JPH04332186A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
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- JPH04332186A JPH04332186A JP10113591A JP10113591A JPH04332186A JP H04332186 A JPH04332186 A JP H04332186A JP 10113591 A JP10113591 A JP 10113591A JP 10113591 A JP10113591 A JP 10113591A JP H04332186 A JPH04332186 A JP H04332186A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 41
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 26
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 16
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信装置や光情報処理
装置等に用いられる半導体レーザモジュールに関し、特
にペルチェ素子による電子冷却器を用いた温度制御可能
な半導体レーザモジュールに関する。
装置等に用いられる半導体レーザモジュールに関し、特
にペルチェ素子による電子冷却器を用いた温度制御可能
な半導体レーザモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の半導体レーザモジュール
について、図２に示す一部載欠した斜視図を参照して説
明する。
について、図２に示す一部載欠した斜視図を参照して説
明する。
【０００３】半導体レーザモジュールは、半導体レーザ
１１と半導体レーザ１に光学的に結合された光ファイバ
２を搭載するサブキャリア１１と、高温側セラミック板
３１と低温側セラミック板３５に半田３３によってそれ
ぞれ結合されているペルチェ素子３２とを有し低温側セ
ラミック板３５がサブキャリア１１に結合され高温側セ
ラミック板３１がパッケージ４に結合されサブキャリア
１１を冷却する電子冷却器３と、サブキャリア１１およ
び電子冷却器３を収容するパッケージ４とを含んでいる
。図２において、パッケージ４には外部との電気接続を
行うリード端子９が設けられており、またパッケージ４
のカバーは取り外された状態となっている。尚、電子冷
却器３の電源はリード３６によって外部から供給されて
いる。
１１と半導体レーザ１に光学的に結合された光ファイバ
２を搭載するサブキャリア１１と、高温側セラミック板
３１と低温側セラミック板３５に半田３３によってそれ
ぞれ結合されているペルチェ素子３２とを有し低温側セ
ラミック板３５がサブキャリア１１に結合され高温側セ
ラミック板３１がパッケージ４に結合されサブキャリア
１１を冷却する電子冷却器３と、サブキャリア１１およ
び電子冷却器３を収容するパッケージ４とを含んでいる
。図２において、パッケージ４には外部との電気接続を
行うリード端子９が設けられており、またパッケージ４
のカバーは取り外された状態となっている。尚、電子冷
却器３の電源はリード３６によって外部から供給されて
いる。
【０００４】詳しく説明すると、半導体レーザ１は金メ
ッキされたサブキャリア１１上に搭載され、光ファイバ
２は半導体レーザ１からの前方出射光が最大に結合され
るように調整され固定材７で固定される。モニタ用フォ
トダイオード６は半導体レーザ１からの後方出射光が最
大に結合されるように調整され固定材１２で固定される
。また温度測定用のサーミスタ８がサブキャリア１１上
に搭載されている。
ッキされたサブキャリア１１上に搭載され、光ファイバ
２は半導体レーザ１からの前方出射光が最大に結合され
るように調整され固定材７で固定される。モニタ用フォ
トダイオード６は半導体レーザ１からの後方出射光が最
大に結合されるように調整され固定材１２で固定される
。また温度測定用のサーミスタ８がサブキャリア１１上
に搭載されている。
【０００５】また、電子冷却器３とパッケージ４との結
合は、電子冷却器３の高温側セラミック板３１とパッケ
ージ４との熱的接続を半田１０で行っていた。すなわち
、高温側セラミック板３１の裏面に予備半田１０を施し
ておき、電子冷却器３を金メッキされたパッケージ４の
上に載せ、パッケージ４および電子冷却器３を加熱し半
田１０を溶融させた後、冷却し熱的接続を行っていた。
合は、電子冷却器３の高温側セラミック板３１とパッケ
ージ４との熱的接続を半田１０で行っていた。すなわち
、高温側セラミック板３１の裏面に予備半田１０を施し
ておき、電子冷却器３を金メッキされたパッケージ４の
