JPH04321509A - 高導電性炭素系熱処理物の製造方法 - Google Patents
高導電性炭素系熱処理物の製造方法Info
- Publication number
- JPH04321509A JPH04321509A JP3092033A JP9203391A JPH04321509A JP H04321509 A JPH04321509 A JP H04321509A JP 3092033 A JP3092033 A JP 3092033A JP 9203391 A JP9203391 A JP 9203391A JP H04321509 A JPH04321509 A JP H04321509A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyaniline
- temperature
- film
- electrically conductive
- aniline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はポリアニリンを焼成して
高導電性炭素系熱処理物を製造する方法に関する。
高導電性炭素系熱処理物を製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、天然もしくは人工の高純度のグラ
ファイトと電子受容体もしくは電子供与体(以下ドーパ
ントと称する)との錯化合物が金属並みの高い電導度を
示すことが発見され、炭素系材料が高導電性材料として
着目されるようになってきた。この種の高導電性炭素材
料はグラファイト構造が高度に発達したものであり、ド
ーパントとの錯化合物の形成によりさらに高導電性を発
現するものである。一方、高分子の熱処理により炭化、
さらにグラファイト化した高導電性炭素材料を得ようと
する試みがなされている。これまで形状を保持したまま
炭素化できる熱処理物としてポリ−p−フェニレンビニ
レン(特開昭60ー11215 号公報)、芳香族ポリ
イミド(特開昭60−181129 号公報)などの特
定の高分子が知られている。これらの高分子は不活性雰
囲気下500℃以上の熱処理で炭化し、更に不活性雰囲
気下2000℃以上で熱処理するとグラファイト化が容
易に進行し、3000℃の処理で104 S/cmを越
える高導電材料となり、しかもドーピングにより105
S/cmを越える高導電性を示す。
ファイトと電子受容体もしくは電子供与体(以下ドーパ
ントと称する)との錯化合物が金属並みの高い電導度を
示すことが発見され、炭素系材料が高導電性材料として
着目されるようになってきた。この種の高導電性炭素材
料はグラファイト構造が高度に発達したものであり、ド
ーパントとの錯化合物の形成によりさらに高導電性を発
現するものである。一方、高分子の熱処理により炭化、
さらにグラファイト化した高導電性炭素材料を得ようと
する試みがなされている。これまで形状を保持したまま
炭素化できる熱処理物としてポリ−p−フェニレンビニ
レン(特開昭60ー11215 号公報)、芳香族ポリ
イミド(特開昭60−181129 号公報)などの特
定の高分子が知られている。これらの高分子は不活性雰
囲気下500℃以上の熱処理で炭化し、更に不活性雰囲
気下2000℃以上で熱処理するとグラファイト化が容
易に進行し、3000℃の処理で104 S/cmを越
える高導電材料となり、しかもドーピングにより105
S/cmを越える高導電性を示す。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このように焼
成により形状を保持したまま炭化でき、さらにはグラフ
ァイト化ができ、高導電性を示す高分子は特定のものに
限られ、今までにあまり見出されていない。
成により形状を保持したまま炭化でき、さらにはグラフ
ァイト化ができ、高導電性を示す高分子は特定のものに
限られ、今までにあまり見出されていない。
【0004】本発明の目的はポリアニリンを焼成して高
導電性熱処理物を製造する方法を提供することにある。
導電性熱処理物を製造する方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明はポリ
アニリンを不活性雰囲気下、500℃以上、3500℃
以下の温度で焼成することを特徴とする高導電性炭素系
熱処理物の製造方法を提供することにある。
アニリンを不活性雰囲気下、500℃以上、3500℃
以下の温度で焼成することを特徴とする高導電性炭素系
熱処理物の製造方法を提供することにある。
【0006】本発明において使用されるポリアニリンは
、特に限定されず、公知の方法で製造することができる
。製造法としては過酸化物、金属イオンや金属錯体化合
物等の酸化力を利用する化学的酸化重合法と酸性水溶液
中でアニリンを電解酸化重合する方法が採用できる。
、特に限定されず、公知の方法で製造することができる
。製造法としては過酸化物、金属イオンや金属錯体化合
物等の酸化力を利用する化学的酸化重合法と酸性水溶液
中でアニリンを電解酸化重合する方法が採用できる。
【0007】化学的酸化重合の場合、例えば、エー・ジ
ー・マクダミドら(A.G.MacDiarmidet
al.) はモレキュラー・クリスタルス・アンド・
リキッド・クリスタルズ(Mol. Cryst. L
iq. Cryst.)119巻,1〜4 号(198
5), パートE,173 〜180 頁に記載されて
いる過硫酸アンモニウム等の酸化剤によるアニリンの酸
化重合が適用できる。また、本発明においてはフィルム
や繊維状など有用な形態に賦形できる、可溶性のポリア
ニリンを生成する合成方法が好ましく、例えば、エー・
