JPS6236711A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6236711A JPS6236711A JP17421485A JP17421485A JPS6236711A JP S6236711 A JPS6236711 A JP S6236711A JP 17421485 A JP17421485 A JP 17421485A JP 17421485 A JP17421485 A JP 17421485A JP S6236711 A JPS6236711 A JP S6236711A
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- magnetic
- metal
- films
- intermediate layer
- pbox
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、メタルテープやメタルフロッピーなどの高抗
磁力磁気記録媒体に好適な磁気ヘッドに関する。
磁力磁気記録媒体に好適な磁気ヘッドに関する。
例えばメタルテープやメタルフロッピーなど。
高抗磁力を有する磁気記録媒体に情報を記録するために
は、飽和磁束密度が大きく強い記録磁界を生ずることの
できる磁気ヘッドを必要とする。
は、飽和磁束密度が大きく強い記録磁界を生ずることの
できる磁気ヘッドを必要とする。
かかる用途に適用される磁気ヘッドとして、従来より、
第３図に示すように１例えばアモルファスやセンダスト
などの金属磁性ｖＡ１０が非磁性の中間層１１を介して
数層乃至数十層積層された積層体１２を非磁性の基体１
３．１３の間に挟み込んでなるサンドウィッチ構造の磁
気ヘッドが提案されている（黒江章部ほか５名、「スパ
ッタアモルファスビデオヘッド」、松下電器産業株式会
社中央研究所、ＭＲ８４−３２，２９〜３４頁）。
第３図に示すように１例えばアモルファスやセンダスト
などの金属磁性ｖＡ１０が非磁性の中間層１１を介して
数層乃至数十層積層された積層体１２を非磁性の基体１
３．１３の間に挟み込んでなるサンドウィッチ構造の磁
気ヘッドが提案されている（黒江章部ほか５名、「スパ
ッタアモルファスビデオヘッド」、松下電器産業株式会
社中央研究所、ＭＲ８４−３２，２９〜３４頁）。
この種磁気ヘッドは、金属磁性膜１０と非磁性の中間層
１１を複数層積層したので、高周波領域における渦電流
損失が低減され、大きな記録磁界を得ることができる。
１１を複数層積層したので、高周波領域における渦電流
損失が低減され、大きな記録磁界を得ることができる。
また、基体１３．１３にて構成される媒体摺動面にて記
録媒体の摩擦力を受けるので積層体１２の摩耗が緩和さ
れ、この点で耐久性にｆｆｌねる。
録媒体の摩擦力を受けるので積層体１２の摩耗が緩和さ
れ、この点で耐久性にｆｆｌねる。
ところで、上記非磁性の中間層ｌｌとしては、一般に、
ＭｙＯｚ （ｙ、ｚは自然数）の記号で表わされる金属
または半導体の酸化物か用いられる。
ＭｙＯｚ （ｙ、ｚは自然数）の記号で表わされる金属
または半導体の酸化物か用いられる。
しかし、これらの金属または半導体の酸化物うちＰｂＯ
ｘ （ｘは自然数）の形で示される鉛の酸化物は、金属
磁性膜ｌＯとの接合力が強いという利点を有する反面、
金属磁性膜１０を腐蝕し易いという欠点があるため、中
間層１１として適用することができない。そこで、従来
のこの種磁気ヘッドにおいては、金属磁性膜１０と中間
層１１の間の接合力をある程度犠牲にしても金属磁性１
１１１０の腐蝕を防止し磁気特性の劣化を防止する見地
から、例えばＳｉＯ２、Ａｌ： Ｏｓ 、 Ｎａｚ ０
３、Ｔｉ０ｚ。
ｘ （ｘは自然数）の形で示される鉛の酸化物は、金属
磁性膜ｌＯとの接合力が強いという利点を有する反面、
金属磁性膜１０を腐蝕し易いという欠点があるため、中
間層１１として適用することができない。そこで、従来
のこの種磁気ヘッドにおいては、金属磁性膜１０と中間
層１１の間の接合力をある程度犠牲にしても金属磁性１
１１１０の腐蝕を防止し磁気特性の劣化を防止する見地
から、例えばＳｉＯ２、Ａｌ： Ｏｓ 、 Ｎａｚ ０
３、Ｔｉ０ｚ。
ＺｒＯ，： などのように、金属磁性ｌｌＡ１０に対
して非腐蝕性の金属または半導体の酸化物が中間層１１
として適用されている。
して非腐蝕性の金属または半導体の酸化物が中間層１１
として適用されている。
かように、従来のこの種磁気ヘッドにおいては、金属磁
性膜１０に対して非腐蝕性の金属または半導体の酸化物
