JPS6233405A - 磁性材 - Google Patents
磁性材Info
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- JPS6233405A JPS6233405A JP17251485A JP17251485A JPS6233405A JP S6233405 A JPS6233405 A JP S6233405A JP 17251485 A JP17251485 A JP 17251485A JP 17251485 A JP17251485 A JP 17251485A JP S6233405 A JPS6233405 A JP S6233405A
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- thin film
- substrate
- magnetic
- amorphous thin
- soft magnetic
- Prior art date
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Links
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば薄膜磁気ヘッドに用いられる磁性材に
関するものである。
関するものである。
例えば、フェライト、センダスト合金等の磁性材料を磁
気ヘッドの構成材として用いるには、バルクな形又は薄
膜の形で利用されている。
気ヘッドの構成材として用いるには、バルクな形又は薄
膜の形で利用されている。
このうち、バルクな形で利用される場合にあっては、磁
性材料自体が磁気ヘッドに必要な特性を満足していなけ
ればならないので、その使用範囲が限定されている。
性材料自体が磁気ヘッドに必要な特性を満足していなけ
ればならないので、その使用範囲が限定されている。
これに対して、薄膜の形で利用される場合にあっては、
基板と磁性薄膜との組み合わせにより、目的に適した特
性を備えさせることができるので、その使用範囲は広い
ものとなっている。
基板と磁性薄膜との組み合わせにより、目的に適した特
性を備えさせることができるので、その使用範囲は広い
ものとなっている。
ところが、基板の上に磁性薄膜層を直接設けた簾膜タイ
プの磁性材は、基板の結晶状態、表面特性等によってそ
の磁気特性が大きく左右され、優れた磁気特性のものに
なっていない欠点がある。
プの磁性材は、基板の結晶状態、表面特性等によってそ
の磁気特性が大きく左右され、優れた磁気特性のものに
なっていない欠点がある。
本発明者は、特にMn、Ni を主成分として含むセ
ラミック製の基板に軟磁性薄膜を設けたタイプの磁性材
について研究を進めた結果、この基板と軟磁性薄膜との
間に非晶質薄膜を設けておくと、このサンドイッチ型の
磁性材は、例えば初透磁率等の磁気特性を大巾に向上さ
せることが出来ることを見い出した。
ラミック製の基板に軟磁性薄膜を設けたタイプの磁性材
について研究を進めた結果、この基板と軟磁性薄膜との
間に非晶質薄膜を設けておくと、このサンドイッチ型の
磁性材は、例えば初透磁率等の磁気特性を大巾に向上さ
せることが出来ることを見い出した。
すなわち、基板としてMn、Niを主成分として含むセ
ラミック製のものを用いた場合に、この基板上に例えば
5iOy、Aム03等の非磁性材料を用いて高周波スパ
ック法や熱酸化法ν;よって非晶質薄膜を設け、この非
晶質薄膜上に、例えばセンダスト谷金、パーマロイ等を
用いて軟磁性膜を設けた磁性材は、Mn、Niを主成分
として含むセラミック材料と非晶質薄膜との組み合わせ
による効果によるせいか、非晶質薄膜を設けないで、す
なわちMn5Niを主成分として含むセラミック製の基
板上に直接軟磁性膜を設けたタイプの磁性材よりも、初
透磁率の磁気特性が大巾に優れていたのである。
ラミック製のものを用いた場合に、この基板上に例えば
5iOy、Aム03等の非磁性材料を用いて高周波スパ
ック法や熱酸化法ν;よって非晶質薄膜を設け、この非
晶質薄膜上に、例えばセンダスト谷金、パーマロイ等を
用いて軟磁性膜を設けた磁性材は、Mn、Niを主成分
として含むセラミック材料と非晶質薄膜との組み合わせ
による効果によるせいか、非晶質薄膜を設けないで、す
なわちMn5Niを主成分として含むセラミック製の基
板上に直接軟磁性膜を設けたタイプの磁性材よりも、初
透磁率の磁気特性が大巾に優れていたのである。
尚、Mn、Niを主成分として含むセラミック製の基板
上に設ける非晶質薄膜は、その厚さが約0.5μm以下
で0.1μm以上、さらに望ましくは約0.15〜0゜
25μmのものであることが好ましい。すなわち、非晶
質薄膜をMn、Niを主成分として含むセラミック製の
基板上に設け、この非晶質薄膜上に軟磁性薄膜を設けた
場合において、非晶質薄膜の厚みが薄すぎる場合には磁
気特性の向上効果は弱く、実用上充分大きな効果が認め
られ始めるのは非晶質薄膜の厚みが約0.1μm以上、
より一層望ましくは約0.15μm以上の場合であるか
らであり、そして非晶質薄膜の厚みが厚くなりすぎると
軟磁性薄膜の付着強度が低下することになり、又、非晶
質薄膜を厚く形成するには、それだけ時間もかかり、製
造能率も悪くなることより、非晶質薄膜の厚みは約0.
