JPH04329891A - 錫めっき銅合金材およびその製造方法 - Google Patents
錫めっき銅合金材およびその製造方法Info
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- JPH04329891A JPH04329891A JP12673191A JP12673191A JPH04329891A JP H04329891 A JPH04329891 A JP H04329891A JP 12673191 A JP12673191 A JP 12673191A JP 12673191 A JP12673191 A JP 12673191A JP H04329891 A JPH04329891 A JP H04329891A
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Landscapes
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、錫めっき銅合金材およ
びその製造方法に係り、より詳細には、例えば、端子・
コネクター等の電子材料部品に好適に用いられる半田付
け性に優れた錫めっき銅合金材およびその製造方法に関
する。
びその製造方法に係り、より詳細には、例えば、端子・
コネクター等の電子材料部品に好適に用いられる半田付
け性に優れた錫めっき銅合金材およびその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】錫めっき銅合金材は、端子・コネクター
をはじめ様々な電子部品に用いられている。錫めっきを
施す目的は、耐食性、良好な半田付け性を付与するため
である。また、接点材では、接触抵抗値を低く安定に保
つ目的をも持っている。
をはじめ様々な電子部品に用いられている。錫めっきを
施す目的は、耐食性、良好な半田付け性を付与するため
である。また、接点材では、接触抵抗値を低く安定に保
つ目的をも持っている。
【０００３】従来、これらの錫めっき銅合金材の多くは
、銅合金材上に直接錫めっきを施すか、あるいは銅合金
材と錫めっきの間に銅下地めっきを施して製造されてい
た。Ｚｎを含む黄銅では、銅下地めっきが施されるが、
これは、Ｚｎが錫めっき中を短時間に粒界拡散し、錫め
っき層の表面に濃縮して半田付け性を劣化させることを
防ぐためである。
、銅合金材上に直接錫めっきを施すか、あるいは銅合金
材と錫めっきの間に銅下地めっきを施して製造されてい
た。Ｚｎを含む黄銅では、銅下地めっきが施されるが、
これは、Ｚｎが錫めっき中を短時間に粒界拡散し、錫め
っき層の表面に濃縮して半田付け性を劣化させることを
防ぐためである。
【０００４】しかし、銅下地めっき上に直接、錫めっき
を施すと、室温付近の温度においても、錫と銅が反応拡
散して、金属間化合物Ｃｕ６Ｓｎ５からなるη層ができ
る。また、約８０℃以上の環境に置かれると金属間化合
物Ｃｕ３Ｓｎからなるε層も成長する。これらの拡散は
非常に速く、１００〜２００℃で数時間から数十時間で
１〜２μｍ拡散する。
を施すと、室温付近の温度においても、錫と銅が反応拡
散して、金属間化合物Ｃｕ６Ｓｎ５からなるη層ができ
る。また、約８０℃以上の環境に置かれると金属間化合
物Ｃｕ３Ｓｎからなるε層も成長する。これらの拡散は
非常に速く、１００〜２００℃で数時間から数十時間で
１〜２μｍ拡散する。
【０００５】これら金属間化合物は錫めっき材の特性に
悪影響を及ぼす。例えば、錫めっきとＣｕが反応拡散し
て脆いε層を厚く形成すると、曲げ加工時のめっき層の
剥離の原因となる。また、錫めっき層全体が金属間化合
物となり、純錫層がなくなると、半田付けが不可能にな
ったり、錫めっき層の表面にＣｕが拡散して銅の酸化物
をつくり、接触抵抗値が高くなったりする。
悪影響を及ぼす。例えば、錫めっきとＣｕが反応拡散し
て脆いε層を厚く形成すると、曲げ加工時のめっき層の
剥離の原因となる。また、錫めっき層全体が金属間化合
物となり、純錫層がなくなると、半田付けが不可能にな
ったり、錫めっき層の表面にＣｕが拡散して銅の酸化物
