JPH04320020A - 半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置Info
- Publication number
- JPH04320020A JPH04320020A JP3112102A JP11210291A JPH04320020A JP H04320020 A JPH04320020 A JP H04320020A JP 3112102 A JP3112102 A JP 3112102A JP 11210291 A JP11210291 A JP 11210291A JP H04320020 A JPH04320020 A JP H04320020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- information
- wafer
- reticle
- circuit pattern
- semiconductor exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳ
Ｉ等の半導体素子製造用の露光装置に関するものである
。
Ｉ等の半導体素子製造用の露光装置に関するものである
。
【０００２】
【従来の技術】半導体露光装置は、操作部と本体部によ
って構成されている。操作部は、操作部ＣＰＵ、表示装
置、入力装置、補助入力装置、補助記憶装置、通信Ｉ／
Ｆで構成され、ウエハ焼付けに関する各種制御データの
入力、装置の動作を制御する命令の入力、装置本体の動
作状態の表示、入力した制御データの保存、保存したデ
ータの再利用等の機能を有する。
って構成されている。操作部は、操作部ＣＰＵ、表示装
置、入力装置、補助入力装置、補助記憶装置、通信Ｉ／
Ｆで構成され、ウエハ焼付けに関する各種制御データの
入力、装置の動作を制御する命令の入力、装置本体の動
作状態の表示、入力した制御データの保存、保存したデ
ータの再利用等の機能を有する。
【０００３】本体部は、ウエハの搬送装置、ウエハステ
ージ、ウエハ位置合わせ装置、レチクルステージ、レチ
クル収納搬送装置、焼付けレンズ、露光照明源、各種環
境・位置センサー、アクチュエータ、位置合わせ用低倍
顕微鏡、位置合わせ用高倍顕微鏡、本体部ＣＰＵ、通信
Ｉ／Ｆ等により構成され、ウエハの焼付けシーケンスを
実行する機能を有する。
ージ、ウエハ位置合わせ装置、レチクルステージ、レチ
クル収納搬送装置、焼付けレンズ、露光照明源、各種環
境・位置センサー、アクチュエータ、位置合わせ用低倍
顕微鏡、位置合わせ用高倍顕微鏡、本体部ＣＰＵ、通信
Ｉ／Ｆ等により構成され、ウエハの焼付けシーケンスを
実行する機能を有する。
【０００４】従来、半導体ウエハの焼付け工程に関する
情報は、操作部より入力され、使用するレチクルに関す
る情報、ウエハ露光のステップサイズ・ウエハサイズに
関する情報、ウエハの位置合わせに関する情報、本体部
の制御に関する情報などの内容が操作部の記憶装置に、
予め操作者の指定した名称により工程毎に記憶されてい
る。
情報は、操作部より入力され、使用するレチクルに関す
る情報、ウエハ露光のステップサイズ・ウエハサイズに
関する情報、ウエハの位置合わせに関する情報、本体部
の制御に関する情報などの内容が操作部の記憶装置に、
予め操作者の指定した名称により工程毎に記憶されてい
る。
【０００５】この工程毎の情報は、操作者が操作部から
先の工程を指定する名称を入力することによって記憶装
置から取出し操作部ＣＰＵから本体部ＣＰＵへ送信し、
ウエハの焼付けシーケンスを実行することができる。こ
の工程を指定する名称は、再びこの工程の処理を行う場
合が多いため、操作者が工程と対応させて記憶しまたは
メモなどの手段を用いて管理している。
先の工程を指定する名称を入力することによって記憶装
置から取出し操作部ＣＰＵから本体部ＣＰＵへ送信し、
ウエハの焼付けシーケンスを実行することができる。こ
の工程を指定する名称は、再びこの工程の処理を行う場
合が多いため、操作者が工程と対応させて記憶しまたは
メモなどの手段を用いて管理している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年半導体の微細化、
高集積化、多品種化に伴い、半導体製造の工程数が非常
に多くなっている。このため半導体露光装置に記憶させ
るウエハの焼付けに関する情報も多様化および多量化し
ている。従来の半導体露光装置においては、ウエハの焼
付けシーケンスに関する情報は操作者がウエハの種類や
工程を確認し、次に処理する工程を判断し、その工程に
対応した工程を指定する名称を操作部より入力していた
。この場合、操作者が工程の判断を誤ったり、工程と工
程を指定する名称の対応を間違えることがあり、露光操
作の信頼性が低かった。
高集積化、多品種化に伴い、半導体製造の工程数が非常
に多くなっている。このため半導体露光装置に記憶させ
るウエハの焼付けに関する情報も多様化および多量化し
ている。従来の半導体露光装置においては、ウエハの焼
付けシーケンスに関する情報は操作者がウエハの種類や
工程を確認し、次に処理する工程を判断し、その工程に
対応した工程を指定する名称を操作部より入力していた
。この場合、操作者が工程の判断を誤ったり、工程と工
程を指定する名称の対応を間違えることがあり、露光操
作の信頼性が低かった。
【０００７】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされ
たものであって、操作者の工程判断の誤りや工程名称の
誤りを起こすことを防止し露光操作の信頼性を高めた半
導体露光装置の提供を目的とする。
たものであって、操作者の工程判断の誤りや工程名称の
誤りを起こすことを防止し露光操作の信頼性を高めた半
導体露光装置の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明によれば、回路パターン以外の領域に次工程の
情報をつくり込んだレチクルを作成し、このレチクルの
情報をウエハの特定な位置に焼付ける特別なシーケンス
を追加し、さらにこの情報を次工程処理時に読み取るた
めの顕微鏡とパターン処理装置を具備し、これにより情
報読み取りを行い露光シーケンスを実行する。このよう
な構成により、人為的な工程判断の誤りや工程指定の誤
り等を防止する。
、本発明によれば、回路パターン以外の領域に次工程の
情報をつくり込んだレチクルを作成し、このレチクルの
情報をウエハの特定な位置に焼付ける特別なシーケンス
を追加し、さらにこの情報を次工程処理時に読み取るた
めの顕微鏡とパターン処理装置を具備し、これにより情
報読み取りを行い露光シーケンスを実行する。このよう
な構成により、人為的な工程判断の誤りや工程指定の誤
り等を防止する。
【０００９】
【実施例】図５は本発明が適用される露光装置の一例の
全体構成を示す。この例は２つの各々同様の構成の露光
装置を通信路２７を介して連結した構成である。各装置
の操作部１３，３２および本体部１４，３５は通信イン
ターフェイス２２，２３，２９，３４を介して通信路２
１，３３により連結される。操作部１３，３２同士は通
信インターフェイス２４，２８を介して通信路２７によ
り連結される。各本体部１４，３５にはウエハ初期位置
合わせ装置１５，３６、ウエハステージ１６，３７、読
み取り顕微鏡１７，３８、画像解析装置１８，３９、レ
チクルステージ１９，４０、および位置合わせ用顕微鏡
２０，４１が接続される。２１，３０は各々入力装置を
示す。なお、本発明は図５に示す２つの露光装置を連結
した構成に限定されるものではなく、個々の露光装置に
ついて本発明を適用できる。このような露光装置による
半導体製造は以下のようにして行われる。
全体構成を示す。この例は２つの各々同様の構成の露光
装置を通信路２７を介して連結した構成である。各装置
の操作部１３，３２および本体部１４，３５は通信イン
ターフェイス２２，２３，２９，３４を介して通信路２
１，３３により連結される。操作部１３，３２同士は通
信インターフェイス２４，２８を介して通信路２７によ
り連結される。各本体部１４，３５にはウエハ初期位置
合わせ装置１５，３６、ウエハステージ１６，３７、読
み取り顕微鏡１７，３８、画像解析装置１８，３９、レ
チクルステージ１９，４０、および位置合わせ用顕微鏡
２０，４１が接続される。２１，３０は各々入力装置を
示す。なお、本発明は図５に示す２つの露光装置を連結
した構成に限定されるものではなく、個々の露光装置に
ついて本発明を適用できる。このような露光装置による
半導体製造は以下のようにして行われる。
【００１０】図１は、本発明に係る半導体製造工程で使
用するレチクルの平面図である。このレチクルは、回路
パターン領域１とその周縁の回路パターンが形成されな
い外周領域２とを有する。この外周領域２の一部を利用
してこのレチクルを露光する工程の次の工程の情報を書
き込んでおく。この情報書き込み領域４の位置を、レチ
クルの中心３を座標原点として（Ｘ０，Ｙ０）で表す。
用するレチクルの平面図である。このレチクルは、回路
パターン領域１とその周縁の回路パターンが形成されな
い外周領域２とを有する。この外周領域２の一部を利用
してこのレチクルを露光する工程の次の工程の情報を書
き込んでおく。この情報書き込み領域４の位置を、レチ
クルの中心３を座標原点として（Ｘ０，Ｙ０）で表す。
【００１１】図２は、情報書き込み領域４の拡大図であ
る。図示したように、情報書き込み領域４内の回路パタ
ーン以外の部分である外周領域２に次工程に関する情報
５（この例ではＡＢＣＤＥの文字）が書き込まれている
。このような情報５をウエハに焼付ける方法を以下に説
明する。
る。図示したように、情報書き込み領域４内の回路パタ
ーン以外の部分である外周領域２に次工程に関する情報
５（この例ではＡＢＣＤＥの文字）が書き込まれている
。このような情報５をウエハに焼付ける方法を以下に説
明する。
【００１２】図３は、露光したウエハの平面図である。
図３のウエハ中心８はウエハの初期位置合わせにより求
められた中心である。このウエハの初期位置合わせは、
例えばウエハの外形検知による方法など、ウエハの製造
工程によらない方法で求められる。従って、この中心位
置は製造工程の進行によらず常に初期位置合わせの精度
で求められる。この精度は数１０μｍ である。このウ
エハ中心８から図示した座標（Ｘ１，Ｙ１）の位置にウ
エハステージを移動させ、次工程の情報を図１のレチク
ルを使用して焼付ける。この焼付け領域９の位置（Ｘ１
，Ｙ１）はウエハの回路パターン焼付け部７以外の部分
である。この焼付け領域９は必ずしも全領域がウエハ上
にある必要はなく図３のように一部がウエハからはみ出
していても、レチクルに書き込んだ次工程情報がウエハ
上に焼付けられればよい。
められた中心である。このウエハの初期位置合わせは、
例えばウエハの外形検知による方法など、ウエハの製造
工程によらない方法で求められる。従って、この中心位
置は製造工程の進行によらず常に初期位置合わせの精度
で求められる。この精度は数１０μｍ である。このウ
エハ中心８から図示した座標（Ｘ１，Ｙ１）の位置にウ
エハステージを移動させ、次工程の情報を図１のレチク
ルを使用して焼付ける。この焼付け領域９の位置（Ｘ１
，Ｙ１）はウエハの回路パターン焼付け部７以外の部分
である。この焼付け領域９は必ずしも全領域がウエハ上
にある必要はなく図３のように一部がウエハからはみ出
していても、レチクルに書き込んだ次工程情報がウエハ
上に焼付けられればよい。
【００１３】以上のような方法によれば、次工程の情報
が焼きこまれたウエハ上の座標（Ｘ，Ｙ）は、Ｘ＝Ｘ１
＋ｆ（Ｘ０）＋Δｘ ．．．■Ｙ＝Ｙ１＋ｇ（Ｙ０）
＋Δｙ ．．．■で表される。ただし、ｆ，ｇはそれ
ぞれｘ方向、ｙ方向のレチクル座標からウエハ座標への
投影関数であり、Δｘ，Δｙはウエハの初期位置合わせ
精度である。この座標（Ｘ，Ｙ）はウエハの製造工程に
依らない。
が焼きこまれたウエハ上の座標（Ｘ，Ｙ）は、Ｘ＝Ｘ１
＋ｆ（Ｘ０）＋Δｘ ．．．■Ｙ＝Ｙ１＋ｇ（Ｙ０）
＋Δｙ ．．．■で表される。ただし、ｆ，ｇはそれ
ぞれｘ方向、ｙ方向のレチクル座標からウエハ座標への
投影関数であり、Δｘ，Δｙはウエハの初期位置合わせ
精度である。この座標（Ｘ，Ｙ）はウエハの製造工程に
依らない。
【００１４】次に、書き込まれた工程情報を読み取る方
法について説明する。ウエハの初期位置合わせ終了後、
工程情報読み取り用顕微鏡でウエハの座標（Ｘ，Ｙ）が
読み取れる位置へウエハステージを移動させる。このと
きの顕微鏡の視野を図４に示す。この場合、情報書き込
み位置の座標（Ｘ，Ｙ）の位置ずれは、■，■式から分
かるように、Δｘ，Δｙ、即ちウエハの初期位置合わせ
精度の範囲内である。このため、Δｘ，Δｙに比べて充
分な大きさの視野（例えば半径数ｍｍ）をもつ顕微鏡を
使用すれば、必ず図４のように工程情報１２を視野１１
内に収めることができる。この視野１１内の情報１２を
画像情報として取り込み画像解析装置１８により解析し
工程情報１２を得る。この工程情報１２を本体部１４へ
送信し露光シーケンスを実行する。ここで、工程に関す
る情報が多量にある場合には全ての情報を書き込む必要
はない。この場合には、工程を指定する名称だけをウエ
ハに書き込んでおき、詳細な情報は予め操作部１３の補
助記憶装置２６に記憶しておき、工程を指定する名称に
よって取出すようにすればよい。そして工程情報を読み
取ったときに補助記憶装置２６より詳細な情報を取出し
本体部１４へ送信しこれにより露光シーケンスを実行す
る。
法について説明する。ウエハの初期位置合わせ終了後、
工程情報読み取り用顕微鏡でウエハの座標（Ｘ，Ｙ）が
読み取れる位置へウエハステージを移動させる。このと
きの顕微鏡の視野を図４に示す。この場合、情報書き込
み位置の座標（Ｘ，Ｙ）の位置ずれは、■，■式から分
かるように、Δｘ，Δｙ、即ちウエハの初期位置合わせ
精度の範囲内である。このため、Δｘ，Δｙに比べて充
分な大きさの視野（例えば半径数ｍｍ）をもつ顕微鏡を
使用すれば、必ず図４のように工程情報１２を視野１１
内に収めることができる。この視野１１内の情報１２を
画像情報として取り込み画像解析装置１８により解析し
工程情報１２を得る。この工程情報１２を本体部１４へ
送信し露光シーケンスを実行する。ここで、工程に関す
る情報が多量にある場合には全ての情報を書き込む必要
はない。この場合には、工程を指定する名称だけをウエ
ハに書き込んでおき、詳細な情報は予め操作部１３の補
助記憶装置２６に記憶しておき、工程を指定する名称に
よって取出すようにすればよい。そして工程情報を読み
取ったときに補助記憶装置２６より詳細な情報を取出し
本体部１４へ送信しこれにより露光シーケンスを実行す
る。
【００１５】上記補助記憶装置２６から詳細な情報を取
出す構成に代えて、この詳細な情報を、図５のように、
通信路２７を介して接続された別の半導体露光装置の操
作部３２の補助記憶装置３１に記憶させておき、工程を
指定する情報を読み取ったときに詳細な情報を通信路２
７を介して連結された補助記憶装置３１から取出し、露
光シーケンスを実行するように構成してもよい。
出す構成に代えて、この詳細な情報を、図５のように、
通信路２７を介して接続された別の半導体露光装置の操
作部３２の補助記憶装置３１に記憶させておき、工程を
指定する情報を読み取ったときに詳細な情報を通信路２
７を介して連結された補助記憶装置３１から取出し、露
光シーケンスを実行するように構成してもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、レチクルの回路パ
ターン形成部以外の領域に次工程の情報を書き込み、こ
のレチクルにより次工程情報をウエハの特定な位置に焼
付け、焼付けた情報を次工程処理時に読み取り、読み取
った情報に基づいて露光シーケンスを実行することによ
り、操作者による工程判断の誤りや工程指定の誤りが防
止される。
ターン形成部以外の領域に次工程の情報を書き込み、こ
のレチクルにより次工程情報をウエハの特定な位置に焼
付け、焼付けた情報を次工程処理時に読み取り、読み取
った情報に基づいて露光シーケンスを実行することによ
り、操作者による工程判断の誤りや工程指定の誤りが防
止される。
【図１】本発明に係るレチクルの平面図である。
【図２】図１のレチクルの次工程情報書き込み領域部分
の拡大図である。
の拡大図である。
【図３】本発明に係る露光装置により露光処理するウエ
ハの平面図である。
ハの平面図である。
【図４】情報読み取り用顕微鏡の視野の拡大図である。
【図５】本発明に係る露光装置の一例の全体構成ブロッ
ク図である。
ク図である。
１ 回路パターン領域
２ 回路パターンが形成されない外周領域３ レチ
クルの中心 ４ 次工程情報書き込み領域 ５ 次工程の情報 ６ ウエハ ７ 回路パターン書き込み領域 ８ ウエハ中心 ９ 次工程情報の焼付け領域 １０，１１ 読み取り顕微鏡の視野 １３，３２ 操作部 １４，３５ 本体部 ２１，３０ 入力装置 ２６，３１ 補助記憶装置
クルの中心 ４ 次工程情報書き込み領域 ５ 次工程の情報 ６ ウエハ ７ 回路パターン書き込み領域 ８ ウエハ中心 ９ 次工程情報の焼付け領域 １０，１１ 読み取り顕微鏡の視野 １３，３２ 操作部 １４，３５ 本体部 ２１，３０ 入力装置 ２６，３１ 補助記憶装置
Claims (6)
- 【請求項１】 露光すべき回路パターンを形成したレ
チクルに、該回路パターンの露光工程以降の工程に関す
る情報を形成し、該レチクルを用いてウエハ上に前記回
路パターンとともに前記情報を焼付け可能にした半導体
露光装置。 - 【請求項２】 前記レチクルは、回路パターン形成領
域とその外周の回路パターンが形成されない外周領域と
を有し、前記情報を外周領域に形成した請求項１の半導
体露光装置。 - 【請求項３】 前記レチクル上の情報をウエハの特定
の位置に焼付けるためのシーケンスプログラム、位置合
わせ機構、および露光手段を有する請求項１の半導体露
光装置。 - 【請求項４】 前記ウエハ上に焼付けた情報の読み取
り手段を備えた請求項１の半導体露光装置。 - 【請求項５】 前記情報に関しさらに詳細な情報を格
納した記憶装置を備え、ウエハに焼付けた前記情報を読
み出し後該情報に基づいて前記記憶装置から詳細な情報
を読み出し可能に構成した請求項１の半導体露光装置。 - 【請求項６】 前記情報に関しさらに詳細な情報を別
の半導体露光装置または記憶装置に格納し、ウエハに焼
付けた前記情報を読み出し後前記詳細な情報を前記別の
半導体露光装置または記憶装置から取り込み可能に構成
した請求項１の半導体露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3112102A JPH04320020A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | 半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3112102A JPH04320020A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | 半導体露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04320020A true JPH04320020A (ja) | 1992-11-10 |
Family
ID=14578186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3112102A Pending JPH04320020A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | 半導体露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04320020A (ja) |
-
1991
- 1991-04-18 JP JP3112102A patent/JPH04320020A/ja active Pending
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