JPH08250796A - ペルチエクーラおよび半導体レーザモジュール - Google Patents

ペルチエクーラおよび半導体レーザモジュール

Info

Publication number
JPH08250796A
JPH08250796A JP7054004A JP5400495A JPH08250796A JP H08250796 A JPH08250796 A JP H08250796A JP 7054004 A JP7054004 A JP 7054004A JP 5400495 A JP5400495 A JP 5400495A JP H08250796 A JPH08250796 A JP H08250796A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrates
substrate
peltier
semiconductor laser
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7054004A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2937791B2 (ja
Inventor
Haruhito Shimizu
春仁 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP7054004A priority Critical patent/JP2937791B2/ja
Priority to US08/616,051 priority patent/US5706302A/en
Publication of JPH08250796A publication Critical patent/JPH08250796A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2937791B2 publication Critical patent/JP2937791B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 構造が簡単でしかも光学系を長期にわたって
安定化させその信頼性を確保することのできるペルチエ
クーラを得ること。 【構成】 ペルチエクーラ３１は、複数のペルチエ素子
４１と、これらを直列に接続するためにこれらの両側に
配置された金属電極４２、４３と、これらの金属電極を
外側から挟持するようにそれぞれ配置された第１および
第２のセラミック基板４４、４５と、これらを更に外側
から挟持するようにこれらとそれぞれロー付けにより固
定された第１および第２の金属基板４６、４７とで構成
されている。金属基板４６、４７は半導体レーザのモジ
ュールパッケージや光学部品を配置した基板とＹＡＧレ
ーザによって溶接可能であり、ロー付けによる固定と併
せて、クリープの原因となる低温はんだの使用を排除し
ている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザモジュー
ルおよび半導体レーザ等に冷却のために使用される電子
冷却素子としてのペルチエクーラに係わり、詳細には光
学特性が長期間安定するようにした半導体レーザモジュ
ールおよび光学部品を配置した基板を固定したペルチエ
クーラに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザの光出力や発振波長を安定
化させるためには半導体レーザの温度制御が必要であ
る。ペルチエクーラは、半導体レーザの温度を一定に保
つために、光ファイバ伝送システムの変調信号光源とし
ての半導体レーザモジュール等に電子冷却素子として使
用されている。
【０００３】ペルチエクーラを半導体レーザモジュール
に使用する例が、１９９３年電子情報通信学会秋季大会
講演論文集Ｃ−１８０に示されている。
【０００４】図３は、この論文集に示されている半導体
レーザモジュールの内部の構造を表わしたものである。
箱型をしたモジュールパッケージ１１の内部底面には、
ペルチエクーラ１２がはんだによって固定されており、
その上面には半導体レーザ１３を実装した基板１４が同
じくはんだによって固定されている。また、半導体レー
ザ１３の出射側には第１のレンズ１５が配置されてい
る。モジュールパッケージ１１の外部で第１のレンズ１
５の光軸の延長上には第２のレンズ１７が筒状部材１８
によって取り付けられており、その蓋部１９には前記し
た光軸と一致するようにファイバ２１の一端が挿入され
ている。
【０００５】このような構造の半導体レーザモジュール
で、半導体レーザ１３から出射したレーザ光は、第１の
レンズ１３によって平行光に変えられ、第２のレンズ１
７によって集光されてファイバ２１に結合するようにな
っている。ここで第１および第２のレンズ１５、１７な
らびにファイバ２１は、半導体レーザ１３とファイバ２
１の結合効率が最大となるように位置関係を調整されて
固定されている。
【０００６】この半導体レーザモジュールで示されるよ
うに、ペルチエクーラ１２ははんだによってその固定が
行われるようになっている。具体的にはペルチエクーラ
１２はペルチエ素子１２Ａとその両側１２Ｂ、１２Ｃの
基板との固定に高温はんだを使用しており、モジュール
