JPH04326545A - 汚染除去装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、一般的に、半導体装置
製造システムで使用されるウェハ容器の汚染を除去する
ための装置及び方法に関する。更に詳細には、本発明は
、ろ過した循環ガス流を絶えず供給することによって、
空気中に浮遊している汚染粒子を容器内から除去するた
めの装置及び方法に関する。更に、本発明の装置及び方
法は、帯電又は他の要因で付着した汚染粒子を容器の内
部表面から解放する。これによって、絶えずろ過されて
いる循環ガスにこの汚染粒子を乗せて除去することがで
きる。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置は、通常、半導体製造プロセ
スで製造され、このプロセスの初期の段階には半導体「
ウェハ」が含まれる。典型的な製造プロセスでは、適切
なウェハ処理ステーションへの、又はこのステーション
からの輸送のために、複数のウェハがキャリア又は容器
に積まれる。幾つかの製造システムでは、例えば容器に
ウェハ受容突起又は溝を与えることにより、容器が直接
ウェハを保持するような設計になっている。他のシステ
ムでは、容器は、ウェハが先にスタックされている「カ
セット」を保持するように設計されている。但し、キャ
リアには多くの設計が考えられているが、そのほとんど
全てのキャリアはウェハを格納するためのチャンバを備
えると共に、このチャンバを囲む内部表面を有すると見
られる。

【０００３】幾つかのウェハ処理ステーションにおいて
は、ウェハはほとんどすぐに降ろされ、適切な製造処理
手順を施された後、キャリアに再度積み込まれて次のス
テーションへ運ばれる。他の場合には、ウェハが積まれ
たキャリアは、例えば、次の半導体製造工程を考慮して
適切なウェハ処理サイトにある閉鎖された清潔な箱の中
に一時的に格納される。更に、他のウェハ処理ステーシ
ョン、例えば、水洗及び湿式化学エッチングなどのステ
ーションでは、ウェハは、キャリアから降ろされずに処
理される。

【０００４】ほとんどあらゆる半導体製造プロセスにお
ける重要な敵は、製造環境に存在する粒子や化学物質に
よって生じる不純物質の「粒子汚染」である。このよう
な汚染は、製造された半導体装置の信頼性を減少させる
直接の原因であることが知られている。粒子汚染は常に
潜在的な問題であるが、その有害な影響は、半導体装置
の回路パターンのサイズがサブミクロンの次元まで減少
し続けるにつれて増大する。

【０００５】従って、半導体装置の製造プロセスを成功
させるには、粒子汚染の管理が必須である。周囲の「製
造環境」における粒子汚染を最小限にするために、勤勉
な努力がなされる。この製造環境の重要な部分は、ウェ
ハ・キャリア又は容器である。何故ならば、半導体ウェ
ハは実際にはチャンバ内の空気にさらされると共に、内
部表面に非常に近接しているからである。製造プロセス
ではこのようなキャリアを継続的に使用する必要がある
ので、空気中に浮遊する粒子はキャリア・チャンバ内に
蓄積する傾向がある。その上、ある製造処理には、チャ
ンバを囲むキャリアの内部表面へ汚染粒子が静的に又は
他の要因で付着するのを促進するような傾向がある。キ
ャリア・チャンバ及び内部表面のこのような汚染は、粒
子汚染が絶対最小限に維持されている製造環境において
さえも、必ず発生する可能性がある。

【０００６】従って、定期的にキャリアを製造プロセス
から引出し、徹底的にそのチャンバや内部表面から汚染
を除去することが望ましい。このような汚染除去処理に
は、キャリア・チャンバ内から空中浮遊の汚染粒子を除
去する処理が含まれていることが望ましい。更に、充分
効果的にするためには、汚染除去処理には、チャンバを
囲んでいるキャリア内部表面に静的又は他の要因で付着
している汚染粒子を解放して除去するステップも含まれ
ていることが望ましい。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体装置製造システムで使用されるウェハ容器の汚染を効
果的に除去するための装置及び方法を提供することであ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、半導
体ウェハを格納するためのチャンバと、このチャンバを
囲む内部表面とを有するウェハ容器用の汚染除去装置を
提供する。この装置には、実質的に密封された密閉コン
パートメントを提供するための支持／密閉アセンブリと
、密閉コンパートメント中を実質的に連続的に流れる循
環ガス流を供給及びろ過するためのガス流アセンブリと
が備えられる。更に、ガス流アセンブリは、噴出ガスの
流れをウェハ容器の内部表面へ定期的に方向付ける。 これによって、この表面に付着した粒子は解放され、絶
え間無く流れている循環ガス流に乗せられる。汚染除去
装置には、ガス流アセンブリ上に据付けられ、密閉コン
パートメントを通過するガス流を定期的にイオン化する
ためのイオン化コンポーネントが含まれてもよい。これ
によって、ウェハ容器の内部表面に付着した帯電汚染粒
子は解放され、循環ガスに乗せられる。支持／密閉アセ
ンブリ上に更に据付けられた操作アセンブリがウェハ容
器を操作することによって、チャンバは密閉コンパート
メントと連通する。また、これらの操作アセンブリは、
ガス流アセンブリをチャンバ内にその内部表面に近接し
て配置し、これにより、噴出ガスは適切な方向に流れる
。

【０００９】更に、本発明は、半導体ウェハを格納する
ためのチャンバと、このチャンバを囲む内部表面とを有
するウェハ容器の汚染を除去する方法も提供する。この
方法には、実質的に密封された密閉コンパートメントを
提供するステップと、このコンパートメントを通過する
循環ガス流を絶えず供給及びろ過するステップとが含ま
れる。次に、そのチャンバと密封された密閉コンパート
メントとが連通するように、ウェハ容器が操作される。 噴出ガス流は、定期的に、ウェハ容器の内部表面の方向
へ向かわせられる。更に、この方法には、循環ガスと噴
出ガスを定期的にイオン化するステップが含まれてもよ
い。これにより、静的に帯電した汚染粒子が解放され、
循環ガス上に乗せられる。

【００１０】

【実施例】各図を詳細に考察し、先ず図１を参照すると
、ウェハ容器１２のための汚染除去装置１０が図示され
ている。一般的な製造プロセスでは、複数のウェハ（図
示されていない）が、適切なウェハ処理ステーションへ
の、又はこのステーションからの輸送のために、この容
器１２の中に積み込まれる。容器１２は、このタイプの
ほとんどのキャリアと同様に、ウェハを格納するための
内部チャンバ１４と、このチャンバ１４を囲んでいる内
部表面１６及び１８を有すると見られている。更に、容
器１２には、頂部２０と、この頂部に切り離し可能に接
続された底部２２とが含まれているが、これらの特徴は
、キャリアの図示された設計に特異なものである。

【００１１】本発明の汚染除去装置１０は、ウェハ容器
１２等のキャリアに対して定期的な汚染除去を実行する
ような設計になっている。従って、装置１０は半導体製
造プロセスに直接含まれるものではないが、ウェハ容器
１２内の粒子汚染を最小限にすることにより、このよう
なプロセスを成功させる上で重要な役割を果たすことに
なる。特に、汚染除去装置１０は、容器チャンバ１４内
に浮遊している汚染粒子を取り除き、更に、容器１２の
内部表面１６及び１８に静的又は他の要因で付着した汚
染粒子を解放した後、除去する。

【００１２】汚染除去装置１０には、装置の他のコンポ
ーネントを支持すると同時に、実質的に密封された密閉
コンパートメント３２を提供する支持／密閉アセンブリ
３０が含まれている。アセンブリ３０の支持要素は、装
置１０の他のコンポーネントと両立し、又、容器１２を
収容するような設計になっている。更に詳細には、支持
／密閉アセンブリ３０は、容器１２が密封されて据付け
られるようになっている。汚染除去プロセスの中間段階
において、容器チャンバ１４は、密閉コンパートメント
３２と連通しているか、又はその拡張範囲を形成する。

【００１３】密閉コンパートメント３２内で起こる実際
の「汚染除去」プロセスは、ガス流アセンブリ３４によ
って実行される。その詳細については以下に説明するが
、ガス流アセンブリ３４は、遅い速度の循環ガスを密閉
コンパートメント３２及び容器チャンバ１４の内部で絶
えず循環させ、ろ過している。このようにして、循環ガ
ス内に浮遊している汚染粒子が除去されることによって
、密閉コンパートメント３２内のガスは常に純化される
。

【００１４】この循環ガス流の他に、ガス流アセンブリ
３４は、定期的に速い速度で圧縮「噴出」ガスの流れを
容器１２の内部表面１６及び１８の方向に向かわせ、こ
れにより、内部表面から付着粒子を解放することを促進
する。更に、ガス流アセンブリ３４は、汚染除去サイク
ルの適切な時点で、循環ガス及び噴出ガスのいずれか又
は両方をイオン化することによって、容器１２の内部表
面１６及び１８に付着していた静的に帯電した粒子の離
脱を確かなものにする。次に、解放された粒子は循環ガ
スに乗り、更に、この循環ガスは絶えずろ過されている
ので、解放された汚染粒子は、最後には除去される。

【００１５】汚染除去装置１０は、更に、汚染除去プロ
セスが効果的に実行されるように容器１２及びガス流ア
センブリ３４を操作する、第１操作アセンブリ３６及び
第２操作アセンブリ３８を備えている。汚染除去装置１
０の様々なコンポーネントのうちの幾つか又は全ては手
動操作可能であるが、自動操作の方が好ましい。このた
めに、ガス流アセンブリ３４及び操作アセンブリ３６、
３８は給電される。スイッチ（図示せず）が手動で「オ
ン」の位置に設定されると、電力が装置１０へ供給され
る。更に、装置は、自動的にガス流アセンブリ３４及び
操作アセンブリ３６、３８の操作を調整するプログラム
可能なコントローラ４０を備えている。

【００１６】おそらく、汚染除去装置１０のコンポーネ
ントの相互作用、及び、コントローラ４０を介するこれ
らのコンポーネントの間の調整を説明する最善の方法は
、一般的な汚染除去サイクルの概略を述べることである
。汚染除去サイクルを開始する前に、電源スイッチを入
れることによって、汚染除去装置１０の様々なコンポー
ネントへ電力が供給される。一旦、電源が入ると、ガス
流アセンブリ３４は、密閉コンパートメント３２内で循
環ガスを絶えず循環させ、ろ過する。更に、プログラム
可能なコントローラ４０が通電されることによって、装
置の動作が自動的に制御される。

【００１７】汚染除去プロセスのサイクルを開始するた
め、容器１２などの容器が、支持／密閉アセンブリ３０
頂部の適切な位置に据付けられる。次に、汚染除去装置
１０を更に起動させ、汚染除去プロセスの次の段階を実
行するために、開始ボタン（図示せず）を押す。このボ
タンを押すと、第１操作アセンブリ３６がウェハ容器１
２の頂部２０及び底部２２を離脱し、分離する。支持／
密閉アセンブリ３０は、このような離脱及び分離の結果
容器チャンバ１４が密閉コンパートメント３２と連通す
るか、又はその拡張範囲を形成するような設計になって
いる。次に、循環ガスがチャンバ１４内に流れ込み、こ
れにより、この空間に浮遊している汚染粒子を抱え込む
ことになる。この後、このような粒子は、循環ガスが絶
えずろ過されている間に除去される。

【００１８】容器１２の部分２０及び２２が分離された
後、第１及び第２操作アセンブリ３６及び３８は、分配
コンポーネント、即ちマニホルド４２、が容器１２の内
部表面１６及び１８を通過するように、ガス流アセンブ
リ３４を操作する。マニホルド４２がこれらの表面を通
過するにつれ、「噴出」ガスは、容器１２の内部表面１
６及び１８の方向に向かい、これにより、内部表面から
付着粒子を解放することを促進する。更に、ガス流アセ
ンブリ３４のイオン化コンポーネントが通電され、これ
により、容器１２の内部表面１６及び１８へ静的に付着
している汚染粒子を解放する。次に、これらの解放され
た粒子は、循環ガスの流れに乗り、更に、この循環ガス
は常にろ過されているので、これらの粒子は最後には除
去される。

【００１９】従って、汚染除去装置１０は、支持／密閉
アセンブリ３０と、ガス流アセンブリ３４と、第１及操
作アセンブリ３６と、第２操作アセンブリ３８とを備え
、これらは全て、ウェハ容器１２の汚染物質を除去する
ために共働する。これらのアセンブリの各々は、以下に
詳しく記述されているが、説明を明確にするために、先
ずウェハ容器１２の背景について概説されている。

【００２０】Ａ．ウェハ容器１２ ウェハ容器１２は、汚染除去装置１０の一部分ではない
が、装置が特に収容するようになっている品目である。 このため、おそらく、大抵の場合、汚染除去装置１０が
、或る装置に適するようなキャリアよりも、特定のキャ
リアに適するような設計にされることに注意することが
重要である。とにかく、容器１２の概略を知ることは、
汚染除去装置１０の構造と動作を理解する上で有益であ
る。

【００２１】一般的な製造プロセスでは、複数のウェハ
（図示されていない）が容器１２などのキャリアに積ま
れ、適切なウェハ処理ステーションへ、又は、ステーシ
ョンから移動させられる。従って、初期の事項として、
容器１２、又は、おそらくより正確には容器チャンバ１
４の一般的な構造は、特定のサイズのウェハを収容する
ように構成される。図示された実施例では、容器１２は
、カセット（図示されていない）を収容するような設計
になっている。このタイプのキャリアを用いるウェハ処
理では、ウェハはカセットにスタックされ、次にこのカ
セットは容器１２に積み込まれる。

【００２２】更に、多くの半導体製造プロセスが要求す
る低度の粒子汚染のため、ウェハ容器１２は、クラス１
０以上のミクロ環境内にウェハを格納できる環境上安全
な容器である。同様の理由及び他の理由により、容器１
２は、コンパクトで、丈夫な耐衝撃性材料で製造されて
いることが望ましい。例としては、頂部２０及び底部２
２は何れも、ポリカーボネートから射出成形できる。

【００２３】汚染除去装置１０は適切に変形すると様々
なキャリアを収容できるが、図示された実施例は、ウェ
ハ容器１２のようなキャリアのために設計されている。 容器１２は、ＳＭＩＴ−ＰｏｄＴＭという商標名で市販
されている　Ａｓｙｓｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，
　Ｉｎｃ．の製品が一般的である。この容器１２におい
ては、頂部２０は、立方体チャンバ１４を形成する形で
あり、ほぼ立方体を成している。頂部２０の底面の周囲
は、矩形の底面開口を画定する縁４４で囲まれている。 底部２２は、実質的にプレート型の形状であり、縁４４
によって画定される底面開口内にぴったり合うような寸
法である。

【００２４】上記したように、頂部２０は、容器１２の
底部２２へ切離せるように結合されている。図には示さ
れていないが、この結合は、頂部２０の底面へ取付けら
れ、閉鎖位置へ内側にバイアスされた４個のラッチによ
って達成される。底部２２の底面は、閉鎖位置へバイア
スされた時に上記ラッチを受け取る４個の意図的に配置
された周辺の溝を有する。

【００２５】容器１２を開けるには、即ち、底部２２を
頂部２０から取り外すには、４個のラッチ全てが、同時
に、開放位置へ外側に強制的に方向付けられている必要
がある。容器１２が適切なローディング・インタフェー
ス上に適切に据付けられていないと、この４個のラッチ
機能によって、容器１２が開かれるのを妨げられる。以
下に詳細に説明するように、第１操作アセンブリ３６は
、容器１２の部分２０と２２とを分離するコンポーネン
トなので、そのようなインタフェースを含んでいる。 これにより、汚染除去プロセスが効果的に実行される。

【００２６】容器１２には、半導体製造プロセスと両立
する、又は半導体製造プロセスに有益な他の特性も含ま
れる。例えば、製造プロセス中に手動、又は自動操作に
よってステーションからステーションへの移動を容易に
するために、容器１２は、頂部２０の上側面に取付けら
れたハンドル４６を有する。更に、容器１２は、ウェハ
の振動や移動を阻止するためのロック機構（図示されて
いない）、及び／又は汚染除去の必要性を最小限にする
ための使い捨て内部ライナを有してもよい。

【００２７】上記の記述は主に図示されたウェハ容器１
２に関するものであるが、本発明は、様々な様式のキャ
リアに適応可能である。従って、汚染除去装置１０は、
ウェハ容器１２のために特別に設計されていると、以下
に記述されているが、これは純粋に説明を目的とするた
めのものである。本発明は、容器がウェハ格納のための
内部チャンバ１４とチャンバを囲む内部表面１６及び１
８とを有する種々の様式のキャリアを収容するように適
合されることがわかるであろう。更に、容器１２と同時
にカセットも汚染除去できるように、汚染除去装置１０
を修正することができる。

【００２８】Ｂ．支持／密閉アセンブリ３０汚染除去装
置１０を考察するとき、その主要な構造上のコンポーネ
ントは支持／密閉アセンブリ３０である。このアセンブ
リ３０が装置１０の他のアセンブリを支持するような設
計になっているので、汚染除去プロセスは効果的に実行
されうる。又、アセンブリ３０は、汚染除去プロセスを
実行するために適切なミクロ環境、即ち、密封された密
閉コンパートメント３２を提供する。

【００２９】図１と図２に良く示されているように、支
持／密閉アセンブリ３０は参照符号５０で示されたテー
ブル支持台を備え、テーブル支持台の頂部には、好まし
くは透明な材料で製造されるケージ５２が据付けられて
いる。好ましい実施例では、ケージ５２は密封された密
閉コンパートメントを形成する。但し、他の構成も可能
であり、本発明の範囲内で考えられる。例えば、汚染除
去装置１０は、適切なミクロ環境を提供する「クリーン
・ルーム」内に配置される。このようなセットアップの
場合、クリーン・ルームと装置１０の支持部材とは、共
に、支持／密閉アセンブリ３０を形成し、容器１２は、
適切に操作された時は、密閉コンパートメント３２を形
成しているクリーン・ルームと連通する。

【００３０】テーブル支持台５０は、４本のテーブル脚
５６によって持ち上げられた位置に保持された矩形の水
平パネル、又は、テーブル頂板５４を有する。図示され
た実施例では、テーブル脚５６は、密閉コンパートメン
ト３２がウェストレベルの真上に配置されるようなサイ
ズとされる。

【００３１】テーブル頂板５４は、ケージ５２を適切に
保持して、密閉コンパートメント３２を超えて広がる第
２操作アセンブリ３８の各部分の下に延出するようなサ
イズとされる。更に、テーブル頂板５４は、ガス流アセ
ンブリ３４を収容するために意図的に配置された開口を
有する。更に詳細には、テーブル頂板５４は、以下にも
っと詳細に説明するようにガス流アセンブリ３４のため
に排出管として機能する、密閉コンパートメント３２内
の２個の矩形の「カットアウト」開口５８を有する。更
に、テーブル頂板５４は、図示された装置１０内で開口
５８の右側に位置する第３の円形環状開口６０も有する
。更に注意すべきは、テーブル脚５６の高さとテーブル
頂板５４のサイズによって、ガス流アセンブリ３４の幾
つかのコンポーネントがテーブル頂板５４の下に便利に
格納できるようになる。

【００３２】上述の支持／密閉アセンブリ３０は、その
コンパクトで便利な構成のため望ましいが、勿論、他の
様式のアセンブリでも可能であり、幾つかのアプリケー
ションでは望ましいであろう。本発明の目的を達成する
ために、アセンブリ３０は、装置１０の他のアセンブリ
を適切に支持及び収容するように設計されている必要が
ある。このため、汚染除去プロセスが効果的に実行され
る。又、このアセンブリは汚染除去プロセスを実行する
ために適切なミクロ環境を提供する必要がある。

【００３３】Ｃ．ガス流アセンブリ３４支持／密閉アセ
ンブリ３０は、とりわけ、適切なミクロ環境を提供する
ことによって汚染除去プロセスが効果的に実行されるの
を可能にするが、実際の「汚染除去」はガス流アセンブ
リ３４によって実行される。このため、ガス流アセンブ
リ３４は、常にろ過される低速度の循環ガス流を絶えず
供給する。更に、アセンブリ３４は、定期的に、清浄で
圧縮された高速度の噴出ガス流を提供する。更に、汚染
除去プロセスの適切な時点で、アセンブリ３４は、循環
ガス、又は噴出ガスをイオン化することによって、イオ
ン化ガス流を供給する。

【００３４】循環ガスは絶えずろ過されるので、容器チ
ャンバ１４内に浮遊する汚染物質と密閉コンパートメン
ト３２内の残りの汚染物質が取り除かれる。噴出ガスと
イオン化プロセスは、容器１２の内部表面１６及び１８
に静的に又は他の要因で付着した汚染粒子の離脱を促進
させる。次に、これらの離脱した粒子は、循環ガス流に
乗り、循環ガスがろ過されると、最後にはこの流れから
除去される。

【００３５】おそらく、この時点において、一般的用語
の「ガス」がこの記述の中で用いられているが、好まし
い実施例では、このガスは空気を構成するということに
注意されたい。但し、幾つかのアプリケーションでは、
他のガスが好ましいか、あるいは必要であろう。ガス流
アセンブリ３４は、全く変更せずに、又は少し変更する
ことによって、空気以外のガスと容易に両立する。

【００３６】いずれの場合にも、ガス流アセンブリ３４
の「分配」コンポーネントはマニホルド４２であり、マ
ニホルド４２は、循環ガスと噴出ガスの両方を分配し、
更に、アセンブリ３４の「イオン化」コンポーネントの
担体として機能する。汚染除去プロセスの或る時点で、
マニホルド４２、又は少なくともその上方部分が容器チ
ャンバ１４の中に挿入される。このように、マニホルド
４２は、このような挿入を可能にするような設計になっ
ているのが望ましい。図示された実施例では、チャンバ
１４は立方体であり、マニホルド４２のメイン・ボディ
ー６８の形もそれに応じて立方体である。又、マニホル
ド４２は、マニホルド４２のメイン・ボディ６８から外
側へ横方向（図示された実施例ではマニホルド４２のメ
イン・ボディー６８の左側）に突出する底部拡張部分７
０を含む。底部拡張部分７０は、以下に詳細に説明して
あるように、ガス流アセンブリ３４の要素を幾つか収容
する。

【００３７】最初に循環ガスについて考察すると、循環
ガスは密閉コンパートメント３２の中、更に、汚染除去
プロセスの或る段階においてコンパートメント３２の拡
張部分を形成する容器チャンバ１４の中を循環する。循
環ガス流は１００　ｆｔ３／分（２．８　ｍ３　／分）
の量であるのが好ましく、更に、ウォータ・ゲージ（水
量計）の０．４０インチ（１．０２センチメートル）乃
至１．０インチ（２．５４センチメートル）の僅かな正
圧に密閉コンパートメント３２を維持することが望まし
い。この僅かな正圧は、おそらく微粒子の汚染物質を含
む周囲の空気が密閉コンパートメント３２の中に入り込
むのを確保する上で有用である。

【００３８】循環ガス流の流路を調べる上で、関連パタ
ーンが概略的に示されている図４を参照することが役に
立つ。循環ガスは、必ず閉鎖されたサイクルで移動する
が、最初にマニホルド４２の適切な開口７２と７３（図
４のライン７４と７５）を通って密閉コンパートメント
３２の中へ分配されると見られる。コンパートメント３
２及び容器チャンバ１４を通って循環する間に、チャン
バ１４に浮遊している汚染粒子は循環ガス上に乗る。

【００３９】汚染粒子を含んだ循環ガスは、送風機７６
によって生成された誘引通風によって、密閉コンパート
メント３２を経由する方向へ向かう。特に、分配された
低速のガスは、テーブル頂板５４の排出口５８を通って
、テーブル頂板５４の下に位置する送風機７６の流入口
（特には図示されていない）へ引き込まれる（ライン７
８）。次に、循環ガスは、送風機７６の排出口（特には
図示されていない）から高性能微粒子除去（ＨＥＰＡ）
フィルタ８０を経由して（ライン８２）移動し、これに
より、ガスに含まれた汚染物質は循環ガスから除去され
る、即ち、ろ過して取り除かれる。

【００４０】フィルタ８０は、送風機７６に隣接し、テ
ーブル頂板５４の下に位置していることが望ましい。ど
んな適切なフィルタ８０を使用してもよいが、意図され
たアプリケーションの粒子を適切に除去するために充分
な収集効率を有するものでなければならない。例えば、
ＮＩＴＴＡ　Ｃｏ．　の製品である０．１μｍＨＥＰＡ
フィルタの０．１μｍサイズの微粒子に対する収集効率
は、９９．９９９％以上である。

【００４１】循環ガスは、フィルタ８０を通過した後、
マニホルド４２の流入口に接続された導管８４を経由し
て移動する（ライン８６）。図示された実施例では、導
管８４は、テーブル頂板５４の下から収容開口６０を通
って、マニホルド４２の下方部に接続される。以下に詳
しく説明されているように、マニホルド４２は、汚染除
去プロセスの幾つかの段階において、テーブル頂板５４
及び密閉コンパートメント３２に対して動作するので、
導管８４は、このような動作を可能にするような、収縮
／伸張可能な材料で製造されているか、又は、充分な長
さを持っていることが重要である。

【００４２】循環ガスは、導管８４を通ってマニホルド
の流入口へ移動した後、マニホルドの排出口７２を通っ
て再度分配される（ライン７４）。従って、循環ガスは
、理論的には、閉鎖ループ・サイクルで移動する。但し
、実際の損失を補うため、密閉コンパートメント３２内
の所定の正圧を維持するのに必要な場合に、補給ガス流
が、圧縮高速ガス供給源８８から供給される（ライン９
０）。

【００４３】噴出ガスについて考察すると、関連ガス流
パターンが概略的に示されている図４も参照することも
有用である。噴出ガスは、循環ガスと同様に、マニホル
ド４２を介して分配されるが、これは、汚染除去プロセ
スの幾つかの段階だけに限る。これらの段階の正確なタ
イミングについては、以下で充分に説明されるが、この
時点では、これらの段階が容器１２の内部表面１６と１
８に対するマニホルド４２の配置と関連があると述べる
だけで充分である。

【００４４】図４において概略的に示されているように
、噴出ガスは、最初に、上述したように循環ガスに補給
ガス流を与える圧縮ガス供給源８８から供給される。 供給源８８は図４ではマニホルド４２の左側に概略的に
示されているが、これは単に図示するための理由からで
ある。実際に実行する場合には、圧縮高速ガス供給源８
８は、テーブル頂板５４の下方部などの便利な場所に格
納される。

【００４５】但し、噴出ガス供給源８８の正確な場所に
かかわらず、供給された噴出ガスは、マニホルド４２の
メイン・ボディー６８上に配置された上部マニホルド流
入口９２へ向かって（ライン９４）、あるいは、マニホ
ルド４２の底部拡張部分７０に装填された下方空気管９
６へ向かって（ライン９８）、移動する。ライン９４と
９８は、図４では概略的に示されているだけであるが、
通常導管８４よりもずっと小さい直径を持つ柔軟な管で
ある。但し、導管８４と同様に、噴出ガスをマニホルド
４２に供給する実際のラインは、マニホルド４２の操作
を可能にするようでなくてはならない。このため、これ
らのラインは、収縮／伸張可能な材料で製造されている
か、あるいは、所定の伸張に充分な長さがあるのが望ま
しい。

【００４６】いずれの場合にも、噴出ガスは、三つの方
法のうちの一つを用いてマニホルド４２から分配される
。最初に、空気管９６に供給された圧縮ガスは、空気管
９６の下方部分でノズル（図示されていない）を介して
下方に向かう（ライン１００）。汚染除去装置の動作上
、マニホルド４２が容器１２の底部２２の内部表面１８
上を通過している時に、このような噴出ガスの下向きの
噴出が行われる。このように、ガス流出アセンブリ３４
は、付着した汚染粒子の離脱を促し、循環ガスに乗せる
。この後、これらの粒子は、フィルタ８０によって循環
ガスから取り除かれる。

【００４７】第２に、上方のマニホルド流入口９２へ供
給された噴出ガスは空気ナイフ１０２を介して外部に分
配される（ライン１０４）。あるいは、流入口９２に供
給された噴出ガスは、マニホルド４２の頂部上に配置さ
れた噴出ノズル１０６を介して上方に分配される（ライ
ン１０８）。この外部及び上方への分散は、マニホルド
４２が容器１２の上方部分１４の内部表面１６に近接し
て移動している時に起こるのが好ましい。これを考察す
ると、外部への分散は内部表面１６の側方垂直方向の領
域に向かい、上方への分散が内部表面１６の頂部水平方
向の領域に向かう。この方向付けられた噴出ガスは、内
部表面１６の上記の側方、及び頂部領域に付着した汚染
粒子を除去するように設計されており、これにより、除
去された粒子は循環ガスに乗り、フィルタ８０によって
取り除かれる。

【００４８】噴出ガスは、マニホルド４２から分配され
た後必ず、密閉コンパートメント３２内で循環ガスと混
ざり合う。このように、分配された噴出ガスは、送風機
７６とフィルタ８０を介して、テーブル頂板５４の排出
口５８から抜き出され、循環ガスとしてマニホルド４２
に戻される。上述したように、ウォータ・ゲージの０．
４０インチ（１．０２センチメートル）乃至１．０イン
チ（２．５４センチメートル）の僅かな正圧に密閉コン
パートメント３２を維持することが望ましい。従って、
図では特に示していないが、ブリードオフ（流体逃し）
・アセンブリは、噴出ガスの利用によって密閉コンパー
トメント３２の圧力が所望のレベルを超えて増大するの
を妨げるのに必要である。

【００４９】ガス流アセンブリ３４の更なる機能は、汚
染除去サイクルの適切な時点で、低速又は高速のガス流
をイオン化し、容器１２の内部表面１６と１８に密着し
ている静電化粒子の離脱を促進させることである。好ま
しい実施例では、このイオン化は、マニホルド４２上に
据付けられた各要素、つまり、管状の静的バー１１０及
び円形の静的バー１１２をイオン化することによって達
成される。管状静的バー１１０は、マニホルドのメイン
・ボディー６８の底部拡張部分７０に装填され、下方空
気管９６に隣接して配置される。円形静的バー１１２は
、マニホルド４２のメイン・ボディー６８の内部に同心
的に配置される。

【００５０】静的バー１１０と１１２は、適切な時機に
通電されるために、電源へ電気的に接続されている。図
４に概略的に示されているライン１１４と１１６などの
電気的な導管コードは、この接続のために密閉コンパー
トメント３２の中に延びている。ライン１１４と１１６
は、図４では概略的に示されているだけであるが、マニ
ホルド４２の動作を可能にするのに充分な長さを持って
いなくてはならない。

【００５１】従って、ガス流アセンブリ３４は、ろ過さ
れた循環ガスの継続的な流れを供給し、更に、イオン化
された噴出ガスを容器１２の内部表面１６と１８の方向
に定期的に流すことにより、汚染除去プロセスにおいて
重要な役割を演じる。好ましい実施例では、例えばマニ
ホルド４２のような分配コンポーネントは、循環ガスと
噴出ガスの両方を分配し、この分散は透明なケージ５２
内で発生する。但し、他の構成も可能であり、本発明に
よっても考察されている。例えば、汚染除去装置１０は
、クリーン・ルームに配置され、これにより、ケージ５
２ではなくこの部屋の内壁が、個別の密閉コンパートメ
ント３２を画定する。このようなセットアップにおいて
、循環ガスは、おそらく、この部屋のための循環／ろ過
機構によって提供され、ガス流アセンブリ３４はこの循
環／ろ過機構を備えている。

【００５２】Ｄ．操作アセンブリ３６及び３８汚染除去
装置１０は、汚染除去プロセスが効果的に実行されるよ
うに、容器１２及びガス流アセンブリ３４を操作する第
１操作アセンブリ３６及び第２操作アセンブリ３８を更
に備えている。これらのアセンブリの操作及び相互作用
については、汚染除去プロセスの様々な段階におけるこ
れらのコンポーネントを図示している図６から図１２を
参照することにより、充分に説明が付く。

【００５３】最初に第１操作アセンブリ３６について考
察すると、第１操作アセンブリ３６は、実際に汚染除去
プロセスにおいて幾つかの目的を達成する。そのような
目的の一つは、アセンブリ３６がウェハ容器１２の頂部
２０から底部２２を切り離す「切離し」ステップである
。次に続く「分離」ステップにおいて、第１操作アセン
ブリ３６は、底部２２を頂部２０から下方へ垂直に移動
させ、これにより、頂部２０と底部２２を互いに分離さ
せ、底部２２を密閉コンパートメント３２内に配置する
。このようにして、容器チャンバ１４は、密閉コンパー
トメント３２と連通する。換言すると、この密閉コンパ
ートメントの拡張部分を形成する。第１操作アセンブリ
３６は、更に、プロセスの後半の段階において、ウェハ
容器１２の頂部２０、即ちチャンバ１４の内部にマニホ
ルド４２を垂直に配置させるための昇降機としても機能
する。

【００５４】第１操作アセンブリ３６のこれらの機能は
、ウェハをキャリアに積んだり、キャリアから降ろした
りするように適合されたアセンブリによって実行される
機能と類似している。従って、図示された実施例では、
このタイプのアセンブリは汚染除去装置１０に統合され
てきた。更に詳細には、図示されたアセンブリ３６は、
ＳＭＩＦ−Ａｒｍ　ＴＭ　２０００という商標名で　Ａ
ｓｙｓｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ　Ｉｎｃ．によっ
て販売されている製品が一般的である。このアセンブリ
３６は、図５に、汚染除去装置１０の他のコンポーネン
トから隔離されて示されている。

【００５５】図５に示されるように、第１操作アセンブ
リ３６は、基本的には断面がＣ形になっているフレーム
１２０を備えている。フレーム１２０は、頂部垂直部材
１２２、底部垂直部材１２４、及び接続水平部材１２６
を備えている。支持／密閉アセンブリ３０に関連して、
底部垂直部材１２４は、テイーブル頂板５４上に据付け
られ、全体としては密閉コンパートメント３２内に封入
される。接続水平部材１２６も、頂部垂直部材１２２に
隣接する上方部分１２８を除いて、コンパートメント３
２内に封入される。この上方部分１２８と頂部垂直部材
１２２は、実際には、密閉コンパートメント３２の頂部
側面の一部分を形成する。つまり、これは、密閉コンパ
ートメントの上方に延出する。密閉コンパートメント３
２の頂部側面は、水平部材１２６の上方部分１２８と、
フレーム１２０の頂部垂直部材１２２と、これらの部材
の周囲にガスが充満した状態で接続されたケージ５２と
から形成されている。

【００５６】頂部垂直部材１２２は、ウェハ容器１２、
更に詳細には頂部２０の底部縁４４を受け入れている容
器取付け機構１３０を備えている。この容器取付け機構
１３０は、容器１２の底部２２が外される時、チャンバ
１４が密閉コンパートメント３２とガスの充満した状態
で連通するか、又は、このコンパートメントの拡張部分
を形成するように、適合される。底部２２を頂部２０か
ら実際に切り離すステップは、特に図示されていないイ
ンタフェースによって実行される。このインタフェース
は、同時に、４個のラッチをそれらのバイアスされた閉
鎖位置から、外側に開かれた位置へ駆動することによっ
て、底部２２が解放される。

【００５７】第１操作アセンブリ３６は、更に、レベル
調整機構からカンチレバー方式で延出している水平台１
３４を有する昇降機１３２も備えている。特に図示して
はいないが、レベル調整機構は、この機構が所望の方法
で水平台１３４を垂直方向に移動させるのを可能にする
従来の部品を含んでいる。更に詳細には、レベル調整機
構は、底部マニホルド・ロード・レベル（図７）、マニ
ホルド・アンロード・レベル（図１１）、上方噴出レベ
ル（図１０）、及び、容器操作レベル（図６）の間で水
平台１３４を垂直に移動させることができる。レベル調
整機構は、水平台１３４が汚染除去サイクルの幾つかの
段階においてこれらのレベルをスムーズに通過するよう
に、また水平台１３４がサイクルの他の時点においてこ
れらのレベルで正確に停止するように、設計されている
ことが望ましい。

【００５８】汚染除去プロセスに一般的に対応させて、
図７に示される底部マニホルド・ロード・レベルは最も
低いレベルであり、図１１に示されるマニホルド・アン
ロード・レベルはロード・レベルよりも幾分高いレベル
である。これらのレベルは、以下に詳細に説明されるよ
うに、マニホルド４２を第１操作アセンブリ３６と第２
操作アセンブリ３８との間で移動させる上で重要である
。図１０に示される上方噴出レベルは、マニホルド・ア
ンロード・レベルと容器操作レベルとの間に配置される
。このサイクルの幾つかの段階では、このレベルは、マ
ニホルド４２か容器１２の頂部２０の内部に充分に挿入
されるレベルである。

【００５９】図６に示される容器操作レベルは最も高い
レベルであり、密閉コンパートメント３２の付近、又は
、このコンパートメントの頂部に配置される。このレベ
ルは、第１操作アセンブリ３６が容器１２の頂部２０と
底部２２を切り離すレベルである。この切離しの後、容
器の底部２２は、水平台１３４によって受け入れられる
。この受入れ機能を高めるため、水平台１３４の上方表
面と底部２２の下方表面は、水平台１３４上の底部２２
の正確且つ安定した配置を保証するはめあいコンポーネ
ントを備えている。

【００６０】第２操作アセンブリ３８を考察すると、こ
のアセンブリは、図６に示される静止位置から図８に示
される転移位置へマニホルド４２を水平移動させる役割
がある。この移動を達成させるため、アセンブリ３８は
、マニホルド４２が取り外し可能に据付けられるロード
・アーム１３６を備えている。このロード・アーム１３
６はコネクタ１３８等によってエア・シリンダ１４２の
ピストン１４０へ取付けられ、これにより、ピストン１
４０の拡張がロード・アーム１３６の側方に移動させる
。ロード・アーム１３６とエア・シリンダ１４２は、こ
の側方移動の範囲がマニホルド４２の静止位置と転移位
置との間の距離に対応するような寸法になっている。 ロード・アーム１３６とピストン１４０は、静止位置に
ある場合、密閉コンパートメント３２を超えて延出する
ので、突出ポケット１４４はこの拡張を収容するために
提供される。

【００６１】マニホルド４２を取り外せるようにロード
・アーム１３６へ据付けることについては、図３も参照
すれば更に説明が付く。図示されているように、取付け
ブロック１４６はロード・アーム１３６の末梢部分に取
付けられる。この取付けブロック１４６は、マニホルド
４２へ取付けられた取付けブラケット１４８と取り外し
可能なように嵌まり合う。更に詳細には、取付けブロッ
ク１４６は、取付けブラケット１４８の位置合わせ開口
１５２内に確かに、しかし取外し可能に受入れられるよ
うな寸法の上方突出ピン１５０を備えている。

【００６２】取付けブラケット１４８のマニホルド４２
への取付けについては、マニホルド４２の底部拡張部分
７０とほとんど同じレベルで反対側に永久に取付けられ
る。取付けブラケット１４８は、基本的には断面がＬ字
形で、第１垂直脚１５４と第２水平脚１５６を有する。 第２水平脚１５６は、垂直脚１５４の上端から延び、位
置合わせ開口１５２を含んでいる。垂直脚１５４はマニ
ホルドのメイン・ボディー６８へ実際に取付けられた部
材で、この取付けはファスナー１５８によって達成され
る。他のロケータ・ピン１６０は、ファスナー１５８よ
りも下に配置され、垂直脚１５４を超えて突出している
。これらのロケータ・ピン１６０はロード・アーム１３
６の側方移動を制限するように機能し、各々のピンがマ
ニホルド４２の内部の調整機構１６２を含んでいる。

【００６３】従って、第１操作アセンブリ３６及び第２
操作アセンブリ３８は、汚染除去プロセスが効果的に実
行されるように、容器１２及びガス流アセンブリ３４を
操作する。

【００６４】Ｅ．汚染除去装置１０の動作汚染除去プロ
セスの一般的なサイクルの概略は上述したが、汚染除去
装置の様々なコンポーネントの正確な相互作用について
は現時点で可能となる。容器１２が第１操作アセンブリ
３６の容器取付け機構上に適切に配置される前、又は、
配置された後、汚染除去プロセスのサイクルを開始する
ために「電源」スイッチが入れられる。このようにして
、電力が汚染除去装置１０の様々なコンポーネントへ供
給されることによって、ガス流アセンブリ３４が密閉コ
ンパートメント３２内に循環ガスを継続的に循環及びろ
過し始める。更に、プログラム可能なコントローラ４０
は、通電されることによって、自動的に汚染除去装置１
０の動作を制御する。

【００６５】汚染除去サイクルを開始するため、開始ボ
タンが手動で押される。次に、操作アセンブリ３６が、
インタフェースを介して、ウェハ容器の頂部２０と底部
２２を切離し始める。サイクルのこの時点で、水平台１
３４は容器操作レベルに上昇する。従って、底部２２は
、一旦切り離されると、更に動作を進行させるために水
平台１３４に受け入れられる（図６）。この更なる動作
は、昇降機１３２が水平台１３４及びこの水平台上に配
置された容器１２の底部２２をマニホルド・ロード・レ
ベルへ垂直に移動させることを伴う（図７）。その結果
、容器１２の頂部２０と底部２２が互いに分離し、容器
チャンバ１４はこの時点で密閉コンパートメント３２と
連通する、又はこのコンパートメント３２の拡張部分を
形成する。

【００６６】サイクルのこの時点に至るまで、ガス流セ
ンブリ３４のマニホルド４２は図６に示される静止位置
に置かれている。この静止位置では、第２操作アセンブ
リ、又は、更に詳細には、ロード・アーム１３６と、こ
のロード・アームに接続されたピストン１４０は、充分
に引き込んだ状態にあるので、突出ポケット１４４の中
に伸張する。更に、マニホルド４２は第２操作アセンブ
リ３８に取り外し可能なように据付けられる。更に詳細
には、取付けブロック１４６の突出ピン１５０は、マニ
ホルド４２に接続された取付けブラケット１４８の位置
合わせ開口１５２に挿入される。

【００６７】一旦、第１操作アセンブリ３６が容器１２
の底部２２を下方マニホルド・ロード・レベルに移動す
ると、エア・シリンダ１４２のピストン１４０が伸張し
、これにより、ロード・アーム１３６及び接続されたマ
ニホルド４２が内側方向に移動する。（図７を参照され
たい。）この内側方向の移動中に、噴出ガスが下方の空
気管９６に供給され、下部静的バー１１０が通電される
。このように、マニホルド４２が容器１２の底部２２（
現時点では水平台１３４上に配置されている）の上方を
移動するにつれて、イオン化された噴出ガスはこの部分
の内部表面１８の方向に向かう。

【００６８】第２操作アセンブリ３８は、図８に示され
る転移位置に達するまで、マニホルド４２を内側方向に
移動させ続ける。次に、噴出ガスの下方空気管９６への
供給が停止され、下部管状静的バー１１０の通電が停止
される。転移位置において、マニホルド４２は水平台１
３４の幾分上方で、垂直に配置される。

【００６９】次に、第１操作アセンブリ３６、あるいは
、更に詳細には、昇降機１３２は、水平台１３４を垂直
に上昇させ、マニホルド・ロード・レベルまで、更にマ
ニホルド・ロード・レベルを越えて移動させる。このほ
とんど直後に、マニホルド４２の底面は、アセンブリ３
６、あるいは、更に詳細には、水平台１３４に配置され
た容器１２の底部２２に接触して、持ち上げられる。 マニホルド４２へ取付けられた取付けブラケット１４８
は上方に移動するが、ロード・アーム１３６へ取付けら
れた取付けブラケット１４６は静止しているので、突出
ピン１５０は取付けブロック１４６の開口１５２から解
除される。このように、マニホルド４２はもはや第２操
作アセンブリ３８へ据付けられておらず、第１操作アセ
ンブリ３６に移転されるか、又は、積み込まれるので、
動作はこのアセンブリによって制御される。（図９を参
照されたい。）

【００７０】一旦、マニホルド４２が第１操作アセンブ
リ３６上に積み込まれると、ロード・アーム１３６が引
き込まれる。更に、噴出ガスが上方マニホルド流入口９
２に供給され、円形静的バー１１２が通電される。更に
、昇降機１３２は水平台１３４、及び、この水平台上に
配置されたマニホルド４２を図１０に示される最上部の
位置まで移動させる。この垂直移動は、頂部噴出ノズル
１０６とエア・ナイフ１０２から出るイオン化噴出ガス
が適切に容器頂部２０の内部表面１６を清掃できるよう
に繰り返される。好ましいプロセスでは、この垂直移動
は４回繰り返されるが、この回数は、アプリケーション
と汚染除去の必要性に応じて増加したり、あるいは減少
したりする。但し、この「清掃」シーケンスは、マニホ
ルド・アンロード・レベルよりも上方に配置された水平
台１３４、及び、この水平台上のマニホルド４２で終了
することが必要である。

【００７１】一旦、所望の回数の垂直移動が完了すると
、上方マニホルド流入口９２に対する噴出ガスの供給は
停止され、円形静的バー１１２の通電が断たれる。次に
、マニホルド４２が第１操作アセンブリ３６から第２操
作アセンブリ３８に移動されるように、ロード・アーム
１３６が静止位置から転移位置へ側方内側に移動される
。特に、上方突出ピン１５０が取付けブロック１４６の
位置合わせ開口１５２の直下に配置されるように、ロー
ド・アーム１３６が配置される。

【００７２】次に、昇降機１３２は、マニホルド４２を
下げ、マニホルド・アンロード・レベルを通過するので
、突出ピン１５０は再度開口１５２に挿入され、マニホ
ルド４２は第２操作アセンブリ３８へ据付けられる。 マニホルド４２とロード・アーム１３６、更に詳細には
、突出ピン１５０と開口１５２のこのような配置には、
ロケータ・ピン１６０の助けが必要である。いずれにし
ても、昇降機１３２はマニホルド・ロード位置までの下
降移動を続け、これにより、マニホルド４２は水平台１
３４とこの水平台上にある容器１２の底部２２の幾分上
方に配置される。

【００７３】再度、噴出ガスが下方空気管９６に供給さ
れ、下方管状静的バー１１０も再び通電される。エア・
シリンダ１４２のピストン１４０は引き込まれ、これに
よって、ロード・アーム１３６とマニホルド４２は静止
位置の方向に後退移動する。この移動中、下方空気管９
６から出るイオン化された噴出ガスは再度容器１２の底
部２２の内部表面１８へ方向付けられる。ロード・アー
ム１３６が静止位置に達すると、下方空気管９６への噴
出ガスの供給と下方静的バー１１０への電力の供給が終
了する。

【００７４】昇降機１３２は、水平１３４を容器操作レ
ベルまで上昇させ、これにより、底部２２は容器１２の
頂部２０に再結合される。更に詳細には、結合インタフ
ェースは先に引き込まれたラッチを解除し続けるので、
底部２２は頂部２０に結合される。これで、汚染除去サ
イクルは完了し、ウェハ容器１２は容器取付け機構から
取り外され、半導体製造プロセスで利用されるために戻
される。

【００７５】次に、別の容器１２が支持／密閉アセンブ
リ３０に配置され、開始ボタンが押され、又、別の汚染
除去サイクルが開始される。電源はサイクルとサイクル
の間に置かれているのが望ましく、これにより、密閉コ
ンパートメント３２内のガスは絶えず循環、ろ過される
ことになる。

【００７６】汚染除去装置１０とプロセスを監視するた
め、意図的に配置されたレーザ微粒子カウンタ（図示せ
ず）が装置に内蔵されている。このようなカウンタは、
汚染除去装置１０の効果の正確で継続的な評価を可能に
する。更に、他の動作上のパラメタ、例えば、必要とさ
れる噴出ガス清掃路の数、及び容器内の汚染物質の除去
の頻度などが決定される。

【００７７】ここで、本発明の汚染除去装置１０は、図
示された容器１２のようなキャリアに対して定期的な汚
染除去を実行するために利用できることが認識される。 装置１０は半導体製造プロセスに直接伴われるものでは
ないが、キャリア内の粒子汚染が最小限であることを保
証することによって、このようなプロセスの成功におい
て重要な役割を演じている。

【００７８】

【発明の効果】上記に説明したように、本発明の汚染除
去装置を使用することによって、半導体装置製造システ
ムで使用されるウェハ容器の汚染を効果的に除去するこ
とが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従う汚染除去装置の正面図である。

【図２】図１の線２−２から見た場合の汚染除去装置の
平面図である。

【図３】第２操作アセンブリへ取外し可能に据付けられ
たガス流アセンブリの側面図であり、これらのコンポー
ネントはこの装置の他の部分から切り離して示されてい
る。

【図４】汚染除去装置のガス流アセンブリを通過するガ
ス流パターンの概略図である。

【図５】図１及び２の装置の第１操作アセンブリの側面
図であり、このアセンブリは装置の他の部分から切り離
して示されている。

【図６】ガス流アセンブリ、第１操作アセンブリ、及び
第２操作アセンブリの側面図であり、汚染除去プロセス
の種々の段階のうちの１つを示す。これらのコンポーネ
ントは装置の他の部分から切り離して示されている。

【図７】ガス流アセンブリ、第１操作アセンブリ、及び
第２操作アセンブリの側面図であり、汚染除去プロセス
の種々の段階のうちの１つを示す。これらのコンポーネ
ントは装置の他の部分から切り離して示されている。

【図８】ガス流アセンブリ、第１操作アセンブリ、及び
第２操作アセンブリの側面図であり、汚染除去プロセス
の種々の段階のうちの１つを示す。これらのコンポーネ
ントは装置の他の部分から切り離して示されている。

【図９】ガス流アセンブリ、第１操作アセンブリ、及び
第２操作アセンブリの側面図であり、汚染除去プロセス
の種々の段階のうちの１つを示す。これらのコンポーネ
ントは装置の他の部分から切り離して示されている。

【図１０】ガス流アセンブリ、第１操作アセンブリ、及
び第２操作アセンブリの側面図であり、汚染除去プロセ
スの種々の段階のうちの１つを示す。これらのコンポー
ネントは装置の他の部分から切り離して示されている。

【図１１】ガス流アセンブリ、第１操作アセンブリ、及
び第２操作アセンブリの側面図であり、汚染除去プロセ
スの種々の段階のうちの１つを示す。これらのコンポー
ネントは装置の他の部分から切り離して示されている。

【図１２】ガス流アセンブリ、第１操作アセンブリ、及
び第２操作アセンブリの側面図であり、汚染除去プロセ
スの種々の段階のうちの１つを示す。これらのコンポー
ネントは装置の他の部分から切り離して示されている。

【符号の説明】

１０　　　　汚染除去装置 １２　　　　ウェハ容器 １４　　　　内部チャンバ １６　　　　内部表面 １８　　　　内部表面 ２０　　　　頂部 ２２　　　　底部 ３０　　　　支持／密閉アセンブリ ３２　　　　密閉コンパートメント ３４　　　　ガス流アセンブリ ３６　　　　第１操作アセンブリ ３８　　　　第２操作アセンブリ ４０　　　　プログラム可能なコントローラ４２　　　
　マニホルド ５０　　　　テーブル支持台 ５２　　　　ケージ ７６　　　　送風機 ８０　　　　高性能微粒子除去（ＨＥＰＡ）フィルタ８
８　　　　圧縮高速ガス供給源 １１０　　　　管状静的バー １１２　　　　円形静的バー １３０　　　　容器取付け機構 １３２　　　　昇降機 １３４　　　　水平台 １４０　　　　ピストン １４２　　　　エア・シリンダ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　半導体ウェハを格納するチャンバと前
   記チャンバを囲む内部表面とを有するウェハ容器のため
   の汚染除去装置であって、実質的に密封された密閉コン
   パートメントを提供するための支持／密閉手段と、前記
   密閉コンパートメント内に実質的に連続な循環ガス流を
   供給及びろ過すると共に、前記ウェハ容器の前記内部表
   面の方向へ噴出ガス流を定期的に供給することによって
   、前記表面に付着した粒子を離脱させて前記連続的な循
   環ガス流に乗せるための、前記支持／密閉手段上に据付
   けられたガス流手段と、前記ウェハ容器を操作して前記
   チャンバを前記密閉コンパートメントと連通させると共
   に、前記ガス流手段を前記チャンバ内で前記内部表面に
   近接して配置するための、前記支持／密閉手段上に据付
   けられた操作手段と、を備えた汚染除去装置。
2. 【請求項２】　　前記ガス流手段は、前記密閉コンパー
   トメントを通るガス流を定期的にイオン化することによ
   って前記ウェハ容器の前記内部表面上に付着した静的に
   帯電した汚染粒子を離脱させて前記循環ガス流に乗せる
   ためのイオン化手段を含む請求項１記載の汚染除去装置
   。
3. 【請求項３】　　前記ガス流手段は、前記循環ガスと前
   記噴出ガスを分配するためのマニホルド手段と、前記密
   閉コンパートメントを通って循環ガスを循環させるため
   の送風機手段と、前記循環ガスをろ過することによって
   、ろ過された循環ガス流を生成するための、前記送風機
   手段の流出口へ密封して接続されたフィルタ手段と、前
   記ろ過された循環ガスを前記マニホルドへ供給するため
   の循環ガス流入手段と、前記噴出ガスを前記マニホルド
   へ供給するための噴出ガス供給手段と、を含む請求項１
   記載の汚染除去装置。
4. 【請求項４】　　前記処理手段が、前記ウェハ容器を操
   作することによって、前記チャンバが前記密閉コンパー
   トメントの拡張部分を形成するようにするための容器操
   作手段と、前記マニホルドを前記チャンバ内で前記内部
   表面に近接するように配置するためのマニホルド操作手
   段と、を含む第１操作手段を備える請求項１記載の汚染
   除去装置。
5. 【請求項５】　　半導体ウェハを格納するチャンバと前
   記チャンバを囲む内部表面とを有するウェハ容器の汚染
   を除去する方法であって、実質的に密封された密閉コン
   パートメントを提供するステップと、前記密閉コンパー
   トメント中を流れる循環ガス流を連続的に供給及びろ過
   するステップと、ウェハ容器を操作して、前記容器チャ
   ンバを密封された密閉コンパートメントと連通させるス
   テップと、噴出ガス流をウェハ容器の内部表面の方向に
   定期的に供給するステップと、を含む汚染除去方法。
6. 【請求項６】　　前記循環ガス及び前記噴出ガスをイオ
   ン化することによって、静的に帯電した汚染粒子を離脱
   させて循環ガスに乗せるステップを更に含む請求項５記
   載の汚染除去方法。
7. 【請求項７】　　前記供給ステップが、循環ガスと噴出
   ガスをマニホルドを介して分配するステップと、循環ガ
   スを密閉コンパートメント内に循環させるステップと、
   循環ガスを連続的にろ過することによって、ろ過された
   循環ガス流を生成させるステップと、噴出ガス供給手段
   から噴出ガスをマニホルドへ供給するステップと、も含
   む請求項５記載の汚染除去方法。
8. 【請求項８】　　半導体ウェハを格納するためのチャン
   バと前記チャンバを囲む内部表面とを有するウェハ容器
   のための装置であって、実質的に密封された密閉コンパ
   ートメントを提供し、絶えず密閉コンパートメント内に
   循環ガス流を供給及びろ過し、ウェハ容器を操作して前
   記チャンバを密封された密閉コンパートメントと連通さ
   せ、定期的に噴出ガス流をウェハ容器の内部表面の方向
   へ供給することによって、容器の汚染を除去するために
   使用される汚染除去装置であって、実質的に密封された
   密閉コンパートメントを提供するための支持／密閉手段
   と、前記密閉コンパートメント内に実質的に連続な循環
   ガス流を供給及びろ過すると共に、前記ウェハ容器の前
   記内部表面の方向へ噴出ガス流を定期的に供給すること
   によって、前記表面に付着した粒子を離脱させて前記連
   続的な循環ガス流に乗せるためのガス流手段と、前記ウ
   ェハ容器を操作して前記チャンバを前記密閉コンパート
   メントと連通させると共に、前記ガス流手段を前記チャ
   ンバ内で前記内部表面に近接して配置するための、前記
   支持／密閉手段上に据付けられた操作手段と、を備えた
   汚染除去装置。
9. 【請求項９】　　半導体ウェハを格納するためのチャン
   バと前記チャンバを囲む内部表面とを有すると共に、頂
   部と前記頂部へ切離せるように接続された底部とを含む
   ウェハ容器のための汚染除去装置であって、実質的に密
   封された密閉コンパートメントを提供するための支持／
   密閉手段と、前記密閉コンパートメント内に実質的に連
   続な循環ガス流を供給及びろ過すると共に、前記ウェハ
   容器の前記内部表面の方向へ噴出ガス流を定期的に供給
   することによって、前記表面に付着した粒子を離脱させ
   て前記連続的な循環ガス流に乗せるための、前記支持／
   密閉手段上に据付けられたガス流手段と、前記ウェハ容
   器を操作することによって前記頂部を前記底部から切り
   離し、前記チャンバを前記密閉コンパートメントと連通
   させると共に、前記ガス流手段を前記チャンバ内で前記
   内部表面に近接させて配置するための、前記支持／密閉
   手段上に据付けられた操作手段と、を備えた汚染除去装
   置。