を中間層１１として適用しているため、金属磁性膜ｌＯ
と中間層１１の間の接合力が弱く１例えば、磁気ヘッド
に切削、切断、研摩といった機械加工を施こすなど衝撃
力を加えると、金属磁性１１１１０と中間層１１の接合
面から剥離し易く、歩留りが悪いという問題がある。
性膜１０に対して非腐蝕性の金属または半導体の酸化物
を中間層１１として適用しているため、金属磁性膜ｌＯ
と中間層１１の間の接合力が弱く１例えば、磁気ヘッド
に切削、切断、研摩といった機械加工を施こすなど衝撃
力を加えると、金属磁性１１１１０と中間層１１の接合
面から剥離し易く、歩留りが悪いという問題がある。
本発明は、上記した従来技術の問題点を解消するために
なされたものであって、金属磁性膜の間に介設される中
間層の構造を、金属磁性膜に対して非腐蝕性の金属また
は半導体の酸化物の表裏両面にＰｂＯｘの薄膜が形成さ
れた三層構造とし、接合力に優れたＰｂＯｘを金属磁性
膜に接合することによって金属磁性膜と中間層の接合面
における剥離し易さを解消するとともに、ＰｂＯｘ単層
とした場合に比べてＰｂＯｘの形成量を減少することに
よって金属磁性膜の腐蝕され易さを減少したことを特徴
とするものである。
なされたものであって、金属磁性膜の間に介設される中
間層の構造を、金属磁性膜に対して非腐蝕性の金属また
は半導体の酸化物の表裏両面にＰｂＯｘの薄膜が形成さ
れた三層構造とし、接合力に優れたＰｂＯｘを金属磁性
膜に接合することによって金属磁性膜と中間層の接合面
における剥離し易さを解消するとともに、ＰｂＯｘ単層
とした場合に比べてＰｂＯｘの形成量を減少することに
よって金属磁性膜の腐蝕され易さを減少したことを特徴
とするものである。
第１図は本発明に係る磁気ヘッドの媒体摺動面側から見
た平面図、第２図はこの磁気ヘッドに適用される積層体
の拡大図であって、■は基体、２は金属磁性膜、３は非
磁性の中間層、４は一方のコア半休、５は他方のコア半
休、６は上記コア半体４，５の接合面に形成された磁気
ギャップを示している。
た平面図、第２図はこの磁気ヘッドに適用される積層体
の拡大図であって、■は基体、２は金属磁性膜、３は非
磁性の中間層、４は一方のコア半休、５は他方のコア半
休、６は上記コア半体４，５の接合面に形成された磁気
ギャップを示している。
基体１は、磁性材料またはガラス、セラミックスなどの
耐摩耗性に優れた非磁性材料によって形成される。
耐摩耗性に優れた非磁性材料によって形成される。
また、金属磁性膜２は、アモルファスあるいはセンダス
トなど、高飽和磁束密度および高透磁率を有する結晶質
または非晶質の金属または合金からなる。この金属磁性
１１５Ｉ２は、上記基体ｌ上にスパッタリング、真空蒸
着装置などの薄膜形成手段によって形成される。
トなど、高飽和磁束密度および高透磁率を有する結晶質
または非晶質の金属または合金からなる。この金属磁性
１１５Ｉ２は、上記基体ｌ上にスパッタリング、真空蒸
着装置などの薄膜形成手段によって形成される。
上記中間層３は、第２図に示すように、Ｐｂ０ｘ（Ｘは
自然数）の形で示される鉛の酸化物膜７の間に１例えば
、５１０Ｚ 、 Ａｌｚ Ｏｓ 、 Ｎａｚ Ｏ−４、
Ｔ ｉ Ｏ２、ＺｒＯ２などのように、ＭｙＯｚ（ｙ＋
ｚは自然数）の形で示される船具外の金属または半導体
の酸化物膜８が挟み込まれた三層構造となっている。上
記鉛の酸化物膜７および船具外の金属または半導体の酸
化物［８は、それぞれスパッタリングあるいは真空蒸着
など、任意の薄膜形成手段によって形成される。上記船
の酸化物膜７の厚さは、金属磁性膜２と中間層３の接合
力および金属磁性膜２の腐蝕限度を考慮して定められる
が、船具外の金属または半導体の酸化物膜８の厚さを１
０００λとした場合、５０λ〜３００λ程度とすること
が好ましい。
自然数）の形で示される鉛の酸化物膜７の間に１例えば
、５１０Ｚ 、 Ａｌｚ Ｏｓ 、 Ｎａｚ Ｏ−４、
Ｔ ｉ Ｏ２、ＺｒＯ２などのように、ＭｙＯｚ（ｙ＋
ｚは自然数）の形で示される船具外の金属または半導体
の酸化物膜８が挟み込まれた三層構造となっている。上
記鉛の酸化物膜７および船具外の金属または半導体の酸
化物［８は、それぞれスパッタリングあるいは真空蒸着
など、任意の薄膜形成手段によって形成される。上記船
の酸化物膜７の厚さは、金属磁性膜２と中間層３の接合
力および金属磁性膜２の腐蝕限度を考慮して定められる
が、船具外の金属または半導体の酸化物膜８の厚さを１
０００λとした場合、５０λ〜３００λ程度とすること
が好ましい。
上記のように構成された磁気ヘッドは、金属磁性膜２お
よび船具外の金属または半導体の酸化物膜８が、活性に
優れた鉛の酸化物７を介して接合されているので強固に
接合され、コア半体４，５を接合したのちの後加工１例
えば、切削、切断、研摩といった加工の際にも剥離する
ことがなく。
よび船具外の金属または半導体の酸化物膜８が、活性に
優れた鉛の酸化物７を介して接合されているので強固に
接合され、コア半体４，５を接合したのちの後加工１例
えば、切削、切断、研摩といった加工の際にも剥離する
ことがなく。
この種磁気ヘッドの歩留りを向上することができる。ま
た、鉛の酸化物！７の総量が少ないので、金属磁性＠２
の腐蝕を低減することができ、磁気特性の安定した磁気
ヘッドを作製することができる。
た、鉛の酸化物！７の総量が少ないので、金属磁性＠２
の腐蝕を低減することができ、磁気特性の安定した磁気
ヘッドを作製することができる。
尚、上記実施例において示した各部材の厚さを示す数値
は、実施の一例を示すものであって、本発明の要旨がこ
れに限定されるものではない。
は、実施の一例を示すものであって、本発明の要旨がこ
れに限定されるものではない。
以上説明したように、本発明によると、金属磁性膜と中
間層とが強固に接合され、加工中に両者の接合面から剥
離することがないので歩留りを向上することができる。
間層とが強固に接合され、加工中に両者の接合面から剥
離することがないので歩留りを向上することができる。
また、鉛酸化物膜の総量が少ないので、金属磁性膜の腐
蝕を低減することができ、磁気特性の安定した磁気ヘッ
ドを提供することができる。
蝕を低減することができ、磁気特性の安定した磁気ヘッ
ドを提供することができる。
第１図は本発明の磁気ヘッドの媒体摺動面側から見た平
面図、第２図は中間層の構造を示す拡大図、第３図は従
来知られているサンドウィッチ構造の磁気ヘッドの斜視
図である。 １：基体、２：金属磁性膜、３：中間層、４゜５＝コア
半休、６：磁気ギャップ、７：鉛の酸化物膜７．８：釦
以外の金属または半導体の酸化物膜 □し惨ｉでトニエ− １、基体 ６：石舷気ギャッフ。 ２ ： 金属石裟五柱月１１ ７：ＰｂＯｘ膜
３ 中間層 ８：ＭｙＯｚ膜 ４．５：コア半体 第２図
面図、第２図は中間層の構造を示す拡大図、第３図は従
来知られているサンドウィッチ構造の磁気ヘッドの斜視
図である。 １：基体、２：金属磁性膜、３：中間層、４゜５＝コア
半休、６：磁気ギャップ、７：鉛の酸化物膜７．８：釦
以外の金属または半導体の酸化物膜 □し惨ｉでトニエ− １、基体 ６：石舷気ギャッフ。 ２ ： 金属石裟五柱月１１ ７：ＰｂＯｘ膜
３ 中間層 ８：ＭｙＯｚ膜 ４．５：コア半体 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 非磁性の中間層を介して複数層の金属磁性膜が積層され
た積層体を磁性材料または非磁性材料にて形成された基
体の間に挟み込んでなるサンドウイツチ構造の磁気ヘッ
ドにおいて、上記中間層の構造を。 ＰｂＯｘ／ＭｙＯｚ／ＰｂＯｘ 但し、ＰｂＯｘは鉛の酸化物 ＭｙＯｚは鉛の酸化物を除く金属または 半導体の酸化物 ｘ、ｙ、ｚは自然数 という三層構造としたことを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17421485A JPS6236711A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17421485A JPS6236711A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236711A true JPS6236711A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=15974718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17421485A Pending JPS6236711A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236711A (ja) |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP17421485A patent/JPS6236711A/ja active Pending
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