JPH04320417A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置

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JPH04320417A
JPH04320417A JP3086501A JP8650191A JPH04320417A JP H04320417 A JPH04320417 A JP H04320417A JP 3086501 A JP3086501 A JP 3086501A JP 8650191 A JP8650191 A JP 8650191A JP H04320417 A JPH04320417 A JP H04320417A
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JP
Japan
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group
epoxy resin
resin composition
component
semiconductor encapsulation
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JP3086501A
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English (en)
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Hiroshi Kimura
博 木村
Yutaka Horie
豊 堀江
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Momentive Performance Materials Japan LLC
Original Assignee
Toshiba Silicone Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の技術分野】本発明は、電気・電子部品の封止用
樹脂組成物に関し、さらに詳しくは、流動性、耐熱衝撃
性、耐熱性に優れ、硬化時の歪みの発生が少ない封止用
樹脂組成物、およびその封止用樹脂組成物で被覆または
封止された半導体装置に関する。
【0002】
【発明の技術的背景とその問題点】従来、ダイオード、
トランジスタ、集積回路などの電子部品封止用としては
、熱硬化性樹脂が広く用いられており、このように樹脂
によって封止する方法は、ガラス、金属、セラミックス
を用いた方法と比較して、経済的に有利であるという特
徴を有している。この場合、熱硬化性樹脂としては一般
にエポキシ樹脂が用いられ、その硬化剤としては酸無水
物、芳香族アミン、ノボラック型フェノール樹脂が知ら
れているが、なかでもノボラック型フェノール樹脂を硬
化剤とするものは、成形性、耐湿性が優れ、毒性が少な
く、安価であるため、半導体封止用樹脂材料として広く
用いられている。
【0003】電気・電子部品を封止する方法としては、
前記エポキシ樹脂を用いた低圧トランスファー成形によ
る方法が用いられており、量産性がよいなどの特徴を有
しているが、この場合に封止用樹脂に対しては、(1)
 流動性がよく未充填部分ができないこと、(2) 溶
融粘度が低くボンディングワイヤーの変形がないこと、
(3) リードフレームに発生する樹脂バリが少ないこ
と、などが要求されてきた。
【0004】このような要求に対して、シリコーンとポ
リアルキレンオキサイドの共重合体を配合する方法(特
開昭61−101520号公報参照)が開示されている
が、この共重合体のような液状物を固形のエポキシ樹脂
やノボラック樹脂に均一に分散させるのは手間がかかり
、さらに成形後に液状物が表面にブリードして金型の汚
染や、成形物への印刷性の低下を引き起こすという問題
があった。
【0005】また半導体集積回路の分野における素子の
高集積化、ペレットの大型化により、これまでのノボラ
ック型フェノール樹脂を硬化剤とするエポキシ樹脂では
、成形加工時に収縮して半導体素子に応力がかかり、信
頼性が低下するという問題があった。例えば、こうした
樹脂を使用した成形品を冷熱サイクル試験にかけると、
ボンディングワイヤーのオープン、樹脂クラックおよび
ペレットクラックの発生等が見られ、電子部品としての
機能の低下が生じた。
【0006】さらに半導体製造装置の組立工程の自動化
に伴い、例えば、フラットパッケージ型の半導体装置を
回路基板に取り付ける場合、従来リードピンごとにハン
ダ付けが行われていたものが、最近は半導体製造装置を
 250℃以上に加熱したハンダ浴に浸漬してハンダ付
けを行うという方法が採用されている。しかし、従来の
エポキシ樹脂を用いた成形品を使用すると、樹脂と半導
体ペレットおよびフレームとの間に剥離が生じ、耐湿性
が低下するという問題があった。
【0007】このような問題を解決する方法として、特
開昭62−240315号公報において、加水分解性ア
ルコキシル基を有するシリコーンゴムエラストマーを使
用する方法が開示され、また特開昭63−308号公報
においては加硫ゴム微粒子分散体を使用する方法が開示
されている。しかし、これらの方法では前記エラストマ
ーおよび加硫ゴムの分散性が悪く、成形性が低いという
問題があった。
【0008】また特開平2−38417号公報には、熱
可塑性を有さない溶剤不溶のポリメチルシルセスキオキ
サン粉末を配合するエポキシ樹脂組成物が開示されてい
るが、更に成形性の改善や耐熱性の向上等が望まれてい
た。
【0009】
【発明の目的】本発明は上記問題点を解決し、耐湿性、
耐熱性、低応力性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組
成物を提供することを目的とする。
【0010】
【発明の構成】本発明者らは、上記の目的を達成するた
めに鋭意検討を進めた結果、封止用樹脂組成物に特定の
比率のR1SiO1.5単位とR23SiO0.5 単
位(式中、R1、R2は置換または非置換の1価炭化水
素基を表す)より成る熱可塑性シリコーン樹脂を配合す
ることにより、優れた特性が得られることを見出し、特
に、R1SiO1.5単位より成るシラノール基含有オ
ルガノポリシルセスキオキサンのシラノール基をトリオ
ルガノシリル基で封鎖した熱可塑性シリコーン樹脂を配
合することにより、有用な封止用樹脂組成物が得られる
ことを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は (A) エポキシ樹脂、 (B) ノボラック型フェノール樹脂、(C) R1S
iO1.5単位            50〜99モ
ル%R23SiO0.5 単位          1
〜50モル%(式中、R1、R2は置換または非置換の
1価炭化水素基を表す)より成る熱可塑性シリコーン樹
脂、および(D) 無機質充填剤 よりなることを特徴とする。
【0011】本発明で用いられる成分(A) のエポキ
シ樹脂は本発明のベースポリマーとなるものであり、分
子中にエポキシ基を2個以上有する化合物であれば、分
子構造、分子量などは特に制限されるものではなく、一
般に使用されているものを広く使用することができる。 このようなエポキシ樹脂としては、ビスフェノール型の
芳香族系、シクロヘキサン誘導体などの脂環式系、さら
には次の一般式で示されるエポキシノボラック系などの
樹脂を例示することができ、これらは適宜併用して使用
できる。
【0012】
【化1】
【0013】(式中、R3は水素原子、ハロゲン原子ま
たはアルキル基を表し、R4は水素原子またはアルキル
基を表し、 nは1以上の整数を表す)ここでアルキル
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基などを例
示することができる。
【0014】本発明で用いる成分(B) のノボラック
型フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の架橋剤となるもの
であり、フェノール、アルキルフェノールなどのフェノ
ール類とホルムアルデヒドまたはパラホルムアルデヒド
を反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂およ
びこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしくはブチル
化ノボラック型フェノール樹脂などを例示することがで
き、これらは適宜併用して使用できる。成分(B) は
一般に成分(A) のエポキシ1当量に対して、成分(
B) の水酸基当量が 0.5〜2.0 になるように
配合される。本発明で用いられる成分(C) は、本発
明の特徴をなす成分であり、R1SiO1.5単位  
                  50〜99モル
%R23SiO0.5 単位            
      1〜50モル%(式中、R1、R2は置換
または非置換の1価炭化水素基を表す)より成る熱可塑
性シリコーン樹脂である。ここで、R1、R2はそれぞ
れ互いに同一あるいは相異なる置換または非置換の1価
炭化水素基を表す。R1、R2としては、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基;ビニ
ル基、アリル基などのアルケニル基;フェニル基、トリ
ル基などのアリール基;シクロヘキシル基、シクロオク
チル基などのシクロアルキル基あるいはこれらの基の炭
素原子に結合した水素原子をハロゲン原子、シアノ基、
アミノ基などで置換した基、例えばクロロメチル基、3
,3,3 −トリフルオロプロピル基、シアノメチル基
、γ−アミノプロピル基、N−(β−アミノエチル)−
γ−アミノプロピル基などが例示される。合成のし易さ
、原料の入手のし易さからは、メチル基、エチル基、フ
ェニル基が好ましい。R23SiO0.5 単位はR1
SiO1.5単位50〜99モル%に対して、1〜50
モル%であることが必要で、1モル%より少ないと本発
明の効果が十分得られず、50モル%より多いと、本発
明の樹脂の合成が困難となる。好ましくはR1SiO1
.5単位80〜95モル%に対してR23SiO0.5
 単位は5〜20モル%である。本発明の熱可塑性シリ
コーン樹脂は (a) R1SiO1.5単位より成るシラノール基含
有オルガノポリシルセスキオキサン 100 重量部 に対して、 (b) (R23Si)aZ (式中、aは1または2を表し、 Zはaが1のときは
水素原子、水酸基、加水分解性基を表し、a が2のと
きは−O−,−N(X)−,−S−を表す。ここで X
は水素原子、炭素数1〜4の1価炭化水素基またはR2
3Si−を表す)で表されるシリコーン化合物 5〜100 重量部 を反応させることにより得られる。ここで Zの加水分
解性基としては、メトキシル基、エトキシル基、プロポ
キシル基、イソプロポキシル基、ブトキシル基などのア
ルコキシル基;プロペノキシ基などのアルケニルオキシ
基;アセトキシ基、ベンゾキシ基などのアシロキシ基;
アセトンオキシム基、ブタノンオキシム基などのオルガ
ノオキシム基;ジメチルアミノキシ基、ジエチルアミノ
キシ基などのオルガノアミノキシ基;ジメチルアミノ基
、ジエチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基などのオ
ルガノアミノ基、N−メチルアセトアミド基などのオル
ガノアミド基などが例示される。原料の入手や反応の制
御が容易なことからアルコキシ基が好ましく、特にメト
キシル基、エトキシル基が好ましい。成分(a) のポ
リシルセスキオキサンは公知の方法で合成でき、たとえ
ばオルガノトリクロロシランやオルガノトリアルコキシ
シランを、過剰の水で加水分解・縮合反応させることに
より得られる。
【0015】本発明の成分(C) のシリコーン樹脂は
、エポキシ樹脂組成物に使用する場合、揮発分が少なく
室温で固体であり、また適度な熱可塑性を有することが
好ましく、そのため原料である成分(a) のシラノー
ル基含有オルガノポリシルセスキオキサンの分子量は1
,000 〜100,000 が好ましく、特に好まし
くは6,000 〜20,000である。成分(b) 
の(R23Si)aZ で表されるシリコーン化合物は
、成分(a) のシラノール基をシリル化するものであ
る。成分(b) としてはトリメチルシラン、トリエチ
ルシランなどのハイドロジェンシラン;トリメチルクロ
ロシラン、トリエチルクロロシラン、トリフェニルクロ
ロシラン、CF3(CH2)2Si(CH3)2Cl 
などのクロロシラン;トリメチルシラノールなどのシラ
ノール:トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキ
シシラン、
【0016】
【化2】
【0017】これらの中でも、反応の制御や未反応物の
除去が容易なことから、シラザン類やクロロシラン類が
好ましい。成分(a) と成分(b) の反応は、シラ
ノールをシリル化する公知の方法で行うことができる。 例えば成分(b) がシラザンやクロロシランの場合は
、成分(a) と混合して加熱するだけで容易に反応は
進行する。成分(b) の使用量は成分(a) 100
 重量部に対して5〜100 重量部である。5重量部
未満では十分なシリル化ができず、反応中にゲル化した
り得られたシリコーン樹脂の熱的安定性が損なわれる。 又、100 重量部より多いと未反応の成分(b)が過
剰に残り、経済的に不利であるばかりでなく、未反応の
成分(b)を除くのに長時間を要し好ましくない。
【0018】なお上記のシリル化反応はその反応温度を
制御したり、副反応の脱水縮合反応を抑制するために有
機溶媒中で行うのが好ましい。このような有機溶媒とし
ては、トルエン、キシレン、ヘキサン、工業用ガソリン
、ミネラルスピリット、ケロシンなどの炭化水素系溶剤
、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶
剤、ジクロロメタン、ジクロロエタンなどの塩素化炭化
水素系溶剤などがあげられる。
【0019】反応温度は特に制限はないが、好ましくは
室温から200 ℃の範囲において任意に定めればよい
。反応によって生成する塩酸、アンモニア、塩化アンモ
ニウム、アルコールなどは水洗により除去、もしくは溶
媒と同時に留去することができる。このような方法で得
られるシリコーン樹脂は、一般に5℃以上の軟化温度を
持った熱可塑性樹脂である。本発明の表面処理剤として
は50〜200 ℃の軟化温度を有するシリコーン樹脂
を配合することが好ましい。特に好ましくは60〜10
0 ℃である。この場合軟化温度の異なるシリコーン樹
脂を混合して50〜200 ℃になるように調製して使
用してもよい。
【0020】本発明のシリコーン樹脂は粉砕して 0.
1〜2000μmの平均粒子径の粒子からなる粉末とし
、これを組成物に配合するのが好ましいが、軟化温度が
50℃未満では室温で粉砕しずらくなり、0.1 〜2
,000 μmの平均粒子径の粒子にするのが困難とな
る。例え軟化温度が50℃未満のシリコーン樹脂を冷凍
粉砕しても、室温で保管する場合にブロッキングして塊
となるなど、取扱上困難が生ずる。 200℃以上では
本発明の効果が十分に得られない。
【0021】粉末の平均粒子径は、組成物への分散、本
発明の効果などから 0.1〜2,000 μmが好ま
しい。
【0022】成分(C) のシリコーン樹脂は本発明の
組成物に対して0.05〜15重量%の範囲で配合され
る。特に好ましくは 0.1〜10重量%である。0.
05重量%未満では、配合による耐湿性の向上が十分認
められず、15重量%を超えると十分な硬化性が得られ
ない。
【0023】本発明に用いられる成分(D) の無機質
充填剤は硬化物に機械的強度を付与するもので、例えば
、シリカ粉末、アルミナ、三酸化アンチモン、タルク、
炭酸カルシウム、チタンホワイト、クレー、マイカ、ベ
ンガラ、ガラス繊維、炭素繊維等があげられ、これらは
適宜併用して用いられる。特にシリカ粉末やアルミナが
好ましく用いられる。無機質充填剤は、本組成物に対し
て25〜95重量%の範囲で配合され、その割合が25
重量部未満では、耐熱性、機械的特性および成形性が十
分でなく、また95重量%を越えると成形性が悪くなる
【0024】本発明の封止用樹脂組成物は、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、熱可塑性シリコーン
樹脂および無機質充填剤を必須成分とするが、必要に応
じて、天然ワックス類、合成ワックス類、脂肪酸の金属
塩、酸アミド、エステル類、パラフィン類などの離型剤
、塩素化パラフィン、ブロモトルエン、ヘキサブロモベ
ンゼン、三酸化アンチモンなどの難燃剤およびシランカ
ップリング剤、硬化促進剤などを適宜配合することがで
きる。
【0025】本発明の封止用樹脂組成物は、ミキサー等
によって十分均一に混合した後、さらに熱ロールによる
溶融混合処理、またはニーダー等による混合処理を行い
、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材
料とする。
【0026】本発明のエポキシ樹脂組成物はIC、LS
I、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等の半導体
装置の封止用に使用され、プリント回路板の製造などに
も有効に使用できる。ここで半導体装置の封止を行う場
合は、従来より採用されている成形法、たとえばトラン
スファー成形法、インジェクション成形法、注型法など
を採用して行うことができる。この場合、成形温度は 
150〜180 ℃、ポストキュアーは150 〜18
0 ℃で2〜16時間行うことが好ましい。
【0027】
【発明の効果】本発明の封止用樹脂組成物は、流動性が
優れており、樹脂バリの発生が少ない。また硬化時に発
生する歪みも少なく、その硬化物は優れた耐湿性および
耐熱性を有している。従って、低圧トランスファー成形
などを行っても、未充填部分がなく、ボンディングワイ
ヤの変形やオープン、さらに樹脂クラック、ペレットク
ラックの発生を生じることがない。またハンダ浴浸漬後
においても耐湿性や機械的強度などの特性が低下するこ
とがない。
【0028】
【実施例】以下に本発明を実施例をあげて説明する。な
お、実施例中の部は重量部を、%は重量%を表す。また
粘度は25℃の値を示す。
【0029】調製例1 メチルトリイソプロポキシシラン220 部(1モル)
とトルエン150部をフラスコに仕込み、1%塩酸水溶
液108 部を20分間かけて滴下し、該シランを加水
分解した。滴下40分後に攪拌を止め、分液後有機層を
水洗して塩酸を除去し、さらにトルエンを減圧留去して
分子量12000で軟化点115 ℃のシラノール基含
有メチルポリシルセスキオキサンP−1を調製した。次
に該シルセスキオキサン100 部、トルエン200 
部、トリメチルクロロシラン10部およびヘキサメチル
ジシラザン50部をフラスコに仕込み加熱攪拌を行なっ
た。トルエンの還流温度で2時間加熱攪拌後、反応によ
って生じたアンモニア、塩酸あるいはそれらの塩を水洗
によって除去し、さらにトルエンを減圧除去してトリメ
チルシリル化された、軟化点80℃のシリコーン樹脂を
得た。これをジェットミル粉砕機で平均粒子径5μmの
粉体A−1とした。ここで、軟化点はJIS C 21
04の環球式軟化点測定法に準じて測定した。また分子
量はGPC(HLC−802U, 東ソー(株)製)を
用いて(ポリスチレン換算の)分子量を測定した。平均
粒子径は粒度分布測定装置(CAPA−500, (株
)堀場製作所製)を用いて測定した。
【0030】調製例2 0.5 %塩酸水溶液を使った他は、調製例1と同様に
して分子量2000のシラノール基含有メチルポリシル
セスキオキサンP−2、および軟化点10℃のトリメチ
ルシリル化されたシリコーン樹脂を得た。このシリコー
ン樹脂と調製例1の軟化点80℃のシリコーン樹脂を1
:1の重量比で熱溶融させて均一に混合し、軟化温度6
0℃のシリコーン樹脂を得た。これをロートプレックス
粉砕機で粉砕し、粉体A−2とした。この粉体をエアー
ジェットシーブ粒度分布測定機((独)ALPINE社
製)を用いて測定したところ、 150μm未満の粒子
径の粒子が24%、 150〜250 μm未満の粒子
が14%、250 〜500 μm未満の粒子が32%
、 500〜1000μm未満の粒子が25%、100
0μm以上の粒子が5%という粒度分布を有していた。
【0031】調製例3 メチルトリイソプロポキシシラン 220部(1.0モ
ル)の代わりに、該シラン110部(0.5モル) と
フェニルトリクロロシラン105.8 部(0.5モル
) を用い、1%塩酸水溶液の代わりに水を用いた他は
、調製例1と同様にして分子量13000 で軟化点1
30 ℃のシラノール基含有オルガノポリシルセスキオ
キサンP−3および軟化点95℃のトリメチルシリル化
されたシリコーン樹脂を得た。これをジェットミル粉砕
機で平均粒子径5μmの粉体A−3とした。 ここで平均粒子径は調製例1と同様に測定した。
【0032】調製例4 調製例2で得られた軟化点10℃のシリコーン樹脂と、
調製例3で得られた軟化点95℃のシリコーン樹脂を1
:1の重量比で熱溶融させて均一に混合し、軟化温度6
0℃のシリコーン樹脂を得た。これをロートプレックス
粉砕機で粉砕し、粉体A−4とした。この粉体の粒度分
布を調製例2と同様に測定したところ、150 μm未
満の粒子径の粒子が30%、150 〜250 μm未
満の粒子が10%、250 〜500 μm未満の粒子
が30%、500 〜1000μm未満の粒子が21%
、1000μm以上の粒子が9%という粒度分布を有し
ていた。
【0033】調製例5 温度計、還流器および撹拌機の付いた4つ口フラスコに
、ヘキサメチルジシラザン1000部と、特開昭60−
13813号公報に記載の方法により得た平均粒子径5
μmのポリメチルシルセスキオキサン粉末(Q−1)1
000部を仕込み、25℃で攪拌し、15時間保持した
。次いで、処理物を濾紙で吸引濾過後、200 ℃の乾
燥器中で乾燥させ、表面処理されたポリメチルシルセス
キオキサン粉末(B−1)を得た。この粉末は溶剤不溶
で、熱可塑性を有していなかった。
【0034】実施例1〜4および比較例1、2表1に示
す割合の各成分を、ヘンシェルミキサーを使用し、30
00rpm の回転速度で3分間均一になるように攪拌
混合した。次に、この混合物を80〜100 ℃に設定
した熱ロールで3分間溶融混練し、冷却したのち粉砕し
て封止用樹脂組成物を得た。
【0035】得られた組成物および前記組成物からトラ
ンスファー成形により得た成形品について以下に示す評
価を行った。結果を表2に示す。
【0036】スパイラルフロー:EMMI−1−66に
基づいて評価した。 樹脂バリの長さ:10μmのスリットの溝を流れるバリ
の長さを測定した。 耐湿試験:前記組成物を用い、2本のアルミニウム配線
を有する電気部品を170 ℃で3分間トランスファー
成形し、その後180 ℃で8時間硬化させた。こうし
て得た電気部品100 個について、120 ℃の高圧
水蒸気中で耐湿試験を行い、アルミニウム腐食による5
0%の断線(不良発生)の起こる時間を測定し、耐湿性
を評価した。
【0037】耐熱衝撃性サイクル試験:耐湿試験に記載
の方法に準じて30×25×5mmの成形品を成形した
。次に、前記成形品の底面に25×25×3mmの鋼板
を埋め込み、−40℃と 200℃の恒温槽へ交互に各
30分ずつ入れ(1サイクル)、これを15及び30サ
イクル繰り返し、樹脂クラックが生じた成形品の割合を
次式:クランクの発生した成形品数/全成形品数から求
めて耐熱衝撃性を評価した。 ハンダ浴耐熱性:前記組成物を用い、2本のアルミニウ
ム配線を有する電気部品を通常の42アロイフレームに
接着し、170 ℃で3分間トランスファー成形して5
×10×1.5mm のフラットパッケージ型成形品を
得た。この成形品はその後 180℃で8時間硬化させ
た。この成形品を予め40℃、90%RH、100 時
間の吸湿処理を施した後、250 ℃のハンダ浴に10
秒間浸漬した。その後127 ℃、 2.5気圧の飽和
水蒸気中でプレッシャー・クッカーテストを行った。そ
の結果、アルミニウムが腐食して断線したものを不良品
としてハンダ浴耐熱性を評価した。測定項目中の数字は
試験時間を表し、測定値中の数字は、不良品数/試験体
数を表す。
【0038】歪み試験:DIP16ピンリードフレーム
のアイランド部に市販のストレインゲージを接着し、1
80 ℃で8時間硬化させた後の歪みを測定した。
【0039】
【表1】
【0040】
【表2】

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(A) エポキシ樹脂、 (B) ノボラック型フェノール樹脂、(C) R1S
    iO1.5単位            50〜99モ
    ル%R23SiO0.5 単位          1
    〜50モル%(式中、R1、R2は置換または非置換の
    1価炭化水素基を表す)より成る熱可塑性シリコーン樹
    脂、および(D) 無機質充填剤 よりなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  2. 【請求項2】成分(C) の熱可塑性シリコーン樹脂が
    、(a) R1SiO1.5単位より成るシラノール基
    含有オルガノポリシルセスキオキサン(式中、R1は置
    換または非置換の1価炭化水素基を表す)100重量部
    に対して、(b) (R23Si)aZ(式中、R2は
    置換または非置換の1価炭化水素基を表し、aは1また
    は2を表し、 Zはaが1のときは水素原子、水酸基、
    加水分解性基を表し、aが2のときは−O−,−N(X
    )−,−S−を表す。ここで Xは水素原子、炭素数1
    〜4の1価炭化水素基またはR23Si−を表す)で表
    されるシリコーン化合物5〜100 重量部を反応させ
    たものである請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂
    組成物。
  3. 【請求項3】成分(C) の熱可塑性シリコーン樹脂を
    0.05〜15重量%、および成分(D) の無機質充
    填剤を25〜95重量%含有する請求項2記載の半導体
    封止用エポキシ樹脂組成物。
  4. 【請求項4】成分(a) のオルガノポリシルセスキオ
    キサンの分子量が1000〜100000である請求項
    2記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  5. 【請求項5】成分(C) の熱可塑性シリコーン樹脂の
    軟化温度が50〜 200℃である請求項2記載の半導
    体封止用エポキシ樹脂組成物。
  6. 【請求項6】成分(C) の熱可塑性シリコーン樹脂が
    平均粒子径が 0.1〜2000μmの粉体である請求
    項5記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  7. 【請求項7】請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂
    組成物で封止された半導体装置。
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