JPH04314303A - 正温度特性サ−ミスタ及びその製造方法 - Google Patents
正温度特性サ−ミスタ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH04314303A JPH04314303A JP3106402A JP10640291A JPH04314303A JP H04314303 A JPH04314303 A JP H04314303A JP 3106402 A JP3106402 A JP 3106402A JP 10640291 A JP10640291 A JP 10640291A JP H04314303 A JPH04314303 A JP H04314303A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- positive temperature
- temperature characteristic
- thermistor
- characteristic thermistor
- Prior art date
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- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電流制限素子、消磁素
子、モ−タ起動素子などに用いられる正の抵抗温度特性
を有した磁器半導体系サ−ミスタ及びその製造方法に係
り、特にその電極に関するものである。
子、モ−タ起動素子などに用いられる正の抵抗温度特性
を有した磁器半導体系サ−ミスタ及びその製造方法に係
り、特にその電極に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来の正温度特性サ−ミスタの電極構成の
一例が、特開平１−２３６６０２号公報に開示されてい
る。図２は、このような従来の電極構成による正温度特
性サ−ミスタを示すものであり、同図において１は正温
度特性サ−ミスタ、１２は無電解めっきにより形成され
る第１電極であるＮｉ電極、１３は印刷・焼き付けによ
り形成される第２電極であるＡｇ電極、４はリ−ド線、
５は半田である。
一例が、特開平１−２３６６０２号公報に開示されてい
る。図２は、このような従来の電極構成による正温度特
性サ−ミスタを示すものであり、同図において１は正温
度特性サ−ミスタ、１２は無電解めっきにより形成され
る第１電極であるＮｉ電極、１３は印刷・焼き付けによ
り形成される第２電極であるＡｇ電極、４はリ−ド線、
５は半田である。
【０００３】第１電極であるＮｉ電極１２は、無電解め
っき後３００〜６００℃程度で熱処理することにより、
正温度特性サ−ミスタとの間でオ−ミックコンタクトが
得られることが知られている。無電解めっき後にＡｇペ
−ストをＮｉ電極１２上にスクリ−ン印刷し、１００〜
１５０℃で乾燥後、５００〜６００℃で焼付けして第２
電極であるＡｇ電極１３を形成している。Ａｇ電極の形
成における熱処理により正温度特性サ−ミスタ１とＮｉ
電極１２との間でオ−ミックコンタクトが得られている
。
っき後３００〜６００℃程度で熱処理することにより、
正温度特性サ−ミスタとの間でオ−ミックコンタクトが
得られることが知られている。無電解めっき後にＡｇペ
−ストをＮｉ電極１２上にスクリ−ン印刷し、１００〜
１５０℃で乾燥後、５００〜６００℃で焼付けして第２
電極であるＡｇ電極１３を形成している。Ａｇ電極の形
成における熱処理により正温度特性サ−ミスタ１とＮｉ
電極１２との間でオ−ミックコンタクトが得られている
。
【０００４】第２電極としてＡｇ電極が使用されていた
理由は、Ａｇの半田付け性が良いためである。しかしな
がら、Ａｇは半田食われ現象を起こしやすい。半田食わ
れによりＡｇ電極の厚みが薄くなると、接着強度の低下
や抵抗値の変化等の問題が生じる。この欠点を補うため
Ａｇ電極の厚みは、最低１５μｍ以上にする必要があり
、コスト面で不利であった。また、Ａｇ電極は、直流電
界を印加するとマイグレ−ションを起こし、短絡・抵抗
値の変化・耐電圧の低下等の問題が生じる。
理由は、Ａｇの半田付け性が良いためである。しかしな
がら、Ａｇは半田食われ現象を起こしやすい。半田食わ
れによりＡｇ電極の厚みが薄くなると、接着強度の低下
や抵抗値の変化等の問題が生じる。この欠点を補うため
Ａｇ電極の厚みは、最低１５μｍ以上にする必要があり
、コスト面で不利であった。また、Ａｇ電極は、直流電
界を印加するとマイグレ−ションを起こし、短絡・抵抗
値の変化・耐電圧の低下等の問題が生じる。
【０００５】これに対してＮｉは、耐半田食われ性及び
耐マイグレ−ション性並びにオ−ミックコンタクトに優