5ttm以下、より一層望ましくは約0.25μm以下
であることが好ましいのである。
上に設ける非晶質薄膜は、その厚さが約0.5μm以下
で0.1μm以上、さらに望ましくは約0.15〜0゜
25μmのものであることが好ましい。すなわち、非晶
質薄膜をMn、Niを主成分として含むセラミック製の
基板上に設け、この非晶質薄膜上に軟磁性薄膜を設けた
場合において、非晶質薄膜の厚みが薄すぎる場合には磁
気特性の向上効果は弱く、実用上充分大きな効果が認め
られ始めるのは非晶質薄膜の厚みが約0.1μm以上、
より一層望ましくは約0.15μm以上の場合であるか
らであり、そして非晶質薄膜の厚みが厚くなりすぎると
軟磁性薄膜の付着強度が低下することになり、又、非晶
質薄膜を厚く形成するには、それだけ時間もかかり、製
造能率も悪くなることより、非晶質薄膜の厚みは約0.
5ttm以下、より一層望ましくは約0.25μm以下
であることが好ましいのである。
又、非晶質薄膜上に形成される軟磁性薄膜については、
その厚みが約0.1〜60μmの場合には磁気特性向上
効果は充分に認められるが、通常の形態においては軟磁
性薄膜の厚みは約5〜20/Imのものである。
その厚みが約0.1〜60μmの場合には磁気特性向上
効果は充分に認められるが、通常の形態においては軟磁
性薄膜の厚みは約5〜20/Imのものである。
第1図は本発明に係る磁性材の1実施例の一部断面図、
第2図はこの磁性材の磁気特性、すなわち初透磁率を示
すグラフである。
第2図はこの磁性材の磁気特性、すなわち初透磁率を示
すグラフである。
同図中、1は、Mn、Niを主成分として含むセラミッ
ク製、例えば日立金属■製のMN 130よりなるセ
ラミック製の外径10闘、内径6mm、厚さ0.7朋の
トロイダルリング状の基板であり、この基板1の表面は
鏡面研磨されている。
ク製、例えば日立金属■製のMN 130よりなるセ
ラミック製の外径10闘、内径6mm、厚さ0.7朋の
トロイダルリング状の基板であり、この基板1の表面は
鏡面研磨されている。
2は、この基板1の鏡面研磨面上にSiOxを高周波ス
パッタ法によって設けた厚さ0.25μmの非晶質薄膜
である。
パッタ法によって設けた厚さ0.25μmの非晶質薄膜
である。
3は、この非晶質薄膜2上にセンダスト合金を高周波ス
パッタ法によって設けた厚さ10μmの軟磁性薄膜であ
る。
パッタ法によって設けた厚さ10μmの軟磁性薄膜であ
る。
上記のように構成された磁性材について、0.1〜10
MHzの領域において初透磁率を測定すると第2図に示
す通りである。
MHzの領域において初透磁率を測定すると第2図に示
す通りである。
尚、第2図中、実線Aは上記実施例に係るもの、点線B
は上記実施例の構成において非晶質薄膜2を設けなかっ
た磁性材に係るものであり、そして縦軸の単位は非晶質
薄膜2を設けなかった磁性材において100KHzにお
ける初透磁率を1として表わしている。
は上記実施例の構成において非晶質薄膜2を設けなかっ
た磁性材に係るものであり、そして縦軸の単位は非晶質
薄膜2を設けなかった磁性材において100KHzにお
ける初透磁率を1として表わしている。
これによれば、Mn、Niを主成分として含むセラミッ
ク材料を磁性材の基板として用いる場合には、この基板
上に直接軟磁性薄膜を設けるのではなく、この基板上に
は非晶質薄膜を設け、この非晶質薄膜上に軟磁性薄膜を
設けるようにすると、初透磁率の大巾な向上が図れるこ
とがわかる。
ク材料を磁性材の基板として用いる場合には、この基板
上に直接軟磁性薄膜を設けるのではなく、この基板上に
は非晶質薄膜を設け、この非晶質薄膜上に軟磁性薄膜を
設けるようにすると、初透磁率の大巾な向上が図れるこ
とがわかる。
又、軟磁性薄膜として例えばセンダスト合金を用いて多
層形成する場合にあっても、基板側の最下層の軟磁性薄
膜と基板との間に絶縁性の非晶質薄膜が設けられている
ことより、最下層の軟磁性薄膜の磁気特性の改善が大き
いことより、積層膜全体の磁気特性は一段と良いものに
なる。
層形成する場合にあっても、基板側の最下層の軟磁性薄
膜と基板との間に絶縁性の非晶質薄膜が設けられている
ことより、最下層の軟磁性薄膜の磁気特性の改善が大き
いことより、積層膜全体の磁気特性は一段と良いものに
なる。
本発明に係る磁性材は、Mn、Niを主成分として含む
セラミックの基板層と磁性層との間に非晶質薄膜を介在
させたものであるから、初透磁率等の磁気特性が大巾に
向上し、又、バルクな形態ではなく薄膜タイプのもので
あるから磁性層が有してν心ない物理的特性をMn、N
iを主成分として含むセラミックの基板層で補えるもの
であり、従ってこの磁性材の応用範囲は広いものである
等の特長を有する。
セラミックの基板層と磁性層との間に非晶質薄膜を介在
させたものであるから、初透磁率等の磁気特性が大巾に
向上し、又、バルクな形態ではなく薄膜タイプのもので
あるから磁性層が有してν心ない物理的特性をMn、N
iを主成分として含むセラミックの基板層で補えるもの
であり、従ってこの磁性材の応用範囲は広いものである
等の特長を有する。
第1図は本発明に係る磁性材の1実施例を示す一部の断
面図、第2図はこの実施例による磁性材および非晶質薄
膜を設けない磁性材の各初透磁率を示すグラフである。 1・・・基板、2・・・非晶質薄膜、3・・・軟磁性薄
膜。
面図、第2図はこの実施例による磁性材および非晶質薄
膜を設けない磁性材の各初透磁率を示すグラフである。 1・・・基板、2・・・非晶質薄膜、3・・・軟磁性薄
膜。
Claims (1)
- Mn、Niを主成分として含むセラミックの基板層と
磁性層との間に非晶質薄膜を介在させたことを特徴とす
る磁性材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17251485A JPS6233405A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 磁性材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17251485A JPS6233405A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 磁性材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233405A true JPS6233405A (ja) | 1987-02-13 |
Family
ID=15943366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17251485A Pending JPS6233405A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 磁性材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6233405A (ja) |
-
1985
- 1985-08-07 JP JP17251485A patent/JPS6233405A/ja active Pending
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