JPH04326535A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置Info
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- JPH04326535A JPH04326535A JP3125039A JP12503991A JPH04326535A JP H04326535 A JPH04326535 A JP H04326535A JP 3125039 A JP3125039 A JP 3125039A JP 12503991 A JP12503991 A JP 12503991A JP H04326535 A JPH04326535 A JP H04326535A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- resin
- lead
- internal
- electrode
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップ部を樹
脂封止体により封止し、樹脂封止体の側部から複数の外
部リードを出した樹脂封止半導体装置に関する。
脂封止体により封止し、樹脂封止体の側部から複数の外
部リードを出した樹脂封止半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の半導体装置を図５Ａに示
す。１はＩＣチップなど半導体チップ（以下「チップ」
と称する）で、リードフレームの一部に形成されたダイ
パッド３上にダイボンド材６によりダイボンディングさ
れている。４は複数の内部リード部、５は各内部リード
部から延長されて折曲げられた外部リードである。チッ
プ１の表面周囲側には、図５Ｂのように、複数の電極２
が形成されており、各電極２と対応する各内部リード部
４とをそれぞれ金属細線７でワイヤボンディングしてい
る。この金属細線７は直径２５〜３０μｍのものを用い
ている。この状態から、図５Ａのように、チップ１部を
エポキシ樹脂などでトランスファモールドにより成形さ
れた樹脂封止体（パッケージ）８で封止している。
す。１はＩＣチップなど半導体チップ（以下「チップ」
と称する）で、リードフレームの一部に形成されたダイ
パッド３上にダイボンド材６によりダイボンディングさ
れている。４は複数の内部リード部、５は各内部リード
部から延長されて折曲げられた外部リードである。チッ
プ１の表面周囲側には、図５Ｂのように、複数の電極２
が形成されており、各電極２と対応する各内部リード部
４とをそれぞれ金属細線７でワイヤボンディングしてい
る。この金属細線７は直径２５〜３０μｍのものを用い
ている。この状態から、図５Ａのように、チップ１部を
エポキシ樹脂などでトランスファモールドにより成形さ
れた樹脂封止体（パッケージ）８で封止している。
【０００３】図５Ｂに示すワイヤボンディングは、次の
ようにしている。ワイヤボンディング装置のキャピラリ
チップ（図示しない）に金属細線７を通し、キャピラリ
チップの下端に出た金属細線７の先端を溶融し球状に形
成する。チップ１上の１００μｍ四角の電極（ボンディ
ングパッド）２に金属細線７の球状部を加圧して押付け
、温度と超音波をかけて金属拡散接合する。つづいて、
キャピラリチップを、金属細線７を繰出しながら内部リ
ード部４上に移動し、金属細線７を押付け、上記と同様
に金属拡散接合する。
ようにしている。ワイヤボンディング装置のキャピラリ
チップ（図示しない）に金属細線７を通し、キャピラリ
チップの下端に出た金属細線７の先端を溶融し球状に形
成する。チップ１上の１００μｍ四角の電極（ボンディ
ングパッド）２に金属細線７の球状部を加圧して押付け
、温度と超音波をかけて金属拡散接合する。つづいて、
キャピラリチップを、金属細線７を繰出しながら内部リ
ード部４上に移動し、金属細線７を押付け、上記と同様
に金属拡散接合する。
【０００４】このワイヤボンディングでは、次のような
制約条件がある。（ａ）チップ１上の電極２が周囲側に
あること。（ｂ）チップ１の電極２と内部リード部４と
の間隔は、金属細線４で双方を接続するためには、０．
５ｍｍ以上であること。（ｃ）内部リード部４とダイパ
ッド３の間隔は、絶縁上から０．２ｍｍ以上必要である
こと。（ｄ）内部リード部４に接合するためには、内部
リード４の長さは０．２ｍｍ以上必要であること。
