JPH0432844A - 位相シフトレティクルの製造方法 - Google Patents
位相シフトレティクルの製造方法Info
- Publication number
- JPH0432844A JPH0432844A JP2138185A JP13818590A JPH0432844A JP H0432844 A JPH0432844 A JP H0432844A JP 2138185 A JP2138185 A JP 2138185A JP 13818590 A JP13818590 A JP 13818590A JP H0432844 A JPH0432844 A JP H0432844A
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- JP
- Japan
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- light
- phase shift
- pattern
- film
- glass substrate
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- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、位相シフトレティクル（位相シフトマスクを
含む）の製造方法に関し、特に、位相シフト材の膜の密
着性を向上させることのできる位相シフトレティクルの
製造方法に適用して有効な技術に関する。
含む）の製造方法に関し、特に、位相シフト材の膜の密
着性を向上させることのできる位相シフトレティクルの
製造方法に適用して有効な技術に関する。
従来、この種の位相ンフトレティクルとしては、たとえ
ば、特公昭６２−５０８１１号公報に開示されたものが
ある。
ば、特公昭６２−５０８１１号公報に開示されたものが
ある。
すなわち、この位相ソフトレティクルは、ガラス基板上
に遮光パターンおよび光透過パターンを形成し、相対す
る光透過パターンの一方に位相シフトパターンを露光・
現像により形成し、これにより隣接パターンの透過光の
位相を反転させ、０３μｍ技術における解像度および焦
点深度の向上を図ったものである。
に遮光パターンおよび光透過パターンを形成し、相対す
る光透過パターンの一方に位相シフトパターンを露光・
現像により形成し、これにより隣接パターンの透過光の
位相を反転させ、０３μｍ技術における解像度および焦
点深度の向上を図ったものである。
このような位相シフトレティクルの製造工程においては
、ガラス基板上の遮光パターンおよび光透過パターンに
位相シフト材の膜を塗布する工程が必要不可欠となって
いる。
、ガラス基板上の遮光パターンおよび光透過パターンに
位相シフト材の膜を塗布する工程が必要不可欠となって
いる。
しかし、未処理の状態でガラス基板上の遮光パターンお
よび光透過パターンに位相シフト材の膜を塗布すると、
光透過パターン部分のガラス基板および遮光パターンの
いずれにおいても、位相シフト材の膜の密着不良をきた
し、そのため現像処理工程などの後処理工程で位相シフ
ト材の膜が脱落して品質が低下してしまうという問題が
あった。
よび光透過パターンに位相シフト材の膜を塗布すると、
光透過パターン部分のガラス基板および遮光パターンの
いずれにおいても、位相シフト材の膜の密着不良をきた
し、そのため現像処理工程などの後処理工程で位相シフ
ト材の膜が脱落して品質が低下してしまうという問題が
あった。
そこで、この問題点に対処するために、光透過パターン
部分のガラス基板と位相シフト材の腹との密着性を考慮
したときは、位相シフト材の膜の塗布前にガラス基板に
ＨＭＤＳ、すなわちヘキサメチルジシラザン（ｈｅｘａ
ｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ ）ペーパ処理を施
すことが考えられる。
部分のガラス基板と位相シフト材の腹との密着性を考慮
したときは、位相シフト材の膜の塗布前にガラス基板に
ＨＭＤＳ、すなわちヘキサメチルジシラザン（ｈｅｘａ
ｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ ）ペーパ処理を施
すことが考えられる。
ところが、前記した位相シフト材の膜の塗布前における
ガラス基板へのＨＭＤＳペーパ処理では、光透過パター
ン部分のガラス基板の表面が疎水性となるため、光透過
パターン部分のガラス基板上に位置する位相シフト材の
膜の密着性は向上するものの、遮光パターン上に位置す
