JPH04332131A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04332131A JPH04332131A JP10227491A JP10227491A JPH04332131A JP H04332131 A JPH04332131 A JP H04332131A JP 10227491 A JP10227491 A JP 10227491A JP 10227491 A JP10227491 A JP 10227491A JP H04332131 A JPH04332131 A JP H04332131A
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- crystal
- crystalline
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
多結晶薄膜からなる配線の構造に関する。
多結晶薄膜からなる配線の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の微細配線として、絶
縁層上に多結晶薄膜を形成したのちパターニングする方
法が提案され試みられている。
縁層上に多結晶薄膜を形成したのちパターニングする方
法が提案され試みられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、形成さ
れる配線直下の層が平板である場合、その上に形成した
多結晶薄膜の配線は、アイイーイーイー・インターナシ
ョナルリライアビリティフィジックスシンポジウム（Ｉ
ＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｌｉａ
ｂｉｌｔｙ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ
）（１９８６）会議録２５３頁にハートマン・ヒーバー
（ＨａｒｔｍａｎｎＨｉｅｂｅｒ）らにより報告されて
いるように、配線直下の層に垂直な方向にその結晶粒の
ある方向が揃う傾向がある。しかし結晶粒間の相互作用
のために結晶粒の方向は完全には揃わないし、結晶粒界
が特定の結晶面になることもない。そのため従来の方法
で作製した、配線幅が結晶粒と同程度の大きさになった
配線は、引っ張りあるいは圧縮応力に関して降伏応力の
値が小さいため断線等を生ずるという欠点がある。
れる配線直下の層が平板である場合、その上に形成した
多結晶薄膜の配線は、アイイーイーイー・インターナシ
ョナルリライアビリティフィジックスシンポジウム（Ｉ
ＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｌｉａ
ｂｉｌｔｙ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ
）（１９８６）会議録２５３頁にハートマン・ヒーバー
（ＨａｒｔｍａｎｎＨｉｅｂｅｒ）らにより報告されて
いるように、配線直下の層に垂直な方向にその結晶粒の
ある方向が揃う傾向がある。しかし結晶粒間の相互作用
のために結晶粒の方向は完全には揃わないし、結晶粒界
が特定の結晶面になることもない。そのため従来の方法
で作製した、配線幅が結晶粒と同程度の大きさになった
配線は、引っ張りあるいは圧縮応力に関して降伏応力の
値が小さいため断線等を生ずるという欠点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体基板上に形成された酸化シリコン膜と、この酸化
シリコン膜の表面に形成され面と面のなす角が金属結晶
の結晶面のなす角と同一の角度を有する凹凸面と、この
凹凸面上に形成された金属結晶からなる配線とを含むも
のである。
半導体基板上に形成された酸化シリコン膜と、この酸化
シリコン膜の表面に形成され面と面のなす角が金属結晶
の結晶面のなす角と同一の角度を有する凹凸面と、この
凹凸面上に形成された金属結晶からなる配線とを含むも
のである。
【０００５】
【作用】一般的な性質として、結晶粒のある特定の結晶
面の方向が、基板に垂直な方向になるので、基板に凹凸
がある場合には、凹凸のそれぞれの面に垂直に結晶粒の
ある結晶面の方向が向くことになる。この凹凸の大きさ
を結晶粒の大きさ程度にすれば、配線の幅が結晶粒の大
きさと同程度の場合、凹凸面の一つ一つに結晶粒が一個
だけ成長するようになる。この凹凸面と面とのなす角を
ある特定の結晶面と面とのなす角に一致させておけば、
その上に成長している結晶粒は、ある特定の結晶面で隣
接する結晶粒とくっつくことになる。
面の方向が、基板に垂直な方向になるので、基板に凹凸
がある場合には、凹凸のそれぞれの面に垂直に結晶粒の
ある結晶面の方向が向くことになる。この凹凸の大きさ
を結晶粒の大きさ程度にすれば、配線の幅が結晶粒の大
きさと同程度の場合、凹凸面の一つ一つに結晶粒が一個
だけ成長するようになる。この凹凸面と面とのなす角を
ある特定の結晶面と面とのなす角に一致させておけば、
その上に成長している結晶粒は、ある特定の結晶面で隣
接する結晶粒とくっつくことになる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明を図面を用いて説明する。図１
は本発明の一実施例の断面図である。
は本発明の一実施例の断面図である。
【０００７】熱酸化により厚さ約０．５μｍのＳｉＯ２
膜２を形成したＳｉ基板１上に、スパッタリング法に
よりＡ１配線１を形成した例について述べる。ＳｉＯ２
膜２は凹凸面を有しており、この凹凸面の一つの面の
一辺の長さは１μｍである。面と面とのなす角はＡｌ結
晶粒の［１１１］結晶面のなす角の２倍である１４１．
０５８度にしてある。この凹凸は、幅１μｍのパターン
を有するＴａ板をマスクとして１ｋＷの電子ビームを斜
めに照射することにより形成する。次でスパッタリング
法でＡｌのべた膜を蒸着した後、ウェットまたはドライ
エッチング法によるＡｌ配線のパターンニングと４００