制約条件がある。（ａ）チップ１上の電極２が周囲側に
あること。（ｂ）チップ１の電極２と内部リード部４と
の間隔は、金属細線４で双方を接続するためには、０．
５ｍｍ以上であること。（ｃ）内部リード部４とダイパ
ッド３の間隔は、絶縁上から０．２ｍｍ以上必要である
こと。（ｄ）内部リード部４に接合するためには、内部
リード４の長さは０．２ｍｍ以上必要であること。
【０００５】このことにより、樹脂封止体８の外形は、
封止されているチップ１との間に、少なくとも、内部リ
ード部４のワイヤボンドの広さと相互配線の長さが必要
である。このため、図５の従来装置においては、チップ
１の周囲から０．５ｍｍ以上の間隔にした樹脂封止体８
の外形となる。
封止されているチップ１との間に、少なくとも、内部リ
ード部４のワイヤボンドの広さと相互配線の長さが必要
である。このため、図５の従来装置においては、チップ
１の周囲から０．５ｍｍ以上の間隔にした樹脂封止体８
の外形となる。
【０００６】最近のＩＣ装置の高集積化、高機能化によ
り、ＩＣチップなどチップ１は、次第に大きくなる傾向
にあるが、電子機器の小形化、薄形化の要求により、小
形の表面実装の樹脂封止半導体装置が要求されている。 図６に半導体チップ１の大きさの推移と、樹脂封止体８
外形との関係を示す。本図はメモリＩＣの例を示したも
ので、年代とともに、Ａ→Ｂ→Ｃの順に進んでおり、樹
脂封止体８は小形化、チップ１は大形化と相反する方向
にある。Ｃ図に示すように、チップ１と樹脂封止体８外
形との間隔が０．５ｍｍ以下となり、上記従来のワイヤ
ボンディングによる半導体装置では対応できなくなって
いる。
り、ＩＣチップなどチップ１は、次第に大きくなる傾向
にあるが、電子機器の小形化、薄形化の要求により、小
形の表面実装の樹脂封止半導体装置が要求されている。 図６に半導体チップ１の大きさの推移と、樹脂封止体８
外形との関係を示す。本図はメモリＩＣの例を示したも
ので、年代とともに、Ａ→Ｂ→Ｃの順に進んでおり、樹
脂封止体８は小形化、チップ１は大形化と相反する方向
にある。Ｃ図に示すように、チップ１と樹脂封止体８外
形との間隔が０．５ｍｍ以下となり、上記従来のワイヤ
ボンディングによる半導体装置では対応できなくなって
いる。
【０００７】上記のように、チップ１の大形化と、樹脂
封止体５の小形への抑制に対処するため、従来、図８に
示す、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ ＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄ
ｉｎｇ）方式によった樹脂封止半導体装置が考案されて
いる。図８Ａは樹脂封止前の平面図で、図８Ｂは完成さ
れた半導体装置の拡大断面図である。１０は絶縁テープ
で、上面に銅はくなどからなる複数のリード１１が配線
されている。チップ１上の周囲側の各電極２に金属バン
プ１２を介し、絶縁テープ１０の各リード１１の内端部
を接続している。この状態のチップ１部を樹脂封止体１
３により封止している。
封止体５の小形への抑制に対処するため、従来、図８に
示す、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ ＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄ
ｉｎｇ）方式によった樹脂封止半導体装置が考案されて
いる。図８Ａは樹脂封止前の平面図で、図８Ｂは完成さ
れた半導体装置の拡大断面図である。１０は絶縁テープ
で、上面に銅はくなどからなる複数のリード１１が配線
されている。チップ１上の周囲側の各電極２に金属バン
プ１２を介し、絶縁テープ１０の各リード１１の内端部
を接続している。この状態のチップ１部を樹脂封止体１
３により封止している。
【０００８】図８のＴＡＢ方式の半導体装置に相当する
従来のワイヤボンディング方式の半導体装置を図７Ａ及
びＢに、樹脂封止前の平面図及び完成後の拡大断面図で
示す。リードフレームによるダイパッド３上にチップ１
がダイボンド材６によりダイボンドされ、チップ１上の
周囲側に形成されてある複数の電極２と、対応する内部
リード部４とを、それぞれ金属細線７でワイヤボンディ
ングしている。この状態のチップ１部を内部リード部４
を含めて、樹脂封止体８で封止している。
従来のワイヤボンディング方式の半導体装置を図７Ａ及
びＢに、樹脂封止前の平面図及び完成後の拡大断面図で
示す。リードフレームによるダイパッド３上にチップ１
がダイボンド材６によりダイボンドされ、チップ１上の
周囲側に形成されてある複数の電極２と、対応する内部
リード部４とを、それぞれ金属細線７でワイヤボンディ
ングしている。この状態のチップ１部を内部リード部４
を含めて、樹脂封止体８で封止している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の樹
脂封止半導体装置では、ワイヤボンディング方式による
ものは、チップ１部外周から相当の距離を要した樹脂封
止体の外形となり、小形化を阻害するという問題点があ
った。また、ＴＡＢ方式によるものは、リード１１が銅
はくなどからなり強度が弱く、特別な実装方法が必要で
あり、従来の図７に示す樹脂封止半導体装置とは異なる
実装方法となり、実装に互換性のある樹脂封止半導体装
置とならないという問題点があった。
脂封止半導体装置では、ワイヤボンディング方式による
ものは、チップ１部外周から相当の距離を要した樹脂封
止体の外形となり、小形化を阻害するという問題点があ
った。また、ＴＡＢ方式によるものは、リード１１が銅
はくなどからなり強度が弱く、特別な実装方法が必要で
あり、従来の図７に示す樹脂封止半導体装置とは異なる
実装方法となり、実装に互換性のある樹脂封止半導体装
置とならないという問題点があった。
【００１０】この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、チップ表面の複数の電極と内部
リード部との接続が短時間で容易にでき、チップ部を囲
う樹脂封止体の外形が従来のものより小形になり、チッ
プ上の電極の位置が、従来のように内部リード部との接
続のため周囲側に配するという制約を受けることなく、
所要の位置に配設することができ、チップの内部パター
ンの設計上の自由度が大きくなる樹脂封止半導体装置を
得ることを目的としている。
ためになされたもので、チップ表面の複数の電極と内部
リード部との接続が短時間で容易にでき、チップ部を囲
う樹脂封止体の外形が従来のものより小形になり、チッ
プ上の電極の位置が、従来のように内部リード部との接
続のため周囲側に配するという制約を受けることなく、
所要の位置に配設することができ、チップの内部パター
ンの設計上の自由度が大きくなる樹脂封止半導体装置を
得ることを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】チップ上の電極位置を周
囲側に制約されることなくチップのパターン上から都合
のよい位置に配し、リードフレームにダイパッドを要せ
ず、絶縁テープの上面に複数条の接続配線を形成し、各
接続配線の両端に導電接続部を表裏に貫通して設け、チ
ップ上の各電極と、対応する各内部リード部とを、上方
に配した絶縁テープの各導電接続部に、それぞれバンプ
を介して接合し、チップ部及び絶縁テープ部を樹脂封止
体により封止し、樹脂封止体の側部から外部リードを出
したものである。
囲側に制約されることなくチップのパターン上から都合
のよい位置に配し、リードフレームにダイパッドを要せ
ず、絶縁テープの上面に複数条の接続配線を形成し、各
接続配線の両端に導電接続部を表裏に貫通して設け、チ
ップ上の各電極と、対応する各内部リード部とを、上方
に配した絶縁テープの各導電接続部に、それぞれバンプ
を介して接合し、チップ部及び絶縁テープ部を樹脂封止
体により封止し、樹脂封止体の側部から外部リードを出
したものである。
【００１２】
【作用】この発明においては、絶縁テープにより、チッ
プ及び各内部リード部がバンプを介し対応する各導電接
続部に接合され、チップはダイボンディングを要せず、
バンプ接続方法により一度に接合され、製造工程が大幅
に短縮される。ワイヤボンディングによらずバンプ接続
であるので、チップ外周と樹脂封止体の外形との距離が
従来のものより小さくてよく、外形が小さくされる。
プ及び各内部リード部がバンプを介し対応する各導電接
続部に接合され、チップはダイボンディングを要せず、
バンプ接続方法により一度に接合され、製造工程が大幅
に短縮される。ワイヤボンディングによらずバンプ接続
であるので、チップ外周と樹脂封止体の外形との距離が
従来のものより小さくてよく、外形が小さくされる。
【００１３】
【実施例】図１ないし図４はこの発明による樹脂封止半
導体装置の一実施例を示す。図３Ａにおいて、２１はＩ
Ｃチップなど半導体チップ（以下「チップ」と称する）
で、上面には、短辺方向の中央部位置に、長辺方向に複
数の電極２２が形成されている。各電極２２上には金属
バンプ２３が付着されている。金属バンプ２３には、例
えばはんだ材、金材などを用いる。電極２２部を図３Ｂ
に拡大断面図で示す。２４はチップ２１表面に施された
パッシベーション膜である。
導体装置の一実施例を示す。図３Ａにおいて、２１はＩ
Ｃチップなど半導体チップ（以下「チップ」と称する）
で、上面には、短辺方向の中央部位置に、長辺方向に複
数の電極２２が形成されている。各電極２２上には金属
バンプ２３が付着されている。金属バンプ２３には、例
えばはんだ材、金材などを用いる。電極２２部を図３Ｂ
に拡大断面図で示す。２４はチップ２１表面に施された
パッシベーション膜である。
【００１４】図４Ａはリードフレームの平面図である。
帯状のリードフレーム２５には複数の内部リード部２６
及び外部リード２７が形成され、隣接する各リード間は
タイバー部２８で連結され、また、両側の連結部２９に
連結されている。各内部リード部２６上には、はんだ材
、金材などからなる金属バンプ３０が付着されている。 各内部リード部２６の先端は、従来装置では鎖線で示す
ように、ワイヤボンディングのために延長されていたが
、この発明装置では、実線のように短くされ、各先端は
矢印Ｃ方向に一直線上に揃えられている。また、リード
フレーム２５には、従来必要であったダイパッドは設け
られていない。内部リード部２６を、図４Ｂに断面図で
示す。
及び外部リード２７が形成され、隣接する各リード間は
タイバー部２８で連結され、また、両側の連結部２９に
連結されている。各内部リード部２６上には、はんだ材
、金材などからなる金属バンプ３０が付着されている。 各内部リード部２６の先端は、従来装置では鎖線で示す
ように、ワイヤボンディングのために延長されていたが
、この発明装置では、実線のように短くされ、各先端は
矢印Ｃ方向に一直線上に揃えられている。また、リード
フレーム２５には、従来必要であったダイパッドは設け
られていない。内部リード部２６を、図４Ｂに断面図で
示す。
【００１５】図２に絶縁テープを示す。３１は絶縁テー
プで、ポリイミドなどの絶縁材からなる。絶縁テープ３
１には、チップ２１の各電極２２及び各内部リード部２
６に対応する位置に貫通穴（スルーホール）を設け（図
１参照）、これらの貫通穴には金属導電材からなる導電
接続部３３ａ及び３３ｂを表裏貫通して付着している。 これら各導電接続部３３ａと３３ｂとをそれぞれ接続す
るため、絶縁テープ３１表面上に銅はくなどからなる複
数条の接続配線３２が形成されている。
プで、ポリイミドなどの絶縁材からなる。絶縁テープ３
１には、チップ２１の各電極２２及び各内部リード部２
６に対応する位置に貫通穴（スルーホール）を設け（図
１参照）、これらの貫通穴には金属導電材からなる導電
接続部３３ａ及び３３ｂを表裏貫通して付着している。 これら各導電接続部３３ａと３３ｂとをそれぞれ接続す
るため、絶縁テープ３１表面上に銅はくなどからなる複
数条の接続配線３２が形成されている。
【００１６】上記のように形成されたチップ２１、リー
ドフレーム２５及び絶縁テープ３１を用いたバンプによ
るボンディングを、次に説明する。図２に示すように、
まず、テーブル（図示しない）上にリードフレーム２５
を位置決めし固定する。次に、チップ２１を固定台（図
示しない）上に位置決めし真空吸着などで固定し、リー
ドフレーム２５に対し、水平面位置及び平面上のＸ，Ｙ
軸方向位置と回動位置が所定になるように、固定台をＸ
，Ｙ軸移動及び回動して調整する。こうして、各接続部
の相対関係が補正され、チップ２１上のバンプ２３と、
内部リード部２６のバンプ３０が同一水平面上になるよ
うに高さの位置決めがされる。この状態で、上方から絶
縁テープ３１を下降し、図１に示すように、各導電接続
部３３ａを対応する各バンプ２３上に当て、各導電接続
部３３ｂを対応する各バンプ３０上に当て、加熱された
押付体（図示しない）で上方から接合部全面を押え付け
、各バンプと絶縁テープ３１の各導電接続部が一括して
一度に接合される。
ドフレーム２５及び絶縁テープ３１を用いたバンプによ
るボンディングを、次に説明する。図２に示すように、
まず、テーブル（図示しない）上にリードフレーム２５
を位置決めし固定する。次に、チップ２１を固定台（図
示しない）上に位置決めし真空吸着などで固定し、リー
ドフレーム２５に対し、水平面位置及び平面上のＸ，Ｙ
軸方向位置と回動位置が所定になるように、固定台をＸ
，Ｙ軸移動及び回動して調整する。こうして、各接続部
の相対関係が補正され、チップ２１上のバンプ２３と、
内部リード部２６のバンプ３０が同一水平面上になるよ
うに高さの位置決めがされる。この状態で、上方から絶
縁テープ３１を下降し、図１に示すように、各導電接続
部３３ａを対応する各バンプ２３上に当て、各導電接続
部３３ｂを対応する各バンプ３０上に当て、加熱された
押付体（図示しない）で上方から接合部全面を押え付け
、各バンプと絶縁テープ３１の各導電接続部が一括して
一度に接合される。
【００１７】こうして、チップ２１部とこれに接続され
た内部リード２６を有するリードフレーム２５及び絶縁
テープ３１とが、樹脂封止金型装置に入れられ、図１に
示すように、樹脂封止体３５の成形により封止される。 つづいて、リードフレーム２５のタイバー２８、連結部
２９がプレスにより切断され、外部リード２７がプレス
加工により折り曲げられ、樹脂封止半導体装置が完成さ
れる。
た内部リード２６を有するリードフレーム２５及び絶縁
テープ３１とが、樹脂封止金型装置に入れられ、図１に
示すように、樹脂封止体３５の成形により封止される。 つづいて、リードフレーム２５のタイバー２８、連結部
２９がプレスにより切断され、外部リード２７がプレス
加工により折り曲げられ、樹脂封止半導体装置が完成さ
れる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、チッ
プの外周と樹脂封止体の外形との距離が小さくでき、外
形が小形化され、また、樹脂封止体が同一外形であれば
、従来に比べ大きいチップが収納でき、しかも、外部リ
ードは従来のワイヤボンド方式の場合と同様な強度が維
持される。また、チップ上の電極位置が従来のように周
囲側に制約されず、中央部に配置でき、この場合はチッ
プ内での電極への配線長さが短縮でき、高速で耐ノイズ
性が向上される。さらに、リードフレームに対しチップ
のダイボンディング工程が省かれ、チップの各電極と各
内部リードの接続が一括して処理され、製造工程が短縮
される。なおまた、リードフレームのダイパッドがなく
、樹脂封止体はダイパッドを省いたチップの収納構造と
なり、熱ストレスによる耐クラック性が向上する。
プの外周と樹脂封止体の外形との距離が小さくでき、外
形が小形化され、また、樹脂封止体が同一外形であれば
、従来に比べ大きいチップが収納でき、しかも、外部リ
ードは従来のワイヤボンド方式の場合と同様な強度が維
持される。また、チップ上の電極位置が従来のように周
囲側に制約されず、中央部に配置でき、この場合はチッ
プ内での電極への配線長さが短縮でき、高速で耐ノイズ
性が向上される。さらに、リードフレームに対しチップ
のダイボンディング工程が省かれ、チップの各電極と各
内部リードの接続が一括して処理され、製造工程が短縮
される。なおまた、リードフレームのダイパッドがなく
、樹脂封止体はダイパッドを省いたチップの収納構造と
なり、熱ストレスによる耐クラック性が向上する。
【図１】この発明による樹脂封止半導体装置の一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】図１の装置の樹脂封止前の分解斜視図である。
【図３】Ａ図は図２の半導体チップの斜視図で、Ｂ図は
Ａ図の電極部の拡大断面図である。
Ａ図の電極部の拡大断面図である。
【図４】Ａ図は図２のリードフレームの平面図で、Ｂ図
はＡ図のＢ−Ｂ線における断面図である。
はＡ図のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図５】Ａ図は従来の樹脂封止半導体装置の一部破断し
て示す斜視図で、Ｂ図はＡ図のワイヤボンディング部の
拡大図である。
て示す斜視図で、Ｂ図はＡ図のワイヤボンディング部の
拡大図である。
【図６】Ａ，Ｂ及びＣ図は半導体チップの大形化に伴う
樹脂封止体の外形の大形変化を順に示す説明図である。
樹脂封止体の外形の大形変化を順に示す説明図である。
【図７】Ａ及びＢ図は従来のワイヤボンディング方式に
よった樹脂封止半導体装置の他の例を示す樹脂封止前の
平面図及び樹脂封止後の断面図である。
よった樹脂封止半導体装置の他の例を示す樹脂封止前の
平面図及び樹脂封止後の断面図である。
【図８】Ａ及びＢは従来のＴＡＢ方式によった樹脂封止
半導体装置の樹脂封止前の平面図及び樹脂封止後の断面
図である。
半導体装置の樹脂封止前の平面図及び樹脂封止後の断面
図である。
２１ 半導体チップ
２２ 電極
２３ 金属バンプ
２５ リードフレーム
２６ 内部リード部
２７ 外部リード
３０ 金属バンプ
３１ 絶縁テープ
３２ 接続配線
３３ａ 一方の導電接続部
３３ｂ 他方の導電接続部
３５ 樹脂封止体
Claims (1)
- 【請求項１】 内部パターンに応じ適した位置で上面
に複数の電極が配設され、各電極上には金属バンプが付
着された半導体チップと、ダイパッドが省かれ、上記半
導体チップに対する複数の内部リード部と、この内部リ
ード部から延長された外部リードが形成され、各内部リ
ード部の内端が一直線にそろえられ各内端部上に金属バ
ンプが付着されたリードフレームと、上記半導体チップ
の各電極のバンプに対応する複数の一方の導電接続部と
、上記各内部リードのバンプに対応する複数の他方の導
電接続部とが表裏を貫通して設けられ、これら双方の導
電接続部を表面でそれぞれ接続する複数条の接続配線が
形成された絶縁テープとを有し、上記半導体チップが上
記リードフレーム内に配置され、上記電極上面と上記内
部リード部上面が同一水平面にされ、上方から上記絶縁
テープで覆い、各導電接続部を一括して加熱押圧により
対応する各電極及び各内部リード部に上記バンプを介し
接合しており、リードフレームの不要部が除去され、上
記半導体チップ部と内部リード部及び絶縁テープ部を封
止して成形された樹脂封止体を備え、この樹脂封止体の
側部から上記複数の外部リードが出されてなる樹脂封止
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3125039A JP2681145B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3125039A JP2681145B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 樹脂封止半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04326535A true JPH04326535A (ja) | 1992-11-16 |
| JP2681145B2 JP2681145B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=14900333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3125039A Expired - Fee Related JP2681145B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2681145B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6423580B2 (en) * | 2000-08-14 | 2002-07-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a dual chip package |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185035A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH02295144A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-06 | Nec Corp | 集積回路 |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP3125039A patent/JP2681145B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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| JP2681145B2 (ja) | 1997-11-26 |
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