ジー・マクダミド(A.G.MacDiarmid e
t al.) らがシンセテイック・メタルズ(Syn
thetic Metals)21 巻(1987),
21頁で提案している方法、特開平2−220373
号公報等に記載されている方法が採用でき、これらの方
法によりフィルム状ポリアニリンを得ることができる。
ー・マクダミドら(A.G.MacDiarmidet
al.) はモレキュラー・クリスタルス・アンド・
リキッド・クリスタルズ(Mol. Cryst. L
iq. Cryst.)119巻,1〜4 号(198
5), パートE,173 〜180 頁に記載されて
いる過硫酸アンモニウム等の酸化剤によるアニリンの酸
化重合が適用できる。また、本発明においてはフィルム
や繊維状など有用な形態に賦形できる、可溶性のポリア
ニリンを生成する合成方法が好ましく、例えば、エー・
ジー・マクダミド(A.G.MacDiarmid e
t al.) らがシンセテイック・メタルズ(Syn
thetic Metals)21 巻(1987),
21頁で提案している方法、特開平2−220373
号公報等に記載されている方法が採用でき、これらの方
法によりフィルム状ポリアニリンを得ることができる。
【0008】以下に詳しく説明すると、化学的重合によ
るポリアニリンの合成はアニリンの酸性溶液と酸化剤と
を混合することにより行われる。用いる酸化剤は標準水
素電極(NHE)に対する酸化還元電位が0.6V以上
のものを用いると重合収率や特性の良好なアニリンを得
ることができるので好ましい。これ以下ではアニリンが
重合しない。また、あまり電位が高いとアニリンの分解
が生じるのでNHEに対して2.5V以上のものは好ま
しくない。酸化剤の例としては、第二鉄塩、過硫酸塩、
過酸化水素、重クロム酸塩などを用いることができる。 具体的には、第二鉄塩としては過塩素酸第二鉄、過ヨウ
素酸第二鉄、ホウフッ化第二鉄、ヘキサフルオロリン酸
第二鉄、硫酸第二鉄、硝酸第二鉄、塩化第二鉄等が、過
硫酸塩としては過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム
、過硫酸カリウムが、また重クロム酸塩としては重クロ
ム酸カリウム、重クロム酸ナトリウムが例示されるが、
これらに限定されるものではない。またこれらの酸化剤
のなかで過塩素酸第二鉄、過ヨウ素酸第二鉄、ホウフッ
化第二鉄、ヘキサフルオロリン酸第二鉄、過硫酸アンモ
ニウム、過酸化水素が良好な結果を与えるので特に好ま
しい。これらの酸化剤は単独で用いてもよいし、2種類
以上混合して用いても良い。
るポリアニリンの合成はアニリンの酸性溶液と酸化剤と
を混合することにより行われる。用いる酸化剤は標準水
素電極(NHE)に対する酸化還元電位が0.6V以上
のものを用いると重合収率や特性の良好なアニリンを得
ることができるので好ましい。これ以下ではアニリンが
重合しない。また、あまり電位が高いとアニリンの分解
が生じるのでNHEに対して2.5V以上のものは好ま
しくない。酸化剤の例としては、第二鉄塩、過硫酸塩、
過酸化水素、重クロム酸塩などを用いることができる。 具体的には、第二鉄塩としては過塩素酸第二鉄、過ヨウ
素酸第二鉄、ホウフッ化第二鉄、ヘキサフルオロリン酸
第二鉄、硫酸第二鉄、硝酸第二鉄、塩化第二鉄等が、過
硫酸塩としては過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム
、過硫酸カリウムが、また重クロム酸塩としては重クロ
ム酸カリウム、重クロム酸ナトリウムが例示されるが、
これらに限定されるものではない。またこれらの酸化剤
のなかで過塩素酸第二鉄、過ヨウ素酸第二鉄、ホウフッ
化第二鉄、ヘキサフルオロリン酸第二鉄、過硫酸アンモ
ニウム、過酸化水素が良好な結果を与えるので特に好ま
しい。これらの酸化剤は単独で用いてもよいし、2種類
以上混合して用いても良い。
【0009】種々の形態に賦形するためには、ポリアニ
リンは溶解性の優れたものが好ましく、このためには、
用いる酸化剤の量はアニリンに対してモル数で0.1〜
5倍が好ましく、0.1〜2倍がより好ましく、0.5
〜2倍が特に好ましい。これらの過酸化水素以外の酸化
剤の陰イオンあるいは酸化反応後に生成する陰イオンは
ポリアニリンに取り込まれるが,溶解する際に除くので
特に制限はない。
リンは溶解性の優れたものが好ましく、このためには、
用いる酸化剤の量はアニリンに対してモル数で0.1〜
5倍が好ましく、0.1〜2倍がより好ましく、0.5
〜2倍が特に好ましい。これらの過酸化水素以外の酸化
剤の陰イオンあるいは酸化反応後に生成する陰イオンは
ポリアニリンに取り込まれるが,溶解する際に除くので
特に制限はない。
【0010】一方、電気化学的な酸化重合(以下,電解
酸化重合)でポリアニリンを合成するには、電解条件で
安定な酸の存在下でアニリンを電解酸化重合すれば良い
。アニリンの酸性水溶液を用いて電解酸化重合する方法
として種々の方法を用いることができる。具体的には定
電流法、定電位法、定電圧法、電位走査法、電位ステッ
プ法を挙げることができるが、通電電気量を制御するた
めには定電流法、定電位法が好ましい。
酸化重合)でポリアニリンを合成するには、電解条件で
安定な酸の存在下でアニリンを電解酸化重合すれば良い
。アニリンの酸性水溶液を用いて電解酸化重合する方法
として種々の方法を用いることができる。具体的には定
電流法、定電位法、定電圧法、電位走査法、電位ステッ
プ法を挙げることができるが、通電電気量を制御するた
めには定電流法、定電位法が好ましい。
【0011】電解酸化重合における電流密度はアニリン
濃度、酸濃度、重合温度によっても異なるが、通常0.
