JPH04314355A - チップキャリア及びその半田付け方法 - Google Patents
チップキャリア及びその半田付け方法Info
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- JPH04314355A JPH04314355A JP3079478A JP7947891A JPH04314355A JP H04314355 A JPH04314355 A JP H04314355A JP 3079478 A JP3079478 A JP 3079478A JP 7947891 A JP7947891 A JP 7947891A JP H04314355 A JPH04314355 A JP H04314355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip carrier
- positioning
- preliminary solder
- pad
- pads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/221—Structures or relative sizes
- H10W72/227—Multiple bumps having different sizes
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子装置等に使用され
るチップキャリア及びチップキャリアを基板に半田付け
する方法に関する。
るチップキャリア及びチップキャリアを基板に半田付け
する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図4(a),(b),(c)は従来のチ
ップキャリアとその半田付け方法の各工程を示す断面図
である。
ップキャリアとその半田付け方法の各工程を示す断面図
である。
【0003】図4(a)に示すように、チップキャリア
21の下面には同じ形状のパッド22が格子状に設けて
あり、パッド22に予備半田23を設け、基板26には
チップキャリア21のパッド22と対応する位置に導体
回路24を設け、図4(b)に示すように位置合わせマ
ーク25を目印にして、基板26の導体回路24に、チ
ップキャリア21のパッド22の予備半田23を重ね合
わせて加熱リフローし、冷却すると、図4(c)に示す
ように予備半田23は半田27に変わり、半田付けが終
了する。
21の下面には同じ形状のパッド22が格子状に設けて
あり、パッド22に予備半田23を設け、基板26には
チップキャリア21のパッド22と対応する位置に導体
回路24を設け、図4(b)に示すように位置合わせマ
ーク25を目印にして、基板26の導体回路24に、チ
ップキャリア21のパッド22の予備半田23を重ね合
わせて加熱リフローし、冷却すると、図4(c)に示す
ように予備半田23は半田27に変わり、半田付けが終
了する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のチップ
キャリア及びその半田付け方法では、チップキャリアの
位置決め時にチップキャリア21の総てのパッド22の
予備半田23が、基板26の導体回路24上に乗ってい
る必要があり、チップキャリア21のパッド22及び基
板26の導体回路24の大きさやピッチが微細になれば
なるほど位置決め時に発生するずれの許容できる範囲に
余裕がなくなり、ずれの許容値を越えた状態で実装した
場合にオープンやショートが発生するという欠点がある
。
キャリア及びその半田付け方法では、チップキャリアの
位置決め時にチップキャリア21の総てのパッド22の
予備半田23が、基板26の導体回路24上に乗ってい
る必要があり、チップキャリア21のパッド22及び基
板26の導体回路24の大きさやピッチが微細になれば
なるほど位置決め時に発生するずれの許容できる範囲に
余裕がなくなり、ずれの許容値を越えた状態で実装した
場合にオープンやショートが発生するという欠点がある
。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のチップッキャリ
アは、外部との接続回路として複数の接続用パッドを下
面に有するチップキャリアにおいて、前記接続用パッド
より面積の大きい複数の位置決め用パッドを下面に有す
る。
アは、外部との接続回路として複数の接続用パッドを下
面に有するチップキャリアにおいて、前記接続用パッド