る位相シフト材の膜は依然として脱落するおそれがあり
、そのため密着性が低下し、品質が低下してしまうとい
う問題があった。
ガラス基板へのＨＭＤＳペーパ処理では、光透過パター
ン部分のガラス基板の表面が疎水性となるため、光透過
パターン部分のガラス基板上に位置する位相シフト材の
膜の密着性は向上するものの、遮光パターン上に位置す
る位相シフト材の膜は依然として脱落するおそれがあり
、そのため密着性が低下し、品質が低下してしまうとい
う問題があった。
本発明は、前記問題点に着目してなされたもので、その
目的は、光透過パターン部分のガラス基板および遮光パ
ターンの両表面に位置する何れの位相シフト材の膜の脱
落をも防止し、密着性および品質を向上させることので
きる位相シフトレティクルの製造方法を提供することに
ある。
目的は、光透過パターン部分のガラス基板および遮光パ
ターンの両表面に位置する何れの位相シフト材の膜の脱
落をも防止し、密着性および品質を向上させることので
きる位相シフトレティクルの製造方法を提供することに
ある。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
本発明の位相ンフトレティクルの製造方法は、ガラス基
板上に遮光パターンおよび光透過パターンを形成する工
程と、前記遮光パターンにプラズマアッシャ処理を行う
工程と、プラズマアッシャ処理済の遮光パターンおよび
光透過パターン部分のガラス基板に位相ソフト材の膜を
塗布する工程と、塗布済の位相ソフト材の膜上からＨＭ
ＤＳペーパ処理を行ってＨＭＤＳを光透過パターン部分
のガラス基板表面に浸透させる工程と、相対する光透過
パターンの少なくとも一方に位相シフトパターンを露光
・現像により形成する工程とからなる構成としたもので
ある。
板上に遮光パターンおよび光透過パターンを形成する工
程と、前記遮光パターンにプラズマアッシャ処理を行う
工程と、プラズマアッシャ処理済の遮光パターンおよび
光透過パターン部分のガラス基板に位相ソフト材の膜を
塗布する工程と、塗布済の位相ソフト材の膜上からＨＭ
ＤＳペーパ処理を行ってＨＭＤＳを光透過パターン部分
のガラス基板表面に浸透させる工程と、相対する光透過
パターンの少なくとも一方に位相シフトパターンを露光
・現像により形成する工程とからなる構成としたもので
ある。
位相ンフトレティクルの製造に際し、ガラス基板上の遮
光パターンにプラズマアッシャ処理を行うと、遮光パタ
ーンの表面に付着した異物が除去されて表面が浄化され
るだけでなく、表面が分子レベルで整列されて均一化が
図れる。したがって現像処理工程などの後処理工程にお
いて、遮光パターン上に位置する位相シフト材の膜の脱
落を防止し、密着性を向上させることができる。
光パターンにプラズマアッシャ処理を行うと、遮光パタ
ーンの表面に付着した異物が除去されて表面が浄化され
るだけでなく、表面が分子レベルで整列されて均一化が
図れる。したがって現像処理工程などの後処理工程にお
いて、遮光パターン上に位置する位相シフト材の膜の脱
落を防止し、密着性を向上させることができる。
また、塗布済の位相シフト材の膜上からＨＭＤＳペーパ
処理を行ってＨＭＤＳを光透過パターン部分のガラス基
板表面に浸透させると、ガラス基板の表面は、親水性か
ら疎水性に変わって位相シフト材と同一の性質を有する
ようになる。したがって現像処理工程などの後処理工程
において、光透過パターン部分のガラス基板上に位置す
る位相シフト材の膜の脱落を防止し、密着性を向上させ
ることができる。
処理を行ってＨＭＤＳを光透過パターン部分のガラス基
板表面に浸透させると、ガラス基板の表面は、親水性か
ら疎水性に変わって位相シフト材と同一の性質を有する
ようになる。したがって現像処理工程などの後処理工程
において、光透過パターン部分のガラス基板上に位置す
る位相シフト材の膜の脱落を防止し、密着性を向上させ
ることができる。
その結果、前記したように、光透過パターン部分のガラ
ス基板および遮光パターン上に位置する何れの位相ソフ
ト材の膜の密着性をも向上させることができるので、相
対する光透過パターンの少なくとも一方に位相シフトパ
ターンを確実に形成し、品質を向上させることができる
。
ス基板および遮光パターン上に位置する何れの位相ソフ
ト材の膜の密着性をも向上させることができるので、相
対する光透過パターンの少なくとも一方に位相シフトパ
ターンを確実に形成し、品質を向上させることができる
。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から胡らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から胡らかになるであろう
。
次に、本発明の一実施例である位相ソフトレティクルの
製造方法を第１図の工程図により説明する。
製造方法を第１図の工程図により説明する。
本実施例における位相／フトレティクルは、以下の処理
工程を経て製造する。
工程を経て製造する。
（前処理工程）
ガラス基板の表面にクロム金属膜を蒸着したものを使用
し、これを洗浄した後、クロム金属膜の表面にレジスト
膜を塗布する。
し、これを洗浄した後、クロム金属膜の表面にレジスト
膜を塗布する。
次いで、紫外線あるいは電子ビームの投射により、露光
し、露光部分を現像する。そして露光部分を除くクロム
金属膜をエツチングし、最後に露光部分のレジスト膜を
除去し洗浄する。
し、露光部分を現像する。そして露光部分を除くクロム
金属膜をエツチングし、最後に露光部分のレジスト膜を
除去し洗浄する。
これにより、ガラス基板上にクロム金属膜からなる遮光
パターンを形成するとともに、互いに隣接する遮光パタ
ーン間に光透過パターンを形成することができる。
パターンを形成するとともに、互いに隣接する遮光パタ
ーン間に光透過パターンを形成することができる。
（処理工程Ｆｌ）
前記ガラス基板１上の遮光パターン２ａおよび光透過パ
ターン２ｂにプラズマアッシャ処理３を行う。ここでは
プラズマとしては、たとえばマイクロ波により発生する
ものを使用する。
ターン２ｂにプラズマアッシャ処理３を行う。ここでは
プラズマとしては、たとえばマイクロ波により発生する
ものを使用する。
その結果、前処理工程の洗浄により除去しきれず、付着
している異物としての有機物が除去されるので、遮光パ
ターン２ａの表面が浄化される。
している異物としての有機物が除去されるので、遮光パ
ターン２ａの表面が浄化される。
また、これに加えて、遮光パターン２ａの表面が分子レ
ベルで整列されて均一化が図れる。
ベルで整列されて均一化が図れる。
したがって、遮光パターン２ａの表面に存在する異物の
除去および表面の整列均一化により、現像処理工程など
の後処理工程において、遮光パターン２ａ上に位置する
位相シフト材の膜４の脱落を防止し、密着性を向上させ
ることができる。
除去および表面の整列均一化により、現像処理工程など
の後処理工程において、遮光パターン２ａ上に位置する
位相シフト材の膜４の脱落を防止し、密着性を向上させ
ることができる。
（処理工程Ｆ２）
プラズマアッシャ処理３済のガラス基板１上の遮光パタ
ーン２ａおよび光透過パターン２ｂに位相シフト材の膜
４を塗布する。ここでは位相シフト材の膜４としては、
たとえば透明性を有するレジスト液の膜、あるいは５１
０２液、ＳｉＮ４液。
ーン２ａおよび光透過パターン２ｂに位相シフト材の膜
４を塗布する。ここでは位相シフト材の膜４としては、
たとえば透明性を有するレジスト液の膜、あるいは５１
０２液、ＳｉＮ４液。
などの膜がある。
（処理工程Ｆ３）
光透過パターン２ｂ部分のガラス基板１および遮光パタ
ーン２ａ上に塗布された位相シフト材の膜４上からＨＭ
ＤＳペーパ処理５を行い、ＨＭＤＳを光透過パターン２
ｂ部分のガラス基板１上に浸透させる。
ーン２ａ上に塗布された位相シフト材の膜４上からＨＭ
ＤＳペーパ処理５を行い、ＨＭＤＳを光透過パターン２
ｂ部分のガラス基板１上に浸透させる。
その結果、ガラス基板１の表面に存在するシラノール基
をＨＭＤＳで置換させることにより、表面を親水性から
疎水性に変えることができる。
をＨＭＤＳで置換させることにより、表面を親水性から
疎水性に変えることができる。
ぞのため、ガラス基板１の表面は、疎水性となって位相
ソフト材の膜４と同一の件質を有するようになる。
ソフト材の膜４と同一の件質を有するようになる。
したがって、光透過パターン２ｂ部分のガラス基板１上
に位置する位相シフト材の膜４の脱落を防止し、密着性
を向上させることができる。
に位置する位相シフト材の膜４の脱落を防止し、密着性
を向上させることができる。
（後処理工程）
前記位相シフト材の膜４を露光・現像することにより相
対する光透過パターン２ａの一方に位相シフトパターン
を形成する。これにより０．３μｍ技術における解像度
および焦点深度の向上可能な位相シフトレティクルの製
造を終了する。
対する光透過パターン２ａの一方に位相シフトパターン
を形成する。これにより０．３μｍ技術における解像度
および焦点深度の向上可能な位相シフトレティクルの製
造を終了する。
前記処理工程Ｆ１およびＦ３で説明したように、光透過
パターン２ｂ部分のガラス基板１および遮光パターン２
ａ上に位置するいずれの位相ソフト材の膜４の密着性を
も向上させることができる。
パターン２ｂ部分のガラス基板１および遮光パターン２
ａ上に位置するいずれの位相ソフト材の膜４の密着性を
も向上させることができる。
したがって相対する光透過パターン２ｂの一方に位相シ
フトパターンを確実に形成し、品質を向上させることが
できる。
フトパターンを確実に形成し、品質を向上させることが
できる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、前記実施例では、相対する光透過パターンの
一方に位相シフトパターンを形成した場合について説明
したが、これに限らず、相対する光透過パターンの両方
に膜厚の異なる位相シフトパターンを形成することもで
きる。
一方に位相シフトパターンを形成した場合について説明
したが、これに限らず、相対する光透過パターンの両方
に膜厚の異なる位相シフトパターンを形成することもで
きる。
また、前記実施例では、位相シフト材の塗布前にプラズ
マアッシャ処理を行い、位相シフト材の膜の塗布後にＨ
ＭＤＳペーパ処理を行う場合について説明したが、これ
に限らず、位相シフト材の膜の塗布前にプラズマアッシ
ャ処理およびＨＭＤＳペーパ処理を行い、あるいは位相
シフト材の塗布の前後にそれぞれ処理時間を異にしてＨ
ＭＤ Ｓペーパ処理を行い、またはプラズマアッシャ処
理前に酸洗浄およびアルカリ洗浄の処理を行うこともで
きる。
マアッシャ処理を行い、位相シフト材の膜の塗布後にＨ
ＭＤＳペーパ処理を行う場合について説明したが、これ
に限らず、位相シフト材の膜の塗布前にプラズマアッシ
ャ処理およびＨＭＤＳペーパ処理を行い、あるいは位相
シフト材の塗布の前後にそれぞれ処理時間を異にしてＨ
ＭＤ Ｓペーパ処理を行い、またはプラズマアッシャ処
理前に酸洗浄およびアルカリ洗浄の処理を行うこともで
きる。
以上の説明では、主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野である位相シフトレティ
クルの製造方法に適用した場合について説明したが、こ
れに限らず、位相シフトマスクの製造方法についても広
く適用できる。
明をその背景となった利用分野である位相シフトレティ
クルの製造方法に適用した場合について説明したが、こ
れに限らず、位相シフトマスクの製造方法についても広
く適用できる。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりで
ある。
って得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりで
ある。
（１）９位相シフトレティクルの製造に際し、ガラス基
板上の遮光パターンにプラズマアッシャ処理を行うと、
遮光パターンの表面に付着した異物が除去されて表面が
浄化されるだけでなく、表面が分子レベルで整列されて
均一化が図れる。したがって現像処理工程などの後処理
工程において、遮光パターン上に位置する位相シフト材
の膜の脱落を防止し、密着性を向上させることができる
。
板上の遮光パターンにプラズマアッシャ処理を行うと、
遮光パターンの表面に付着した異物が除去されて表面が
浄化されるだけでなく、表面が分子レベルで整列されて
均一化が図れる。したがって現像処理工程などの後処理
工程において、遮光パターン上に位置する位相シフト材
の膜の脱落を防止し、密着性を向上させることができる
。
（２）、また、塗布済の位相シフト材の膜上からＨＭＤ
Ｓペーパ処理を行ってＨＭＤＳを光透過パターン部分の
ガラス基板表面に浸透させると、ガラス基板の表面は、
親水性から疎水性に変わって位相シフト材と同一の性質
を有するようになる。したかって現像処理工程などの後
処理工程において、光透過パターン部分のガラス基板上
に位置する位相シフト材の膜の脱落を防止し、密着性を
向上させることができる。
Ｓペーパ処理を行ってＨＭＤＳを光透過パターン部分の
ガラス基板表面に浸透させると、ガラス基板の表面は、
親水性から疎水性に変わって位相シフト材と同一の性質
を有するようになる。したかって現像処理工程などの後
処理工程において、光透過パターン部分のガラス基板上
に位置する位相シフト材の膜の脱落を防止し、密着性を
向上させることができる。
〔３）、その結果、前Ｅ （１） 、（２）のように、
光透過パターン部分のガラス基板および遮光パターン上
に位置する何れの位相シフト材の腹の密着性をも向上さ
せることができるので、相対する光透過パターンの少な
くとも一方に位相シフトパターンを確実に形成し、品質
を向上させることができる。
光透過パターン部分のガラス基板および遮光パターン上
に位置する何れの位相シフト材の腹の密着性をも向上さ
せることができるので、相対する光透過パターンの少な
くとも一方に位相シフトパターンを確実に形成し、品質
を向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例である位相シフトレティクル
の製造方法を示す工程図である。 １・・・ガラス基板、２ａ・・遮光パターン、２ｂ・・
光透過パターン、３・・・プラズマアッシャ処理、４・
・・位相シフト材の膜、５・・・ＨＭＤＳペーパ処理。 代 理 人 弁理士 小 川 勝馬７Ｎ 第１ト （Ｆ２） （Ｆ３） す
の製造方法を示す工程図である。 １・・・ガラス基板、２ａ・・遮光パターン、２ｂ・・
光透過パターン、３・・・プラズマアッシャ処理、４・
・・位相シフト材の膜、５・・・ＨＭＤＳペーパ処理。 代 理 人 弁理士 小 川 勝馬７Ｎ 第１ト （Ｆ２） （Ｆ３） す
Claims (1)
- １、ガラス基板上に遮光パターンおよび光透過パターン
を形成する工程と、前記遮光パターンにプラズマアッシ
ャ処理を行う工程と、プラズマアッシャ処理済の遮光パ
ターンおよび光透過パターン部分のガラス基板に位相シ
フト材の膜を塗布する工程と、塗布済の位相シフト材の
膜上からＨＭＤＳペーパ処理を行ってＨＭＤＳを光透過
パターン部分のガラス基板表面に浸透させる工程と、相
対する光透過パターンの少なくとも一方に位相シフトパ
ターンを露光・現像により形成する工程とからなること
を特徴とする位相シフトレティクルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2138185A JPH0432844A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 位相シフトレティクルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2138185A JPH0432844A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 位相シフトレティクルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432844A true JPH0432844A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15216053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2138185A Pending JPH0432844A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 位相シフトレティクルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0432844A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006218591A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Seiko Instruments Inc | インデックス装置、クランプ機構および工作機械 |
| JP2007125640A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Tsudakoma Corp | 工作機械用の回転テーブル割出し装置 |
-
1990
- 1990-05-30 JP JP2138185A patent/JPH0432844A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006218591A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Seiko Instruments Inc | インデックス装置、クランプ機構および工作機械 |
| JP2007125640A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Tsudakoma Corp | 工作機械用の回転テーブル割出し装置 |
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