JPH04315832A - 光ディスク基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光ディスク基板に係り、
特に軟化点が１００℃以上の炭化水素樹脂よりなり、基
板表面がフッ素及び酸素含有ガスで接触処理され、処理
後の基板表面の水に対する接触角が７０°以下、基板表
面の酸素対フッ素の元素比が０．１〜１、フッ素侵入深
度が１００〜２０００Åである耐熱性、接着性の改良さ
れた光ディスク基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザーを用いた光学記録は高密度の情
報記録、保存、及び再生が可能であるため、近年その開
発が積極的に行なわれている。この様な光学記録の一例
として光ディスクを挙げることが出来る。一般に光ディ
スクは、透明な基板とその上にコートされた種々の記録
媒体とから基本的に構成される。

【０００３】光ディスクの透明基板には無色透明な合成
樹脂が用いられるケースが多く、その代表的なものとし
てポリカーボネート（以下、「ＰＣ」と略称する。）又
はポリメチルメタクリレート（以下、「ＰＭＭＡ」と略
称する。）を挙げることができる。これらの樹脂は無色
透明性に秀いでる他、各々に固有の優れた性質を有する
ものではあるが、光学材料、特に光ディスク基板として
の要件を全て備えている訳ではなく、解決すべき問題点
を有している。例えば、ＰＣにおいてはその芳香族環に
起因する複屈折性の問題があり、また、吸水性或いは透
水性においても問題がある。一方、ＰＭＭＡにおいては
、耐熱性、吸水性、靱性の面における問題点がかねてよ
り指摘されている。

【０００４】このように、これらの樹脂は各々固有の問
題点を内在させつつ使用に供されているのであるが、実
際には更に、これらの樹脂よりなる透明基板の上にコー
トされる記録媒体との関係において、後述のような新た
な問題が生じている。一方、記録媒体については、従来
より光ディスクの用途に応じて多岐にわたる開発が行な
われている。例えば、ライト・ワンス型と呼ばれる記録
−再生専用のものでは穴あけタイプのものが、またイレ
ーザブル型と呼ばれる、記録−再生−消去−再記録用の
ものでは、結晶転移現象を利用した相転移タイプのもの
、光磁気効果を利用した光磁気タイプのもの等が知られ
ている。これらの記録媒体用材料は、ライト・ワンス型
ではテルル又はその酸化物、合金化合物等、イレーザブ
ル型では、ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦ
ｅＣｏといった希土類−遷移金属のアモルファス合金化
合物等、無機系材料が主流とされており、一般に高真空
下でのスパッタリング等の乾式処法により、透明基板上
に成膜することにより形成されている。

【０００５】ところで、ＰＣ、ＰＭＭＡの吸湿性及び透
水性は、一方では基板自身の吸湿時の膨張によるソリの
問題を引き起こすものであるが、他方、基板を通しての
水分の透過により記録媒体の腐蝕を引き起こし、光ディ
スクの寿命を縮める原因となっている。また、基板用樹
脂の耐熱性について更に言及すれば、次のような問題が
ある。即ち、光ディスク、特にライト・ワンス型、イレ
ーザブル型等の光ディスクにおいては、記録の書き込み
、消去時の記録媒体の温度は２００℃以上にもなる。 このため、ディスク基板にこの熱が直接かかることは無
いにしても、記録の書き込み、消去時には基板が相当高
温になることが予想され、耐熱性の低い樹脂では、基板
の変形或いはグルーブの変形等の問題が起こり得る。

【０００６】一方、光ディスクの生産工程においては、
基板或いは記録媒体の経時変化防止等の目的で、熱処理
工程を取り入れることが多いが、生産性の向上のために
は、できるだけ高い処理温度で処理することにより処理
時間を短縮することが望まれる。この様な観点からも、
樹脂の耐熱性が低いと高い処理温度を採用することがで
きず、生産性を上げることができないという不具合があ
る。