れている。また、コスト面で有利である。
耐マイグレ−ション性並びにオ−ミックコンタクトに優
れている。また、コスト面で有利である。
【０００６】しかしながら、熱処理したＮｉ電極に直接
リ−ド線を半田付けを行なった電極構造には、以下の問
題がある。すなわち、オ−ミックコンタクトを得るため
の熱処理でＮｉ電極表面は酸化されている。衆知のよう
にＮｉの酸化層は、電気伝導率を低下させ、かつＮｉ電
極と半田との接触を妨げるため半田付け性を低下させる
。
リ−ド線を半田付けを行なった電極構造には、以下の問
題がある。すなわち、オ−ミックコンタクトを得るため
の熱処理でＮｉ電極表面は酸化されている。衆知のよう
にＮｉの酸化層は、電気伝導率を低下させ、かつＮｉ電
極と半田との接触を妨げるため半田付け性を低下させる
。
【０００７】上記のことから、熱処理したＮｉ電極に直
接リ−ド線を半田付けをおこなった電極構造は、今まで
全く提案されていない。上記の問題点を解決するために
、本発明者等は、鋭意検討した結果、以下の発明をなし
た。
接リ−ド線を半田付けをおこなった電極構造は、今まで
全く提案されていない。上記の問題点を解決するために
、本発明者等は、鋭意検討した結果、以下の発明をなし
た。
【０００８】
【発明の構成】即ち、本発明は、第１電極の上に第２電
極を設ける正温度特性サ−ミスタの製造方法における電
極構成において、第１電極及び第２電極として無電解Ｎ
ｉめっき電極を用いることを特徴とする正温度特性サ−
ミスタ、並びに、正温度特性サ−ミスタに無電解めっき
により得たＮｉを第１電極とし、該電極を熱処理し、つ
いで硝酸水溶液で該Ｎｉ表面の酸化物等を洗浄した後、
無電解めっきにより前記Ｎｉ表面にＮｉめっきを行ない
第２電極を形成することを特徴とする正温度特性サ−ミ
スタの製造方法に関する。
極を設ける正温度特性サ−ミスタの製造方法における電
極構成において、第１電極及び第２電極として無電解Ｎ
ｉめっき電極を用いることを特徴とする正温度特性サ−
ミスタ、並びに、正温度特性サ−ミスタに無電解めっき
により得たＮｉを第１電極とし、該電極を熱処理し、つ
いで硝酸水溶液で該Ｎｉ表面の酸化物等を洗浄した後、
無電解めっきにより前記Ｎｉ表面にＮｉめっきを行ない
第２電極を形成することを特徴とする正温度特性サ−ミ
スタの製造方法に関する。
【０００９】
【発明の具体的説明】本発明の理解を容易にするため以
下に具体的かつ詳細に説明する。図１は、本発明におけ
る正温度特性サ−ミスタの電極構成の一態様を示すもの
である。
下に具体的かつ詳細に説明する。図１は、本発明におけ
る正温度特性サ−ミスタの電極構成の一態様を示すもの
である。
【００１０】図１において、１は直径８〜１５ｍｍ、厚
さ０．４〜２．０ｍｍ、室温の抵抗値が０．２〜１．０
Ωの半導体磁器からなる正温度特性サ−ミスタである。 ２、３は１の正温度特性サ−ミスタの２つの主面上に形
成された無電解Ｎｉめっき電極である第１電極及び第２
電極であり、４はリ−ド線、５は半田である。
さ０．４〜２．０ｍｍ、室温の抵抗値が０．２〜１．０
Ωの半導体磁器からなる正温度特性サ−ミスタである。 ２、３は１の正温度特性サ−ミスタの２つの主面上に形
成された無電解Ｎｉめっき電極である第１電極及び第２
電極であり、４はリ−ド線、５は半田である。
【００１１】無電解Ｎｉめっき電極２、３は、主成分で
あるニッケルに対してリンを５〜１５重量パ−セント含
有している。これは、強い酸素親和力を有するリンは熱
処理により、磁器半導体の正温度特性サ−ミスタにおけ
る非オ−ミック性の原因となる吸着酸素を除去し、オ−
ミックコンタクト性を付与する作用があるためである。
あるニッケルに対してリンを５〜１５重量パ−セント含
有している。これは、強い酸素親和力を有するリンは熱
処理により、磁器半導体の正温度特性サ−ミスタにおけ
る非オ−ミック性の原因となる吸着酸素を除去し、オ−
ミックコンタクト性を付与する作用があるためである。
【００１２】無電解めっきによるＮｉ電極の厚みは、第
１電極２及び第２電極３とも０．５〜２．５μｍである
。Ｎｉ電極の厚みが、０．５μｍより小さくなると、オ
−ミックコンタクト性が低下し、十分な電気伝導率が得
られない。また、Ｎｉ電極の厚みが、２．５μｍより大
きくなると、Ｎｉ電極の比表面積が減少するため十分な
接触面積が得られず、機械的接着強度が低下する。
１電極２及び第２電極３とも０．５〜２．５μｍである
。Ｎｉ電極の厚みが、０．５μｍより小さくなると、オ
−ミックコンタクト性が低下し、十分な電気伝導率が得
られない。また、Ｎｉ電極の厚みが、２．５μｍより大
きくなると、Ｎｉ電極の比表面積が減少するため十分な
接触面積が得られず、機械的接着強度が低下する。
