JPH04332116A - 回転塗布装置 - Google Patents
回転塗布装置Info
- Publication number
- JPH04332116A JPH04332116A JP3130435A JP13043591A JPH04332116A JP H04332116 A JPH04332116 A JP H04332116A JP 3130435 A JP3130435 A JP 3130435A JP 13043591 A JP13043591 A JP 13043591A JP H04332116 A JPH04332116 A JP H04332116A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slit
- polyimide
- viscosity
- wafer
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ウエハの表面上に高
粘度高分子を用いて膜を形成する際に用いる回転塗布装
置に関する。
粘度高分子を用いて膜を形成する際に用いる回転塗布装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から半導体プロセスのポリイミド膜
形成工程においては、図4に示すような概略構成を有す
る回転塗布装置が一般的に用いられている。即ち、この
回転塗布装置は、水平状に載置されたウエハ1を吸着保
持する真空チャック2と、この真空チャック2を支持し
て縦軸周りに回転する回転ロッド3と、上記真空チャッ
ク及びウエハを取り囲んで配設されたスピンカップ4と
、ポリイミドPを供給するポリイミド配管5とを備えて
いる。そしてレジスト供給配管5の下端部にはノズル6
が設けられており、このノズル6の開口6aからはポリ
イミドPが滴下されてウエハ2の表面上の回転中心位置
に供給されるようになっている。
形成工程においては、図4に示すような概略構成を有す
る回転塗布装置が一般的に用いられている。即ち、この
回転塗布装置は、水平状に載置されたウエハ1を吸着保
持する真空チャック2と、この真空チャック2を支持し
て縦軸周りに回転する回転ロッド3と、上記真空チャッ
ク及びウエハを取り囲んで配設されたスピンカップ4と
、ポリイミドPを供給するポリイミド配管5とを備えて
いる。そしてレジスト供給配管5の下端部にはノズル6
が設けられており、このノズル6の開口6aからはポリ
イミドPが滴下されてウエハ2の表面上の回転中心位置
に供給されるようになっている。
【0003】即ち、この回転塗布装置を用いてウエハ1
の表面上にポリイミド膜を形成する際には、まず真空チ
ャック2の上面にウエハ1を吸着保持させ、ポリイミド
Pをノズル6から滴下させることによってウエハ表面上
の回転中心位置に供給し、そののち、真空チャック2を
支持するロッド3を高速回転させると、供給されたポリ
イミドPは遠心力によってウエハ2の表面上に広がり膜
厚の薄いポリイミド膜が形成されることになる。
の表面上にポリイミド膜を形成する際には、まず真空チ
ャック2の上面にウエハ1を吸着保持させ、ポリイミド
Pをノズル6から滴下させることによってウエハ表面上
の回転中心位置に供給し、そののち、真空チャック2を
支持するロッド3を高速回転させると、供給されたポリ
イミドPは遠心力によってウエハ2の表面上に広がり膜
厚の薄いポリイミド膜が形成されることになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、以上のよう
な従来の回転塗布装置においては、ポリイミドが高粘度
のため管内抵抗が大きく、必要量を滴下させるのにかな
りの時間を必要とした。
な従来の回転塗布装置においては、ポリイミドが高粘度
のため管内抵抗が大きく、必要量を滴下させるのにかな
りの時間を必要とした。
【0005】この発明は以上のような問題点を解決する
ためになされたもので、滴下時間を短縮できる回転塗布
装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、滴下時間を短縮できる回転塗布
装置を得ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明に係る回転塗布
装置は、水平状態で載置されたウエハを吸着保持して回
転する真空チャックと、このチャックの上方に配置され
てポリイミドを供給するポリイミド供給配管と、その下
端部に連結されてポリイミドを溜めることのできるタン
クを有し、かつスリットより滴下できるような構造をも
つスリット型高粘度高分子滴下装置を備えたものである
。
装置は、水平状態で載置されたウエハを吸着保持して回
転する真空チャックと、このチャックの上方に配置され
てポリイミドを供給するポリイミド供給配管と、その下
端部に連結されてポリイミドを溜めることのできるタン
クを有し、かつスリットより滴下できるような構造をも
つスリット型高粘度高分子滴下装置を備えたものである
。
【0007】
【作用】この発明においては、ポリイミドは一たんタン
クに溜められるため、滴下時間以外も必要量を供給する
ことができ、かつスリットにより滴下させるため、滴下
時間を短縮することができる。
クに溜められるため、滴下時間以外も必要量を供給する
ことができ、かつスリットにより滴下させるため、滴下
時間を短縮することができる。
【0008】
【実施例】図1はこの発明の一実施例による回転塗布装
置の概略構成を示す断面図、図2はその要部であるスリ
ット型高粘度高分子滴下装置を拡大して示す斜視図、図
3はそのスリットノズルの拡大断面図である。これらの
図において、1〜5は図4のものと同様であり、7はポ
リイミド供給管5の下端部に連結されたスリット型高粘
度高分子滴下装置で、タンク8の下端部にスリットノズ
ル9を備え、そのスリットからポリイミドPが滴下され
供給されるようになっている。またこのスリット型高粘
度高分子滴下装置7の上部には、図2に示すように、ポ
リイミド供給管5のほか、バキューム管10とN2加圧
管11が接続され、内部にはスリットノズル9のスリッ
トをふさぐ可動弁12が配置されている。また図3に示
すように、このスリットノズルは仕切壁9aによりこま
かく仕切られている。
置の概略構成を示す断面図、図2はその要部であるスリ
ット型高粘度高分子滴下装置を拡大して示す斜視図、図
3はそのスリットノズルの拡大断面図である。これらの
図において、1〜5は図4のものと同様であり、7はポ
リイミド供給管5の下端部に連結されたスリット型高粘
度高分子滴下装置で、タンク8の下端部にスリットノズ
ル9を備え、そのスリットからポリイミドPが滴下され
供給されるようになっている。またこのスリット型高粘
度高分子滴下装置7の上部には、図2に示すように、ポ
リイミド供給管5のほか、バキューム管10とN2加圧
管11が接続され、内部にはスリットノズル9のスリッ
トをふさぐ可動弁12が配置されている。また図3に示
すように、このスリットノズルは仕切壁9aによりこま
かく仕切られている。
【0009】次にその動作について説明する。まずスリ
ット可動弁12をDOWNさせポリイミド供給配管5を
通じて供給されたポリイミドPでタンク8内を満たす。 なおこの時バキューム管10より内圧を抜いて供給を助
ける。そして回転ロッド3をゆっくり回転させながら、
スリット可動弁12をUPさせ、N2加圧管11よりN
2を加圧しポリイミドを滴下する。回転ロッドが一回転
した時点で、バキューム管10より短時間引きサックバ
ックを行ない、スリット可動弁12をDOWNさせる。 この後ロッドは膜厚形成のための高回転を始めるので、
直ちに、ポリイミド供給を開始する。
ット可動弁12をDOWNさせポリイミド供給配管5を
通じて供給されたポリイミドPでタンク8内を満たす。 なおこの時バキューム管10より内圧を抜いて供給を助