001〜500mA/cm2 の範囲である。より好ま
しくは0.001〜50mA/cm2 、0.1〜20
mA/cm2 の範囲が特に好ましい。定電位法、定電
圧法では電流密度が前記範囲に入るように条件を選べば
よい。 例えば、定電位法の場合は0.8V vs Ag/
AgCl〜10V vsAg/AgClが好ましく、
0.8V vs Ag/AgCl〜2.0V v
sAg/AgClが特に好ましい。
濃度、酸濃度、重合温度によっても異なるが、通常0.
001〜500mA/cm2 の範囲である。より好ま
しくは0.001〜50mA/cm2 、0.1〜20
mA/cm2 の範囲が特に好ましい。定電位法、定電
圧法では電流密度が前記範囲に入るように条件を選べば
よい。 例えば、定電位法の場合は0.8V vs Ag/
AgCl〜10V vsAg/AgClが好ましく、
0.8V vs Ag/AgCl〜2.0V v
sAg/AgClが特に好ましい。
【0012】前記の両ポリアニリン合成法で用いられる
酸としては、アニリンの化学酸化重合や電解酸化重合下
で安定であり、アニリンと塩を形成し、アニリンを水溶
液中に溶解させるものであればいずれの酸でもよい。具
体的には過塩素酸、ホウフッ化水素酸、ヘキサフルオロ
リン酸、過ヨウ素酸、硫酸、塩酸、硝酸、p−トルエン
スルホン酸、メタンスルホン酸等が例示されるが、過塩
素酸、ホウフッ化水素酸、ヘキサフルオロリン酸、過ヨ
ウ素酸が良好な結果を与えるので好ましい。
酸としては、アニリンの化学酸化重合や電解酸化重合下
で安定であり、アニリンと塩を形成し、アニリンを水溶
液中に溶解させるものであればいずれの酸でもよい。具
体的には過塩素酸、ホウフッ化水素酸、ヘキサフルオロ
リン酸、過ヨウ素酸、硫酸、塩酸、硝酸、p−トルエン
スルホン酸、メタンスルホン酸等が例示されるが、過塩
素酸、ホウフッ化水素酸、ヘキサフルオロリン酸、過ヨ
ウ素酸が良好な結果を与えるので好ましい。
【0013】これらの酸は用いるアニリンの当量以上使
用すればよく、その濃度は通常0.1規定以上で用いれ
ばよい。反応に用いるアニリン濃度には特に限定はない
。 上限は、通常酸性溶液に溶解する濃度であるが、反応に
よりアニリンは酸化されてポリアニリンとして析出する
ため、溶解濃度以上用いても反応中に溶解し、反応する
ために特に問題はない。下限も特に限定はないが、あま
り低濃度では効率的でないので通常は0.1モル/l以
上で用いるのが好ましい。使用されるアニリンの純度は
特に限定されないが、95%以上のものが好ましい。
用すればよく、その濃度は通常0.1規定以上で用いれ
ばよい。反応に用いるアニリン濃度には特に限定はない
。 上限は、通常酸性溶液に溶解する濃度であるが、反応に
よりアニリンは酸化されてポリアニリンとして析出する
ため、溶解濃度以上用いても反応中に溶解し、反応する
ために特に問題はない。下限も特に限定はないが、あま
り低濃度では効率的でないので通常は0.1モル/l以
上で用いるのが好ましい。使用されるアニリンの純度は
特に限定されないが、95%以上のものが好ましい。
【0014】本発明において、反応はアニリンを含む酸
性溶液、またはアニリン塩のスラリーを含む液を、化学
酸化重合では酸化剤をそのまま、あるいは酸化剤を含む
溶液を加えて撹拌すればよく、一方、電解酸化重合では
上記の液を一対の電極を有する電解槽に投入し、通電す
ればよい。
性溶液、またはアニリン塩のスラリーを含む液を、化学
酸化重合では酸化剤をそのまま、あるいは酸化剤を含む
溶液を加えて撹拌すればよく、一方、電解酸化重合では
上記の液を一対の電極を有する電解槽に投入し、通電す
ればよい。
【0015】ポリアニリンを合成する反応温度、反応時
間には特に制限はなく、アニリンを含む溶液の凝固点以
上沸点以下で可能であるが、溶解性の高いポリアニリン
を得るためには好ましくは50℃以下、より好ましくは
40℃以下で反応するのがよい。反応時間は特に制限さ
れず、用いる酸化剤や通電電気量を考慮して適宜決める
ことができるが、一般には5分から100時間の範囲で
あり、より好ましくは10分から50時間の範囲である
。
間には特に制限はなく、アニリンを含む溶液の凝固点以
上沸点以下で可能であるが、溶解性の高いポリアニリン
を得るためには好ましくは50℃以下、より好ましくは
40℃以下で反応するのがよい。反応時間は特に制限さ
れず、用いる酸化剤や通電電気量を考慮して適宜決める
ことができるが、一般には5分から100時間の範囲で
あり、より好ましくは10分から50時間の範囲である
。
【0016】通常、重合後のポリアニリンは、反応に用
いた酸化剤、あるいは酸から由来する陰イオンがドープ
された状態、すなわち、陰イオンを取り込んでいる。炭
化を効率よく行うために、熱処理前に脱ドープ、すなわ
ち陰イオンを取り除くことが好ましく、その方法として
