JPH04328169A - アゾ系化合物とそれを用いた感光体 - Google Patents
アゾ系化合物とそれを用いた感光体Info
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- JPH04328169A JPH04328169A JP9778991A JP9778991A JPH04328169A JP H04328169 A JPH04328169 A JP H04328169A JP 9778991 A JP9778991 A JP 9778991A JP 9778991 A JP9778991 A JP 9778991A JP H04328169 A JPH04328169 A JP H04328169A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真用の感光体に
おける電荷発生材料として好適なアゾ系化合物およびそ
れを用いた感光体に関する。
おける電荷発生材料として好適なアゾ系化合物およびそ
れを用いた感光体に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、複写機などの画像形成装置におけ
る電子写真感光体として、加工性に優れ、製造コストの
面で有利であるとともに、機能設計の自由度が大きい有
機感光体が使用されている。また、電子写真感光体を用
いて複写画像を形成する場合には、カールソンプロセス
が広く利用されている。カールソンプロセスは、コロナ
放電により感光体を均一に帯電させる帯電工程と、帯電
した感光体に原稿像を露光し、原稿像に対応した静電潜
像を形成する露光工程と、静電潜像をトナーを含有する
現像剤で現像し、トナー像を形成する現像工程と、トナ
ー像を紙などの基材に転写する転写工程と、基材に転写
されたトナー像を定着させる定着工程と、転写工程の後
、感光体上に残留するトナーを除去するクリーニング工
程とを含んでいる。このカールソンプロセスにおいて高
品質の画像を形成するには、電子写真感光体が帯電特性
及び感光特性に優れていること及び、露光後の残留電位
が低いことが要求される。
る電子写真感光体として、加工性に優れ、製造コストの
面で有利であるとともに、機能設計の自由度が大きい有
機感光体が使用されている。また、電子写真感光体を用
いて複写画像を形成する場合には、カールソンプロセス
が広く利用されている。カールソンプロセスは、コロナ
放電により感光体を均一に帯電させる帯電工程と、帯電
した感光体に原稿像を露光し、原稿像に対応した静電潜
像を形成する露光工程と、静電潜像をトナーを含有する
現像剤で現像し、トナー像を形成する現像工程と、トナ
ー像を紙などの基材に転写する転写工程と、基材に転写
されたトナー像を定着させる定着工程と、転写工程の後
、感光体上に残留するトナーを除去するクリーニング工
程とを含んでいる。このカールソンプロセスにおいて高
品質の画像を形成するには、電子写真感光体が帯電特性
及び感光特性に優れていること及び、露光後の残留電位
が低いことが要求される。
【0003】従来より、セレンや硫化カドミウム等の無
機光導電体が電子写真感光体材料として公知ではあるが
、これらは毒性があり、しかも生産コストが高く望まし
くない。そこで、これらの無機物質に代えて、種々の有
機物質を用いた、いわゆる有機電子写真感光体が提案さ
れている。かかる有機電子写真感光体は、通常、露光に
より電荷を発生する電荷発生材料と、発生した電荷を輸
送する機能を有する電荷輸送材料とからなる感光層を有
する。
機光導電体が電子写真感光体材料として公知ではあるが
、これらは毒性があり、しかも生産コストが高く望まし
くない。そこで、これらの無機物質に代えて、種々の有
機物質を用いた、いわゆる有機電子写真感光体が提案さ
れている。かかる有機電子写真感光体は、通常、露光に
より電荷を発生する電荷発生材料と、発生した電荷を輸
送する機能を有する電荷輸送材料とからなる感光層を有
する。
【0004】かかる有機電子写真感光体に望まれる各種
の条件を満足させるためには、これらの電荷発生材料と
電荷輸送材料との選択を適切に行う必要がある。電荷発
生材料としては、フタロシアニン系化合物、ペリレン系
化合物、キナクリドン系化合物、アンサンスロン系化合
物、アゾ系化合物等多くの化合物が提案されている。例
えばアゾ系化合物としては、特開昭47−37543号
公報や同57−195767号公報に開示のものが知ら
れている。
の条件を満足させるためには、これらの電荷発生材料と
電荷輸送材料との選択を適切に行う必要がある。電荷発
生材料としては、フタロシアニン系化合物、ペリレン系
化合物、キナクリドン系化合物、アンサンスロン系化合
物、アゾ系化合物等多くの化合物が提案されている。例
えばアゾ系化合物としては、特開昭47−37543号
公報や同57−195767号公報に開示のものが知ら
れている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電荷発生材料は、感光波長領域が狭かったり、近赤
外領域において感光波長特性を有していなかった。した
がって、上記従来の電荷発生材料を用いた感光体では、
近赤外領域において高い感度が要求されるレーザー・プ
リンタ用等の感光体として使用できなかった。また、上
記従来の電荷発生材料は光安定性も充分でなかった。
来の電荷発生材料は、感光波長領域が狭かったり、近赤
外領域において感光波長特性を有していなかった。した
がって、上記従来の電荷発生材料を用いた感光体では、
近赤外領域において高い感度が要求されるレーザー・プ
リンタ用等の感光体として使用できなかった。また、上
記従来の電荷発生材料は光安定性も充分でなかった。
【0006】本発明は上記の問題点を解決するものであ
り、近赤外領域などの長波長域において高い感度を有し
、かつ光安定性にもすぐれた新規なアゾ系化合物とそれ
を用いた感光体を提供することを目的とする。
り、近赤外領域などの長波長域において高い感度を有し
、かつ光安定性にもすぐれた新規なアゾ系化合物とそれ
を用いた感光体を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段および作用】本発明のアゾ
系化合物は、一般式(I) :
系化合物は、一般式(I) :
【0008】
【化5】
【0009】[式中、Aはカップラー残基を示す。
X1 、X2 およびX3 は芳香族性を有する2価の
有機残基を示し、l、mおよびnは0または1である。 R1 は、基:
有機残基を示し、l、mおよびnは0または1である。 R1 は、基:
【0010】
【化6】
【0011】(式中、Aは前記と同じ、X4 は芳香族
性を有する2価の有機残基を示し、pは0または1であ
る)、水素原子、アルキル基、アリール基または芳香族
性複素環基を示し、アルキル基、アリール基および芳香
族性複素環基は置換基を有していてもよい。Zは酸素原
子または硫黄原子を示す。]で表されるものである。ま
た、本発明の感光体は、上記アゾ系化合物(I) を含
有した感光層を導電性基体上に設けたものである。
性を有する2価の有機残基を示し、pは0または1であ
る)、水素原子、アルキル基、アリール基または芳香族
性複素環基を示し、アルキル基、アリール基および芳香
族性複素環基は置換基を有していてもよい。Zは酸素原
子または硫黄原子を示す。]で表されるものである。ま
た、本発明の感光体は、上記アゾ系化合物(I) を含
有した感光層を導電性基体上に設けたものである。
【0012】上記アゾ系化合物(I) を含有する本発
明の電子写真感光体は、長波長領域、特に近赤外領域に
高感度で、繰返使用による表面電位の低下が防止できる
。さらに、長時間の光露光や高温下での光露光に対して
、安定した高感度を有し、光安定性に優れている。本発
明のアゾ系化合物がこのような高い耐久性と安定した感
度を有する理由としては、以下のようなことが考えられ
る。
明の電子写真感光体は、長波長領域、特に近赤外領域に
高感度で、繰返使用による表面電位の低下が防止できる
。さらに、長時間の光露光や高温下での光露光に対して
、安定した高感度を有し、光安定性に優れている。本発
明のアゾ系化合物がこのような高い耐久性と安定した感
度を有する理由としては、以下のようなことが考えられ
る。
【0013】すなわち、本発明のアゾ系化合物は、例え
ば、前記した特開昭47−37543号に例示の下記一
般式(II):
ば、前記した特開昭47−37543号に例示の下記一
般式(II):
【0014】
【化7】
【0015】で示される従来のジスアゾ系化合物や同5
7−195767号公報に例示のトリスアゾ系化合物(
後述の比較例を参照)に比して、分子の中心骨格に共役
したπ結合が多く存在するので、化合物の分子構造の平
面化がより一層促進されて、分子間の重なり合い等によ
る分子間相互作用が強まるからであると推定される。 上記一般式(I) で表される本発明のアゾ系化合物は
、基本的に下記の2 つのトリスアゾ系化合物(Ia)
およびテトラキスアゾ系化合物(Ib)を含んでいる。
7−195767号公報に例示のトリスアゾ系化合物(
後述の比較例を参照)に比して、分子の中心骨格に共役
したπ結合が多く存在するので、化合物の分子構造の平
面化がより一層促進されて、分子間の重なり合い等によ
る分子間相互作用が強まるからであると推定される。 上記一般式(I) で表される本発明のアゾ系化合物は
、基本的に下記の2 つのトリスアゾ系化合物(Ia)
およびテトラキスアゾ系化合物(Ib)を含んでいる。
【0016】
【化8】
【0017】(式中、A、X1 、X2 、X3 、X
4 、l、m、n、pおよびZは前記と同じ、R1aは
前記R1 において基(a)を除く他の基を示す。)本
発明のアゾ系化合物における2価の有機残基であるX1
、X2、X3 およびX4 としては、例えば下記に
示すような基があげられる。
4 、l、m、n、pおよびZは前記と同じ、R1aは
前記R1 において基(a)を除く他の基を示す。)本
発明のアゾ系化合物における2価の有機残基であるX1
、X2、X3 およびX4 としては、例えば下記に
示すような基があげられる。
【0018】
【化9】
【0019】(式中、R2 およびR3 は水素原子、
アルキル基、アリール基または芳香族性複素環基を示し
、アルキル基、アリール基および芳香族性複素環基は置
換基を有していてもよい。)また、カップラー残基Aと
しては、下記一般式(a) 〜(g) で示される基が
例示される。
アルキル基、アリール基または芳香族性複素環基を示し
、アルキル基、アリール基および芳香族性複素環基は置
換基を有していてもよい。)また、カップラー残基Aと
しては、下記一般式(a) 〜(g) で示される基が
例示される。
【0020】
【化10】
【0021】各式中、R4 はヒドロキシル基、基:−
NR10R11(式中、R10およびR11は同一また
は異なって、水素原子またはアルキル基を示す。)また
は基:−NHSO2 R12(式中、R12は水素原子
、アルキル基、アルケニル基またはアリール基を示す。 )を示す。R5 は水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボ
ニル基、カルバモイル基、アリール基またはスルファモ
イル基を示し、アルキル基またはアルコキシ基はハロゲ
ン原子、フェニル基、ナフチル基、ニトロ基、シアノ基
等の置換基を有してもよい。また、カルバモイル基また
はスルファモイル基はハロゲン原子、フェニル基、ナフ
チル基、アルキル基、アルケニル基、カルボニル基、カ
ルボキシル基等の置換基を有してもよい。
NR10R11(式中、R10およびR11は同一また
は異なって、水素原子またはアルキル基を示す。)また
は基:−NHSO2 R12(式中、R12は水素原子
、アルキル基、アルケニル基またはアリール基を示す。 )を示す。R5 は水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボ
ニル基、カルバモイル基、アリール基またはスルファモ
イル基を示し、アルキル基またはアルコキシ基はハロゲ
ン原子、フェニル基、ナフチル基、ニトロ基、シアノ基
等の置換基を有してもよい。また、カルバモイル基また
はスルファモイル基はハロゲン原子、フェニル基、ナフ
チル基、アルキル基、アルケニル基、カルボニル基、カ
ルボキシル基等の置換基を有してもよい。
【0022】R6 はR4 およびR5 を有するベン
ゼン環と縮合して芳香族環、脂肪族環または複素環を形
成するのに必要な原子団を表し、これらの環は前記と同
様な置換基を有してもよい。R7 は水素原子、アミノ
基、N−置換アミノ基、アルキル基、アルケニル基、ヒ
ドロキシル基、カルバモイル基、カルボキシル基または
アルコキシカルボニル基を示し、アルキル基、アルケニ
ル基、カルバモイル基は前記と同様な置換基を有しても
よい。
ゼン環と縮合して芳香族環、脂肪族環または複素環を形
成するのに必要な原子団を表し、これらの環は前記と同
様な置換基を有してもよい。R7 は水素原子、アミノ
基、N−置換アミノ基、アルキル基、アルケニル基、ヒ
ドロキシル基、カルバモイル基、カルボキシル基または
アルコキシカルボニル基を示し、アルキル基、アルケニ
ル基、カルバモイル基は前記と同様な置換基を有しても
よい。
【0023】R8 は水素原子、アルキル基またはアリ
ール基を示し、アルキル基またはアリール基は前記と同
様な置換基を有してもよい。R9 はフェニレン基また
はナフチレン基を示す。これらのフェニレン基またはナ
フチレン基も前記と同様な置換基を有してもよい。前記
アルキル基としては、例えばメチル,エチル、プロピル
、イソプロプル、ブチル、イソブチル、tert−ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル基等の炭素数1〜6の低級アル
キル基があげられる。
ール基を示し、アルキル基またはアリール基は前記と同
様な置換基を有してもよい。R9 はフェニレン基また
はナフチレン基を示す。これらのフェニレン基またはナ
フチレン基も前記と同様な置換基を有してもよい。前記
アルキル基としては、例えばメチル,エチル、プロピル
、イソプロプル、ブチル、イソブチル、tert−ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル基等の炭素数1〜6の低級アル
キル基があげられる。
【0024】前記アリール基としては、例えばフェニル
、トリル、キシリル、ビフェニル、ナフチル、アントリ
ル、フェナントリル基などがあげられる。前記アルケニ
ル基としては、例えばビニル,アリル、2−ブテニル、
3−ブテニル、1−メチルアリル、2−ペンテニル、2
−ヘキセニル基等の炭素数2〜6の低級アルケニル基が
あげられる。
、トリル、キシリル、ビフェニル、ナフチル、アントリ
ル、フェナントリル基などがあげられる。前記アルケニ
ル基としては、例えばビニル,アリル、2−ブテニル、
3−ブテニル、1−メチルアリル、2−ペンテニル、2
−ヘキセニル基等の炭素数2〜6の低級アルケニル基が
あげられる。
【0025】前記ハロゲン原子としては、塩素原子、臭
素原子、ヨウ素原子、フッ素原子があげられる。前記ア
ルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ペ
ンチルオキシ、ヘキシルオキシ基等のアルコキシ部分の
炭素数が1〜6の低級アルコキシ基があげられる。
素原子、ヨウ素原子、フッ素原子があげられる。前記ア
ルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ペ
ンチルオキシ、ヘキシルオキシ基等のアルコキシ部分の
炭素数が1〜6の低級アルコキシ基があげられる。
【0026】前記アルコキシカルボニル基としては、例
えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポ
キシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシ
カルボニル、イソブトキシカルボニル、ペンチルオキシ
カルボニル、ヘキシルオキシカルボニル基等のアルコキ
シ部分の炭素数が1〜6の低級アルコキシカルボニル基
があげられる。
えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポ
キシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシ
カルボニル、イソブトキシカルボニル、ペンチルオキシ
カルボニル、ヘキシルオキシカルボニル基等のアルコキ
シ部分の炭素数が1〜6の低級アルコキシカルボニル基
があげられる。
【0027】前記アシル基としては、例えばホルミル、
アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バ
レリル、イソバレリル、ヘキサモイル基等があげられる
。また、R6 において、R4 およびR5を有するベ
ンゼン環と縮合して脂肪族環を形成するのに必要な原子
団としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレ
ン基、ブチレン基等の炭素数1〜4のアルキレン基があ
げられる。
アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バ
レリル、イソバレリル、ヘキサモイル基等があげられる
。また、R6 において、R4 およびR5を有するベ
ンゼン環と縮合して脂肪族環を形成するのに必要な原子
団としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレ
ン基、ブチレン基等の炭素数1〜4のアルキレン基があ
げられる。
【0028】R6 において、R4 およびR5 を有
するベンゼン環と縮合して複素環を形成するのに必要な
原子団としては、例えばベンゾフラニル、ベンゾチオフ
ェニル、インドリル、1H−インドリル、ベゾオキサゾ
リル、ベンゾチアゾリル、1H−インダドリル、ベンゾ
イミダゾリル、クロメニル、クロマニル、イソクロマニ
ル、キノリニル、イソキノリニル、シンノリニル、フタ
ラジニル、キナゾニリル、キノキサリニル、ジベンゾフ
ラニル、カルバゾリル、キサンテニル、アクリジニル、
フェナントリジニル、フェナジニル、フェノキサジニル
、チアントレニル基等があげられる。
するベンゼン環と縮合して複素環を形成するのに必要な
原子団としては、例えばベンゾフラニル、ベンゾチオフ
ェニル、インドリル、1H−インドリル、ベゾオキサゾ
リル、ベンゾチアゾリル、1H−インダドリル、ベンゾ
イミダゾリル、クロメニル、クロマニル、イソクロマニ
ル、キノリニル、イソキノリニル、シンノリニル、フタ
ラジニル、キナゾニリル、キノキサリニル、ジベンゾフ
ラニル、カルバゾリル、キサンテニル、アクリジニル、
フェナントリジニル、フェナジニル、フェノキサジニル
、チアントレニル基等があげられる。
【0029】上記芳香族性複素環基としては、例えばチ
エニル、フリル、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサ
ゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、
ピラゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、
チアゾリル基などがあげられる。また、芳香族環と縮合
した複素環式基(例えばベンゾフラニル、ベンゾイミダ
ゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、キノ
リル基など)であってもよい。
エニル、フリル、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサ
ゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、
ピラゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、
チアゾリル基などがあげられる。また、芳香族環と縮合
した複素環式基(例えばベンゾフラニル、ベンゾイミダ
ゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、キノ
リル基など)であってもよい。
【0030】上記カップラー残基Aで表わされる基(a
) 〜(g)の具体例としては、以下のような基があげ
られる。
) 〜(g)の具体例としては、以下のような基があげ
られる。
【0031】
【化11】
【0032】上記一般式(I) で表される本発明のア
ゾ系化合物は、種々の方法で合成することができる。例
えば、下記反応式に示すように、分子中の3つのアミノ
基をそれぞれジアゾ化してヘキサゾニウム塩とし、次い
でこれを所定のカップラーと有機溶媒中でカップリング
させることにより容易に製造することができる。
ゾ系化合物は、種々の方法で合成することができる。例