より面積の大きい複数の位置決め用パッドを下面に有す
る。
【0006】また、本発明の半田付け方法は、チップキ
ャリアの下面に設けた外部との接続回路としての複数の
接続用パッドおよびこの接続用パッドより面積の大きい
複数の位置決め用パッドの全てに同種類の予備半田を設
ける第1の工程と、この第1の工程の後に前記接続用パ
ッドに対応して接続用導体回路が設けられ前記位置決め
用パッドに対応して前記接続用導体回路より面積の大き
い位置決め用導体回路が設けられた基板上に前記位置決
め用パッドに設けられた予備半田の先端が前記位置決め
用導体回路に乗るように前記チップキャリアを位置決め
する第2の工程と、この第2の工程の後に予備半田の加
熱リフローを行う第3の工程と、この第3の工程の後に
前記チップキャリアの上面から荷重を加える第4の工程
とを有する。
ャリアの下面に設けた外部との接続回路としての複数の
接続用パッドおよびこの接続用パッドより面積の大きい
複数の位置決め用パッドの全てに同種類の予備半田を設
ける第1の工程と、この第1の工程の後に前記接続用パ
ッドに対応して接続用導体回路が設けられ前記位置決め
用パッドに対応して前記接続用導体回路より面積の大き
い位置決め用導体回路が設けられた基板上に前記位置決
め用パッドに設けられた予備半田の先端が前記位置決め
用導体回路に乗るように前記チップキャリアを位置決め
する第2の工程と、この第2の工程の後に予備半田の加
熱リフローを行う第3の工程と、この第3の工程の後に
前記チップキャリアの上面から荷重を加える第4の工程
とを有する。
【0007】さらに、本発明の半田付け方法は、チップ
キャリアの下面に設けた外部との接続回路としての複数
の接続用パッドに高融点の予備半田を設け、前記チップ
キャリアの下面に設けた前記接続用パッドより面積の大
きい複数の位置決め用パッドに低融点の予備半田を設け
る第1の工程と、この第1の工程の後に前記接続用パッ
ドに対応して接続用導体回路が設けられ前記位置決め用
パッドに対応して前記接続用導体回路より面積の大きい
位置決め用導体回路が設けられた基板上に前記位置決め
用パッドに設けられた予備半田の先端が前記位置決め用
導体回路に乗るように前記チップキャリアを位置決めす
る第2の工程と、この第2の工程の後に前記チップキャ
リアの位置決め用パッドに設けられた予備半田が溶融し
、前記接続用パッドに設けられた予備半田が溶融しない
温度で加熱リフローを行なう第3の工程と、この第3の
工程の後に、前記チップキャリアの上面から荷重を加え
る第4の工程と、この第4の工程の後に前記接続用全パ
ッドに設けられた予備半田が溶融する温度で加熱リフロ
ーする第5の工程とを有する。
キャリアの下面に設けた外部との接続回路としての複数
の接続用パッドに高融点の予備半田を設け、前記チップ
キャリアの下面に設けた前記接続用パッドより面積の大
きい複数の位置決め用パッドに低融点の予備半田を設け
る第1の工程と、この第1の工程の後に前記接続用パッ
ドに対応して接続用導体回路が設けられ前記位置決め用
パッドに対応して前記接続用導体回路より面積の大きい
位置決め用導体回路が設けられた基板上に前記位置決め
用パッドに設けられた予備半田の先端が前記位置決め用
導体回路に乗るように前記チップキャリアを位置決めす
る第2の工程と、この第2の工程の後に前記チップキャ
リアの位置決め用パッドに設けられた予備半田が溶融し
、前記接続用パッドに設けられた予備半田が溶融しない
温度で加熱リフローを行なう第3の工程と、この第3の
工程の後に、前記チップキャリアの上面から荷重を加え
る第4の工程と、この第4の工程の後に前記接続用全パ
ッドに設けられた予備半田が溶融する温度で加熱リフロ
ーする第5の工程とを有する。
【0008】
【実施例】次に本発明について、図面を参照して説明す
る。
る。
【0009】図1は、特許請求の範囲第1項記載のチッ
プキャリアの斜視図である。図1に示すチップキャリア
1の下面にはパッド4が設けてあり、四隅には位置決め
パッド2が設けてある。位置決めパッド2の面積は、パ
ッド4の面積より大きく作られている。
プキャリアの斜視図である。図1に示すチップキャリア
1の下面にはパッド4が設けてあり、四隅には位置決め
パッド2が設けてある。位置決めパッド2の面積は、パ
ッド4の面積より大きく作られている。
【0010】図2は、特許請求範囲の請求項2記載のチ
ップキャリアの半田付け方法の工程を段階的に示す断面
図である。
ップキャリアの半田付け方法の工程を段階的に示す断面
図である。
【0011】図2(a)に示すように、チップキャリア
1の下面の位置決めパッド2とパッド4には、それぞれ
予備半田3aと予備半田5aが設けてある。予備半田3
aと予備半田5aには、Sn /Pb (63/37w
t%)等の同種類の半田が用いられる。位置決めパッド
2の面積は、パッド4の面積より大きいため、位置決め
パッド2の予備半田3aは、パッド4の予備半田5aよ
り高くなる。チップキャリア1を実装する基板7には、
チップキャリア1の位置決めパッド2とパッド4に対応
する位置それぞれに導体回路6と導体回路8が設けてあ
り、チップキャリア1と同様に、基板7の導体回路6の
面積は、導体回路8の面積より大きく設けてある。
1の下面の位置決めパッド2とパッド4には、それぞれ
予備半田3aと予備半田5aが設けてある。予備半田3
aと予備半田5aには、Sn /Pb (63/37w
t%)等の同種類の半田が用いられる。位置決めパッド
2の面積は、パッド4の面積より大きいため、位置決め
パッド2の予備半田3aは、パッド4の予備半田5aよ
り高くなる。チップキャリア1を実装する基板7には、
チップキャリア1の位置決めパッド2とパッド4に対応
する位置それぞれに導体回路6と導体回路8が設けてあ
り、チップキャリア1と同様に、基板7の導体回路6の
面積は、導体回路8の面積より大きく設けてある。
【0012】次に、図2(b)に示すようにチップキャ
リア1の位置決めパッド2の予備半田3aの先端が、基
板7の導体回路6に乗るように重ね合わせるが、この時
チップキャリア1のパッド4の予備半田5aと、基板7
の導体回路8とを位置合わせする必要はない。基板7の
導体回路6の面積は、導体回路8の面積より大きく設け
ているため位置合わせ時のずれの許容値が大きく、チッ
プキャリア1の位置合わせは容易に行なうことができる
。
リア1の位置決めパッド2の予備半田3aの先端が、基
板7の導体回路6に乗るように重ね合わせるが、この時
チップキャリア1のパッド4の予備半田5aと、基板7
の導体回路8とを位置合わせする必要はない。基板7の
導体回路6の面積は、導体回路8の面積より大きく設け
ているため位置合わせ時のずれの許容値が大きく、チッ
プキャリア1の位置合わせは容易に行なうことができる
。
【0013】次に加熱リフロー、例えば予備半田にSn
/Pb (63/37wt%)を使用している場合は
230℃加熱を行なうことによって、図2(c)に示す
ように予備半田3aは溶融して半田9aに変わり、チッ
プキャリア1の位置決めパッド2と、基板7の導体回路
6が接続される。この時、溶融した半田9aの表面張力
により、チップキャリア1と基板7の正確な位置合わせ
が自動的に行なわれる。
/Pb (63/37wt%)を使用している場合は
230℃加熱を行なうことによって、図2(c)に示す
ように予備半田3aは溶融して半田9aに変わり、チッ
プキャリア1の位置決めパッド2と、基板7の導体回路
6が接続される。この時、溶融した半田9aの表面張力
により、チップキャリア1と基板7の正確な位置合わせ
が自動的に行なわれる。
【0014】更に図2(d)示すように、この状態でチ
ップキャリア1の上面より荷重Aを加えることによって
、チップキャリア1のパッド4の予備半田5aが、基板
7の導体回路8と接続され半田10aに変わる。
ップキャリア1の上面より荷重Aを加えることによって
、チップキャリア1のパッド4の予備半田5aが、基板
7の導体回路8と接続され半田10aに変わる。
【0015】最後に、冷却、洗浄を行なうことにより、
全工程を完了する。
全工程を完了する。
【0016】図3は、特許請求範囲の請求項3記載チッ
プキャリアの半田付け方法の工程を段階的に示す断面図
である。
プキャリアの半田付け方法の工程を段階的に示す断面図
である。
【0017】図3(a)に示すように、チップキャリア
1の下面の位置決めパッド2とパッド4には、それぞれ
予備半田3bと予備半田5bが設けてる。予備半田3b
には、予備半田5bの融点より低い半田材料を使用する
。例えば、予備半田3bにSn /Pb /Bi (4
3/43/14wt%)を使用し、予備半田5bにSn
/Pb (63/37wt%)を使用する。位置決め
パッド2の面積は、パッド4の面積より大きいため、位
置決めパッド2の予備半田3bは、パッド4の予備半田
5bより高くなる。チップキャリア1に実装する基板7
には、チップキャリア1の位置決めパッド2とパッド4
に対応する位置に導体回路6と導体回路8が設けてあり
、チップキャリア1と同様に、基板7の導体回路6の面
積は、導体回路8の面積より大きく設けてある。
1の下面の位置決めパッド2とパッド4には、それぞれ
予備半田3bと予備半田5bが設けてる。予備半田3b
には、予備半田5bの融点より低い半田材料を使用する
。例えば、予備半田3bにSn /Pb /Bi (4
3/43/14wt%)を使用し、予備半田5bにSn
/Pb (63/37wt%)を使用する。位置決め
パッド2の面積は、パッド4の面積より大きいため、位
置決めパッド2の予備半田3bは、パッド4の予備半田
5bより高くなる。チップキャリア1に実装する基板7
には、チップキャリア1の位置決めパッド2とパッド4
に対応する位置に導体回路6と導体回路8が設けてあり
、チップキャリア1と同様に、基板7の導体回路6の面
積は、導体回路8の面積より大きく設けてある。
【0018】次に、図3(b)に示すようにチップキャ
リア1の位置決めパッド2の予備半田3bの先端が、基
板7の導体回路6に乗るように重ね合わせるが、この時
チップキャリア1のパッド4の予備半田5bと、基板7
の導体回路8とを位置合わせする必要はない。基板7の
導体回路6の面積は、導体回路8の面積より大きく設け
ているため位置合わせ時のずれの許容値が大きく、チッ
プキャリア1の位置合わせは容易に行なうことができる
。
リア1の位置決めパッド2の予備半田3bの先端が、基
板7の導体回路6に乗るように重ね合わせるが、この時
チップキャリア1のパッド4の予備半田5bと、基板7
の導体回路8とを位置合わせする必要はない。基板7の
導体回路6の面積は、導体回路8の面積より大きく設け
ているため位置合わせ時のずれの許容値が大きく、チッ
プキャリア1の位置合わせは容易に行なうことができる
。
【0019】次に予備半田3bが溶融し、予備半田5b
を溶融しない温度で加熱リフロー、例えば予備半田3b
にSn /Pb /Bi (43/43/14wt%)
を使用し、予備半田5bにSn /Pb (63/37
wt%)を使用する場合は175℃加熱を行なうことに
よって、図3(c)に示すように予備半田3bは溶融し
て半田9bに変わり、チップキャリア1の位置決めパッ
ド2と、基板7の導体回路6が接続される。この時溶融
した半田9bの表面張力により、チップキャリア1と基
板7の位置合わせが自動的に行なわれる。
を溶融しない温度で加熱リフロー、例えば予備半田3b
にSn /Pb /Bi (43/43/14wt%)
を使用し、予備半田5bにSn /Pb (63/37
wt%)を使用する場合は175℃加熱を行なうことに
よって、図3(c)に示すように予備半田3bは溶融し
て半田9bに変わり、チップキャリア1の位置決めパッ
ド2と、基板7の導体回路6が接続される。この時溶融
した半田9bの表面張力により、チップキャリア1と基
板7の位置合わせが自動的に行なわれる。
【0020】次に図3(d)に示すように、チップキャ
リア1の上面より荷重Aを加えることによって、チップ
キャリア1のパッド4の予備半田5bの先端が、基板7
の導体回路8と接触する。
リア1の上面より荷重Aを加えることによって、チップ
キャリア1のパッド4の予備半田5bの先端が、基板7
の導体回路8と接触する。
【0021】次に予備半田5bが溶融する温度で加熱リ
フロー、例えば予備半田5bにSn /Pb (63/
37wt%)を使用する場合は230℃加熱を行なうこ
とによって、予備半田5bは半田10bに変わり、チッ
プキャリア1のパッド4と基板7の導体回路8が接続さ
れる。
フロー、例えば予備半田5bにSn /Pb (63/
37wt%)を使用する場合は230℃加熱を行なうこ
とによって、予備半田5bは半田10bに変わり、チッ
プキャリア1のパッド4と基板7の導体回路8が接続さ
れる。
【0022】最後に、冷却、洗浄を行なうことにより、
全工程を完了する。
全工程を完了する。
【0023】
【発明の効果】本発明のチップキャリア及び半田付け方
法は、容易でかつ短時間のチップキャリアを基板上に位
置合わせすることができ、加熱リフロー時においても位
置ずれによるショート、オープンのない安定した半田付
けができる効果がある。
法は、容易でかつ短時間のチップキャリアを基板上に位
置合わせすることができ、加熱リフロー時においても位
置ずれによるショート、オープンのない安定した半田付
けができる効果がある。
【図1】本発明のチップキャリアの一実施例を示す斜視
図である。
図である。