は、ポリアニリン骨格と反応しないアルカリ性化合物を
接触させればよく、用いるアルカリ性化合物としては,
重合で得たポリアニリンを投入後に,溶液のpHが11
以上になるようなものであれば特に制限はないが、水酸
化ナトリウム,水酸化カリウム,水酸化リチウム、アン
モニア、ヒドラジンなどが例示される。これらは好まし
くは水溶液の形で用いられる。
いた酸化剤、あるいは酸から由来する陰イオンがドープ
された状態、すなわち、陰イオンを取り込んでいる。炭
化を効率よく行うために、熱処理前に脱ドープ、すなわ
ち陰イオンを取り除くことが好ましく、その方法として
は、ポリアニリン骨格と反応しないアルカリ性化合物を
接触させればよく、用いるアルカリ性化合物としては,
重合で得たポリアニリンを投入後に,溶液のpHが11
以上になるようなものであれば特に制限はないが、水酸
化ナトリウム,水酸化カリウム,水酸化リチウム、アン
モニア、ヒドラジンなどが例示される。これらは好まし
くは水溶液の形で用いられる。
【0017】脱ドープしたポリアニリンは溶媒に溶解し
、フィルム化することができる。ポリアニリンの溶媒と
しては、ポリアニリンを十分に溶解させることのできる
ものであれば、特に制限はなく、具体的にはN,N−ジ
メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホキシド、プロピレンカーボネート、γ−
ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、1,3
−ジメチル−2−イミダゾリジノン等が例示されるが、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセ
トアミド、N−メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメ
チル−2−イミダゾリジノンが好ましい。
、フィルム化することができる。ポリアニリンの溶媒と
しては、ポリアニリンを十分に溶解させることのできる
ものであれば、特に制限はなく、具体的にはN,N−ジ
メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホキシド、プロピレンカーボネート、γ−
ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、1,3
−ジメチル−2−イミダゾリジノン等が例示されるが、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセ
トアミド、N−メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメ
チル−2−イミダゾリジノンが好ましい。
【0018】本発明において、ポリアニリンから高導電
性炭素系熱処理物が得られるが、一度炭素系熱処理物と
した後では、成形が困難であるので、ポリアニリンの段
階でフィルム等に成形する方が実用的である。
性炭素系熱処理物が得られるが、一度炭素系熱処理物と
した後では、成形が困難であるので、ポリアニリンの段
階でフィルム等に成形する方が実用的である。
【0019】本発明において、用いるポリアニリンの形
態は粉末、シ−ト状、フィルム状、繊維状、その他の形
状物等、特に制限はないが、高導電性材料として利用す
る観点からフィルム状、繊維状のものが好ましい。フィ
ルム状や繊維状のポリアニリンを得る方法としては特に
限定されないが、ポリアニリン溶液をフィルム化や紡糸
する方法が好ましい。溶解時にポリアニリンが完全に溶
解せず不溶分がある場合には、それを分離しても、分離
しなくても良い。このとき、溶解したポリアニリンの濃
度はフィルム成形時に形状を保つか紡糸するのに十分な
粘度を持つような範囲であればよく、ポリアニリンの合
成法と溶媒の種類にもよるので適宜決めればよいが、通
常は1〜20重量%、好ましくは2〜15重量%、より
好ましくは3〜10重量%である。得られた溶液からフ
ィルム化する方法としては、特に限定はないが、用いた
溶媒に不溶な基材上に塗布する方法の他、スピンコート
法、キャスト法、ディッピング法、バーコート法、ロー
ルコート法などが用いられる。例えば、鉄板、ステンレ
ス板、ガラス板、テフロン板、ポリエチレンテレフタレ
ート(PET)シートなどを基材としてその上にポリア
ニリン溶液を流延し、続いて、不活性雰囲気下で加熱あ
るいは真空乾燥して溶媒を除くことにより、ポリアニリ
ンフィルムが得られる。また、紡糸は乾式あるいは湿式
で行うことにより、ポリアニリン繊維状物が得られる。 ポリアニリンフィルムの厚みは特に限定されないが、通
常0.1〜50μm、より好ましくは1〜30μmであ
る。繊維状も同様に径が50μm以下のものが好ましい
。
態は粉末、シ−ト状、フィルム状、繊維状、その他の形