上に載せ、パッケージ４および電子冷却器３を加熱し半
田１０を溶融させた後、冷却し熱的接続を行っていた。
【０００６】さらに、電子冷却器３とサブキャリア１１
との結合について説明すると、まず電子冷却器３の低温
側セラミック板３５の上面に半田３４を予備半田し、つ
いで半田３４の上にサブキャリア１１を載せる。そして
、電子冷却器３およびサブキャリアを加熱して半田３４
を溶融させた後、これらを冷却し、熱的接続を行ってい
た。この電子冷却器３とサブキャリア１１との熱的接続
を行う半田３４は、融点温度が半田１０（融点温度：１
４５°Ｃ）よりやや低い、１１７°Ｃの半田を用いてい
た。
との結合について説明すると、まず電子冷却器３の低温
側セラミック板３５の上面に半田３４を予備半田し、つ
いで半田３４の上にサブキャリア１１を載せる。そして
、電子冷却器３およびサブキャリアを加熱して半田３４
を溶融させた後、これらを冷却し、熱的接続を行ってい
た。この電子冷却器３とサブキャリア１１との熱的接続
を行う半田３４は、融点温度が半田１０（融点温度：１
４５°Ｃ）よりやや低い、１１７°Ｃの半田を用いてい
た。
【０００７】次に、電子冷却器３の詳細について、図３
に示す側面図を参照して説明する。
に示す側面図を参照して説明する。
【０００８】電子冷却器３は、リード３６から電源供給
されるペルチェ素子３２が低温側セラミック板３５およ
び高温側セラミック板３１に各々半田３３（３３ａおよ
び３３ｂ）で固定されている構造になっている。半田３
３は、融点温度が半田１０より多少高いものが用いられ
、通常、融点温度が１８３°Ｃの共晶半田が用いられて
いる。尚、図２に示した従来の半導体レーザモジュール
において、パッケージ４と電子冷却器３との熱的接続を
行う半田１０は、融点温度が半田３３（融点温度：１８
３°Ｃ）よりやや低い、１４５°Ｃの半田を用いていた
。
されるペルチェ素子３２が低温側セラミック板３５およ
び高温側セラミック板３１に各々半田３３（３３ａおよ
び３３ｂ）で固定されている構造になっている。半田３
３は、融点温度が半田１０より多少高いものが用いられ
、通常、融点温度が１８３°Ｃの共晶半田が用いられて
いる。尚、図２に示した従来の半導体レーザモジュール
において、パッケージ４と電子冷却器３との熱的接続を
行う半田１０は、融点温度が半田３３（融点温度：１８
３°Ｃ）よりやや低い、１４５°Ｃの半田を用いていた
。
【０００９】以上、図２および図３によって説明した従
来の半導体モジュールの組立てにおいて、３種類の融点
の異なる半田１０，３３，３４を用いるのは、通常組立
手順として、ペルチェ素子３２を高温側セラミック板３
１および低温側セラミック板３５に固定し電子冷却器３
を形成し、パッケージ４に電子冷却器３を固定した後に
サブキャリア１１を電子冷却器３に固定する必要がある
ためである。
来の半導体モジュールの組立てにおいて、３種類の融点
の異なる半田１０，３３，３４を用いるのは、通常組立
手順として、ペルチェ素子３２を高温側セラミック板３
１および低温側セラミック板３５に固定し電子冷却器３
を形成し、パッケージ４に電子冷却器３を固定した後に
サブキャリア１１を電子冷却器３に固定する必要がある
ためである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体レー
ザモジュールでは、パッケージと電子冷却器を結合する
半田を溶融させるために、これらを短時間で加熱すると
、電子冷却器の温度は過渡的にペルチェ素子を高温側セ
ラミック板に固定している半田の融点温度に近くなり、
電子冷却器を壊す可能性がある。
ザモジュールでは、パッケージと電子冷却器を結合する
半田を溶融させるために、これらを短時間で加熱すると
、電子冷却器の温度は過渡的にペルチェ素子を高温側セ
ラミック板に固定している半田の融点温度に近くなり、
電子冷却器を壊す可能性がある。
【００１１】このため、パッケージおよび電子冷却器を
加熱するときは、電子冷却器の半田が溶けないようにゆ
っくり時間をかけて行う必要があり、作業時間が長くな
るという問題があった。
加熱するときは、電子冷却器の半田が溶けないようにゆ
っくり時間をかけて行う必要があり、作業時間が長くな
るという問題があった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザモ
ジュールは、半導体レーザと前記半導体レーザに光学的
に結合された光ファイバを搭載するサブキャリアと、一
面が前記サブキャリアに結合される電子冷却器と、前記
電子冷却器の他面と結合・固定され前記サブキャリアお
よび前記電子冷却器を収容するパッケージとを有する半
導体レーザモジュールにおいて、前記電子冷却器と前記
パッケージとの結合・固定はろう付けによって行われる
。
ジュールは、半導体レーザと前記半導体レーザに光学的
に結合された光ファイバを搭載するサブキャリアと、一