【００１３】無電解Ｎｉめっきにより形成された第１電
極２は、３００〜４００℃で１０分間熱処理することに
より正温度特性サ−ミスタ１と第１電極２との間にオ−
ミックコンタクト性が付与される。この後３〜１５重量
パ−セントの濃度からなる硝酸水溶液で洗浄することに
より、第１電極表面の酸化層が除去される。硝酸水溶液
の濃度が３重量パ−セントより低いと、酸化層が十分に
除去されず、また１５重量パ−セントより高いと、Ｎｉ
の溶解が進行し電極の厚みが不足するようになる。
極２は、３００〜４００℃で１０分間熱処理することに
より正温度特性サ−ミスタ１と第１電極２との間にオ−
ミックコンタクト性が付与される。この後３〜１５重量
パ−セントの濃度からなる硝酸水溶液で洗浄することに
より、第１電極表面の酸化層が除去される。硝酸水溶液
の濃度が３重量パ−セントより低いと、酸化層が十分に
除去されず、また１５重量パ−セントより高いと、Ｎｉ
の溶解が進行し電極の厚みが不足するようになる。
【００１４】さらに十分な機械的接着強度、電気伝導率
を得るため、第１電極２上に無電解Ｎｉめっきにより第
２電極３を形成する。第１電極と第２電極との間は金属
Ｎｉ−金属Ｎｉの接合であるため、正温度特性サ−ミス
タと第１電極との間でオ−ミックコンタクトを得るため
に実施する熱処理を必要としない。このため、表面に酸
化層が形成されない。このため第２電極は、半田付け性
、電気伝導率にすぐれている。
を得るため、第１電極２上に無電解Ｎｉめっきにより第
２電極３を形成する。第１電極と第２電極との間は金属
Ｎｉ−金属Ｎｉの接合であるため、正温度特性サ−ミス
タと第１電極との間でオ−ミックコンタクトを得るため
に実施する熱処理を必要としない。このため、表面に酸
化層が形成されない。このため第２電極は、半田付け性
、電気伝導率にすぐれている。
【００１５】この第２電極上にリ−ド線をディップ等に
より半田付けし、正温度特性サ−ミスタの電極が構成さ
れる。
より半田付けし、正温度特性サ−ミスタの電極が構成さ
れる。
【００１６】以下、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１７】直径１０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、室温の抵
抗値が０．５０Ωの半導体磁器からなる正温度特性サ−
ミスタに、無電解めっきにより厚さ１．０μｍのＮｉ電
極からなる第１電極を形成した後、３００〜４００℃で
１０分間熱処理し、５重量パ−セントの濃度からなる硝
酸水溶液で洗浄する。無電解Ｎｉめっきにより第１電極
と同一の厚みのＮｉ電極からなる第２電極を、第１電極
上に形成する。この第２電極上にリ−ド線をディップに
より半田付けした。
抗値が０．５０Ωの半導体磁器からなる正温度特性サ−
ミスタに、無電解めっきにより厚さ１．０μｍのＮｉ電
極からなる第１電極を形成した後、３００〜４００℃で
１０分間熱処理し、５重量パ−セントの濃度からなる硝
酸水溶液で洗浄する。無電解Ｎｉめっきにより第１電極
と同一の厚みのＮｉ電極からなる第２電極を、第１電極
上に形成する。この第２電極上にリ−ド線をディップに
より半田付けした。
【００１８】この実施例１による正温度特性サ−ミスタ
の特性を表１に示す。いずれも好ましい値を示した。
の特性を表１に示す。いずれも好ましい値を示した。
【００１９】
【表１】
【比較例１】
【００２０】直径１０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、室温の抵
抗値が０．５Ωの半導体磁器からなる正温度特性サ−ミ
スタに、無電解めっきにより厚さ２．０μｍのＮｉ電極
からなる第１電極を形成した後、３００〜４００℃で１
０分間熱処理し、５重量パ−セントの濃度からなる硝酸
水溶液で洗浄する。この第１電極上に実施例１のごとく
第２電極を形成することなくリ−ド線をディップにより
半田付けした。
抗値が０．５Ωの半導体磁器からなる正温度特性サ−ミ
スタに、無電解めっきにより厚さ２．０μｍのＮｉ電極
からなる第１電極を形成した後、３００〜４００℃で１
０分間熱処理し、５重量パ−セントの濃度からなる硝酸
水溶液で洗浄する。この第１電極上に実施例１のごとく
第２電極を形成することなくリ−ド線をディップにより
半田付けした。
【００２１】この比較例１による正温度特性サ−ミスタ
の特性を表１に示す。実施例１のごとく第２電極を形成
しなかったため、耐半田食われ性、耐マイグレ−ション
性が悪かった。
の特性を表１に示す。実施例１のごとく第２電極を形成
しなかったため、耐半田食われ性、耐マイグレ−ション
性が悪かった。
【００２２】
【比較例２】直径１０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、室温の抵
抗値が０．５Ωの半導体磁器からなる正温度特性サ−ミ
スタに、無電解めっきによりリン７〜８重量パ−セント
、厚さ２．０μｍのＮｉ電極からなる第１電極を形成し
た後、Ａｇペ−ストを第１電極上にスクリ−ン印刷し、
１００〜１５０℃で乾燥後、５００〜６００℃で焼付け
して、厚さ１５μｍのＡｇ電極からなる第２電極を形成
した。この第２電極上にリ−ド線をディップにより半田
付けした。
抗値が０．５Ωの半導体磁器からなる正温度特性サ−ミ
スタに、無電解めっきによりリン７〜８重量パ−セント
、厚さ２．０μｍのＮｉ電極からなる第１電極を形成し
た後、Ａｇペ−ストを第１電極上にスクリ−ン印刷し、
１００〜１５０℃で乾燥後、５００〜６００℃で焼付け
して、厚さ１５μｍのＡｇ電極からなる第２電極を形成
した。この第２電極上にリ−ド線をディップにより半田
付けした。
【００２３】この比較例２による正温度特性サ−ミスタ
の特性を表１に示す。第２電極をＮｉで形成しなかった
ため、半田付け性が実施例１に比べ好ましくなかった。
の特性を表１に示す。第２電極をＮｉで形成しなかった
ため、半田付け性が実施例１に比べ好ましくなかった。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、（１）本発明によ
る正温度特性サ−ミスタは、耐半田食われ性、耐マイグ
レ−ション性並びに半田付け性、オ−ミックコンタクト
に優れている。
る正温度特性サ−ミスタは、耐半田食われ性、耐マイグ
レ−ション性並びに半田付け性、オ−ミックコンタクト
に優れている。
【００２５】（２）さらに、Ａｇに比べて安価なＮｉを
使用するためで経済的である。
使用するためで経済的である。
【００２６】
図１は、本発明の一実施例の正温度特性サ−ミスタの断
面図である。図２は、従来の正温度特性サ−ミスタの断
面図である。 １・・・正温度特性サ−ミスタ、２・・・Ｎｉ電極（第
１電極）、３・・・Ｎｉ電極（第２電極）、４・・・リ
−ド線、５・・・半田、１１・・・正温度特性サ−ミス
タ、１２・・・Ｎｉ電極（第１電極）、１３・・・Ａｇ
電極（第２電極）。
面図である。図２は、従来の正温度特性サ−ミスタの断
面図である。 １・・・正温度特性サ−ミスタ、２・・・Ｎｉ電極（第
１電極）、３・・・Ｎｉ電極（第２電極）、４・・・リ
−ド線、５・・・半田、１１・・・正温度特性サ−ミス
タ、１２・・・Ｎｉ電極（第１電極）、１３・・・Ａｇ
電極（第２電極）。
Claims (2)
- 【請求項１】 第１電極の上に第２電極を設ける正温
度特性サ−ミスタにおいて、第１電極及び第２電極とし
て無電解めっきによるＮｉを用いたことを特徴とする正
温度特性サ−ミスタ。 - 【請求項２】 正温度特性サ−ミスタに、無電解めっ
きにより得たＮｉを第１電極とし、該電極を熱処理し、
ついで硝酸水溶液で該Ｎｉ表面の酸化物等を洗浄した後
、無電解めっきにより前記Ｎｉ表面にＮｉめっきを行な
い第２電極を形成することを特徴とする正温度特性サ−
ミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3106402A JPH04314303A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 正温度特性サ−ミスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3106402A JPH04314303A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 正温度特性サ−ミスタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04314303A true JPH04314303A (ja) | 1992-11-05 |
Family
ID=14432696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3106402A Pending JPH04314303A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 正温度特性サ−ミスタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04314303A (ja) |
-
1991
- 1991-04-12 JP JP3106402A patent/JPH04314303A/ja active Pending
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