をつくり、接触抵抗値が高くなったりする。
【０００６】最近の、電気・電子部品の小型化、薄肉化
、および表面実装化の導入による半田付け方法の変化に
よって、部品の受ける熱影響はさらに厳しいものになっ
ている。そこで、従来の錫めっき銅合金材は、良好な半
田付け性や低く安定な接触抵抗値を満足できない場合が
発生するようになった。
、および表面実装化の導入による半田付け方法の変化に
よって、部品の受ける熱影響はさらに厳しいものになっ
ている。そこで、従来の錫めっき銅合金材は、良好な半
田付け性や低く安定な接触抵抗値を満足できない場合が
発生するようになった。
【０００７】これを避けるための１つの対策として、錫
めっきを厚く施し、拡散の時間をかせぐ方法があるが、
錫めっき材のコストを高くするという問題がある。また
、錫めっきが厚いとスタンピングの際に端面に錫のバリ
（スタンピングのカス）が多く発生し、金型の寿命を短
くする問題があった。
めっきを厚く施し、拡散の時間をかせぐ方法があるが、
錫めっき材のコストを高くするという問題がある。また
、錫めっきが厚いとスタンピングの際に端面に錫のバリ
（スタンピングのカス）が多く発生し、金型の寿命を短
くする問題があった。
【０００８】そこで、従来通りの薄い錫めっき層で、熱
影響に対して半田付け性および接触抵抗値の変化が小さ
い錫めっき銅合金材が望まれていた。
影響に対して半田付け性および接触抵抗値の変化が小さ
い錫めっき銅合金材が望まれていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、熱影響後の
半田付け性に優れる錫めっき銅合金材およびその製造方
法を提供することを目的とする。
半田付け性に優れる錫めっき銅合金材およびその製造方
法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の第１の要旨は、表面に、銅下地めっき層、厚
さが０．１〜０．４μｍの溶融して形成されたＮｉ３Ｓ
ｎ金属間化合物からなる中間層、錫めっき層が順次形成
されていることを特徴とする錫めっき銅合金材に存在す
る。
の本発明の第１の要旨は、表面に、銅下地めっき層、厚
さが０．１〜０．４μｍの溶融して形成されたＮｉ３Ｓ
ｎ金属間化合物からなる中間層、錫めっき層が順次形成
されていることを特徴とする錫めっき銅合金材に存在す
る。
【００１１】本発明の第２の要旨は、銅合金材の表面に
、銅下地めっき層、次いで厚さが０．０８〜０．３μｍ
のＮｉ中間めっき層を施し、さらにその上に錫めっき層
を施した後、該錫めっき層を溶融（リフロー）させるこ
とによって、銅下地めっき層と錫めっき層との中間に０
．１〜０．４μｍのＮｉ３Ｓｎ金属間化合物からなる中
間層を設けることを特徴とする錫めっき銅合金材の製造
方法に存在する。
、銅下地めっき層、次いで厚さが０．０８〜０．３μｍ
のＮｉ中間めっき層を施し、さらにその上に錫めっき層
を施した後、該錫めっき層を溶融（リフロー）させるこ
とによって、銅下地めっき層と錫めっき層との中間に０
．１〜０．４μｍのＮｉ３Ｓｎ金属間化合物からなる中
間層を設けることを特徴とする錫めっき銅合金材の製造
方法に存在する。
【００１２】本発明の第３の要旨は、銅合金材の表面に
、銅下地めっき層、次いで厚さが０．０８〜０．３μｍ
のＮｉ中間めっき層を施した後、銅合金材を溶融した錫
中に浸漬し、溶融錫めっき層を形成すると同時に、銅合
金材と錫めっき層との中間に厚さが０．１〜０．４μｍ
のＮｉ３Ｓｎ金属間化合物からなる中間層を設けること
を特徴とする錫めっき銅合金材の製造方法に存在する。
、銅下地めっき層、次いで厚さが０．０８〜０．３μｍ
のＮｉ中間めっき層を施した後、銅合金材を溶融した錫
中に浸漬し、溶融錫めっき層を形成すると同時に、銅合
金材と錫めっき層との中間に厚さが０．１〜０．４μｍ
のＮｉ３Ｓｎ金属間化合物からなる中間層を設けること
を特徴とする錫めっき銅合金材の製造方法に存在する。
【００１３】
【作用】発明の作用を本発明の詳細な構成とともに説明
する。
する。
【００１４】本発明では、銅下地めっきと錫めっき層と
の間に厚さが０．１〜０．４μｍのＮｉ３Ｓｎ層を設け