えば、下記反応式に示すように、分子中の3つのアミノ
基をそれぞれジアゾ化してヘキサゾニウム塩とし、次い
でこれを所定のカップラーと有機溶媒中でカップリング
させることにより容易に製造することができる。
【0033】
【化12】
【0034】[式中、A、X1 、X2 、X3 、X
4 、R1a、l、m、n、pおよびZは前記と同じ、
YはCl− 、Br− 、NO3 − 、BF2 −
等の陰イオンを示す。]ジアゾ化は、アミン系化合物(
1) の酸性水溶液に亜硝酸ナトリウムまたは亜硝酸を
攪拌しながら低温下(通常、−10〜5℃)で滴下し、
次いでホウフッ化水素、ハロゲン化水素、硫酸等を加え
て結晶化したヘキサゾニウム塩(2) を得る。
4 、R1a、l、m、n、pおよびZは前記と同じ、
YはCl− 、Br− 、NO3 − 、BF2 −
等の陰イオンを示す。]ジアゾ化は、アミン系化合物(
1) の酸性水溶液に亜硝酸ナトリウムまたは亜硝酸を
攪拌しながら低温下(通常、−10〜5℃)で滴下し、
次いでホウフッ化水素、ハロゲン化水素、硫酸等を加え
て結晶化したヘキサゾニウム塩(2) を得る。
【0035】ついで、有機溶媒中にて前記ヘキサゾニウ
ム塩(2) に所定量のカップラー(3)を加えてカッ
プリング反応を行わせることにより、トリスアゾ化合物
(Ia)が得られる。R1aがアミノ基の場合、亜硝酸
等の反応モル比を適宜調整することにより、前記テトラ
アゾ化合物(Ib)が得られる。
ム塩(2) に所定量のカップラー(3)を加えてカッ
プリング反応を行わせることにより、トリスアゾ化合物
(Ia)が得られる。R1aがアミノ基の場合、亜硝酸
等の反応モル比を適宜調整することにより、前記テトラ
アゾ化合物(Ib)が得られる。
【0036】有機溶媒としては、例えばジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド等があげられる。本発明
のアゾ系化合物(I) は、電荷発生材料として単独で
用いられるほか、従来公知の他の電荷発生材料と組み合
わせて使用することができる。他の電荷発生材料として
は、例えば、アモルファスシリコン、ピリリウム塩、ア
ンサンスロン系顔料、フタロシアニン系顔料、インジゴ
系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、ト
ルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、ペリレン系顔料、
キナクリドン系顔料等があげられる。
アミド、ジメチルスルホキシド等があげられる。本発明
のアゾ系化合物(I) は、電荷発生材料として単独で
用いられるほか、従来公知の他の電荷発生材料と組み合
わせて使用することができる。他の電荷発生材料として
は、例えば、アモルファスシリコン、ピリリウム塩、ア
ンサンスロン系顔料、フタロシアニン系顔料、インジゴ
系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、ト
ルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、ペリレン系顔料、
キナクリドン系顔料等があげられる。
【0037】これらの電荷発生材料は、所望の領域に吸
収波長域を有するように、1種または2種以上混合して
用いられる。本発明のアゾ系化合物(I) は、いわゆ
る単層型及び積層型の電子写真感光体のいずれにも適用
することができる。単層型感光体とするには、電荷発生
材料である本発明のアゾ系化合物、電荷輸送材料、結着
樹脂等を含有する感光層を塗布等の手段により導電性基
材上に形成すればよい。
収波長域を有するように、1種または2種以上混合して
用いられる。本発明のアゾ系化合物(I) は、いわゆ
る単層型及び積層型の電子写真感光体のいずれにも適用
することができる。単層型感光体とするには、電荷発生
材料である本発明のアゾ系化合物、電荷輸送材料、結着
樹脂等を含有する感光層を塗布等の手段により導電性基
材上に形成すればよい。
【0038】また、積層型の感光体とするには、導電性
基材上に、塗布等の手段により本発明のアゾ系化合物(
I) を含有する電荷発生材料を含有する電荷発生層を
形成し、この電荷発生層上に、電荷輸送材料と結合材樹
脂とを含有する電荷輸送層を形成すればよい。また、上
記とは逆に、導電性基材上に上記と同様の電荷輸送層を
形成し、次いで塗布等の手段により電荷発生材料を含有
する電荷発生層を形成してもよい。さらに、電荷発生層
は電荷発生材料と電荷輸送材料とを結着剤樹脂中に分散
して塗布することにより形成してもよい。
基材上に、塗布等の手段により本発明のアゾ系化合物(
I) を含有する電荷発生材料を含有する電荷発生層を
形成し、この電荷発生層上に、電荷輸送材料と結合材樹
脂とを含有する電荷輸送層を形成すればよい。また、上
記とは逆に、導電性基材上に上記と同様の電荷輸送層を
形成し、次いで塗布等の手段により電荷発生材料を含有
する電荷発生層を形成してもよい。さらに、電荷発生層
は電荷発生材料と電荷輸送材料とを結着剤樹脂中に分散
して塗布することにより形成してもよい。
【0039】前記電荷輸送材料としては、従来公知の材
料を用いることができ、例えば2,5−ジ(4−メチル
アミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール等の
オキサジアゾール系化合物、9−(4−ジエチルアミノ
スチリル)アントラセン等のスチリル系化合物、ポリビ
ニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、1−フェ
ニル−3−(p−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリン
等のピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、トリフ
ェニルアミン系化合物、インドール系化合物、オキサゾ
ール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール
系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化
合物、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合物等の
含窒素環式化合物、縮合多環式化合物があげられる。
料を用いることができ、例えば2,5−ジ(4−メチル
アミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール等の
オキサジアゾール系化合物、9−(4−ジエチルアミノ
スチリル)アントラセン等のスチリル系化合物、ポリビ
ニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、1−フェ
ニル−3−(p−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリン
等のピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、トリフ
ェニルアミン系化合物、インドール系化合物、オキサゾ
ール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール
系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化
合物、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合物等の
含窒素環式化合物、縮合多環式化合物があげられる。
【0040】これらの電荷輸送材料は、1種または2種
以上混合して用いられる。なお、ポリビニルカルバゾー
ル等の成膜性を有する電荷輸送材料を用いる場合には、
結着樹脂は必ずしも必要ではない。また、上記単層型や
積層型の感光体において使用される結着樹脂としては、
種々の樹脂を使用することができ、例えばスチレン系重
合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アク
リロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体
、アクリル系重合体、スチレン−アクリル系共重合体、
ポリエチレン、エチレン酢酸ビニル共重合体、塩素化ポ
リエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、アルキッド
樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポリカーボネート、
ポリアリレート、ポリスルホン、ジアリルフタレート樹
脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエー
テル樹脂等の熱可塑性樹脂や、シリコーン樹脂、エポキ
シ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、そ
の他架橋性の熱硬化性樹脂、さらにエポキシアクリレー
ト、ウレタン−アクリレート等の光硬化性樹脂等の種々
の重合体があげられる。
以上混合して用いられる。なお、ポリビニルカルバゾー
ル等の成膜性を有する電荷輸送材料を用いる場合には、
結着樹脂は必ずしも必要ではない。また、上記単層型や
積層型の感光体において使用される結着樹脂としては、
種々の樹脂を使用することができ、例えばスチレン系重
合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アク
リロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体
、アクリル系重合体、スチレン−アクリル系共重合体、
ポリエチレン、エチレン酢酸ビニル共重合体、塩素化ポ
リエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、アルキッド
樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポリカーボネート、
ポリアリレート、ポリスルホン、ジアリルフタレート樹
脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエー
テル樹脂等の熱可塑性樹脂や、シリコーン樹脂、エポキ
シ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、そ
の他架橋性の熱硬化性樹脂、さらにエポキシアクリレー
ト、ウレタン−アクリレート等の光硬化性樹脂等の種々
の重合体があげられる。
【0041】これらの結着剤樹脂は1種または2種以上
混合して用いられる。また、塗布手法等により電荷発生
層および電荷輸送層を形成する場合には溶剤が使用され
る。この溶剤としては、種々の有機溶剤を使用すること
が可能であり、例えばメタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、ブタノール等のアルコール類、n−ヘキサ
ン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ジ
クロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、クロロベ
ンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジメチルエーテル、ジ
エチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチル
エーテル等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸
メチル等のエステル類、ジメチルホルムアルデヒド、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の種々の
溶剤があげられる。 これらの溶剤は1種または2種
以上混合して用いることができる。
混合して用いられる。また、塗布手法等により電荷発生
層および電荷輸送層を形成する場合には溶剤が使用され
る。この溶剤としては、種々の有機溶剤を使用すること
が可能であり、例えばメタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、ブタノール等のアルコール類、n−ヘキサ
ン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ジ
クロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、クロロベ
ンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジメチルエーテル、ジ
エチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチル
エーテル等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸
メチル等のエステル類、ジメチルホルムアルデヒド、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の種々の
溶剤があげられる。 これらの溶剤は1種または2種
以上混合して用いることができる。
【0042】また、上記電荷発生層の感度をよくするた
めに、例えば、ターフェニル、ハロナフトキノン類、ア
セナフチレン等の公知の増感剤を上記電荷発生材料と共
に用いてもよい。さらには、電荷輸送材料や電荷発生材
料の分散性、染工性等をよくするために界面活性剤、レ
ベリング剤等を使用してもよい。上記導電性基材として
は、導電性を有する種々の材料を使用することができる
。例えば、アルミニウム、銅、スズ、白金、金、銀、バ
ナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、
ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真
鍮等の金属単体や、上記金属が蒸着またはラミネートさ
れたプラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ
、酸化インジウム等で被覆されたガラス等があげられる
。
めに、例えば、ターフェニル、ハロナフトキノン類、ア
セナフチレン等の公知の増感剤を上記電荷発生材料と共
に用いてもよい。さらには、電荷輸送材料や電荷発生材
料の分散性、染工性等をよくするために界面活性剤、レ
ベリング剤等を使用してもよい。上記導電性基材として
は、導電性を有する種々の材料を使用することができる
。例えば、アルミニウム、銅、スズ、白金、金、銀、バ
ナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、
ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真
鍮等の金属単体や、上記金属が蒸着またはラミネートさ
れたプラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ
、酸化インジウム等で被覆されたガラス等があげられる
。
【0043】上記導電性基材はシート状、ドラム状のい
ずれでもよく、基材自体が導電性を有するか、あるいは
基材の表面が導電性を有していればよい。この基材とし
ては、使用に際し、十分な機械的強度を有するものが好
ましい。単層型および積層型の各有機感光層には、増感
剤、フルオレン系化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤な
どの劣化防止剤、可塑剤等の添加剤を含有させることが
できる。 単層型の感光層における電荷輸送材料の添
加量は、結着樹脂100重量部に対して40〜200重
量部、好ましくは50〜100重量部であるのが適当で
ある。また、積層型の電荷輸送層における前記電荷輸送
材料の添加量は、結着樹脂100重量部に対して10〜
500重量部、好ましくは25〜200重量部であるの
が適当である。
ずれでもよく、基材自体が導電性を有するか、あるいは
基材の表面が導電性を有していればよい。この基材とし
ては、使用に際し、十分な機械的強度を有するものが好
ましい。単層型および積層型の各有機感光層には、増感
剤、フルオレン系化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤な
どの劣化防止剤、可塑剤等の添加剤を含有させることが
できる。 単層型の感光層における電荷輸送材料の添
加量は、結着樹脂100重量部に対して40〜200重
量部、好ましくは50〜100重量部であるのが適当で
ある。また、積層型の電荷輸送層における前記電荷輸送
材料の添加量は、結着樹脂100重量部に対して10〜
500重量部、好ましくは25〜200重量部であるの
が適当である。
【0044】単層型の感光層における電荷発生材料の添
加量は、結着重量100重量部に対して0.5〜20重
量部、好ましくは1.0〜15重量部であるのが適当で
ある。また、積層型の電荷発生層における前記電荷発生
材料の添加量は、結着樹脂100重量部に対して5〜5
00重量部、好ましくは10〜250重量部であるのが
適当である。
加量は、結着重量100重量部に対して0.5〜20重
量部、好ましくは1.0〜15重量部であるのが適当で
ある。また、積層型の電荷発生層における前記電荷発生
材料の添加量は、結着樹脂100重量部に対して5〜5
00重量部、好ましくは10〜250重量部であるのが
適当である。
【0045】形成される感光層の厚さは、単層型の場合
で10〜50μm 程度、なかんづく15〜25μm程
度であるのが好ましい。一方、積層型の場合は、電荷発
生層の厚さが0.01〜5μm程度、好ましくは0.1
〜3μm程度、電荷輸送層の厚さが2〜100μm程度
、なかんづく5〜30μm程度であるのが好ましい。ま
た、単層型電子写真用感光体にあっては、上記基材と感
光層との間に、また、積層型電子写真用感光体にあって
は、上記基材と電荷発生層との間や基材と電荷輸送層と
の間及び電荷発生層と電荷輸送層との間に、感光体の特
性を阻害しない範囲でバリア層が形成されていてもよく
、感光体の表面には、保護層が形成されていてもよい。
で10〜50μm 程度、なかんづく15〜25μm程
度であるのが好ましい。一方、積層型の場合は、電荷発
生層の厚さが0.01〜5μm程度、好ましくは0.1
〜3μm程度、電荷輸送層の厚さが2〜100μm程度
、なかんづく5〜30μm程度であるのが好ましい。ま
た、単層型電子写真用感光体にあっては、上記基材と感
光層との間に、また、積層型電子写真用感光体にあって
は、上記基材と電荷発生層との間や基材と電荷輸送層と
の間及び電荷発生層と電荷輸送層との間に、感光体の特
性を阻害しない範囲でバリア層が形成されていてもよく
、感光体の表面には、保護層が形成されていてもよい。
【0046】上記電荷発生層及び電荷輸送層を、塗布の
方法により形成する場合には、電荷発生材料等と結着樹
脂などを公知の方法、例えば、ロールミル、ボールミル
、アトライタ、ペイントシェーカーあるいは超音波分散
器等を用いて分散混合して調製し、これを公知の手段に
より塗布、乾燥すればよい。なお上述のように、電荷発
生層は上記電荷発生材料を蒸着することにより形成して
もよい。
方法により形成する場合には、電荷発生材料等と結着樹
脂などを公知の方法、例えば、ロールミル、ボールミル
、アトライタ、ペイントシェーカーあるいは超音波分散
器等を用いて分散混合して調製し、これを公知の手段に
より塗布、乾燥すればよい。なお上述のように、電荷発
生層は上記電荷発生材料を蒸着することにより形成して
もよい。
【0047】
【実施例】以下、実施例をあげて本発明を詳細に説明す
る。 電荷発生材料の合成例 実施例1 (上記式(1a)のトリスアゾ系化合物において基A
が上記式(A1) である化合物の合成) 10%塩酸115ml に下記式(i) で表されるア
ミン系化合物10.95g(0.02モル)を加え、氷
水浴で冷却しながら攪拌し、液温を−1℃に保った。次
に、この溶液に亜硝酸ソーダ4.58g(0.066モ
ル)を水13mlに溶解した水溶液を、液温−2〜1℃
に保ったまま30分間かけて滴下し、さらに滴下終了後
、1時間攪拌して冷却放置した。次いでこれに42%ホ
ウフッ化水素26mlを加え、生成した結晶を濾過し、
エタノールで洗浄後乾燥してヘキサゾニウム塩10.1
0g(収率69.2%)を得た。
る。 電荷発生材料の合成例 実施例1 (上記式(1a)のトリスアゾ系化合物において基A
が上記式(A1) である化合物の合成) 10%塩酸115ml に下記式(i) で表されるア
ミン系化合物10.95g(0.02モル)を加え、氷
水浴で冷却しながら攪拌し、液温を−1℃に保った。次
に、この溶液に亜硝酸ソーダ4.58g(0.066モ
ル)を水13mlに溶解した水溶液を、液温−2〜1℃
