の
加工の前若しくは後に施すようにしてもよいが、残留応
力によるアイランド部３の変形（反り）を十分に防止す
るためには、ディンプル加工と同時に圧痕１５の加工を
行うようにする方が好ましい。この場合、ディンプル加
工用の金型に圧痕形成用の押圧部を設けておくことによ
り、ディンプル７の加工と同時に圧痕１５の加工を行う
ことが可能となる。
の実施例を部分的に示している。本実施例のリードフレ
ーム１は、アイランド部３の周縁部を除く中央領域にプ
レス成型によりディンプル７の加工が均等に施されると
共に、アイランド部３の周縁部に適宜間隔で圧痕１５が
施されている。なお、上記圧痕１５は、ディンプル７の
加工の前若しくは後に施すようにしてもよいが、残留応
力によるアイランド部３の変形（反り）を十分に防止す
るためには、ディンプル加工と同時に圧痕１５の加工を
行うようにする方が好ましい。この場合、ディンプル加
工用の金型に圧痕形成用の押圧部を設けておくことによ
り、ディンプル７の加工と同時に圧痕１５の加工を行う
ことが可能となる。
【００１９】本実施例のリードフレーム１においては、
アイランド部３の周縁部に適宜間隔で圧痕１５が施され
しているため、ディンプル加工部の材料の伸びに対して
周縁部の材料も圧痕１５の加工により伸びてバランスす
るようになり、アイランド部３の反りの低減ないし解消
が図れる。また、プレス成型でディンプル７の加工及び
圧痕１５の加工を施せることから、リードフレーム１の
製造コストの低減が図れる。
アイランド部３の周縁部に適宜間隔で圧痕１５が施され
しているため、ディンプル加工部の材料の伸びに対して
周縁部の材料も圧痕１５の加工により伸びてバランスす
るようになり、アイランド部３の反りの低減ないし解消
が図れる。また、プレス成型でディンプル７の加工及び
圧痕１５の加工を施せることから、リードフレーム１の
製造コストの低減が図れる。
【００２０】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果が得られる。
な優れた効果が得られる。
【００２１】（１）請求項１記載のリードフレームによ
れば、アイランド部の周縁部の無加工部の幅を０．１mm
以下と狭くしたため、アイランド部にプレス成型により
ディンプル加工を施しても、ディンプル加工部の材料の
伸びに追従して周縁部の材料も伸びるようになり、アイ
ランド部の反りの低減が図れ、また、プレス成型でディ
ンプル加工を施せることから、リードフレームの製造コ
ストの低減が図れる。
れば、アイランド部の周縁部の無加工部の幅を０．１mm
以下と狭くしたため、アイランド部にプレス成型により
ディンプル加工を施しても、ディンプル加工部の材料の
伸びに追従して周縁部の材料も伸びるようになり、アイ
ランド部の反りの低減が図れ、また、プレス成型でディ
ンプル加工を施せることから、リードフレームの製造コ
ストの低減が図れる。
【００２２】（２）請求項２記載のリードフレームによ
れば、アイランド部の周縁部に無加工部を残さずにアイ
ランド部の周縁部を含む全域にディンプル加工を均等に
施しているため、アイランド部の全域が均等に伸びるよ
うになり、アイランド部の反りの低減ないし解消が図
れ、また、プレス成型でディンプル加工を施せることか
ら、リードフレームの製造コストの低減が図れる。
れば、アイランド部の周縁部に無加工部を残さずにアイ
ランド部の周縁部を含む全域にディンプル加工を均等に
施しているため、アイランド部の全域が均等に伸びるよ
うになり、アイランド部の反りの低減ないし解消が図
れ、また、プレス成型でディンプル加工を施せることか
ら、リードフレームの製造コストの低減が図れる。
【００２３】（３）請求項３記載のリードフレームによ
れば、アイランド部の周縁部に適宜間隔で圧痕を施して
いるため、ディンプル加工部の材料の伸びに対して周縁
部の材料も圧痕の加工により伸びてバランスするように
なり、アイランド部の反りの低減ないし解消が図れ、ま
た、プレス成型でディンプル加工及び圧痕を施せること
から、リードフレームの製造コストの低減が図れる。
れば、アイランド部の周縁部に適宜間隔で圧痕を施して
いるため、ディンプル加工部の材料の伸びに対して周縁
部の材料も圧痕の加工により伸びてバランスするように
なり、アイランド部の反りの低減ないし解消が図れ、ま
た、プレス成型でディンプル加工及び圧痕を施せること
から、リードフレームの製造コストの低減が図れる。
【図１】本発明に係るリードフレームの一実施例を示す
部分的平面図である。
部分的平面図である。
【図２】リードフレームの概略的平面図である。
【図３】図２のリードフレームにおけるアイランド部の
拡大平面図である。
拡大平面図である。
【図４】リードフレームのアイランド部にディンプル加
工を施す金型を示す部分部拡大断面図である。
工を施す金型を示す部分部拡大断面図である。
【図５】半導体装置の概略的断面図である。
【図６】本発明に係るリードフレームの他の実施例を示
す部分的平面図である。
す部分的平面図である。
【図７】本発明に係るリードフレームの他の実施例を示
す部分的平面図である。
す部分的平面図である。
【図８】従来のリードフレームにおけるアイランド部の
ディンプル加工状態を示す平面図である。
ディンプル加工状態を示す平面図である。
１ リードフレーム ３ アイランド部 ７ ディンプル ９ 無加工部 １５ 圧痕
Claims (3)
- 【請求項１】アイランド部にディンプル加工を施してな
るリードフレームにおいて、上記アイランド部の周縁部
におけるディンプル加工が施されない無加工部の幅を
０．１mm以下にしたことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】アイランド部にディンプル加工を施してな
るリードフレームにおいて、上記アイランド部の周縁部
におけるディンプル加工が施されない無加工部を残さず
にアイランド部の周縁部を含む全域にディンプル加工を
均等に施してなることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項３】アイランド部にディンプル加工を施してな
るリードフレームにおいて、上記アイランド部の周縁部
に適宜間隔で圧痕を施してなることを特徴とするリード
フレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6200865A JPH0864749A (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6200865A JPH0864749A (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864749A true JPH0864749A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16431514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6200865A Pending JPH0864749A (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864749A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013157536A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法と半導体装置及びその製造方法 |
| JP2014138170A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Sh Materials Co Ltd | 半導体素子搭載用基板及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-08-25 JP JP6200865A patent/JPH0864749A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013157536A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法と半導体装置及びその製造方法 |
| JP2014138170A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Sh Materials Co Ltd | 半導体素子搭載用基板及びその製造方法 |
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