る。このＮｉ３Ｓｎ層が錫めっき層中への銅の拡散を防
ぎ、ひいては錫めっき層が金属間化合物に変化するのを
抑制する。Ｎｉ３Ｓｎ金属間化合物層中のＣｕの拡散速
度が錫めっき層中の拡散速度に比べ、きわめて遅いこと
を知見し、かかる知見に基づきＮｉ３Ｓｎ金属間化合物
を設ける構成としたものである。Ｎｉ３Ｓｎ金属間化合
物層層の存在によって、錫めっき層はＣｕとの金属間化
合物の生成を防ぎ純錫の部分を長期に保存することがで
きる。そして、純錫層を長期に渡って残存させることが
、良好な半田付け性、低い接触抵抗値を長期に保つこと
になるのである。
の間に厚さが０．１〜０．４μｍのＮｉ３Ｓｎ層を設け
る。このＮｉ３Ｓｎ層が錫めっき層中への銅の拡散を防
ぎ、ひいては錫めっき層が金属間化合物に変化するのを
抑制する。Ｎｉ３Ｓｎ金属間化合物層中のＣｕの拡散速
度が錫めっき層中の拡散速度に比べ、きわめて遅いこと
を知見し、かかる知見に基づきＮｉ３Ｓｎ金属間化合物
を設ける構成としたものである。Ｎｉ３Ｓｎ金属間化合
物層層の存在によって、錫めっき層はＣｕとの金属間化
合物の生成を防ぎ純錫の部分を長期に保存することがで
きる。そして、純錫層を長期に渡って残存させることが
、良好な半田付け性、低い接触抵抗値を長期に保つこと
になるのである。
【００１５】以下により詳細に本発明をなすに際して得
た知見とともに作用を明らかにする。
た知見とともに作用を明らかにする。
【００１６】従来、Ｎｉ３Ｓｎ層のような金属間化合物
ができると曲げ加工によってめっき層が金属間化合物の
層と銅合金材の界面から剥離すると言われていた。従っ
て、Ｎｉ３Ｓｎ金属間化合物の生成を極力抑えることが
従来から行われていた。しかし、経時的な拡散によって
できる金属間化合物の場合とは異なり、錫の融点以上で
溶融してできた金属間化合物の場合は、界面に拡散によ
る欠陥も少なく、密着性に優れていることを見い出した
。
ができると曲げ加工によってめっき層が金属間化合物の
層と銅合金材の界面から剥離すると言われていた。従っ
て、Ｎｉ３Ｓｎ金属間化合物の生成を極力抑えることが
従来から行われていた。しかし、経時的な拡散によって
できる金属間化合物の場合とは異なり、錫の融点以上で
溶融してできた金属間化合物の場合は、界面に拡散によ
る欠陥も少なく、密着性に優れていることを見い出した
。
【００１７】ただ、溶融してできた金属間化合物を銅下
地めっき層と錫めっき層との間に介在せしめた場合であ
っても必ずしも密着性に優れない場合もあり、その原因
を鋭意探求したところ、金属間化合物からなる層の厚み
が密着性に影響を与えていることをも突き止めた。
地めっき層と錫めっき層との間に介在せしめた場合であ
っても必ずしも密着性に優れない場合もあり、その原因
を鋭意探求したところ、金属間化合物からなる層の厚み
が密着性に影響を与えていることをも突き止めた。
【００１８】このように、Ｎｉ３Ｓｎの金属間化合物か
らなる層は、それを錫の融点以上の温度で生成し、その
厚さを一定の範囲に制御した場合、めっき剥離の悪影響
を与えずに錫めっき層の合金化を防ぐという特徴をもつ
ことを明らかにした。これによって、熱的にもまた経時
的にも安定した半田付け性を有する錫めっき銅合金材及
びその製造方法を開発するにいたったのである。
らなる層は、それを錫の融点以上の温度で生成し、その
厚さを一定の範囲に制御した場合、めっき剥離の悪影響
を与えずに錫めっき層の合金化を防ぐという特徴をもつ
ことを明らかにした。これによって、熱的にもまた経時
的にも安定した半田付け性を有する錫めっき銅合金材及
びその製造方法を開発するにいたったのである。
【００１９】密着性に優れた金属間化合物とするには、
その厚さを０．１μｍ以上にする。Ｎｉ３Ｓｎ層の厚さ
を０．１μｍとしたのは、銅の錫中への拡散を防ぐには
、０．１μｍ以上のＮｉ３Ｓｎ層が必要だからである。 また、０．４μｍ以下としたのは、それを越えても銅の
拡散防止の効果に大差は無いためである。また、０．４
μｍを越えてＮｉ３Ｓｎ層が成長すると、曲げ加工時に
曲げの応力が大きくなって、Ｎｉ３Ｓｎ層が銅合金の界
面から剥離する。さらに、０．４μｍを越え錫めっき層
