JPH0431869A - 電子写真用セレンテルル感光体 - Google Patents
電子写真用セレンテルル感光体Info
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- JPH0431869A JPH0431869A JP13725790A JP13725790A JPH0431869A JP H0431869 A JPH0431869 A JP H0431869A JP 13725790 A JP13725790 A JP 13725790A JP 13725790 A JP13725790 A JP 13725790A JP H0431869 A JPH0431869 A JP H0431869A
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- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 16
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電子写真用セレンテルル系感光体特に耐環境特
性の向上に関するものである。
性の向上に関するものである。
（従来技術とその問題点）
機能分離形セレンテルル感光体、例えば第１図に示すよ
うな導電性基体（１１上にセレン−テルル−塩素系から
なる電荷移動層（２）を形成し、更にその上にセレン−
テルルからなる電荷発生層（３）を形成してなるセレン
、テルル系感光体は、光感度にすぐれるため現在でも電
子写真装置に広く利用されている。
うな導電性基体（１１上にセレン−テルル−塩素系から
なる電荷移動層（２）を形成し、更にその上にセレン−
テルルからなる電荷発生層（３）を形成してなるセレン
、テルル系感光体は、光感度にすぐれるため現在でも電
子写真装置に広く利用されている。
しかしながらセレン−テルル感光体は周知のように耐高
温性、耐高湿性など、いわゆる環境保存性において有機
感光体その他の感光体に比べ大きく劣る欠点をもつ。ま
た感光体表面に異物の付着、或いは接触かあると、容易
にアモルファス状態から結晶状態に移行して、感光体と
しての特性を維持できなくなる欠点がある。
温性、耐高湿性など、いわゆる環境保存性において有機
感光体その他の感光体に比べ大きく劣る欠点をもつ。ま
た感光体表面に異物の付着、或いは接触かあると、容易
にアモルファス状態から結晶状態に移行して、感光体と
しての特性を維持できなくなる欠点がある。
そこで上記の欠点の改善を図るため、第１図の電荷発生
層（３）または全層に亘ってヒ素を添加する試みがなさ
れているか、しかしこの方法では暗減衰の増大や残留電
位の上昇を招く。従ってヒ素添加濃度の制限、ヒ素添加
層の膜厚の制限等の考慮か必要になるため、充分な環境
保存性の向上効果を発揮できない。しかもヒ素を添加し
ないセレン−テルル感光体であっても、高温時（特に３
５°Ｃ以上）において劣化して暗減衰を増大するため、
前記ヒ素の添加にもとづく更なる暗減衰の増大は、表面
電位の低下を著しく助長して電気的特性を悪化させるこ
とになる。
層（３）または全層に亘ってヒ素を添加する試みがなさ
れているか、しかしこの方法では暗減衰の増大や残留電
位の上昇を招く。従ってヒ素添加濃度の制限、ヒ素添加
層の膜厚の制限等の考慮か必要になるため、充分な環境
保存性の向上効果を発揮できない。しかもヒ素を添加し
ないセレン−テルル感光体であっても、高温時（特に３
５°Ｃ以上）において劣化して暗減衰を増大するため、
前記ヒ素の添加にもとづく更なる暗減衰の増大は、表面
電位の低下を著しく助長して電気的特性を悪化させるこ
とになる。
（発明の目的）
本発明はヒ素の添加によっても表面電位の低下の少ない
、感光体の実現を目的としてなされたものである。
、感光体の実現を目的としてなされたものである。
（問題点を解決するための本発明の手段）機能分離型感
光体においては、半導体基体から電荷発生層に電荷の注
入が行われて表面電位が変化し、しかもこの注入量はヒ
素の添加量によって変化する。従って何等かの手段によ
り上記のような半導体基体からの電荷の注入を開園でき
ればヒ素の添加にもとづく表面電位の低下を制限するこ
とかてきる。本発明は以上から着想されたものであって
、本発明の特徴とするところは次の点にある。即ち、第
２図に示すように導電性基体（１）上に樹脂絶縁層（４
）を形成すると共に、その材質膜厚などの選定により、
半導体基体（１）から電荷発生層（３）への電荷の注入
量を制限するようにして、ヒ素の添加にもとづく電気的
特性への影響による表面電位の低下を制限するようにし
たことを特徴ずとるものである。
光体においては、半導体基体から電荷発生層に電荷の注
入が行われて表面電位が変化し、しかもこの注入量はヒ
素の添加量によって変化する。従って何等かの手段によ
り上記のような半導体基体からの電荷の注入を開園でき
ればヒ素の添加にもとづく表面電位の低下を制限するこ
とかてきる。本発明は以上から着想されたものであって
、本発明の特徴とするところは次の点にある。即ち、第
２図に示すように導電性基体（１）上に樹脂絶縁層（４
）を形成すると共に、その材質膜厚などの選定により、
半導体基体（１）から電荷発生層（３）への電荷の注入
量を制限するようにして、ヒ素の添加にもとづく電気的
特性への影響による表面電位の低下を制限するようにし
たことを特徴ずとるものである。
このようにすれは、高温時の劣化にもとつく暗減衰の増
大による、表面電位の顕著な低下に更に加わるヒ素の添
加による表面電位の低下は制限される。従って、電気的