状物等、特に制限はないが、高導電性材料として利用す
る観点からフィルム状、繊維状のものが好ましい。フィ
ルム状や繊維状のポリアニリンを得る方法としては特に
限定されないが、ポリアニリン溶液をフィルム化や紡糸
する方法が好ましい。溶解時にポリアニリンが完全に溶
解せず不溶分がある場合には、それを分離しても、分離
しなくても良い。このとき、溶解したポリアニリンの濃
度はフィルム成形時に形状を保つか紡糸するのに十分な
粘度を持つような範囲であればよく、ポリアニリンの合
成法と溶媒の種類にもよるので適宜決めればよいが、通
常は1〜20重量%、好ましくは2〜15重量%、より
好ましくは3〜10重量%である。得られた溶液からフ
ィルム化する方法としては、特に限定はないが、用いた
溶媒に不溶な基材上に塗布する方法の他、スピンコート
法、キャスト法、ディッピング法、バーコート法、ロー
ルコート法などが用いられる。例えば、鉄板、ステンレ
ス板、ガラス板、テフロン板、ポリエチレンテレフタレ
ート(PET)シートなどを基材としてその上にポリア
ニリン溶液を流延し、続いて、不活性雰囲気下で加熱あ
るいは真空乾燥して溶媒を除くことにより、ポリアニリ
ンフィルムが得られる。また、紡糸は乾式あるいは湿式
で行うことにより、ポリアニリン繊維状物が得られる。 ポリアニリンフィルムの厚みは特に限定されないが、通
常0.1〜50μm、より好ましくは1〜30μmであ
る。繊維状も同様に径が50μm以下のものが好ましい
。
【0020】次いで、種々の形状に賦形化されたポリア
ニリンを不活性雰囲気下で焼成すれば高導電性炭素系熱
処理物となる。また、上記のポリアニリンの繊維状物、
フィルム状物は配向処理、より好ましくは面配向処理の
施されたフィルム状物がよく、実質的に二軸延伸処理が
行われたフィルム状物が好ましい。
ニリンを不活性雰囲気下で焼成すれば高導電性炭素系熱
処理物となる。また、上記のポリアニリンの繊維状物、
フィルム状物は配向処理、より好ましくは面配向処理の
施されたフィルム状物がよく、実質的に二軸延伸処理が
行われたフィルム状物が好ましい。
【0021】本発明において焼成温度は500℃以上、
3500℃以下、好ましくは700℃以上、3300℃
以下である。特にグラファイト化には2000℃以上、
3300℃処理が好ましい。500℃未満ではポリアニ
リンの炭化が余り進行せず、一方、3500℃を越える
と炭素の蒸発がみられ、また焼成のエネルギー効率が悪
くなり経済的でない。処理時間は特に限定されないが、
熱処理温度を考慮してポリアニリンの炭化、グラファイ
ト化が十分達成されるように適宜選択するのが好ましく
、通常は5分〜10時間が例示されるが、5分から2時
間が工業的には好ましい。
3500℃以下、好ましくは700℃以上、3300℃
以下である。特にグラファイト化には2000℃以上、
3300℃処理が好ましい。500℃未満ではポリアニ
リンの炭化が余り進行せず、一方、3500℃を越える
と炭素の蒸発がみられ、また焼成のエネルギー効率が悪
くなり経済的でない。処理時間は特に限定されないが、
熱処理温度を考慮してポリアニリンの炭化、グラファイ
ト化が十分達成されるように適宜選択するのが好ましく
、通常は5分〜10時間が例示されるが、5分から2時
間が工業的には好ましい。
【0022】ポリアニリンはそのまま焼成に供すること
もできるが、2000℃以上の温度での焼成では、この
前に低い温度で予め焼成 (以下前処理と称する) を
行ってもよい。前処理はポリアニリンを不活性雰囲気下
、500〜2000℃、より好ましくは700〜150
0℃の温度で行われる。また、鉄を含有する基材上にフ
ィルム状にキャストしたポリアニリンを該基材と共に不
活性雰囲気下、500℃〜2000℃、好ましくは50
0〜1500℃、より好ましくは700〜1500℃の
温度で、且つ基板の融点より低い温度で前処理したもの
は2000℃以上の温度での焼成によるグラファイト化
が容易に進行し、より導電性の高い炭素系熱処理物が得
られるので好ましい。鉄を含有する基材としては、例え
ば、鉄板、ステンレス板(SUS201、304、44
0、630など)等、融点が1000℃程度以上の耐熱
性のあるものが好ましい。
もできるが、2000℃以上の温度での焼成では、この
前に低い温度で予め焼成 (以下前処理と称する) を
行ってもよい。前処理はポリアニリンを不活性雰囲気下
、500〜2000℃、より好ましくは700〜150
0℃の温度で行われる。また、鉄を含有する基材上にフ
ィルム状にキャストしたポリアニリンを該基材と共に不
活性雰囲気下、500℃〜2000℃、好ましくは50
0〜1500℃、より好ましくは700〜1500℃の
温度で、且つ基板の融点より低い温度で前処理したもの
は2000℃以上の温度での焼成によるグラファイト化
が容易に進行し、より導電性の高い炭素系熱処理物が得