面が前記サブキャリアに結合される電子冷却器と、前記
電子冷却器の他面と結合・固定され前記サブキャリアお
よび前記電子冷却器を収容するパッケージとを有する半
導体レーザモジュールにおいて、前記電子冷却器と前記
パッケージとの結合・固定はろう付けによって行われる
。
【００１３】
【実施例】次に本発明の半導体レーザモジュールについ
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１４】図１は本発明の一実施例の斜視図である。
【００１５】この半導体レーザモジュールは、図２の従
来例と同様の、半導体レーザ１，光ファイバ２，モニタ
用フォトダイオード６，サーミスタ８および固定材７，
１２を搭載するサブキャリア１１と、低温側セラミック
板３５，高温側セラミック板３１，ペルチェ素子３２，
半田３３（３３ａ，３３ｂ）およびリード３６を含む電
子冷却器３と、リード端子９を含むパッケージ４とを含
んでいる。また同様に、サブキャリア１１は電子冷却器
３の低温側セラミック板３５と半田３４によって結合さ
れている。
来例と同様の、半導体レーザ１，光ファイバ２，モニタ
用フォトダイオード６，サーミスタ８および固定材７，
１２を搭載するサブキャリア１１と、低温側セラミック
板３５，高温側セラミック板３１，ペルチェ素子３２，
半田３３（３３ａ，３３ｂ）およびリード３６を含む電
子冷却器３と、リード端子９を含むパッケージ４とを含
んでいる。また同様に、サブキャリア１１は電子冷却器
３の低温側セラミック板３５と半田３４によって結合さ
れている。
【００１６】しかしながら、半導体レーザモジュールの
組立てにおいては、電子冷却器３の高温側セラミック板
３１が、まず銀ろう材５によってパッケージ４に固定さ
れる。
組立てにおいては、電子冷却器３の高温側セラミック板
３１が、まず銀ろう材５によってパッケージ４に固定さ
れる。
【００１７】次に、電子冷却器３が融点温度１８３°Ｃ
の半田３３によって組立てられ、最後に電子冷却器３の
低温側セラミック板３５が半田３４によってサブキャリ
ア１１と結合される。
の半田３３によって組立てられ、最後に電子冷却器３の
低温側セラミック板３５が半田３４によってサブキャリ
ア１１と結合される。
【００１８】ここで、電子冷却器３の高温側セラミック
板３１は、窒化アルミニウムからなり、裏面には金メッ
キが施されている。また、パッケージ４は、コバールか
らなり、表面には金メッキが施されている。従って、パ
ッケージ４と高温側セラミッキ３１との銀ろう材５によ
る結合は強固にできる。
板３１は、窒化アルミニウムからなり、裏面には金メッ
キが施されている。また、パッケージ４は、コバールか
らなり、表面には金メッキが施されている。従って、パ
ッケージ４と高温側セラミッキ３１との銀ろう材５によ
る結合は強固にできる。
【００１９】このように、電子冷却器３の高温側セラミ
ック板３１をまず銀ろう材５によりパッケージ４にろう
付けし固定しておくことにより、電子冷却器３に対する
半田固定は、電子冷却器３に組立てに用いた半田３３よ
り充分融点の低い半田３４（融点温度：１１７°Ｃ）よ
る、サブキャリア１１に対してだけとなる。
ック板３１をまず銀ろう材５によりパッケージ４にろう
付けし固定しておくことにより、電子冷却器３に対する
半田固定は、電子冷却器３に組立てに用いた半田３３よ
り充分融点の低い半田３４（融点温度：１１７°Ｃ）よ
る、サブキャリア１１に対してだけとなる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体レー
ザモジュールは、電子冷却器の高温側セラミック板をパ
ッケージにろう付し固定しておくことにより、電子冷却
器に対する半田固定箇所はサブキャリアに対してのみと
なり、その半田としては充分融点の低い半田（融点温度
：１１７°Ｃ）が使用できる。この結果、電子冷却器と
サブキャリアとを半田による固定のために短時間に加熱
しても、この固定用半田は電子冷却器組立て用の半田と
の融点温度差が６６°Ｃと大きいので、電子冷却器を壊
す恐れがなくなる。すなわち、このろう付固定により組
立て作業時間の短縮が計れる効果がある。
ザモジュールは、電子冷却器の高温側セラミック板をパ
ッケージにろう付し固定しておくことにより、電子冷却
器に対する半田固定箇所はサブキャリアに対してのみと
なり、その半田としては充分融点の低い半田（融点温度
：１１７°Ｃ）が使用できる。この結果、電子冷却器と
サブキャリアとを半田による固定のために短時間に加熱
しても、この固定用半田は電子冷却器組立て用の半田と
の融点温度差が６６°Ｃと大きいので、電子冷却器を壊
す恐れがなくなる。すなわち、このろう付固定により組
立て作業時間の短縮が計れる効果がある。
【図１】本発明の半導体レーザモジュールの一実施例を
示す一部載欠した斜視図である。
示す一部載欠した斜視図である。