【図2】本発明の半田付け方法の一実施例を段階的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図3】本発明の半田付け方法の他の実施例を段階的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図4】従来のチップキャリアの半田付け方法を示す縦
断面図である。
断面図である。
1,21 チップキャリア
2 位置決めパッド
3a,3b,5a,5b,23 予備半田4,2
2 パッド 6,8,24 導体回路 7,26 基板 9a,9b,10a,10b,27 半田25
位置合わせマーク
2 パッド 6,8,24 導体回路 7,26 基板 9a,9b,10a,10b,27 半田25
位置合わせマーク
Claims (3)
- 【請求項1】 外部との接続回路として複数の接続用
パッドを下面に有するチップキャリアにおいて、前記接
続用パッドより面積の大きい複数の位置決め用パッドを
下面に有することを特徴とするチップキャリア。 - 【請求項2】 チップキャリアの下面に設けた外部と
の接続回路としての複数の接続用パッドおよびこの接続
用パッドより面積の大きい複数の位置決め用パッドの全
てに同種類の予備半田を設ける第1の工程と、この第1
の工程の後に前記接続用パッドに対応して接続用導体回
路が設けられ前記位置決め用パッドに対応して前記接続
用導体回路より面積の大きい位置決め用導体回路が設け
られた基板上に前記位置決め用パッドに設けられた予備
半田の先端が前記位置決め用導体回路に乗るように前記
チップキャリアを位置決めする第2の工程と、この第2
の工程の後に予備半田の加熱リフローを行う第3の工程
と、この第3の工程の後に前記チップキャリアの上面か
ら荷重を加える第4の工程とを有するチップキャリアの
半田付け方法。 - 【請求項3】 チップキャリアの下面に設けた外部と
の接続回路としての複数の接続用パッドに高融点の予備
半田を設け、前記チップキャリアの下面に設けた前記接
続用パッドより面積の大きい複数の位置決め用パッドに
低融点の予備半田を設ける第1の工程と、この第1の工
程の後に前記接続用パッドに対応して接続用導体回路が
設けられ前記位置決め用パッドに対応して前記接続用導
体回路より面積の大きい位置決め用導体回路が設けられ
た基板上に前記位置決め用パッドに設けられた予備半田
の先端が前記位置決め用導体回路に乗るように前記チッ
プキャリアを位置決めする第2の工程と、この第2の工
程の後に前記チップキャリアの位置決め用パッドに設け
られた予備半田が溶融し、前記接続用パッドに設けられ
た予備半田が溶融しない温度で加熱リフローを行なう第
3の工程と、この第3の工程の後に前記チップキャリア
の上面から荷重を加える第4の工程と、この第4の工程
の後に前記接続用パッドに設けられた予備半田が溶融す
る温度で加熱リフローする第5の工程とを有するチップ
キャリアの半田付け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3079478A JPH04314355A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | チップキャリア及びその半田付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3079478A JPH04314355A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | チップキャリア及びその半田付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04314355A true JPH04314355A (ja) | 1992-11-05 |
Family
ID=13691005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3079478A Pending JPH04314355A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | チップキャリア及びその半田付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04314355A (ja) |
Cited By (10)
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1991
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