られるので好ましい。鉄を含有する基材としては、例え
ば、鉄板、ステンレス板(SUS201、304、44
0、630など)等、融点が1000℃程度以上の耐熱
性のあるものが好ましい。
【0023】前処理においてはポリアニリンを前処理の
温度に昇温する際、該高分子が分解し始める温度以上、
例えば約500℃以上においては1℃/分以上、好まし
くは5℃/分以上の速い速度で前処理の温度にまで昇温
するのが好ましく、1℃/分未満の昇温速度では焼成物
の発泡の原因となる傾向がある。
温度に昇温する際、該高分子が分解し始める温度以上、
例えば約500℃以上においては1℃/分以上、好まし
くは5℃/分以上の速い速度で前処理の温度にまで昇温
するのが好ましく、1℃/分未満の昇温速度では焼成物
の発泡の原因となる傾向がある。
【0024】上記の不活性雰囲気としては窒素、アルゴ
ン、ヘリウム等の単独または混合ガス雰囲気や真空中が
例示される。好ましくは1500℃以下では窒素あるい
は真空であり、1500℃以上ではアルゴンガスである
。
ン、ヘリウム等の単独または混合ガス雰囲気や真空中が
例示される。好ましくは1500℃以下では窒素あるい
は真空であり、1500℃以上ではアルゴンガスである
。
【0025】本発明において得られた炭素系熱処理物は
、それ自身も10S/cm以上の高電導度を有するが、
電子受容体もしくは電子供与体によるドーピング処理に
より、電導度がさらに向上し、103 〜105 S/
cmまたはそれ以上に達する。
、それ自身も10S/cm以上の高電導度を有するが、
電子受容体もしくは電子供与体によるドーピング処理に
より、電導度がさらに向上し、103 〜105 S/
cmまたはそれ以上に達する。
【0026】ドーパントについては特に限定されないが
、従来グラファイトあるいはポリアセチレン、ポリピロ
ールなどの共役系高分子において高導電性を与えること
が見い出されている化合物を効果的に用いることができ
る。
、従来グラファイトあるいはポリアセチレン、ポリピロ
ールなどの共役系高分子において高導電性を与えること
が見い出されている化合物を効果的に用いることができ
る。
【0027】そのドーピングの方法は、公知の方法、す
なわちドーパントと直接気相もしくは液相で接触させる
方法、電気化学的な方法、イオンインプランテーション
等に実施することができる。
なわちドーパントと直接気相もしくは液相で接触させる
方法、電気化学的な方法、イオンインプランテーション
等に実施することができる。
【0028】具体的には電子受容体としてはハロゲン化
合物:臭素等、ルイス酸類:三塩化鉄、五フッ化砒素、
五フッ化アンチモン、三フッ化ホウ素、三酸化硫黄、三
塩化アルミ、五塩化アンチモン等、プロトン酸類:硝酸
、硫酸、クロルスルホン酸等、電子供与体としては、ア
ルカリ金属類:リチウム、カリウム、ルビジウム、セシ
ウム等、アルカリ土類金属類:カルシウム、ストロンチ
ウム、バリウム等、その他希土類金属:サマリウム、ユ
ーロピウム、イッテルビウム、金属アミド類:カリウム
アミド、カルシウムアミド等が例示される。ドーピング
量は特に制限はないが、通常好ましい含有量は熱処理物
の重量当り0.1〜150%、特に好ましくは10〜1
00%程度である。
合物:臭素等、ルイス酸類:三塩化鉄、五フッ化砒素、
五フッ化アンチモン、三フッ化ホウ素、三酸化硫黄、三
塩化アルミ、五塩化アンチモン等、プロトン酸類:硝酸
、硫酸、クロルスルホン酸等、電子供与体としては、ア
ルカリ金属類:リチウム、カリウム、ルビジウム、セシ
ウム等、アルカリ土類金属類:カルシウム、ストロンチ
ウム、バリウム等、その他希土類金属:サマリウム、ユ
ーロピウム、イッテルビウム、金属アミド類:カリウム
アミド、カルシウムアミド等が例示される。ドーピング
量は特に制限はないが、通常好ましい含有量は熱処理物
の重量当り0.1〜150%、特に好ましくは10〜1
00%程度である。
【0029】
【実施例】以下本発明の実施例を示すが、本発明はこれ
らに限定されるものではない。
らに限定されるものではない。
【0030】参考例1
(可溶性ポリアニリンの合成)0.015モルのアニリ
ンを1規定の過塩素酸水溶液30mlに溶解させた。こ
れに0.015モルの過硫酸アンモニウムを20mlの
1規定過塩素酸水溶液に溶かしたものをゆっくりと滴下
し、氷冷下1時間反応させた。生成した沈澱を濾過して
水洗した。この沈澱を1規定水酸化ナトリウム水溶液に
添加して陰イオンを除く処理(脱ドーピング)を行った
。処理後、未反応の水酸化ナトリウムを取り除くために
十分に水洗、メタノール洗浄した。処理されたポリアニ
リンを減圧乾燥機に入れ、60℃で6時間真空乾燥して
粉末状ポリアニリンを得た。このポリアニリンは、1,
3−ジメチル−2−イミダゾリジン(DMI)やN−メ