特性、環境保存性共にすぐれたセレンテルル感光体を得
ることか可能になる。
大による、表面電位の顕著な低下に更に加わるヒ素の添
加による表面電位の低下は制限される。従って、電気的
特性、環境保存性共にすぐれたセレンテルル感光体を得
ることか可能になる。
以下に実施例によって本発明を具体的に説明する。
（実施例）
ベンゼンに溶解したＰＶＫ （ポリビニールカルバゾー
ル）を第２図の樹脂絶縁層（４）の形成材として用いて
、アルミニウム製導電製基体（１）上に膜厚０．０１．
０．１．０．５．１．０μの樹脂絶縁層（４）を形成し
、この上にセレン−テルル−塩素（テルル４９６、塩素
３０ｐｐｍ）からなる電荷移動層（２）とセレンテルル
感光体（テルル１２％、ヒ素１％）からなる電荷発生層
（３）を順次積層した１〜４の評価サンプルを試作した
。またこれと同時にヒ素の添加かあっても樹脂絶縁層（
４）のない（膜厚０）比較例１と、無樹脂絶縁層であっ
て、セレン−テルル−塩素（テルル４％、塩素３０１）
Ｉ）［１１）からなる電荷移動層（２）と、セレン−テ
ルル（テルル１２％）からなる電荷発生層（３）を備え
た、ヒ素の添加のない比較例２を試作した。
ル）を第２図の樹脂絶縁層（４）の形成材として用いて
、アルミニウム製導電製基体（１）上に膜厚０．０１．
０．１．０．５．１．０μの樹脂絶縁層（４）を形成し
、この上にセレン−テルル−塩素（テルル４９６、塩素
３０ｐｐｍ）からなる電荷移動層（２）とセレンテルル
感光体（テルル１２％、ヒ素１％）からなる電荷発生層
（３）を順次積層した１〜４の評価サンプルを試作した
。またこれと同時にヒ素の添加かあっても樹脂絶縁層（
４）のない（膜厚０）比較例１と、無樹脂絶縁層であっ
て、セレン−テルル−塩素（テルル４％、塩素３０１）
Ｉ）［１１）からなる電荷移動層（２）と、セレン−テ
ルル（テルル１２％）からなる電荷発生層（３）を備え
た、ヒ素の添加のない比較例２を試作した。
そしてこれらの感光体を通常の電子写真装置に装着して
、残留電位２表面電位の低下量などの各種の電気特性の
測定と１００枚の画像試験を実施したところ第１表の結
果を得た。
、残留電位２表面電位の低下量などの各種の電気特性の
測定と１００枚の画像試験を実施したところ第１表の結
果を得た。
第１表から明らかなように樹脂絶縁層を設けた感光体は
比較例２に示した通常のセレン−テルル感光体に比べて
若干残留電位の上昇は見られるが、例えばサンプルＮα
３と比較例２とを対比して明らかなように膜厚を選定す
ることにより、表面電位の低下量を少なくてきる。
比較例２に示した通常のセレン−テルル感光体に比べて
若干残留電位の上昇は見られるが、例えばサンプルＮα
３と比較例２とを対比して明らかなように膜厚を選定す
ることにより、表面電位の低下量を少なくてきる。
また１００枚の画像試験後、５０°Ｃ１６０％Ｒ）ｌの
環境において放置試験を実施したところ、ヒ素の添加の
ない比較例界２は表面か白濁し、感光特性も失われてい
たか、ヒ素を添加した評価サンプル１〜４および比較例
１は外観、電気特性共に変化しないことか明らかにされ
た。
環境において放置試験を実施したところ、ヒ素の添加の
ない比較例界２は表面か白濁し、感光特性も失われてい
たか、ヒ素を添加した評価サンプル１〜４および比較例
１は外観、電気特性共に変化しないことか明らかにされ
た。
また電荷移動層をセレン−テルル−塩素とし、そのテル
ル濃度を２〜８％、塩素濃度を１０〜１００ｐｐａｎ、
電荷発生層をセレン−テルル−ヒ素とし、そのテルル濃
度を５〜２０％、ヒ素濃度を０．１〜５％とした感光体
に本発明を適用した場合についても、実用上所要の電気
的特性を得なから耐環境性を向上できることが確かめら
れた。
ル濃度を２〜８％、塩素濃度を１０〜１００ｐｐａｎ、
電荷発生層をセレン−テルル−ヒ素とし、そのテルル濃
度を５〜２０％、ヒ素濃度を０．１〜５％とした感光体
に本発明を適用した場合についても、実用上所要の電気
的特性を得なから耐環境性を向上できることが確かめら
れた。
また樹脂絶縁層（２）の材料として、以上のＰＶＣの他
にＰＣ（ポリカーボネート）を用いた場合について実験
したか、同等の結果か得られた。
にＰＣ（ポリカーボネート）を用いた場合について実験
したか、同等の結果か得られた。
（発明の効果）
以上から明らかなように本発明によれば、ヒ素の添加に
よる耐環境性の向上を、感光体として要求される電気的
特性をほぼ維持しながら行うことかてきるすぐれた効果
を得られるもので、複写機等の電子写真装置の市場での
実用性は極めて高い。
よる耐環境性の向上を、感光体として要求される電気的
特性をほぼ維持しながら行うことかてきるすぐれた効果
を得られるもので、複写機等の電子写真装置の市場での
実用性は極めて高い。
第１図は従来の感光体の説明図、第２図は本発明の詳細
な説明図である。 （１）・・・導電性基体、 （２）・・・電荷移動層、
（３）・・・電荷発生層、 （４）樹脂絶縁層。
な説明図である。 （１）・・・導電性基体、 （２）・・・電荷移動層、
（３）・・・電荷発生層、 （４）樹脂絶縁層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性基体上に電荷移動層とヒ素を添加した電荷発生
層を順次積層した電子写真用セレンテルル感光体におい
て、 前記導電性基体上に樹脂絶縁層を設けると共にその膜厚
を０．０１〜０．５μ、 電荷移動層をセレン−テルル−塩素とし、そのテルル濃
度を２〜８％、塩素濃度を１０〜１００ｐｐｍ、電荷発
生層をセレン−テルル−ヒ素とし、そのテルル濃度を５
〜２０％、ヒ素濃度を０．１〜５％としたことを特徴と
する電子写真用セレンテルル感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2137257A JP2631413B2 (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 電子写真用セレンテルル感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2137257A JP2631413B2 (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 電子写真用セレンテルル感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0431869A true JPH0431869A (ja) | 1992-02-04 |
| JP2631413B2 JP2631413B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=15194439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2137257A Expired - Fee Related JP2631413B2 (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 電子写真用セレンテルル感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2631413B2 (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60250357A (ja) * | 1984-05-26 | 1985-12-11 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS6120046A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-28 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6152651A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-15 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPS61204637A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-10 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 多層型像形成部材 |
| JPS61273550A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-03 | リツエンツイア・パテント−フエルヴアルツングス−ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電子写真用記録材料 |
| JPS6249357A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-04 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP2137257A patent/JP2631413B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60250357A (ja) * | 1984-05-26 | 1985-12-11 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS6120046A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-28 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6152651A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-15 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPS61204637A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-10 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 多層型像形成部材 |
| JPS61273550A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-03 | リツエンツイア・パテント−フエルヴアルツングス−ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電子写真用記録材料 |
| JPS6249357A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-04 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2631413B2 (ja) | 1997-07-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |