JPH0312842A - 光メモリ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光学的に情報の記録、再生又は消去を行う各種
光ディスク、光カード等の光メモリ素子に関するもので
ある。

〔従来の技術〕

近年、いわゆる光メモリ素子と称される高密度、大容量
のメモリ素子が注目され、研究開発が活発に行われてい
る。

第３図に従来の光メモリ素子の一例としての光磁気ディ
スクを示す。この光磁気ディスクは、基本的にはポリカ
ーボネイト等の透光性樹脂等からなる透光性基板１１と
、情報記録層１２と、保護層１３とから構成されている
。

情報記録層１２は第１の誘電体層１２ａ（例えば、膜厚
８００人のＡ　ｆｆ　Ｉ’ｊ）と、磁性層１２ｂ（例え
ば、膜厚２００人のＧ　ｄ　Ｔｂ　Ｆ　ｅ　）と、第２
の誘電体層１２ｃ（例えば、膜厚２５０人のＡｌｘ）と
、反射膜層１２ｄ（例えば、膜厚５００人のＡ／２）と
を積層したものであり、磁性層１２ｂに情報を記録又は
消去し、かつ、記録した情報の再生を行えるようにして
いる。又、保護層１３は、情報記録層１２を形成した後
、紫外線硬化型樹脂であるアクリレート系樹脂等をコー
ティングすることにより形成されるものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上記の光磁気ディスクでは、透光性基板１１
と情報記録層１２との密着性が悪いため、過酷な温湿度
条件等の下では膜抜け、つまり、情報記録層１２の欠損
等が発生し、記録済の情報が失われる等の不具合が生し
るため、信頼性の低下を招きやすいものであった。特に
、透光性基板１１としてポリカーボネイト等の樹脂基板
を使用した場合は、水分を含みやすいため、情報記録層
１２との密着性が低下しやすくなる。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る光メモリ素子は、上記の課題を解決するた
めに、少なくとも基板と情報記録層とを有する光メモリ
素子において、上記基板と情報記録層との間に透光性を
有する酸化物誘電体膜が形成されていることを基本的な
特徴とするものであなお、上記酸化物誘電体膜は、例え
ば、ＳｉＯ膜、ＳｉＯ□膜等の酸化ケイ素膜又はＡＩ！
、２０３膜等の酸化アルミニウム膜とすることができる
。

又、上記酸化物誘電体膜の膜厚ば、好ましくは、５０〜
１５０人の範囲とすることができる。

〔作　用〕

上記の構成によれば、基板と情報記録層との間に透光性
の酸化物誘電体膜を設Ａノでいるが、この酸化物誘電体
膜は基板とも情報記録層とも密着性が良好であるため、
基板と情報記録層との密着性も向上する。その結果、過
酷な温湿度条件等の下でも、又、基板として水分を含み
やすい樹脂基板を使用した場合でも、情報記録層の欠損
等が発生しにくくなるため、信頼性が向上するものであ
る。又、上記の酸化物誘電体膜は透光性のものであるか
ら、信号特性に悪影響を与えることもない。

〔実施例〕

本発明の一実施例を第１図及び第２図に基づいて説明す
れば、以下の通りである。

第１図に示すように、光メモリ素子の一例としての光磁
気ディスクは、ポリカーボネイトからなる透光性基板１
と、透光性を有する酸化物誘電体膜２と、情報記録層３
と、保護層４とにより構成されている。

上記の光磁気ディスクの製造に際しては、透光性基板１
上に、まず、スパッタリングによりＳｉＯ□からなる酸
化物誘電体膜２を形成する。続いて、膜厚８００人のＡ
ｎＮからなる第１の誘電体層３ａと、膜厚２００人のＧ
ｄＴｂＦｅからなる磁性層３ｂと、膜厚２５０人のＡＩ
！、Ｎからなる第２の誘電体層３ｃと、膜厚５００人の
ＡＩ！、からなる反射膜層３ｄとをそれぞれスパッタリ
ングにより積層してなる情報記録層３を形成する。

更に、情報記録層３上に紫外線硬化型樹脂であるアクリ
レート系樹脂をコーティングし、紫外線の照射により硬
化させ、保護層４を形成する。

上記の光磁気ディスクでは、情報記録層３における磁性
層３ｂにレーザ光を照射して加熱しながら、所定の方向
に磁場を印加することにより、磁性層３ｂに情報の記録
又は消去が行われる。又、磁性層３ｂにレーザ光を照射
することにより、記録済の情報の再生が行われる。

以下、本実施例及び従来の光磁気ディスクにつき、同一
の条件で行った信頼性評価のための試験結果を示す。

但し、試験に使用した本実施例の光磁気ディスクにおけ
る各層の材料、膜厚等は上述の通りである。一方、従来
の光磁気ディスクは、酸化物誘電体膜を有していない以
外は本実施例のものと同一構成とした。

この試験では、本実施例及び従来の光磁気ディスクに所
定の情報を記録した後、第２図に示すように、両光磁気
ディスクを一２５°Ｃで２時間保持し、１時間掛け７７
０’Ｃ１９０％ＲＨ（湿度９０％）まで上昇させて７０
°Ｃ１９ｏ％ＲＨで２時間保持し、再度１時間掛けて一
２５°Ｃまで低下させる工程を１サイクルとして、−に
記すイクルを４８回反復した。試験の前後の信号品質（
Ｃ／Ｎ）と各情報記録層３・１２の状態を検出した結果
を第１表に示す。

なお、信号の記録は線速度２．８ｍ／ｓ、記録周波数１
．１４ＭＨｚ、記録レーザパワー６ｍＷ、外部磁場２５
００ｅで行い、再生はレーザパワー１ｍＷで行った。

第１表から明らかように、本実施例の光磁気ディスクは
信号品質（Ｃ／Ｎ）を低下させることなく、信頼性を大
幅に向上させることができる。

なお、上記の実施例では、透光性基板１としてポリカー
ボネイトを使用したが、それ以外の透光性Ｎ（ＭＭ又は
ガラス等からなる透光性基板１を有する光磁気ディスク
にも本発明を適用することができる。

又、酸化物誘電体膜２としては、５ｉＯｚ膜以外にＳｉ
Ｏ膜もしくはＡＩ！、２０３膜等を使用しても良く、そ
の形成方法も、スパッタリング以外に反応性蒸着等でも
良い。又、酸化物誘電体膜２の膜厚は、情報記録層３の
膜厚等にもよるが、５０〜１５０人程度の範囲が好まし
い。

更に、情報記録層３における磁性層３ｂとしては、Ｇｄ
ＴｂＦｅ以外にも、他の希土類元素と遷移金属との合金
薄膜等を使用することもできる。

又、上記実施例の光磁気ディスクは単板タイプのものと
したが、上記のような光磁気ディスクを２枚接着剤等で
貼り合わせた両面記録タイプの光磁気ディスク、或いは
光カード等の他の光メモリ素子にも本発明の適用が可能
である。

〔発明の効果〕

本発明に係る光メモリ素子は、以上のように、少なくと
も基板と情報記録層とを有する光メモリ素子において、
上記基板と情報記録層との間に透光性を有する酸化物誘
電体膜が形成されている構成である。

このような構成では、基板と情報記録層との間の酸化物
誘電体膜は基板と情報記録層との双方と密着性が良好で
あるため、基板と情報記録層との密着性も向上する。そ
の結果、過酷な温湿度条件等の下でも、又、基板として
水分を含みゃすい樹脂基板を使用した場合でも、情報記
録層の欠損等が発生しにくくなるため、信頼性が向上す
るものである。又、上記の酸化物誘電体膜は透光性のも
のであるから、再生信号品質等の信号特性に悪影響を与
えることもない。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の一実施例を示すものである
。 第１図は光磁気ディスクの概略縦断面図である。 第２図は光磁気ディスクの耐久性試験の条件を示す説明
図である。 第３図は従来の光磁気≠イスクの概略縦断面図である。 １は透光性基板、２は酸化物誘電体膜、３は情報記録層
である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、少なくとも基板と情報記録層とを有する光メモリ素
   子において、 上記基板と情報記録層との間に透光性を有する酸化物誘
   電体膜が形成されていることを特徴とする光メモリ素子
   。 ２、上記酸化物誘電体膜がＳｉＯ膜、ＳｉＯ＿２膜等の
   酸化ケイ素膜又はＡｌ＿２Ｏ＿３膜等の酸化アルミニウ
   ム膜であることを特徴とする請求項第１項に記載の光メ
   モリ素子。３、上記酸化物誘電体膜の膜厚が５０〜１５
   ０Åであることを特徴とする請求項第１項又は第２項に
   記載の光メモリ素子。