【０００７】このようなことから、光ディスクの生産工
程或いは使用状況の高温度に耐えるには、耐熱性の低い
ＰＭＭＡでは全く不十分であり、従来においては専ら、
より耐熱性の高いＰＣが透明基板材料として検討されて
いる。しかしながら、ＰＣでも必ずしも耐熱性が十分で
あるという評価を受けているわけではなく、より高い耐
熱性を備える樹脂材料の出現が望まれている。

【０００８】ＰＣ、ＰＭＭＡ等の従来の樹脂の欠点を補
うものとして、主に炭素、水素のみよりなり、かつ、軟
化点の高い透明性の樹脂を用いる方法があり、特開昭６
３−４３９１０等において提案されている。しかし、軟
化点の高い、炭化水素樹脂は、いわゆるポリオレフィン
の低接着性の例に洩れず、記録膜層との密着性が悪く、
光ディスクとしての十分な寿命が得られないという問題
があった。本発明者等は、成型品の表面をフッ素ガスで
処理する事により、記録膜との密着性が向上する事を見
出した（特願平２−２００８９３）。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記フッ素ガ
スで処理する方法でも密着性がまだ充分ではなかった。 また、フッ素ガス処理の制御が難しいという問題があっ
た。そのためフッ素ガスによる処理の改良方法を鋭意検
討した結果、フッ素ガス及び酸素ガスにより特定の処理
をすることによって記録膜層との密着性が飛躍的に向上
する事を見出し、本発明に到達した。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の光ディスク基板
は、軟化点が１００℃以上の透明性炭化水素樹脂よりな
り、その表面がフッ素及び、酸素含有ガスで接触処理さ
れ、処理後の基板表面の水に対する接触角が、７０度以
下、電子分光法のＥＳＣＡで測定した基板表面の元素組
成において酸素対フッ素の元素比が０．１〜１、ＳＩＭ
Ｓ（二次イオン質量分析計）で測定したフッ素侵入深度
が１００〜２０００Åである事を特徴とする。

【００１１】本発明における、軟化点が１００℃以上の
透明性炭化素樹脂としては、主に脂環式構造を主鎖、或
いは側鎖に持つ高ガラス転移点の非晶性樹脂が考えられ
るが、結晶性であっても高透明性が維持されるものであ
れば必らずしも除外するものではない。また、本発明に
おけるフッ素及び酸素含有ガスとしては、Ｆ２　ガスと
酸素ガス、或いは空気との混合ガス及びこれらを更にＮ
２　、Ａｒ等の不活性ガスで希釈した混合ガスが利用で
きる。

【００１２】以下に本発明を詳細に説明する。本発明で
用いられる、軟化点が１００℃以上の脂環式構造を主鎖
、或いは側鎖に持つ非晶性樹脂としては、第一に、ポリ
ビニルシクロヘキサン系樹脂が挙げられる。本発明で用
いられるポリビニルシクロヘキサン系樹脂は、好ましく
はスチレン系樹脂（スチレン系重合体）を核水添して得
られる。

【００１３】原料のスチレン系重合体としては、ビニル
芳香族炭化水素重合体或いはビニル芳香族炭化水素ブロ
ック共重合体が挙げられる。後者のビニル芳香族炭化水
素ブロック共重合体としてはビニル芳香族炭化水素重合
体セグメント（以下、「Ａセグメント」略称する。）と
少なくとも１種以上の共役ジエン重合体セグメント（以
下「Ｂセグメント」と略称する。）とから成るものが挙
げられる。

【００１４】モノマーとして用いられるビニル芳香族炭
化水素としては、スチレン、ｐ−メチルスチレン、α−
メチルスチレン等を挙げることができ、特に代表的なも
のとしてスチレンが挙げられる。ビニル芳香族炭化水素
重合体としては、これらのビニル芳香族炭化水素１種よ
りなる単独重合体或いは２種以上の共重合体が挙げられ
る。

