JPH04324104A - 磁気ヘッド用磁気コア - Google Patents
磁気ヘッド用磁気コアInfo
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- JPH04324104A JPH04324104A JP11908491A JP11908491A JPH04324104A JP H04324104 A JPH04324104 A JP H04324104A JP 11908491 A JP11908491 A JP 11908491A JP 11908491 A JP11908491 A JP 11908491A JP H04324104 A JPH04324104 A JP H04324104A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド、特に磁気
ヘッド用の磁気コアに関する。
ヘッド用の磁気コアに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気ヘッド用磁気コアには、図３
の断面図に示すように、金属軟磁性膜３１をセラミック
やガラスの支持体３２によって挟んだ構造の磁気コアに
おいて、セラミックやガラスの基板に軟磁性膜を形成し
た後、軟磁性膜表面に接合ガラス３３を成膜し、この接
合ガラスによって基板と膜を隔てて反対側の支持体３２
を接合した構造体が使用されている。
の断面図に示すように、金属軟磁性膜３１をセラミック
やガラスの支持体３２によって挟んだ構造の磁気コアに
おいて、セラミックやガラスの基板に軟磁性膜を形成し
た後、軟磁性膜表面に接合ガラス３３を成膜し、この接
合ガラスによって基板と膜を隔てて反対側の支持体３２
を接合した構造体が使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】金属軟磁性膜と支持体
との接合強度を高くすることは磁気ヘッドの歩留り，信
頼性を向上させるために重要である。特に、金属と、セ
ラミックやガラスとを接合用のガラスを介して接合する
場合、金属面と接合ガラスとの濡れ性が、セラミックや
ガラスと接合ガラスとの濡れ性に較べて劣る場合が多く
、金属面と接合ガラス面での接合強度が十分でない場合
が多かった。結果として、加工中の剥がれの原因となり
、歩留りの低下，信頼性の低下を招いていた。
との接合強度を高くすることは磁気ヘッドの歩留り，信
頼性を向上させるために重要である。特に、金属と、セ
ラミックやガラスとを接合用のガラスを介して接合する
場合、金属面と接合ガラスとの濡れ性が、セラミックや
ガラスと接合ガラスとの濡れ性に較べて劣る場合が多く
、金属面と接合ガラス面での接合強度が十分でない場合
が多かった。結果として、加工中の剥がれの原因となり
、歩留りの低下，信頼性の低下を招いていた。
【０００４】本発明は、このような問題点を解決した磁
気ヘッド用磁気コアを提供することにある。
気ヘッド用磁気コアを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】金属軟磁性膜とセラミッ
ク基板、或はガラス基板とからなる軟磁性膜構造体にお
いて、金属軟磁性膜の基板に対し反対側の面に酸化物、
或は、窒化物、或は、炭化物の薄膜を成膜した軟磁性膜
構造体を形成する。この酸化物、或は窒化物、或は炭化
物を構成する元素の酸化物生成能、窒化物生成能、炭化
物生成能は、金属軟磁性膜を構成する元素のそれらより
も高い必要がある。なぜならば、酸化物、或は窒化物、
或は炭化物を構成する元素の酸化物生成能、窒化物生成
能、炭化物生成能が、金属軟磁性膜を構成する元素のそ
れらよりも高いことによって、高温にさらされても、金
属軟磁性膜中に酸化物，窒化物，炭化物の酸素，窒素，
炭素が取り込まれず、軟磁気特性を劣化させないからで
ある。
ク基板、或はガラス基板とからなる軟磁性膜構造体にお
いて、金属軟磁性膜の基板に対し反対側の面に酸化物、
或は、窒化物、或は、炭化物の薄膜を成膜した軟磁性膜
構造体を形成する。この酸化物、或は窒化物、或は炭化
物を構成する元素の酸化物生成能、窒化物生成能、炭化
物生成能は、金属軟磁性膜を構成する元素のそれらより
も高い必要がある。なぜならば、酸化物、或は窒化物、
或は炭化物を構成する元素の酸化物生成能、窒化物生成
能、炭化物生成能が、金属軟磁性膜を構成する元素のそ
れらよりも高いことによって、高温にさらされても、金
属軟磁性膜中に酸化物，窒化物，炭化物の酸素，窒素，
炭素が取り込まれず、軟磁気特性を劣化させないからで
ある。
【０００６】以上の軟磁性膜構造体の表面に、接合用の
ガラスを成膜した場合、ガラスと酸化物膜，窒化物膜、
炭化物膜との濡れ性の方が、金属軟磁性膜とガラスとの
濡れ性に較べて大きいため、他のセラミックやガラスと
のガラス接合強度を高めることができる。