℃３０分のアロイとを行うと、結晶粒が成長し、図２に
示されるような、Ａｌ配線１中の結晶粒４の結晶面の方
位関係が実現され、〔１１１）〕結晶面に関連した結晶
面で隣の結晶粒と接続される。従って結晶粒界の結合性
が強固なＡｌ配線を形成することができる。
膜２を形成したＳｉ基板１上に、スパッタリング法に
よりＡ１配線１を形成した例について述べる。ＳｉＯ２
膜２は凹凸面を有しており、この凹凸面の一つの面の
一辺の長さは１μｍである。面と面とのなす角はＡｌ結
晶粒の［１１１］結晶面のなす角の２倍である１４１．
０５８度にしてある。この凹凸は、幅１μｍのパターン
を有するＴａ板をマスクとして１ｋＷの電子ビームを斜
めに照射することにより形成する。次でスパッタリング
法でＡｌのべた膜を蒸着した後、ウェットまたはドライ
エッチング法によるＡｌ配線のパターンニングと４００
℃３０分のアロイとを行うと、結晶粒が成長し、図２に
示されるような、Ａｌ配線１中の結晶粒４の結晶面の方
位関係が実現され、〔１１１）〕結晶面に関連した結晶
面で隣の結晶粒と接続される。従って結晶粒界の結合性
が強固なＡｌ配線を形成することができる。
【０００８】このように構成された本実施例によるＡｌ
配線は、粒界が凹凸の谷または山に一致するようになり
、また、特定の結晶面で粒界が結合するようになる。 この方法を用いればＡｌ配線の場合、５００℃、１００
時間程度のアニールにより従来例では切断したものが切
断しなくなった。
配線は、粒界が凹凸の谷または山に一致するようになり
、また、特定の結晶面で粒界が結合するようになる。 この方法を用いればＡｌ配線の場合、５００℃、１００
時間程度のアニールにより従来例では切断したものが切
断しなくなった。
【０００９】尚、上記実施例においては、配線を形成す
る金属としてＡｌを用いた場合について説明したが、Ｓ
ｉやＣｕを含むＡｌ合金やＷを用いることができる。
る金属としてＡｌを用いた場合について説明したが、Ｓ
ｉやＣｕを含むＡｌ合金やＷを用いることができる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、配
線を構成する金属結晶の粒界が酸化シリコン膜表面の凹
凸の谷または山に一致するようになるため、断線の生じ
にくい結合性の強固な金属配線を有する半導体装置が得
られる。
線を構成する金属結晶の粒界が酸化シリコン膜表面の凹
凸の谷または山に一致するようになるため、断線の生じ
にくい結合性の強固な金属配線を有する半導体装置が得
られる。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
【図２】Ａｌ配線中の結晶粒の方位関係を示す図。
１ Ａｌ配線
２ ＳｉＯ２ 膜
３ Ｓｉ基板
４ Ａｌ結晶粒
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された酸化シリコ
ン膜と、この酸化シリコン膜の表面に形成され面と面の
なす角が金属結晶の結晶面のなす角と同一の角度を有す
る凹凸面と、この凹凸面上に形成された金属結晶からな
る配線とを含むことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10227491A JPH04332131A (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10227491A JPH04332131A (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04332131A true JPH04332131A (ja) | 1992-11-19 |
Family
ID=14323027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10227491A Pending JPH04332131A (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04332131A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006175582A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-07-06 | Fujikura Ltd | ナノ構造体とその製造方法 |
| US8163084B2 (en) | 2004-11-26 | 2012-04-24 | Fujikura Ltd. | Nanostructure and manufacturing method for same |
| WO2023085110A1 (ja) * | 2021-11-10 | 2023-05-19 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
-
1991
- 1991-05-08 JP JP10227491A patent/JPH04332131A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006175582A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-07-06 | Fujikura Ltd | ナノ構造体とその製造方法 |
| US8163084B2 (en) | 2004-11-26 | 2012-04-24 | Fujikura Ltd. | Nanostructure and manufacturing method for same |
| WO2023085110A1 (ja) * | 2021-11-10 | 2023-05-19 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
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