【００１５】また、上記ビニル芳香族炭化水素と、これ
と共重合可能な他の不飽和単量体とを、ビニル芳香族炭
化水素重合体の特性が失なわれない範囲で共重合して得
られる共重合体を用いる事もできる。次に、ビニル芳香
族炭化水素ブロック共重合体中のＡセグメントとしては
上述のビニル芳香族炭化水素重合体と同様のものが挙げ
られる。また、ブロック共重合体中のＢセグメントの共
役ジエンとしては、１，３−ブタジエン、イソプレン、
２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペン
タジエン、１，３−ヘキサジエン等が挙げられ、特に、
１，３−ブタジエン、イソプレンが一般的である。Ａセ
グメント及びＢセグメントからなるブロック共重合体は
、いわゆるリビングアニオン重合と称せられる公知の方
法、例えば有機リチウム化合物を開始剤とし、ヘキサン
、ヘプタンの様な炭化水素溶媒中で重合する方法等によ
り容易に得ることができる。なお、このようなブロック
共重合体中のＡセグメントの含有量は８０重量％以上、
好ましくは９０重量％以上、更に好ましくは９３重量％
以上である。Ａセグメントの含有量が８０重量％未満の
場合には、水素付加後に得られる樹脂の耐熱性が低下し
、光ディスク基板としては不適なものとなる。

【００１６】本発明において、このような原料スチレン
系重合体の分子量は、数平均分子量で５０，０００以上
であることが好ましい。スチレン系重合体の分子量が低
過ぎると、水素付加後得られる樹脂の耐熱性、靱性が低
下する。一方、分子量の上限については特に制限はない
が、通常の場合、４００，０００以下であることが好ま
しい。

【００１７】ポリビニルシクロヘキサン系樹脂は、この
ようなスチレン系重合体を、芳香族水素化能を有する水
素化触媒の存在下で、核水添して得ることができる。こ
こで使用される水素化触媒としては、例えばニッケル、
コバルト、ルテニウム、ロジウム、白金、パラジウム等
の金属又はその酸化物、塩、錯体及びこれらを活性炭、
ケイソウ土、アルミナ、シリカ、シリカーアルミナ等の
担体に担持したもの等が挙げられる。これらの中でも特
にラネーニッケル、ラネーコバルト、安定化ニッケル及
びルテニウム、ロジウム又は白金のカーボン又はアルミ
ナ担持触媒が、反応性の面から好ましい。

【００１８】核水添反応は、５０〜２５０ｋｇ／ｃｍ２
　の圧力、１００〜２００℃の温度下にて、溶媒として
シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−オクタン
、デカリン、テトラリン、ナフサ等の飽和炭化水素系溶
媒又は、ＴＨＦ等のエーテル系溶媒を用いて行なうのが
好ましい。核水添反応による芳香核の核水添率は６０％
以上、好ましくは７０％以上更に好ましくは９５％以上
である。核水添率が低く、６０％未満であると、得られ
る樹脂の耐熱性の低下、複屈折の増大等の問題があり好
ましくない。

【００１９】本発明の他の非晶性重合体としては、エチ
レン等のα−オレフィンと、環状モノオレフィンとのチ
ーグラー触媒によるランダム共重合体、環状オレフィン
のメタセシス触媒による開環重合体に水素添加したもの
等が挙げられる。前者に用いられるα−オレフィンとし
ては、エチレン、プロピレン等が挙げられ特にエチレン
が好ましい。また環状モノオレフィンとしては、ノルボ
ルネン、メチルノルボルネン、ジメタノオクタヒドロナ
フタレン、メチルジメタノオクタヒドロナフタレン等が
挙げられる。