【図２】従来の半導体レーザモジュールを示す一部載欠
した斜視図である。
した斜視図である。
【図３】電子冷却器の側面図である。
１ 半導体レーザ
２ 光ファイバ
３ 電子冷却器
４ パッケージ
５ 銀ろう材
６ モニタ用フォトダイオード
７ 固定材
８ サーミスタ
９ リード端子
１０ 半田
１１ サブキャリア
１２ 固定材
３１ 高温側セラミック板
３２ ペルチェ素子
３３，３３ａ，３３ｂ 半田
３４ 半田
３５ 低温側セラミック板
３６ リード
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザと前記半導体レーザに光
学的に結合された光ファイバとを搭載するサブキャリア
と、一面が前記サブキャリアに結合される電子冷却器と
、前記電子冷却器の他面と結合・固定され前記サブキャ
リアおよび前記電子冷却器を収容するパッケージとを有
する半導体レーザモジュールにおいて、前記電子冷却器
と前記パッケージとの結合・固定はろう付けによって行
われることを特徴とする半導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3101135A JP2913890B2 (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3101135A JP2913890B2 (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 半導体レーザモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04332186A true JPH04332186A (ja) | 1992-11-19 |
| JP2913890B2 JP2913890B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=14292640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3101135A Expired - Fee Related JP2913890B2 (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2913890B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08250796A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Nec Corp | ペルチエクーラおよび半導体レーザモジュール |
| JP2002261336A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Aisin Seiki Co Ltd | 熱電モジュールおよび熱電モジュールを放熱部材に組み付ける方法 |
| CN106415953A (zh) * | 2014-07-02 | 2017-02-15 | 住友电气工业株式会社 | 三色光源 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63167764U (ja) * | 1987-04-22 | 1988-11-01 |
-
1991
- 1991-05-07 JP JP3101135A patent/JP2913890B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63167764U (ja) * | 1987-04-22 | 1988-11-01 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08250796A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Nec Corp | ペルチエクーラおよび半導体レーザモジュール |
| JP2002261336A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Aisin Seiki Co Ltd | 熱電モジュールおよび熱電モジュールを放熱部材に組み付ける方法 |
| CN106415953A (zh) * | 2014-07-02 | 2017-02-15 | 住友电气工业株式会社 | 三色光源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2913890B2 (ja) | 1999-06-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990316 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |