JPH04326544A - ウェーハ外観検査装置及びその方法 - Google Patents
ウェーハ外観検査装置及びその方法Info
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- JPH04326544A JPH04326544A JP9649291A JP9649291A JPH04326544A JP H04326544 A JPH04326544 A JP H04326544A JP 9649291 A JP9649291 A JP 9649291A JP 9649291 A JP9649291 A JP 9649291A JP H04326544 A JPH04326544 A JP H04326544A
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- Japan
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- wafer
- integrated circuit
- circuit pattern
- stage
- microscope
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 claims description 15
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 7
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 59
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は特にリソグラフィー工程
におけるウェーハ上に多数形成される集積回路パターン
を検査するウェーハ外観検査装置及びその方法に関する
。
におけるウェーハ上に多数形成される集積回路パターン
を検査するウェーハ外観検査装置及びその方法に関する
。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のウェーハ外観検査装置は
、図面には示さないが、ウェーハを搭載するステージと
、キャリアからウェーハをステージに移載する搬送機構
と、ステージに搭載されたウェーハを観察する光学顕微
鏡とにより構成されている。
、図面には示さないが、ウェーハを搭載するステージと
、キャリアからウェーハをステージに移載する搬送機構
と、ステージに搭載されたウェーハを観察する光学顕微
鏡とにより構成されている。
【０００３】このウェーハ外観検査装置でリソグラフィ
ー工程におけるウェーハの外観検査を行う際は、まず、
ステージの操作を作業者の手動によって行ない、ウェー
ハ上に形成された多数の集積回路パターンの中から不特
定に集積回路パターンをウェーハス面内の上部，中央部
，下部，右部，左部より一定数の集積回路パターンを選
び、その集積回路パターンに対して外観検査、及びパタ
ーン目ずれ量の測定が行なっていた。
ー工程におけるウェーハの外観検査を行う際は、まず、
ステージの操作を作業者の手動によって行ない、ウェー
ハ上に形成された多数の集積回路パターンの中から不特
定に集積回路パターンをウェーハス面内の上部，中央部
，下部，右部，左部より一定数の集積回路パターンを選
び、その集積回路パターンに対して外観検査、及びパタ
ーン目ずれ量の測定が行なっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来のウェーハ外
観検査装置を用いた外観検査方法では、ウェーハの上部
，下部，中央部，左部及び右部からそれぞれ一集積回路
パターンを選んで測定しているので、ウェーハ面内にお
ける回路パターンの位置ずれ及びパターン縮少度のずれ
は検査出来るが、１回の露光、すなわちワンショットで
複数の集積回路パターンが転写されるウェーハでは、各
集積回路パターン間の傾き及び歪みが測定することが困
難である。もし、これを測定するとなると、ワンショッ
ト内の個々の集積回路パターンを位置決めし、個々の集
積回路パターンの目ずれ量を測定し、ウェーハ面内にお
ける目ずれ量とワンショット内の個々の集積回路パター
ン間の傾き及び歪を推計する必要があり、多大な工数の
浪費するばかりか誤りを引き起すことになる。
観検査装置を用いた外観検査方法では、ウェーハの上部
，下部，中央部，左部及び右部からそれぞれ一集積回路
パターンを選んで測定しているので、ウェーハ面内にお
ける回路パターンの位置ずれ及びパターン縮少度のずれ
は検査出来るが、１回の露光、すなわちワンショットで
複数の集積回路パターンが転写されるウェーハでは、各
集積回路パターン間の傾き及び歪みが測定することが困
難である。もし、これを測定するとなると、ワンショッ
ト内の個々の集積回路パターンを位置決めし、個々の集
積回路パターンの目ずれ量を測定し、ウェーハ面内にお
ける目ずれ量とワンショット内の個々の集積回路パター
ン間の傾き及び歪を推計する必要があり、多大な工数の
浪費するばかりか誤りを引き起すことになる。
【０００５】本発明の目的は、かかる問題を解消すべく
、ワンショット内の集積回路間の目ずれ及びウェーハ面
内における集積回路パターンの目ずれを短時間で容易に
検査出来るウェーハ外観検査装置及びその方法を提供す
ることである。
、ワンショット内の集積回路間の目ずれ及びウェーハ面
内における集積回路パターンの目ずれを短時間で容易に
検査出来るウェーハ外観検査装置及びその方法を提供す
ることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のウェーハ外観検
査装置は、ウェーハ面を観察する顕微鏡と、ウェーハを
載置するステージと、このステージを移動するコントロ
ーラと、このコントローラを制御する制御部と、前記ウ
ェハー面内にある集積回路パターンの複数の領域をウェ
ーハに対する位置を記憶する記憶部とを備えている。
査装置は、ウェーハ面を観察する顕微鏡と、ウェーハを
載置するステージと、このステージを移動するコントロ
ーラと、このコントローラを制御する制御部と、前記ウ
ェハー面内にある集積回路パターンの複数の領域をウェ
ーハに対する位置を記憶する記憶部とを備えている。
【０００７】本発明のウェーハ外観検査方法は、ウェー
ハ面内に縦横列に複数のパターンの中から任意の集積回
路パターンを抽出するステップと、この抽出される集積
回路パターンの位置を記憶するステップと、順次，顕微
鏡視野内に前記集積回路パターンを位置決めするステッ
プを含んでいる。
ハ面内に縦横列に複数のパターンの中から任意の集積回
路パターンを抽出するステップと、この抽出される集積
回路パターンの位置を記憶するステップと、順次，顕微
鏡視野内に前記集積回路パターンを位置決めするステッ
プを含んでいる。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。
。
【０００９】図１は本発明の一実施例を示すウェーハ外
観検査装置のブロック図である。このウェーハ外観検査
装置は、図１に示すように、ウェーハ面にバックミラー
４及びレンズ３を介して光を投射する光源部１とウェー
ハ８より反射光で拡大像を結ぶレンズ３及び３ａとを備
える光学顕微鏡と、ウェーハ８を搭載するステージ２と
、ステージ２にウェーハ８を移載する搬送機構５と、ス
テージ２の移動を制御するコントローラ７と、検査を行
うべきパターン領域のウェーハ８面ウェーハの位置を記
憶するとともにコントローラにステージ移動を指令する
制御部６とを有オている。図２は図１のウェーハ外観検
査装置の動作を説明するためのウェーハ面を示す図であ
る。次に、このウェーハ外観検査装置の動作及びウェー
ハ外観検査方法について説明する。最初に外観検査を行
う前の準備作業としてまず、図２に示すように、ウェー
ハ８に形成されるウェーハ８の左端側，中央部，上端側
，右端側及び下端側のワンショット領域１０内にある集
積回路パターン９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ及び９ｅを選択
し、制御部６にその座標値を記憶させる。次に、ワンシ
ョットでの露光における目ずれ量を測定するために、ワ
ンショット領域１０内における 集積回路パターンを
その領域の右左及び上下にある集積回路パターン１１ａ
，１１ｂ，１１ｃ及び１１ｄに選び、その座標値を制御
部に記憶させる。
観検査装置のブロック図である。このウェーハ外観検査
装置は、図１に示すように、ウェーハ面にバックミラー
４及びレンズ３を介して光を投射する光源部１とウェー
ハ８より反射光で拡大像を結ぶレンズ３及び３ａとを備
える光学顕微鏡と、ウェーハ８を搭載するステージ２と
、ステージ２にウェーハ８を移載する搬送機構５と、ス
テージ２の移動を制御するコントローラ７と、検査を行
うべきパターン領域のウェーハ８面ウェーハの位置を記
憶するとともにコントローラにステージ移動を指令する
制御部６とを有オている。図２は図１のウェーハ外観検
査装置の動作を説明するためのウェーハ面を示す図であ
る。次に、このウェーハ外観検査装置の動作及びウェー
ハ外観検査方法について説明する。最初に外観検査を行
う前の準備作業としてまず、図２に示すように、ウェー
ハ８に形成されるウェーハ８の左端側，中央部，上端側
，右端側及び下端側のワンショット領域１０内にある集
積回路パターン９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ及び９ｅを選択
し、制御部６にその座標値を記憶させる。次に、ワンシ
ョットでの露光における目ずれ量を測定するために、ワ
ンショット領域１０内における 集積回路パターンを
その領域の右左及び上下にある集積回路パターン１１ａ
，１１ｂ，１１ｃ及び１１ｄに選び、その座標値を制御
部に記憶させる。
【００１０】このように準備されたウェーハ外観検査装
置で、ウェーハを検査するには、まず、被検査ウェーハ
を収納したウェーハキャリアを搬送開始位置へ載置する
。ここで、ウェーハキャリア内のウェーハ８は搬送機構
５によって１枚ずつ自動的にステージ２上へと搬送され
る。次に、各品種ごとに前もって制御部６に記憶されて
いる集積回路パターン９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ及び９ｅ
の座標値によりウェーハ８は顕微鏡視野内にコントロー
ラ７で位置決めされ、順次、顕微鏡によって目ずれを測
定し、ウェーハ８面内の集積回路パターンの目ずれを検
査する。次に、制御部６に記憶された集積回路パターン
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び１１ｄの座標値を読み出し
、コントローラ７でステージ２を移動させ、集積回路パ
ターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び１１ｄを顕微鏡視野
内に位置決めし、順次、目ずれ量を測定し、ワンショッ
ト領域内における集積回路パターンの検査を行う。
置で、ウェーハを検査するには、まず、被検査ウェーハ
を収納したウェーハキャリアを搬送開始位置へ載置する
。ここで、ウェーハキャリア内のウェーハ８は搬送機構
５によって１枚ずつ自動的にステージ２上へと搬送され
る。次に、各品種ごとに前もって制御部６に記憶されて
いる集積回路パターン９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ及び９ｅ
の座標値によりウェーハ８は顕微鏡視野内にコントロー
ラ７で位置決めされ、順次、顕微鏡によって目ずれを測
定し、ウェーハ８面内の集積回路パターンの目ずれを検
査する。次に、制御部６に記憶された集積回路パターン
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び１１ｄの座標値を読み出し
、コントローラ７でステージ２を移動させ、集積回路パ
ターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び１１ｄを顕微鏡視野
内に位置決めし、順次、目ずれ量を測定し、ワンショッ
ト領域内における集積回路パターンの検査を行う。
【００１１】検査が終了したウェーハ８は、搬送機構５
によりウェーハキャリアに収納され、次のウェーハ８が
ステージ２に載置される。このように、順次、ウェーハ
が載置され、自動的に検査すべき集積回路パターンが顕
微鏡視野内に位置決めされ、作業者は単に顕微鏡で観察
することにより、ウェーハ面内の集積回路パターンの目
ずれ及びワンショット内の集積回路パターンの目ずれを
検査することが出来る。
によりウェーハキャリアに収納され、次のウェーハ８が
ステージ２に載置される。このように、順次、ウェーハ
が載置され、自動的に検査すべき集積回路パターンが顕
微鏡視野内に位置決めされ、作業者は単に顕微鏡で観察
することにより、ウェーハ面内の集積回路パターンの目
ずれ及びワンショット内の集積回路パターンの目ずれを
検査することが出来る。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウェーハ
を搭載するステージを移動させるコントローラを指令制
御する制御部に記憶部を設け、ウェーハ面内の外側及び
中央に転写される集積回路パターンと一露光領域内にあ
る外側の集積回路パターンをあらかじめ抽出し、前記記
憶部に前記集積回路パターンの位置を記憶させることに
よって、ウェーハ面内及び一露光領域内における集積回
路パターンの目ずれを短時間で容易に検査出来るウェー
ハ外観検査装置が得られるという効果がある。
を搭載するステージを移動させるコントローラを指令制
御する制御部に記憶部を設け、ウェーハ面内の外側及び
中央に転写される集積回路パターンと一露光領域内にあ
る外側の集積回路パターンをあらかじめ抽出し、前記記
憶部に前記集積回路パターンの位置を記憶させることに
よって、ウェーハ面内及び一露光領域内における集積回
路パターンの目ずれを短時間で容易に検査出来るウェー
ハ外観検査装置が得られるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示すウェーハ外観検査装置
のブロック図である。
のブロック図である。
【図２】図１のウェーハ外観検査装置の動作を説明する
ためのウェーハ面を示す図である。
ためのウェーハ面を示す図である。
１ 光源部
２ ステージ
３，３ａ レンズ
４ ハーフミラー
５ 搬送機構
６ 制御部
７ コントローラ
８ ウェーハ
Claims (2)
- 【請求項１】 ウェーハ面を観察する顕微鏡と、ウェ
ーハを載置するステージと、このステージを移動するコ
ントローラと、このコントローラを制御する制御部と、
前記ウェハー面内にある集積回路パターンの複数の領域
をウェーハに対する位置を記憶する記憶部とを備えるこ
とを特徴とするウェーハ外観検査装置。 - 【請求項２】 ウェーハ面内に縦横列に複数のパター
ンの中から任意の集積回路パターンを抽出するステップ
と、この抽出される集積回路パターンの位置を記憶する
ステップと、順次，顕微鏡視野内に前記集積回路パター
ンを位置決めするステップを含んでいることを特徴とす
るウェーハ外観検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9649291A JP2964687B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ウェーハ外観検査装置及びその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9649291A JP2964687B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ウェーハ外観検査装置及びその方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04326544A true JPH04326544A (ja) | 1992-11-16 |
| JP2964687B2 JP2964687B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=14166585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9649291A Expired - Fee Related JP2964687B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ウェーハ外観検査装置及びその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2964687B2 (ja) |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP9649291A patent/JP2964687B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2964687B2 (ja) | 1999-10-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990713 |
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