【００２０】後者に用いられる環状オレフィンとしては
、前者で挙げられた環状モノオレフィンの他、ジシクロ
ペンタジエン、トリシクロペンタジエン等の環状ポリエ
ンも用い得る。得られたメタセシス触媒による開環重合
体は、前述のポリビニルシクロヘキサン系樹脂を製造さ
れるのに用いられたものと同様の水素添加触媒を用いて
類似の条件下で水素添加される。

【００２１】前者の非晶性重合体は、特開昭６０−１６
８７０８号公報、６１−１１５９１２号公報等に、後者
の非晶性重合体は６０−２６０２４号公報、６３−２１
８７２６号公報等に記載されている。また、結晶性の樹
脂であっても、立体規則性触媒によって重合した、４−
メチルペンテン−１重合体の様な透明性の重合体を用い
る事も出来る。

【００２２】本発明における光ディスク基板は射出成型
により成型される。本発明の炭化水素樹脂は射出成型に
必要な流動性を保持する為、分子量は数平均分子量で２
０，０００より大きく、２００，０００以下である。分
子量の下限は、樹脂の強度により規定される。本発明に
おいて、樹脂の軟化点はサーモメカニカルアナライザー
により、針入モード用プローブを用い、荷重５ｇ、５　
℃／分の昇温速度で測定した場合１００℃以上、好まし
くは１２０℃以上である。軟化温度が低いと、基板、グ
ルーブの変形等の問題がある。

【００２３】本発明においては、以上の様にして得られ
た樹脂に熱安定剤を配合し射出成型を行う。熱安定剤と
しては、ヒンダードフェノール系熱安定剤、イオウ系熱
安定剤、リン系熱安定剤等が挙げられる。ヒンダードフ
ェノール系熱安定剤とリン系熱安定剤の併用が耐熱劣化
性の向上という観点から好ましい。

【００２４】本発明で採用されるヒンダードフェノール
系熱安定剤としては、テトラキス〔メチレン−３−（３
，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
ピオネートメタン、３，９−ビス〔１，１−ジメチル−
２−｛β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メ
チルフェニル）プロピオニルオキシ｝エチル〕−２，４
，８，１０−テトラオキサスピロ〔５，５〕ウンデカン
、１，３，５−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシベンジル−ｓ−トリアジン−２，４，６（１
Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオン、１，３，５−トリメチル
−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシベンジル）ベンゼン等が挙げられる。

【００２５】また、リン系熱安定剤としては、テトラキ
ス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４，−ビ
フェニレンホスフォナイト、ビス（２，６−ジ−ｔ−ブ
チル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトール−ジ
−ホスファイト等が挙げられる。これら安定剤の好適な
添加量は、各々０．０１〜１重量％である。

【００２６】これらの安定剤と本発明の軟化点が１００
℃以上の炭化水素樹脂との混合方法については特に制限
はないが、通常は樹脂と安定剤とをリボンブレンダー、
タンブラーブレンダー、ヘンシェルミキサー等で混合し
、その後、バンバリーミキサー、一軸押出機、二軸押出
機等で熔融混練し、ペレット形状とすることにより混合
する。しかして、このようにして得られたペレットを用
い、成形温度２７０〜３５０℃、特に２８０〜３４０℃
で射出成形することにより、透明性、耐熱性等に優れ、
着色もなく光学歪の著しく小さい光ディスク基板を得る
ことができる。

【００２７】本発明においては、以上の様にして得られ
た、光ディスク基板の表面をフッ素及び酸素含有ガスで
軽度に接触処理する。処理時のフッ素の分圧は、処理時
間との関連で特に制限はないが、通常は常圧以下、好ま
しくは１００ｍｍＨｇ以下、更に好ましくは２０ｍｍＨ
ｇ以下である。フッ素分圧が高過ぎる場合は、処理レベ
ルを制御する事が難かしく、場合によってはフッ素と基
板表面の反応が過度に進行し、基板表面の肌荒を起こす
。

【００２８】酸素の分圧に関しては、フッ素の分圧との
関連で決定されるが、通常、酸素分圧／フッ素分圧の値
で０．３〜１０、好ましくは０．５〜５である。酸素分
圧／フッ素分圧の値が０．３より小の場合でもある程度
の接着性の改良は認められるが、改良効果が十分とは言
えない。また酸素分圧／フッ素分圧の値が１０より大の
場合には接着性改良効果に乏しい。

【００２９】処理時の全圧、即ち、Ｎ２　、Ａｒ等の不
活性ガスを混合した場合の全混合ガスの圧力は特に制限
はなく加圧系でも良いが、通常は不活性ガスの希釈の度
合に応じて、常圧以下の値が用いられる。フッ素ガスに
関し、純フッ素ガスは、取り扱い上危険であるので、不
活性ガスで、２０モル％以下の濃度に希釈したものを用
いる事が好ましい。

【００３０】本発明の方法における、フッ素及び酸素含
有ガスによる接触処理の際の作用機構は明らかではない
が、処理後、水に対する接触角が低下しており、表面の
極性が増大している事が、記録膜密着性増大の原因と推
定される。特に酸素含有量の低いガスを用いる場合接触
処理を過度に行うと、一度低下した接触角が再度増大す
る傾向にあり、接触角の増大に伴い再び密着性は低下す
る。過度の処理は、表面のフッ素化の過度の進行につな
がり、表面の極性が低下するものと思われる。

【００３１】フッ素及び酸素含有ガスでの処理装置は、
特に限定されず、光ディスク基板にフッ素及び酸素含有
ガスが均一に接触する事が可能であれば良い。処理温度
は、通常室温で十分である。処理時間は比較的短かくて
良く、１分以上１０時間以内である。フッ素分圧が比較
的低い時は長時間、比較的高い時は短時間で行う。処理
時間が短か過ぎると密着性が改善されず、長過ぎると表
面荒等の問題が生じる。

【００３２】フッ素分圧が１〜２０ｍｍＨｇの範囲では
、処理時間は１０分より長く、２時間より短い事が好ま
しい。更に好ましくは３０分より長く、２時間より短か
い。本発明におけるフッ素含有ガス処理は軽度のもので
あり、本発明における処理による光ディスク基板の重量
増加は１ｗｔ％以下、好ましくは０．１ｗｔ％以下であ
る。また、フッ素ガス処理後の光ディスク基板表面の水
に対する接触角は７０°以下、好ましくは６５°以下で
ある。

【００３３】またＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　　Ｓｐ
ｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ　　ｆｏｒ　　Ｃｈｅｍｉｃａｌ
　　Ａｎａｌｙｓｉｓ）で表面深さ５ｎｍまでの領域に
ついて元素分析を行なって得られるフッ素含有量と酸素
含有量の比率は０．１〜１．０の範囲である事が好まし
くこの値は更に好ましくは０．２〜０．８である。また
ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析計）で測定したフッ素処
理深さは１００〜２０００Åであることが好ましい。更
に１５０〜１０００Åとするのがよい。測定法について
は実施例の項で述べる。

【００３４】本発明の光ディスク基板を用いて光ディス
クを製造する際には、該基板表面にスパッタリング、或
いは蒸着等の方法によりＳＮｘ、ＴａＯｘ等の皮膜を形
成し更にその上にＴｂＦｅＣｏ等の記録層を形成して、
更に、Ａｌ等の反射膜を設け、最後に保護膜で覆う等の
方法を採用する事が出来る。

【００３５】

【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。なお、以
下の実施例及び比較例における各種物性は、次の方法に
よって測定したものである。 ■数平均分子量：ゲル・パーミエーション・クロマトグ
ラフィー（ＧＰＣ）により、ＴＨＦを溶媒としてポリス
チレンと同様に測定し、ポリスチレン換算の数平均分子
量を求めた。 ■核水添率（％）：ポリビニルシクロヘキサン系樹脂を
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解し、ＵＶ吸収によ
り測定した。 ■軟化温度（℃）：第二精工社製サーモメカニカルアナ
ライザーを用いて、針入モード用プローブを用い荷重５
ｇ、５℃／分の昇温速度で軟化温度を測定した。試験片
の厚みは３ｍｍとした。 ■光ディスク基板の光線透過率（％）：ＪＩＳＫ６７１
４に準拠して測定した。■光ディスクのキャリアレベル
（Ｃ／Ｎ比）の測定記録媒体、保護膜をつけた光ディス
クを、ＰＩＮフォトダイオード差動検出器をもった動特
性検出器によりＣ／Ｎ比（Ａｌ膜を用いた場合をＯｄＢ
とする）を測定した。

【００３６】なお、記録、再生条件は下記の通りとした
。 記録条件：ＣＡＶ（定角速度）１８００ｒｐｍ半径３０
ｍｍ位置、溝上記録 記録周波数０．５ＭＨＺ　 ｄｕｔｙ５０％ 再生条件：ＣＡＶ１８００ｒｐｍ 再生パワー０．８ｍＷ ■接触角の測定 室温２３℃、５０％ＲＨの条件下で、協和界面科学社製
ＣＡ−ＤＴ・Ａ型を用いて、液滴法により、接触角を測
定した。

【００３７】サンプルをセットし、脱塩蒸留水を直系約
１．５ｍｍの液球にし、サンプル上に滴下した。その液
滴とサンプル表面との接触している角度を液滴の左右で
測り、その平均値を出し、その測定を数回、測定点を変
えて測定し、その平均値で接触角を算出した。 ■表面組成の測定 Ｋｒａｔｏｓ社のＸｓａｍ８００を用いて、ＡｌのＫα
線で１４ＫＶ×２０ｍＡで測定した。Ｃ、Ｏ、Ｆで１０
０として換算。 ■Ｆ侵入深度の測定 ＡＴＯＭＩＫＡ社のＡ−ＤＩＤＡ３０００二次イオン質
量分析装置を用いて、１次イオン種：Ｏ２　＋　、加速
電圧１２ＫｅＶ、加速電流１００ｎＡ、スキャン巾４０
０μｍ□、Ｅ−Ｇｕｎ：１．０ＫＶ、２．５Ａの測定条
件で、Ｃ、Ｆ、のデプスプロファイルを求め、Ｆ−　／
Ｃ−　値が１／２に減衰する時点までをＦ侵入深さとし
た。

【００３８】デプスプロファイルの横軸は、測定後のフ
レーターの深さを触針計を用いて計測し、スパッタリン
グレートを求め較正した。 基板構造例 スチレン単独重合体の水添により得られた、数平均分子
量７０，０００、核水添率９９％のポリビニルシクロヘ
キサン１００重量部に、１，３，５−トリメチル−２，
４，６−トリス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシベンジル）ベンゼンメタン（日本チバガイギー社
製「Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０」）０．２重量部、ビス（
２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）−ペン
タエリスリトール−ジ−ホスファイト（アデカアーガス
社製ＭＡＲＫ　　ＰＥＰ−３６）０．２重量部を添加し
、押出機を用いて２６０℃で溶融混練を行ないペレット
化した。

【００３９】このペレットを射出成形機（各機社製「Ｍ
１４０Ａ」）を用いて、可動金型側にグルーブ付スタン
バーを取り付け、樹脂温度３００℃で厚さ１．２ｍｍ、
直径１３０ｍｍの円盤状光ディスク基板を成形した。基
板樹脂の軟化温度は１７２℃であり、基板の光線透過率
は９０％であった。水に対する接触角は１０３°であっ
た。 実施例１ 基板製造例で得られた光ディスク基板をフッ素及び酸素
含有ガスで接触処理した。