が薄いとその層の大部分が合金層になり純錫層が薄くな
り、ひいては半田付け性、接触抵抗性が悪くなる。これ
は、加熱によって錫めっき層中にＮｉが拡散して錫めっ
き表面に達し、ニッケルの酸化物を生成する為であると
推定される。また、金属間化合物層が０．４μｍを越え
た厚さになるとめっき材をスタンピングする際に、ダイ
スの寿命を短くする原因にもなる。よって、Ｎｉ３Ｓｎ
層の厚さは０．１〜０．４μｍとした。
その厚さを０．１μｍ以上にする。Ｎｉ３Ｓｎ層の厚さ
を０．１μｍとしたのは、銅の錫中への拡散を防ぐには
、０．１μｍ以上のＮｉ３Ｓｎ層が必要だからである。 また、０．４μｍ以下としたのは、それを越えても銅の
拡散防止の効果に大差は無いためである。また、０．４
μｍを越えてＮｉ３Ｓｎ層が成長すると、曲げ加工時に
曲げの応力が大きくなって、Ｎｉ３Ｓｎ層が銅合金の界
面から剥離する。さらに、０．４μｍを越え錫めっき層
が薄いとその層の大部分が合金層になり純錫層が薄くな
り、ひいては半田付け性、接触抵抗性が悪くなる。これ
は、加熱によって錫めっき層中にＮｉが拡散して錫めっ
き表面に達し、ニッケルの酸化物を生成する為であると
推定される。また、金属間化合物層が０．４μｍを越え
た厚さになるとめっき材をスタンピングする際に、ダイ
スの寿命を短くする原因にもなる。よって、Ｎｉ３Ｓｎ
層の厚さは０．１〜０．４μｍとした。
【００２０】銅下地錫めっきの厚さは限定しないが、実
際には、０．３〜１．０μｍが好ましい。素材からのＺ
ｎの錫めっき層中への拡散を防ぎ、半田付け性を良好に
保つには、０．３μｍの銅めっき層で十分だからである
。また、銅めっき層の厚さが１μｍ以上厚くても錫めっ
き層中へのＺｎの拡散防止効果に大差がないからである
。
際には、０．３〜１．０μｍが好ましい。素材からのＺ
ｎの錫めっき層中への拡散を防ぎ、半田付け性を良好に
保つには、０．３μｍの銅めっき層で十分だからである
。また、銅めっき層の厚さが１μｍ以上厚くても錫めっ
き層中へのＺｎの拡散防止効果に大差がないからである
。
【００２１】また、銅めっきの厚さは、コストやスタン
ピング時のバリやカスの発生を考慮すると薄い方が望ま
しい。しかし、一方、耐熱剥離性、半田付け性の観点か
らは厚い方が望ましい。詳細は、めっき材の用途に応じ
て決定すればよい。しかし、めっきを行なってから部品
に加工され、機器に実装される際の半田付けを行なうま
での期間をおよそ１年とすると、その期間、良好な半田
付け性を保持するためには、０．３μｍ以上とする事が
好ましい。
ピング時のバリやカスの発生を考慮すると薄い方が望ま
しい。しかし、一方、耐熱剥離性、半田付け性の観点か
らは厚い方が望ましい。詳細は、めっき材の用途に応じ
て決定すればよい。しかし、めっきを行なってから部品
に加工され、機器に実装される際の半田付けを行なうま
での期間をおよそ１年とすると、その期間、良好な半田
付け性を保持するためには、０．３μｍ以上とする事が
好ましい。
【００２２】次に、製造方法について説明する。
【００２３】本発明では、銅合金材の表面にまず銅下地
めっきを施し、この銅下地めっき上にニッケルめっきを
施し、さらに錫めっきを施す。錫めっきを施す方法は、
■銅合金材に電気めっきを施した後にめっき層を溶融処
理するリフローめっき法、■銅合金材を溶解錫の中に浸
漬して錫層を設ける溶融めっき法のいずれでもよい。前
者では、電気めっき皮膜を溶融させる時に溶融した錫め
っきとニッケルめっきとがＮｉ３Ｓｎ層をつくる。溶融
めっきの場合も同様にＮｉ３Ｓｎ層をつくる。すなわち
、リフローめっきでは、光沢を付与するリフロー工程と
ニッケルめっきを化合物層に変化させる工程とを同時に
行なうものである。また、溶融めっきでは、錫層を設け
る工程をニッケルめっきを化合物層に変化させる工程と
を同時に行なうものである。
めっきを施し、この銅下地めっき上にニッケルめっきを
施し、さらに錫めっきを施す。錫めっきを施す方法は、
■銅合金材に電気めっきを施した後にめっき層を溶融処
理するリフローめっき法、■銅合金材を溶解錫の中に浸
漬して錫層を設ける溶融めっき法のいずれでもよい。前