チル−2−ピロリドン(NMP)に対して可溶性であっ
た。
ンを1規定の過塩素酸水溶液30mlに溶解させた。こ
れに0.015モルの過硫酸アンモニウムを20mlの
1規定過塩素酸水溶液に溶かしたものをゆっくりと滴下
し、氷冷下1時間反応させた。生成した沈澱を濾過して
水洗した。この沈澱を1規定水酸化ナトリウム水溶液に
添加して陰イオンを除く処理(脱ドーピング)を行った
。処理後、未反応の水酸化ナトリウムを取り除くために
十分に水洗、メタノール洗浄した。処理されたポリアニ
リンを減圧乾燥機に入れ、60℃で6時間真空乾燥して
粉末状ポリアニリンを得た。このポリアニリンは、1,
3−ジメチル−2−イミダゾリジン(DMI)やN−メ
チル−2−ピロリドン(NMP)に対して可溶性であっ
た。
【0031】実施例1
参考例1で得たポリアニリンをN−メチル−2−ピロリ
ドンに溶解(濃度約5重量%)した後、厚み20μmの
SUS304基板上にキャストし、減圧下80℃で乾燥
し、続いて200℃で2時間熱処理したものを、基板と
共に2cm×2cmに切取り、横型環状電気炉でアルゴ
ンガスの雰囲気中、350℃で2時間熱処理した後、約
20℃/分の昇温速度で900℃まで昇温し、0.5時
間前焼成を行った。室温まで冷却後、炭化したフィルム
だけを黒鉛発熱体タンマン炉を用いて、アルゴンガス雰
囲気中で室温から2900℃まで3時間かけて昇温し、
2900℃に30分間保ち、焼成を行った。得られた焼
成物は厚みが約12μm のフィルムであり、表面は金
属光沢をしていた。このフィルムをアルゴンレーザー(
波長514.5nm)を光源として日本分光(株)製R
−800型ラマン分光光度計を用いてラマンスペクトル
を測定した。このフィルムのラマンスペクトルには15
90cm−1にグラファイト構造による散乱が強く現れ
ていた。得られた焼成フィルムの電気伝導度を常法の四
端子法により測定したところ、4.7×103 S/c
mであった。これに発煙硝酸を用いて10分間ドーピン
グすると8.9×104 S/cmの電気伝導度を示し
た。
ドンに溶解(濃度約5重量%)した後、厚み20μmの
SUS304基板上にキャストし、減圧下80℃で乾燥
し、続いて200℃で2時間熱処理したものを、基板と
共に2cm×2cmに切取り、横型環状電気炉でアルゴ
ンガスの雰囲気中、350℃で2時間熱処理した後、約
20℃/分の昇温速度で900℃まで昇温し、0.5時
間前焼成を行った。室温まで冷却後、炭化したフィルム
だけを黒鉛発熱体タンマン炉を用いて、アルゴンガス雰
囲気中で室温から2900℃まで3時間かけて昇温し、
2900℃に30分間保ち、焼成を行った。得られた焼
成物は厚みが約12μm のフィルムであり、表面は金
属光沢をしていた。このフィルムをアルゴンレーザー(
波長514.5nm)を光源として日本分光(株)製R
−800型ラマン分光光度計を用いてラマンスペクトル
を測定した。このフィルムのラマンスペクトルには15
90cm−1にグラファイト構造による散乱が強く現れ
ていた。得られた焼成フィルムの電気伝導度を常法の四
端子法により測定したところ、4.7×103 S/c
mであった。これに発煙硝酸を用いて10分間ドーピン
グすると8.9×104 S/cmの電気伝導度を示し
た。
【0032】実施例2
実施例1と同様に焼成して厚みが約7μm のフィルム
を得た。この焼成フィルムの電気伝導度は1.1×10
4 S/cmであった。実施例1と同様にこれに硝酸を
ドーピングすると1.0×105 S/cmの電気伝導
度を示した。
を得た。この焼成フィルムの電気伝導度は1.1×10
4 S/cmであった。実施例1と同様にこれに硝酸を
ドーピングすると1.0×105 S/cmの電気伝導
度を示した。
【0033】実施例3
実施例1で得られた熱処理フィルムに発煙硫酸を常法に
より気相で1時間ドーピングすると8.0×104 S
/cmの電気伝導度を示した。
より気相で1時間ドーピングすると8.0×104 S
/cmの電気伝導度を示した。
【0034】実施例4
参考例1で得たポリアニリンをN−メチル−2−ピロリ
ドン(濃度約5重量%)に溶解した後、ガラス板上にキ
ャストし、減圧下80℃で乾燥し、ポリアニリンフィル
ムを得た。これをガラス板から剥離して、4cm×2c
mに切取り、横型環状電気炉でアルゴンガスの雰囲気中
、約20℃/分の昇温速度で900℃まで昇温し、0.
5時間前焼成を行った。得られた熱処理物は厚みが約5
μm のフィルムであり、表面は金属光沢をしていた。 電気伝導度は6.2×10S/cmであった。
ドン(濃度約5重量%)に溶解した後、ガラス板上にキ
ャストし、減圧下80℃で乾燥し、ポリアニリンフィル
ムを得た。これをガラス板から剥離して、4cm×2c
mに切取り、横型環状電気炉でアルゴンガスの雰囲気中
、約20℃/分の昇温速度で900℃まで昇温し、0.