【００４０】まず基板を直系１８ｃｍの円筒状チェンバ
ーに入れ、チェンバー内を、真空にした。次いで、フッ
素分圧が３ｍｍＨｇ、酸素分圧が３ｍｍＨｇとなる様に
Ｎ２　ガスで希釈した混合ガスを、チェンバー内に内圧
が１１０ｍｍＨｇまで復圧する様に導入した。この時の
チェンバー内の温度は１７℃であった。１時間後、系内
のＦ２　／Ｏ２　／Ｎ２　混合ガスを排気し、空気で置
き換えた後、基板を取り出した。

【００４１】この基板の水に対する接触角は５０°であ
った。ＥＳＣＡで測定した、基板表面の元素分析結果は
、Ｃ／０／Ｆ＝５１／１６／３３（元素比）でありＯ／
Ｆ＝０．４８であった。またＳＩＭＳで測定したＦ侵入
深度は２１０Åであった。又、処理後の重量増は０．１
ｗｔ％以下であった。

【００４２】得られた基板をスパッタリング装置に装入
し、まず８×１０−７ｔｏｒｒ以下まで排気し、Ａｒと
Ｏ２　との混合ガスを用いてＴａターゲットの反応性ス
パッタを行ないＴａ２　Ｏ５　からなる干渉層（厚さ８
００Å）を形成した。次いで、Ｔｂターゲット及びＦｅ
Ｃｏターゲットを用いたＡｒガスによる２元同時スパッ
タにより、ＴｂＦｅＣｏの記録層（厚さ３００Å）を設
けた。 更に、Ｔｉチップを配置したＡｌターゲットをＡｒガス
中でスパッタして厚さ３００Åの反射層を形成した。

【００４３】得られた光ディスクのＣ／Ｎ比は６０．５
ｄＢであった。この皮膜を設けた基板の鏡面となってい
る部分に１ｃｍ×１ｃｍの範囲で各１０本の線を引き、
得られた碁盤目状部分に寺岡社製粘着テープ（イミドフ
ィルムベース）を貼りつけ、これを引き剥がす事により
、基板と記録膜の密着強度を評価した。

【００４４】結果は１ｍｍ×１ｍｍ角の碁盤目状試験片
１００枚のうち剥がれたものは１枚もなかった。 実施例２ 実施例１において酸素分圧を６ｍｍＨｇとする以外は実
施例１と同様に処理を行なった。結果を表１に示す。 比較例１ フッ素、酸素含有ガス接触処理を行なわなかった基板に
ついて、テープ剥離試験を行なったところ、剥離は１０
０枚中１００枚であった。又、Ｃ／Ｎ比は６０．８ｄＢ
であった。結果を表１に示す。 比較例２ 実施例１において処理時間を３分にした以外は実施例１
と同様に処理を行った。結果を表１に示す。 比較例３ フッ素分圧を２０ｍｍＨｇ、酸素分圧を約０．０２ｍｍ
Ｈｇ窒素を含む全圧を４００ｍｍＨｇとし、更に処理時
間を３０分とする以外は実施例１と同様に処理を行なっ
た。結果を表１に示す。 比較例４ 酸素分圧を３３ｍｍＨｇ、全圧を６００ｍｍＨｇとする
以外は実施例１と同様に処理を行なった。結果を表１に
示す。

【００４５】

【表１】

【００４６】

【発明の効果】本発明は従来のＰＣ、ＰＭＭＡ等の材料
に比較して耐熱性に優れ、吸水性が小さい光ディスク基
板であり、フッ素及び酸素含有ガスの処理により、記録
膜層との密着性が格段に向上した。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　軟化点が１００℃以上の炭化水素樹脂
   よりなり、その表面がフッ素及び酸素含有ガスで接触処
   理され、処理後の基板表面の水に対する接触角が７０°
   以下、基板表面の元素組成において、酸素対フッ素の元
   素比が０．１〜１、フッ素侵入深度が１００〜２０００
   Åである事を特徴とする光ディスク基板。