ガラスを成膜した場合、ガラスと酸化物膜，窒化物膜、
炭化物膜との濡れ性の方が、金属軟磁性膜とガラスとの
濡れ性に較べて大きいため、他のセラミックやガラスと
のガラス接合強度を高めることができる。
【０００７】よって、この構造体によって磁気ヘッドを
作製するならば、従来に較べて歩留り，信頼性を向上さ
せることができる。
作製するならば、従来に較べて歩留り，信頼性を向上さ
せることができる。
【０００８】
実施例１
図１に示すように、基板１１としてＭｎＯ，ＮｉＯから
成るセラミック板を用い、ＦｅＴａＮ膜（軟磁性膜）１
２を形成し、その上にＡｌ２ Ｏ３ターゲットを用いた
アルミナスパッタ膜１３を０．１μｍ成膜した試料（図
１（ａ））と、成膜しない試料（図１（ｂ））とを作製
した。
成るセラミック板を用い、ＦｅＴａＮ膜（軟磁性膜）１
２を形成し、その上にＡｌ２ Ｏ３ターゲットを用いた
アルミナスパッタ膜１３を０．１μｍ成膜した試料（図
１（ａ））と、成膜しない試料（図１（ｂ））とを作製
した。
【０００９】これらの試料の表面に接合用のガラス膜を
成膜した。一方、ＦｅＴａＮ膜１２の形成されていない
別のＭｎＯ，ＮｉＯから成るセラミック板にも接合ガラ
ス膜を成膜し、前記試料（図１（ａ），（ｂ））と接合
ガラス面どうしを１ｋｇで圧着しながら、５５０℃の加
熱により接合した。試料数は１０とした。接合強度評価
結果（平均のセン断力）を表１に示す。
成膜した。一方、ＦｅＴａＮ膜１２の形成されていない
別のＭｎＯ，ＮｉＯから成るセラミック板にも接合ガラ
ス膜を成膜し、前記試料（図１（ａ），（ｂ））と接合
ガラス面どうしを１ｋｇで圧着しながら、５５０℃の加
熱により接合した。試料数は１０とした。接合強度評価
結果（平均のセン断力）を表１に示す。
【００１０】
【表１】
【００１１】表１から分かるようにアルミナ膜１３を設
けることによって接合強度が向上した。
けることによって接合強度が向上した。
【００１２】上記アルミナ膜を成膜した構造体と、アル
ミナ膜を成膜しなかった構造体それぞれで、図２（ａ）
、及び、図２（ｂ）に示す構造の磁気ヘッドを作製した
。図２（ａ）は斜視図、図２（ｂ）は上面図であり、軟
磁性膜２２がセラミックの支持体２１によって挟まれて
いる。なお、図２（ｂ）に示すように、一方の支持体２
１はアルミナ膜２３の面に接合ガラス２４により溶着さ
れている。
ミナ膜を成膜しなかった構造体それぞれで、図２（ａ）
、及び、図２（ｂ）に示す構造の磁気ヘッドを作製した
。図２（ａ）は斜視図、図２（ｂ）は上面図であり、軟
磁性膜２２がセラミックの支持体２１によって挟まれて
いる。なお、図２（ｂ）に示すように、一方の支持体２
１はアルミナ膜２３の面に接合ガラス２４により溶着さ
れている。
【００１３】この磁気ヘッドにおいて、ＦｅＴａＮ膜厚
は５μｍ、ギャップ幅は０．３μｍであった。良好なガ
ラス接合の得られた歩留りは、アルミナ膜を成膜しなか
った場合が３０％であったのに較べ、成膜した場合には
７０％へと増大した。 実施例２ 図１に示すように、基板１１としてＣａＯ，ＴｉＯ２
，ＮｉＯからなるセラミック板を用い、センダスト膜（
軟磁性膜）１２を成膜し、その上にアルミナ膜１３を０
．１μｍ成膜した試料（図１（ａ））と、成膜しない試
料（図１（ｂ））とを作製した。これらの試料の表面に
接合用のガラス膜を成膜した。一方、センダストの成膜
されていない別のＣａＯ，ＴｉＯ２ ，ＮｉＯからなる
セラミック板にも接合ガラス膜を成膜し、前記試料（図
１（ａ），（ｂ））と接合ガラス面どうしを１ｋｇで圧
着しながら、６８０℃の加熱により接合した。試料数は
１０とした。接合強度評価結果（平均のセン断力）を表
２に示す。
は５μｍ、ギャップ幅は０．３μｍであった。良好なガ
ラス接合の得られた歩留りは、アルミナ膜を成膜しなか
った場合が３０％であったのに較べ、成膜した場合には
７０％へと増大した。 実施例２ 図１に示すように、基板１１としてＣａＯ，ＴｉＯ２
，ＮｉＯからなるセラミック板を用い、センダスト膜（
軟磁性膜）１２を成膜し、その上にアルミナ膜１３を０
．１μｍ成膜した試料（図１（ａ））と、成膜しない試
料（図１（ｂ））とを作製した。これらの試料の表面に
接合用のガラス膜を成膜した。一方、センダストの成膜
されていない別のＣａＯ，ＴｉＯ２ ，ＮｉＯからなる
セラミック板にも接合ガラス膜を成膜し、前記試料（図
１（ａ），（ｂ））と接合ガラス面どうしを１ｋｇで圧
着しながら、６８０℃の加熱により接合した。試料数は
１０とした。接合強度評価結果（平均のセン断力）を表
２に示す。
【００１４】
【表２】
【００１５】表２から分かるようにアルミナ膜１３を設
けることによって接合強度が向上した。
けることによって接合強度が向上した。
【００１６】上記アルミナ膜を成膜した構造体と、アル
ミナ膜を成膜しなかった構造体それぞれで、図２（ａ）