5時間前焼成を行った。得られた熱処理物は厚みが約5
μm のフィルムであり、表面は金属光沢をしていた。 電気伝導度は6.2×10S/cmであった。
【0035】実施例5
実施例4で得た熱処理フィルムを、黒鉛発熱体タンマン
炉を用いて、アルゴンガス雰囲気中で室温から2900
℃まで3時間かけて昇温し、2900℃に30分間保ち
、焼成を行った。得られた焼成物は厚みが約12μm
のフィルムであり、表面は金属光沢をしていた。フィル
ムの電気伝導度は2.5×102 S/cmであった。
炉を用いて、アルゴンガス雰囲気中で室温から2900
℃まで3時間かけて昇温し、2900℃に30分間保ち
、焼成を行った。得られた焼成物は厚みが約12μm
のフィルムであり、表面は金属光沢をしていた。フィル
ムの電気伝導度は2.5×102 S/cmであった。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば高
導電性炭素系熱処理物を得ることができ、また本発明に
より電気・電子材料への応用が可能な種々の形状を有す
る高導電性炭素系熱処理物を提供することができる。
導電性炭素系熱処理物を得ることができ、また本発明に
より電気・電子材料への応用が可能な種々の形状を有す
る高導電性炭素系熱処理物を提供することができる。
Claims (2)
- 【請求項1】ポリアニリンを不活性雰囲気下、500℃
以上、3500℃以下の温度で焼成することを特徴とす
る高導電性炭素系熱処理物の製造方法。 - 【請求項2】鉄を含有する基材上に成形したフィルム状
ポリアニリンを該基材と共に不活性雰囲気下、500℃
以上、2000℃以下、且つ該基材の融点より低い温度
で焼成し、得られた炭素系熱処理物をさらに不活性雰囲
気下、2000℃以上、3500℃以下の温度で焼成す
ることを特徴とする高導電性炭素系熱処理物の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3092033A JPH04321509A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 高導電性炭素系熱処理物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3092033A JPH04321509A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 高導電性炭素系熱処理物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04321509A true JPH04321509A (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=14043219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3092033A Pending JPH04321509A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 高導電性炭素系熱処理物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04321509A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06172028A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-21 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 高導電性炭素系焼成体及びその組成物 |
| WO2004063438A1 (ja) * | 2003-01-15 | 2004-07-29 | Bridgestone Corporation | 炭素繊維の製造方法,触媒構造体及び固体高分子型燃料電池用膜電極接合体 |
| WO2007052608A1 (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-10 | Bridgestone Corporation | 電気二重層キャパシタ用電極及びそれを備えた電気二重層キャパシタ |
-
1991
- 1991-04-23 JP JP3092033A patent/JPH04321509A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06172028A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-21 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 高導電性炭素系焼成体及びその組成物 |
| WO2004063438A1 (ja) * | 2003-01-15 | 2004-07-29 | Bridgestone Corporation | 炭素繊維の製造方法,触媒構造体及び固体高分子型燃料電池用膜電極接合体 |
| WO2007052608A1 (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-10 | Bridgestone Corporation | 電気二重層キャパシタ用電極及びそれを備えた電気二重層キャパシタ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Gomes et al. | Chemical polymerization of aniline in hydrochloric acid (HCl) and formic acid (HCOOH) media. Differences between the two synthesized polyanilines | |
| Satoh et al. | Dependences of electrical and mechanical properties of conducting polypyrrole films on conditions of electrochemical polymerization in an aqueous medium | |
| US4880508A (en) | Water-soluble conductive polymers | |
| Schulz et al. | Aromatic poly (1, 3, 4‐oxadiazoe) s as advanced materials | |
| US4929389A (en) | Water-soluble conductive polymers | |
| US4738757A (en) | Coating carbon fibers | |
| CA1193850A (en) | Stable electrically conducting polymers and method of making | |
| JPH0656987A (ja) | 導電性高分子の製造方法 | |
| US5120807A (en) | Polymerization of pyrrole and its derivatives | |
| JPH0632845A (ja) | 導電性高分子複合物の製造方法 | |
| JPH06124708A (ja) | ポリフッ化ビニリデン含有導電性組成物及びそれを用いた電池 | |
| JPH04321509A (ja) | 高導電性炭素系熱処理物の製造方法 | |
| EP0231309B1 (en) | Process for manufacturing electrically conductive polythiophene | |
| US4624999A (en) | Electrically conducting complexes of polymers of N-substituted carbazoles and substituted benzaldehydes | |
| JPH0330618B2 (ja) | ||
| US4631323A (en) | Method of making conducting polymer complexes of N-substituted carbazoles and substituted benzaldehydes | |
| JP2720550B2 (ja) | 高導電性炭素及びその組成物 | |
| JPH01500835A (ja) | 水溶性自己ドープ型導電性ポリマー及びその製造方法 | |
| JPH05121075A (ja) | 電気化学的に活性な電極およびそれを用いた電気化学的セル | |
| JPH026767B2 (ja) | ||
| JPS61266435A (ja) | 導電性有機重合体薄膜の製造方法 | |
| US4499008A (en) | Method of making stable electrically conducting polymers | |
| JPH04245166A (ja) | 二次電池 | |
| JPH0138411B2 (ja) | ||
| Estrany et al. | Electrogeneration of conducting poly (α-tetrathiophene). Effect of solution stirring and detection of linear oligomers |