に保ったまま30分間かけて滴下し、さらに滴下終了後
、1時間攪拌して冷却放置した。次いでこれに42%ホ
ウフッ化水素26mlを加え、生成した結晶を濾過し、
エタノールで洗浄後乾燥してヘキサゾニウム塩10.1
0g(収率69.2%)を得た。
【0048】次に、このヘキサゾニウム塩1.46g(
0.002モル)と下記式(ii)で表されるカップラ
ー1.59g(0.006モル)とをN,N−ジメチル
ホルムアミド150ml中に溶解し、これに酢酸ソーダ
0.54g(0.0066モル)を水7.5mlに溶解
した液を17〜22℃に保ったまま5分間かけて滴下し
た。さらに3時間攪拌後、生成した沈澱物を濾過し、N
,N−ジメチルホルムアミド200mlで5回洗浄した
。次に、2回水で洗浄した後、減圧乾燥して下記式(i
ii) で表されるトリスアゾ系化合物2.01g(収
率73.5%)を得た。
0.002モル)と下記式(ii)で表されるカップラ
ー1.59g(0.006モル)とをN,N−ジメチル
ホルムアミド150ml中に溶解し、これに酢酸ソーダ
0.54g(0.0066モル)を水7.5mlに溶解
した液を17〜22℃に保ったまま5分間かけて滴下し
た。さらに3時間攪拌後、生成した沈澱物を濾過し、N
,N−ジメチルホルムアミド200mlで5回洗浄した
。次に、2回水で洗浄した後、減圧乾燥して下記式(i
ii) で表されるトリスアゾ系化合物2.01g(収
率73.5%)を得た。
【0049】
【化13】
【0050】得られたアゾ系化合物の元素分析結果を以
下に記す。C88H59N9 O8 として計算値(%
): C77.12 H4.34 N9.20実測
値(%): C76.95 H4.32 N9.1
0実施例2〜7 適当な出発原料を用いて、実施例1と同様にしてトリス
アゾ系化合物を合成した。得られた各トリスアゾ系化合
物における基本骨格の構造(1a)と、これに結合した
カップラー残基(A1)〜(A7)との組み合わせを、
前記実施例1の組み合わせと共に、それぞれの式番号で
表2および表3に示す。 実施例8 (上記式(1b)のテトラキスアゾ系化合物において基
A が上記式(A1) である化合物の合成)実施例1
における式(i) で表されるトリアミン系化合物に代
えて、式(iv)で表されるアミン系化合物を用いたほ
かは実施例1と同様にして標記テトラアゾ系化合物を得
た。
下に記す。C88H59N9 O8 として計算値(%
): C77.12 H4.34 N9.20実測
値(%): C76.95 H4.32 N9.1
0実施例2〜7 適当な出発原料を用いて、実施例1と同様にしてトリス
アゾ系化合物を合成した。得られた各トリスアゾ系化合
物における基本骨格の構造(1a)と、これに結合した
カップラー残基(A1)〜(A7)との組み合わせを、
前記実施例1の組み合わせと共に、それぞれの式番号で
表2および表3に示す。 実施例8 (上記式(1b)のテトラキスアゾ系化合物において基
A が上記式(A1) である化合物の合成)実施例1
における式(i) で表されるトリアミン系化合物に代
えて、式(iv)で表されるアミン系化合物を用いたほ
かは実施例1と同様にして標記テトラアゾ系化合物を得
た。
【0051】
【化14】
【0052】得られたアゾ系化合物の元素分析結果を以
下に記す。C104 H68N12O10として計算値
(%): C75.9 H4.16 N10.2
1実測値(%): C75.86 H4.13 N
10.34実施例9〜14 適当な出発原料を用いて、実施例8と同様にしてテトラ
アゾ系化合物を合成した。得られた各アゾ系化合物にお
ける基本骨格の構造(1b)と、これに結合したカップ
ラー残基(A1)〜(A7)との組み合わせを、前記実
施例8の組み合わせと共に、それぞれの式番号で表2お
よび表3に示す。
下に記す。C104 H68N12O10として計算値
(%): C75.9 H4.16 N10.2
1実測値(%): C75.86 H4.13 N
10.34実施例9〜14 適当な出発原料を用いて、実施例8と同様にしてテトラ
アゾ系化合物を合成した。得られた各アゾ系化合物にお
ける基本骨格の構造(1b)と、これに結合したカップ
ラー残基(A1)〜(A7)との組み合わせを、前記実
施例8の組み合わせと共に、それぞれの式番号で表2お
よび表3に示す。
【0053】各化合物の元素分析値を表1に示す。
【0054】
【表1】
【0055】〔電子写真感光体の調製〕実施例15〜2
8 (単層型感光体の調製)電荷発生材料として上記実施例
1〜14で得た各アゾ系化合物5重量部、電荷輸送材料
として3,3′−ジメチル−N,N,N′,N′−テト
ラキス−4−メチルフェニル−(1,1′−ビフェニル
)−4,4′−ジアミン100重量部、結着樹脂として
ポリカーボネート樹脂100重量部および所定量のベン
ゼンを超音波分散器にて混合分散し、単層型感光層用塗
布液を調製した。この塗布液をアルミニウム素管上に塗
布した後、暗所にて100℃で20分間加熱乾燥させて
、厚み20μmの単層型感光層を有するドラム型の電子
写真感光体を作成した。 実施例29〜42(積層型感光体の調製)結着樹脂とし
てポリビニルブチラール100重量部と、電荷発生材料
として上記実施例1〜14で得た各アゾ系化合物100
重量部と、所定量のジクロロメタンとをボールミルに仕
込み、24時間攪拌混合して電荷発生層用塗布液を調製
し、この塗布液をアルミニウム素管上に浸漬法によって
塗布し、60℃で20分間熱風乾燥して硬化させること
により膜厚0.5μmの電荷発生層を形成した。
8 (単層型感光体の調製)電荷発生材料として上記実施例
1〜14で得た各アゾ系化合物5重量部、電荷輸送材料
として3,3′−ジメチル−N,N,N′,N′−テト
ラキス−4−メチルフェニル−(1,1′−ビフェニル
)−4,4′−ジアミン100重量部、結着樹脂として
ポリカーボネート樹脂100重量部および所定量のベン
ゼンを超音波分散器にて混合分散し、単層型感光層用塗
布液を調製した。この塗布液をアルミニウム素管上に塗
布した後、暗所にて100℃で20分間加熱乾燥させて
、厚み20μmの単層型感光層を有するドラム型の電子
写真感光体を作成した。 実施例29〜42(積層型感光体の調製)結着樹脂とし
てポリビニルブチラール100重量部と、電荷発生材料
として上記実施例1〜14で得た各アゾ系化合物100
重量部と、所定量のジクロロメタンとをボールミルに仕
込み、24時間攪拌混合して電荷発生層用塗布液を調製
し、この塗布液をアルミニウム素管上に浸漬法によって
塗布し、60℃で20分間熱風乾燥して硬化させること
により膜厚0.5μmの電荷発生層を形成した。
【0056】次いで、結着樹脂としてポリカーボネート
樹脂100重量部と、電荷輸送材料として3,3′−ジ
メチル−N,N,N′,N′−テトラキス−4−メチル
フェニル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−ジアミ
ン100重量部と、所定量のベンゼンとをホモミキサで
攪拌混合して電荷輸送層用塗布液を調製した。この塗布
液を上記電荷発生層の表面に浸漬法により塗布し、90
℃で20分間熱風乾燥することにより膜厚約20μmの
電荷輸送層を形成して、積層型電子写真感光体を作成し
た。 比較例 電荷発生材料として、特開昭57−195767号公報
に開示の下記一般式で示される化合物を用いた以外は上
記と同様にして単層型及び積層型の感光体をそれぞれ作
成した。
樹脂100重量部と、電荷輸送材料として3,3′−ジ
メチル−N,N,N′,N′−テトラキス−4−メチル
フェニル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−ジアミ
ン100重量部と、所定量のベンゼンとをホモミキサで
攪拌混合して電荷輸送層用塗布液を調製した。この塗布
液を上記電荷発生層の表面に浸漬法により塗布し、90
℃で20分間熱風乾燥することにより膜厚約20μmの
電荷輸送層を形成して、積層型電子写真感光体を作成し
た。 比較例 電荷発生材料として、特開昭57−195767号公報
に開示の下記一般式で示される化合物を用いた以外は上
記と同様にして単層型及び積層型の感光体をそれぞれ作
成した。
【0057】
【化15】
【0058】電子写真感光体の評価
(初期表面電位Vspの測定)上記各電子写真感光体を
、静電複写試験装置(ジェンテック社製、ジェンテック
シンシア 30M)に装填し、その表面を正または負
に帯電させて各感光体の表面電位Vsp(V)を測定し
た。
、静電複写試験装置(ジェンテック社製、ジェンテック
シンシア 30M)に装填し、その表面を正または負
に帯電させて各感光体の表面電位Vsp(V)を測定し
た。
【0059】(半減露光量E1/2 および残留電位V
rpの測定)上記帯電状態の各電子写真感光体を、上記
静電複写試験装置の露光光源であるハロゲン光を700
〜800nmのバンドパスフィルターに通した光で露光
させ、表面電位Vsp(V)が1/2となるまでの時間
を求めて、半減露光量E1/2 (lux・sec)を
算出した。
rpの測定)上記帯電状態の各電子写真感光体を、上記
静電複写試験装置の露光光源であるハロゲン光を700
〜800nmのバンドパスフィルターに通した光で露光
させ、表面電位Vsp(V)が1/2となるまでの時間
を求めて、半減露光量E1/2 (lux・sec)を
算出した。
【0060】また、上記露光開始から0.15秒を経過
した後の表面電位を残留電位Vrp(V)とした。上記
実施例1〜14で得られた電荷発生材料を用いた各感光
体(実施例15〜42)及び比較例の電子写真特性の測
定結果を表2および表3にそれぞれ示す。
した後の表面電位を残留電位Vrp(V)とした。上記
実施例1〜14で得られた電荷発生材料を用いた各感光
体(実施例15〜42)及び比較例の電子写真特性の測
定結果を表2および表3にそれぞれ示す。
【0061】
【表2】
【0062】
【表3】
【0063】これらの表に示すように、本発明のアゾ系
化合物を電荷発生材料として用いた感光体は単層型およ
び積層型のいずれの場合でも、残留電位Vrpが比較例
よりも小さく、光に対する安定性に優れていることが判
る。また、半減露光量E1/2 も少なく、安定した感
度を有している。さらに、繰返し特性にも優れている。
化合物を電荷発生材料として用いた感光体は単層型およ
び積層型のいずれの場合でも、残留電位Vrpが比較例
よりも小さく、光に対する安定性に優れていることが判
る。また、半減露光量E1/2 も少なく、安定した感
度を有している。さらに、繰返し特性にも優れている。
【0064】
【発明の効果】以上のように、本発明のアゾ系化合物は
、近赤外光領域において高感度であり、かつ光安定性に
優れている。このアゾ系化合物を用いることにより、近
赤外領域で使用されるレーザープリンタ等に使用するの
に好適な感光体を得ることができる。
、近赤外光領域において高感度であり、かつ光安定性に
優れている。このアゾ系化合物を用いることにより、近
赤外領域で使用されるレーザープリンタ等に使用するの
に好適な感光体を得ることができる。
Claims (2)
- 【請求項1】一般式(I) : 【化1】 [式中、Aはカップラー残基を示す。X1 、X2 お
よびX3 は芳香族性を有する2価の有機残基を示し、
l、mおよびnは0または1である。R1 は、基:【
化2】 (式中、Aは前記と同じ、X4 は芳香族性を有する2
価の有機残基を示し、pは0または1である)、水素原
子、アルキル基、アリール基または芳香族性複素環基を
示し、アルキル基、アリール基および芳香族性複素環基
は置換基を有していてもよい。Zは酸素原子または硫黄
原子を示す。]で表されるアゾ系化合物。 - 【請求項2】導電性基材上に、下記一般式(I)で表さ
れるアゾ系化合物を含む感光層を設けたこと特徴とする
感光体。 【化3】 [式中、Aはカップラー残基を示す。X1 、X2 お
よびX3 は芳香族性を有する2価の有機残基を示し、
l、mおよびnは0または1である。R1 は、基:【
化4】 (式中、Aは前記と同じ、X4 は芳香族性を有する2
価の有機残基を示し、pは0または1である)、水素原
子、アルキル基、アリール基または芳香族性複素環基を
示し、アルキル基、アリール基および芳香族性複素環基
は置換基を有していてもよい。Zは酸素原子または硫黄
原子を示す。]
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9778991A JPH04328169A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | アゾ系化合物とそれを用いた感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9778991A JPH04328169A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | アゾ系化合物とそれを用いた感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04328169A true JPH04328169A (ja) | 1992-11-17 |
Family
ID=14201580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9778991A Pending JPH04328169A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | アゾ系化合物とそれを用いた感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04328169A (ja) |
-
1991
- 1991-04-30 JP JP9778991A patent/JPH04328169A/ja active Pending
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