、及び、図２（ｂ）に示す実施例１と同様の構造の磁気
ヘッドを作製した。センダスト膜厚は５μｍ、ギャップ
幅は０．３μｍであった。良好なガラス接合の得られた
歩留りは、アルミナ膜を成膜しなかった場合が７０％で
あったのに較べ、成膜した場合には９５％へと増大した
。
ミナ膜を成膜しなかった構造体それぞれで、図２（ａ）
、及び、図２（ｂ）に示す実施例１と同様の構造の磁気
ヘッドを作製した。センダスト膜厚は５μｍ、ギャップ
幅は０．３μｍであった。良好なガラス接合の得られた
歩留りは、アルミナ膜を成膜しなかった場合が７０％で
あったのに較べ、成膜した場合には９５％へと増大した
。
【００１７】以上の各実施例の他にも、アルミナ膜に代
えて、ＣａＯ膜，ＭｇＯ膜，ＴｉＯ２ 膜，Ｖ２ Ｏ３
膜，ＳｉＯ２ 膜，ＭｎＯ膜，Ｃｒ２ Ｏ３ 膜，Ｚ
ｎＯ膜などを用いても、また、酸化物膜に代えて、窒化
物膜，炭化物膜を用いても、酸化物，窒化物，炭化物の
複合膜を用いても同様である。磁性膜として、Ｔａ以外
のＦｅＭＮ（Ｍ＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ
）系膜や、ＦｅＳｉＡｌ膜にＴｉ，Ｃｒ，Ｒｕなどの添
加元素が有る場合も同様に、磁性膜を構成する元素より
も酸化物、或は、窒化物、或は、炭化物の生成能の高い
元素の酸化物、或は、窒化物、或は、炭化物の膜を磁性
膜表面に形成することによって、軟磁性膜の磁気特性を
劣化させずに接合強度を高めることができる。
えて、ＣａＯ膜，ＭｇＯ膜，ＴｉＯ２ 膜，Ｖ２ Ｏ３
膜，ＳｉＯ２ 膜，ＭｎＯ膜，Ｃｒ２ Ｏ３ 膜，Ｚ
ｎＯ膜などを用いても、また、酸化物膜に代えて、窒化
物膜，炭化物膜を用いても、酸化物，窒化物，炭化物の
複合膜を用いても同様である。磁性膜として、Ｔａ以外
のＦｅＭＮ（Ｍ＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ
）系膜や、ＦｅＳｉＡｌ膜にＴｉ，Ｃｒ，Ｒｕなどの添
加元素が有る場合も同様に、磁性膜を構成する元素より
も酸化物、或は、窒化物、或は、炭化物の生成能の高い
元素の酸化物、或は、窒化物、或は、炭化物の膜を磁性
膜表面に形成することによって、軟磁性膜の磁気特性を
劣化させずに接合強度を高めることができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明により、図２（ａ）に示す構造の
磁気ヘッドにおいて、軟磁性膜とセラミック、または、
ガラスによる支持体とのガラス接合強度が向上したこと
により、歩留りを向上させることができた。
磁気ヘッドにおいて、軟磁性膜とセラミック、または、
ガラスによる支持体とのガラス接合強度が向上したこと
により、歩留りを向上させることができた。
【００１９】即ち、図１（ａ）の構造体の表面に、接合
用のガラスを成膜した場合、ガラスと酸化物膜，窒化物
膜，炭化物膜との濡れ性が、金属軟磁性膜とガラスとの
濡れ性に較べて大きいため、他のセラミックやガラスと
のガラス接合強度を高めることができた。よって、本構
造体によって図２（ａ）に示すような磁気ヘッドを作製
した場合、従来に較べて歩留り，信頼性を向上させるこ
とができた。
用のガラスを成膜した場合、ガラスと酸化物膜，窒化物
膜，炭化物膜との濡れ性が、金属軟磁性膜とガラスとの
濡れ性に較べて大きいため、他のセラミックやガラスと
のガラス接合強度を高めることができた。よって、本構
造体によって図２（ａ）に示すような磁気ヘッドを作製
した場合、従来に較べて歩留り，信頼性を向上させるこ
とができた。
【図１】（ａ）は本発明による構造体の断面図、（ｂ）
は従来の構造体の断面図である。
は従来の構造体の断面図である。
【図２】本発明による構造体を用いた磁気ヘッドを示す
図である。
図である。
【図３】従来の磁気ヘッドの上面図である。
１１ 基板
１２，２２ 軟磁性膜
１３，２３ ＦｅＴａＮ膜
２１ 軟磁性膜
２４ 接合ガラス
Claims (3)
- 【請求項１】金属軟磁性膜をセラミック基板、或はガラ
ス基板に積層し、前記金属軟磁性膜の基板に対し反対側
の面に酸化物、或は、窒化物、或は、炭化物の薄膜が形
成された軟磁性膜構造体を有し、この構造体の酸化物、
或は窒化物、或は炭化物の薄膜の表面に接合用のガラス
膜を形成し、この接合用ガラス膜によってセラミック板
、或はガラス板を溶着接合することにより軟磁性膜をセ
ラミック板、或はガラス板と前記基板とにより挟んだ構
造体より成ることを特徴とする磁気ヘッド用磁気コア。 - 【請求項２】前記軟磁性膜がＦｅ，Ｓｉ，Ａｌを含むこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド用磁気コア。 - 【請求項３】前記軟磁性膜がＦｅＭＮから成り、ＭはＴ
ｉ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａの群から選択される