者では、電気めっき皮膜を溶融させる時に溶融した錫め
っきとニッケルめっきとがＮｉ３Ｓｎ層をつくる。溶融
めっきの場合も同様にＮｉ３Ｓｎ層をつくる。すなわち
、リフローめっきでは、光沢を付与するリフロー工程と
ニッケルめっきを化合物層に変化させる工程とを同時に
行なうものである。また、溶融めっきでは、錫層を設け
る工程をニッケルめっきを化合物層に変化させる工程と
を同時に行なうものである。
【００２４】ニッケルのめっきの厚さを０．０８μｍ以
上としたのは、それよりも薄いと生成するＮｉ３Ｓｎ層
の厚さが０．１μｍ未満となり、ＣｕのＳｎめっき中へ
の拡散防止効果が不十分になるからである。また、０．
３μｍ以下としたのは、０．３μｍを越えるとＮｉ３Ｓ
ｎ層の厚さが０．４μｍを越え、上述した問題が生じる
からである。さらに、ニッケルめっき層が完全にはＮｉ
３Ｓｎ金属間化合物層にならずに残存し、錫とニッケル
の反応拡散が進行して、欠陥が多く、脆い金属間化合物
層をつくる恐れがあるからである。よって、Ｎｉめっき
の厚さは０．０８〜０．３μｍとした。
上としたのは、それよりも薄いと生成するＮｉ３Ｓｎ層
の厚さが０．１μｍ未満となり、ＣｕのＳｎめっき中へ
の拡散防止効果が不十分になるからである。また、０．
３μｍ以下としたのは、０．３μｍを越えるとＮｉ３Ｓ
ｎ層の厚さが０．４μｍを越え、上述した問題が生じる
からである。さらに、ニッケルめっき層が完全にはＮｉ
３Ｓｎ金属間化合物層にならずに残存し、錫とニッケル
の反応拡散が進行して、欠陥が多く、脆い金属間化合物
層をつくる恐れがあるからである。よって、Ｎｉめっき
の厚さは０．０８〜０．３μｍとした。
【００２５】なお、Ｎｉ３Ｓｎ層の厚さの制御は、リフ
ローめっきの場合は、Ｎｉめっきの厚さないしリフロー
温度及び時間を制御することにより、溶融めっきの場合
は、Ｎｉめっきの厚さないしめっき液の溶融温度及びめ
っき時間を制御することにより行えばよい。
ローめっきの場合は、Ｎｉめっきの厚さないしリフロー
温度及び時間を制御することにより、溶融めっきの場合
は、Ｎｉめっきの厚さないしめっき液の溶融温度及びめ
っき時間を制御することにより行えばよい。
【００２６】なお、本発明では、母材としてＺｎを含む
銅合金（例えば、丹銅や黄銅）を用いた場合に特に顕著
な効果が得られるが、それ以外の銅あるいは銅合金を用
いることも可能である。
銅合金（例えば、丹銅や黄銅）を用いた場合に特に顕著
な効果が得られるが、それ以外の銅あるいは銅合金を用
いることも可能である。
【００２７】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。
【００２８】本例では、母材として、丹銅のＣ２１００
（５．１ｗｔ％Ｚｎ−Ｃｕ）、黄銅のＣ２６００（３０
．５ｗｔ％Ｚｎ−Ｃｕ）、Ｃ２６８０（３５．２ｗｔ％
ｚｎ−Ｃｕ）を用いた。
（５．１ｗｔ％Ｚｎ−Ｃｕ）、黄銅のＣ２６００（３０
．５ｗｔ％Ｚｎ−Ｃｕ）、Ｃ２６８０（３５．２ｗｔ％
ｚｎ−Ｃｕ）を用いた。
【００２９】この銅合金の表面に、常法により銅下地め
っきを０．８μｍの厚さに形成した。
っきを０．８μｍの厚さに形成した。
【００３０】次いで、この銅下地めっき上に常法により
、ニッケルめっきを表１に示す厚さに形成した。
、ニッケルめっきを表１に示す厚さに形成した。
【００３１】次に、表１のＮｏ．１，Ｎｏ．６，Ｎｏ．
１３〜Ｎｏ．１５については溶融めっきを行い、それ以
外に付いてはリフローめっきを行った。
１３〜Ｎｏ．１５については溶融めっきを行い、それ以
外に付いてはリフローめっきを行った。
【００３２】めっき条件は下記の通りである。
【００３３】
以上のようにして形成したしためっきにつき、錫め
っきの厚さとＮｉ３Ｓｎ層の厚さを測定した。その結果
を表１に示す。
っきの厚さとＮｉ３Ｓｎ層の厚さを測定した。その結果
を表１に示す。
【００３４】また、これらの錫めっき銅合金材を、２２
０℃で５分および１０分の熱処理を行った後、接触抵抗
、半田付け性及び密着性を評価した。評価方法は下記の
通りである。なお、上記熱処理条件は、最近のコネクタ
ーの表面実装化にともない増加しているリフロー半田付
け方法を考慮したものである。
０℃で５分および１０分の熱処理を行った後、接触抵抗
、半田付け性及び密着性を評価した。評価方法は下記の
通りである。なお、上記熱処理条件は、最近のコネクタ
ーの表面実装化にともない増加しているリフロー半田付
け方法を考慮したものである。
【００３５】（半田付け試験条件）
半田組成：Ｓｎ／Ｐｂ＝６／４
半田温度：２３０±５℃
フラックス：ロジン系非活性フラックス半田付けの評価
は、半田付け後に半田の付着面積が８５％以上を“良好
”とし、それ以下を“不良”とした。
は、半田付け後に半田の付着面積が８５％以上を“良好
”とし、それ以下を“不良”とした。
【００３６】（接触抵抗測定条件）
荷重：５０ｇｆ（測定時）
電流値：２０ｍＡ
接触抵抗は、荷重を０〜５０ｇｆに変化させながら純金
のプローブを試料表面で往復スライドさせ、５０ｇｆの
荷重がかかった時の値を測定した。
のプローブを試料表面で往復スライドさせ、５０ｇｆの
荷重がかかった時の値を測定した。
【００３７】（密着性試験）密着性は１５０℃で５００
時間熱処理した後、これらの材料に９０°繰り返し曲げ
を２回行い、曲げ部表面を実体顕微鏡で観察し、めっき
層の剥離の有無を確認した。
時間熱処理した後、これらの材料に９０°繰り返し曲げ
を２回行い、曲げ部表面を実体顕微鏡で観察し、めっき
層の剥離の有無を確認した。
【００３８】半田付け性、接触抵抗の評価及び密着性試
験の結果を表１に示す。
験の結果を表１に示す。
【００３９】その結果、金属間化合物Ｎｉ３Ｓｎ層の厚
さが０．１μｍ以上で０．４μｍ以下の時（ＮＯ．１〜
Ｎｏ．９、実施例）、半田付け性は良好で、接触抵抗値
が低く保たれた。これは、Ｎｉ３Ｓｎ層が、Ｃｕの拡散
を抑制し、Ｃｕ６Ｓｎ５からなるη層、Ｃｕ３Ｓｎから
なるε層の成長を防止したためである。
さが０．１μｍ以上で０．４μｍ以下の時（ＮＯ．１〜
Ｎｏ．９、実施例）、半田付け性は良好で、接触抵抗値
が低く保たれた。これは、Ｎｉ３Ｓｎ層が、Ｃｕの拡散
を抑制し、Ｃｕ６Ｓｎ５からなるη層、Ｃｕ３Ｓｎから
なるε層の成長を防止したためである。
【００４０】Ｎｏ．１０〜Ｎｏ．１８はいずれもＮｉ３
Ｓｎ層の厚さが０．４μｍを越えているため、密着性試
験でＮｉ３Ｓｎ層の剥離が生じた。
Ｓｎ層の厚さが０．４μｍを越えているため、密着性試
験でＮｉ３Ｓｎ層の剥離が生じた。
【００４１】また、従来のように、金属間化合物Ｎｉ３
Ｓｎ層が無い場合（Ｎｏ．２０，Ｎｏ．２１）、あるい
はあっても０．１μｍより薄い場合（Ｎｏ．１９）は、
錫中にＣｕ６Ｓｎ５からなるη層、Ｃｕ３Ｓｎからなる
ε層が成長し、錫めっき層が早期に金属間化合物に変化
してしまい密着性が悪かった。
Ｓｎ層が無い場合（Ｎｏ．２０，Ｎｏ．２１）、あるい
はあっても０．１μｍより薄い場合（Ｎｏ．１９）は、
錫中にＣｕ６Ｓｎ５からなるη層、Ｃｕ３Ｓｎからなる
ε層が成長し、錫めっき層が早期に金属間化合物に変化
してしまい密着性が悪かった。
【００４２】以上の実施例の結果から、金属間化合物Ｎ
ｉ３Ｓｎ層の厚さは０．１〜０．４μｍが必要であり、
その厚さの金属間化合物層を得るためには、Ｎｉめっき
層を０．０８〜０．３μｍ施すことが必要であることが
明らかになった。
ｉ３Ｓｎ層の厚さは０．１〜０．４μｍが必要であり、
その厚さの金属間化合物層を得るためには、Ｎｉめっき
層を０．０８〜０．３μｍ施すことが必要であることが
明らかになった。
【００４３】
【発明の効果】本発明によって、優れた半田付け性、熱
的に安定な接触抵抗値を有する錫めっき黄銅あるいは丹
銅材を製造することができる。これらの錫めっき銅合金
材は、端子・コネクター等の電気・電子部品の半田付け
性および接触抵抗特性を向上させることになり、機器の
信頼性を高めるることに貢献できる。
的に安定な接触抵抗値を有する錫めっき黄銅あるいは丹
銅材を製造することができる。これらの錫めっき銅合金
材は、端子・コネクター等の電気・電子部品の半田付け
性および接触抵抗特性を向上させることになり、機器の
信頼性を高めるることに貢献できる。
【００４４】
【表１】
Claims (3)
- 【請求項１】 表面に、銅下地めっき層、厚さが０．
１〜０．４μｍの溶融して形成されたＮｉ３Ｓｎ金属間
化合物からなる中間層、錫めっき層が順次形成されてい
ることを特徴とする錫めっき銅合金材。 - 【請求項２】 銅合金材の表面に、銅下地めっき層、
次いで厚さが０．０８〜０．３μｍのＮｉ中間めっき層
を施し、さらにその上に錫めっき層を施した後、該錫め
っき層を溶融（リフロー）させることによって、銅下地
めっき層と錫めっき層との中間に０．１〜０．４μｍの
Ｎｉ３Ｓｎ金属間化合物からなる中間層を設けることを
特徴とする錫めっき銅合金材の製造方法。 - 【請求項３】 銅合金材の表面に、銅下地めっき層、
次いで厚さが０．０８〜０．３μｍのＮｉ中間めっき層
を施した後、銅合金材を溶融した錫中に浸漬し、溶融錫
めっき層を形成すると同時に、銅合金材と錫めっき層と
の中間に厚さが０．１〜０．４μｍのＮｉ３Ｓｎ金属間
化合物からなる中間層を設けることを特徴とする錫めっ
き銅合金材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12673191A JP2801793B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 錫めっき銅合金材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12673191A JP2801793B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 錫めっき銅合金材およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04329891A true JPH04329891A (ja) | 1992-11-18 |
| JP2801793B2 JP2801793B2 (ja) | 1998-09-21 |
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ID=14942489
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12673191A Expired - Lifetime JP2801793B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 錫めっき銅合金材およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2801793B2 (ja) |
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| JP2021100019A (ja) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| WO2021166467A1 (ja) * | 2020-02-19 | 2021-08-26 | 千住金属工業株式会社 | 金属体、嵌合型接続端子、および金属体の形成方法 |
| CN114990651A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-09-02 | 沈阳飞机工业（集团）有限公司 | 一种镀铜镀镉镀锡的多重电镀工艺方法 |
| KR20230091104A (ko) | 2020-10-20 | 2023-06-22 | 세이렌가부시끼가이샤 | 땜납 젖음성이 우수한 도전 필름 |
| CN116676551A (zh) * | 2023-06-21 | 2023-09-01 | 安徽鑫科铜业有限公司 | 一种镀锡黄铜及其生产方法 |
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-
1991
- 1991-04-30 JP JP12673191A patent/JP2801793B2/ja not_active Expired - Lifetime
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