ける。そして回転ロッド3をゆっくり回転させながら、
スリット可動弁12をUPさせ、N2加圧管11よりN
2を加圧しポリイミドを滴下する。回転ロッドが一回転
した時点で、バキューム管10より短時間引きサックバ
ックを行ない、スリット可動弁12をDOWNさせる。 この後ロッドは膜厚形成のための高回転を始めるので、
直ちに、ポリイミド供給を開始する。
【0010】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
、従来に比し滴下時間が大幅に短縮され、装置としての
処理能力が向上するというすぐれた効果を奏する。
、従来に比し滴下時間が大幅に短縮され、装置としての
処理能力が向上するというすぐれた効果を奏する。
【図1】この発明の一実施例による回転塗布装置の概略
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図2】図1の要部であるスリット型ポリイミド滴下装
置の拡大図である。
置の拡大図である。
【図3】図2の下端のスリットノズル部の断面図である
。
。
【図4】従来の回転塗布装置の概略構成を示す断面図で
ある。
ある。
1 ウエハ
2 真空チャック
3 回転ロッド
5 ポリイミド供給管
7 スリット型高粘度高分子滴下装置8
タンク 9 スリットノズル
タンク 9 スリットノズル
Claims (1)
- 【請求項1】 水平状に載置されたウエハを吸着保持
して縦軸周りに回転する真空チャックと、その上方に配
置されて高粘度高分子を供給する供給配管と、この供給
配管の下端部に連結され、タンクの下部にスリットノズ
ルを有するスリット型高粘度高分子滴下装置を備えてお
り、このスリット型高粘度高分子滴下装置に高粘度高分
子を一たんタンク内に溜めて、上記スリットノズルより
ウエハ上に滴下するようにしたことを特徴とする回転塗
布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3130435A JPH04332116A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | 回転塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3130435A JPH04332116A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | 回転塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04332116A true JPH04332116A (ja) | 1992-11-19 |
Family
ID=15034169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3130435A Pending JPH04332116A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | 回転塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04332116A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5769946A (en) * | 1995-03-29 | 1998-06-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating nozzle and coating device having coating nozzle |
| US5782978A (en) * | 1994-04-15 | 1998-07-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Coating device with movable fluid supply nozzle and rotatable substrate holder |
| WO1998057757A1 (en) * | 1997-06-16 | 1998-12-23 | Massachusetts Institute Of Technology | High efficiency photoresist coating |
| US6761930B2 (en) | 1994-11-29 | 2004-07-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of coating solution on substrate surface using a slit nozzle |
| US6977098B2 (en) | 1994-10-27 | 2005-12-20 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| JP2008253937A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 液状樹脂の塗布方法および塗布装置 |
-
1991
- 1991-05-02 JP JP3130435A patent/JPH04332116A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5782978A (en) * | 1994-04-15 | 1998-07-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Coating device with movable fluid supply nozzle and rotatable substrate holder |
| US6977098B2 (en) | 1994-10-27 | 2005-12-20 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US6761930B2 (en) | 1994-11-29 | 2004-07-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of coating solution on substrate surface using a slit nozzle |
| US5769946A (en) * | 1995-03-29 | 1998-06-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating nozzle and coating device having coating nozzle |
| US5972426A (en) * | 1995-03-29 | 1999-10-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of coating substrate with coating nozzle |
| WO1998057757A1 (en) * | 1997-06-16 | 1998-12-23 | Massachusetts Institute Of Technology | High efficiency photoresist coating |
| US6191053B1 (en) | 1997-06-16 | 2001-02-20 | Silicon Valley Group, Inc. | High efficiency photoresist coating |
| JP2008253937A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 液状樹脂の塗布方法および塗布装置 |
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