少なくとも１種類の元素であり、Ｎは窒素であることを
特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド用磁気コア。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11908491A JPH04324104A (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | 磁気ヘッド用磁気コア |
| DE69203029T DE69203029T2 (de) | 1991-04-24 | 1992-04-24 | Magnetische Struktur. |
| EP92107074A EP0510699B1 (en) | 1991-04-24 | 1992-04-24 | Magnetic structure |
| US08/155,185 US5572391A (en) | 1991-04-24 | 1993-11-22 | Magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11908491A JPH04324104A (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | 磁気ヘッド用磁気コア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04324104A true JPH04324104A (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=14752494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11908491A Pending JPH04324104A (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | 磁気ヘッド用磁気コア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04324104A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60201509A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS62222416A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-30 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド用部材 |
| JPS62267910A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Canon Electronics Inc | 磁気ヘツド |
| JPS63299219A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Sony Corp | 軟磁性薄膜 |
| JPS647305A (en) * | 1987-03-31 | 1989-01-11 | Sankyo Seiki Seisakusho Kk | Magnetic head |
-
1991
- 1991-04-24 JP JP11908491A patent/JPH04324104A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60201509A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS62222416A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-30 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド用部材 |
| JPS62267910A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Canon Electronics Inc | 磁気ヘツド |
| JPS647305A (en) * | 1987-03-31 | 1989-01-11 | Sankyo Seiki Seisakusho Kk | Magnetic head |
| JPS63299219A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Sony Corp | 軟磁性薄膜 |
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