パッケージ１１や半導体レーザ１３を実装した基板１４
との接続には低温はんだが使用されている。
【０００７】はんだは、特に低温はんだの場合にクリー
プが生じやすい。ここでクリープとは、比較的微小な応
力が静的に長時間連続してかけられたときに、応力のか
かった部分が変形する現象をいう。半導体レーザのモジ
ュールパッケージ１１の内部には、組み立て時の残留応
力や熱を起因とする熱応力が存在する。したがって、従
来のペルチエクーラを使用した半導体レーザモジュール
では、低温はんだを使用した固定部にクリープが生じや
すく、光学系を長期的に最適な状態に保持することがで
きないという問題があった。
【０００８】そこで、特開平２−６６９８７号公報に
は、半導体レーザのモジュールパッケージ内に冷却素子
を配置すると共に、この冷却素子に外部からの温度変化
に対して光軸ずれの少ない円筒状のユニットをはんだに
よって固定することにした。この円筒状のユニット内に
は、光モジュールの主要構成要素を配置しておき、これ
により経時的な光軸ずれを無視するようにしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この提案に
よれば、半導体レーザやレンズ等の光モジュールの主要
構成要素を円筒状の特別のユニット内に配置し、更にこ
れを半導体レーザのモジュールパッケージ内に収容する
ことにしたので、構造が複雑化し、コストアップを招く
といった問題があった。また、円筒状のユニット内に主
要な光学部品を配置する必要があるので、光学部品のサ
イズや形状が限定され、部品の選択の自由度が少なく、
この意味でもコストダウンを図りにくいという問題があ
った。
【００１０】そこで本発明の目的は、構造が簡単でしか
も光学系を長期にわたって安定化させその信頼性を確保
することのできるペルチエクーラおよびこれを使用した
半導体レーザモジュールを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、（イ）複数のペルチエ素子と、（ロ）これらのペル
チエ素子を直列に接続するためにこれらの両側に配置さ
れた金属電極と、（ハ）これらの金属電極を外側から挟
持するようにそれぞれ配置された第１および第２のセラ
ミック基板と、（ニ）これら第１および第２のセラミッ
ク基板を更に外側から挟持するようにこれらとそれぞれ
ロー付けにより固定された第１および第２の金属基板と
をペルチエクーラに具備させる。
【００１２】すなわち請求項１記載の発明では、複数の
ペルチエ素子の両側に配置された金属電極を第１および
第２のセラミック基板で挟持すると共に、その更に外側
を第１および第２の金属基板でロー付けによって固定
し、これら第１および第２の金属基板によってＹＡＧレ
ーザ溶接が可能な構成とし、従来のような低温はんだに
よる固定や円筒状の特別のユニット内に光学部品を配置
する構成を不要とし、簡単な構成で光学的な特性の安定
化を図っている。
【００１３】請求項２記載の発明では、第１および第２
のセラミック基板がＡｌＮから構成されていることを特
徴としている。
【００１４】また、請求項３記載の発明では、第１およ
び第２のセラミック基板がＡｌ2 Ｏ 3 から構成されてい
ることを特徴としている。
【００１５】更に請求項４記載の発明では、第１および
第２の金属基板がＦｅＮｉＣｏ合金から構成されている
ことを特徴としている。この他に、第１および第２の金
属基板をＳＵＳ３０４合金のようなもので構成すること
も可能である。
【００１６】請求項５記載の発明では、（イ）所定のモ
ジュールパッケージと、（ロ）このモジュールパッケー
ジ内に収容され半導体レーザや所定の光学部品を配置し
た光学部品基板と、（ハ）同じくモジュールパッケージ
内に収容され、複数のペルチエ素子と、これらのペルチ
エ素子を直列に接続するためにこれらの両側に配置され
た金属電極と、これらの金属電極を外側から挟持するよ
うにそれぞれ配置された第１および第２のセラミック基
板と、これら第１および第２のセラミック基板を更に外
側から挟持するようにこれらとそれぞれロー付けにより
固定された第１および第２の金属基板から構成され、こ
のうちの第１の金属基板が光学部品基板とＹＡＧレーザ
溶接で固定され、第２の金属基板がモジュールパッケー
ジの内面底部とＹＡＧレーザ溶接で固定されたペルチエ
クーラとを半導体レーザモジュールに具備させる。
【００１７】すなわち請求項５記載の発明では、請求項
１記載の発明と同様の構成のペルチエクーラを使用して
半導体レーザモジュールを構成している。このとき、第
１の金属基板が光学部品を配置した光学部品基板とＹＡ
Ｇレーザ溶接で固定され、第２の金属基板がモジュール
パッケージの内面底部とＹＡＧレーザ溶接で固定されて
いるので、従来のような低温はんだによる固定や円筒状
の特別のユニット内に光学部品を配置する構成を不要と
している。
【００１８】
【実施例】以下実施例につき本発明を詳細に説明する。
【００１９】図１は、本発明の一実施例におけるペルチ
エクーラを使用した半導体レーザモジュールを表わした
ものである。図３と同一部分には同一の符号を付してお
り、これらの説明を適宜省略する。半導体レーザのモジ
ュールパッケージ１１の内部底面には本実施例のペルチ
エクーラ３１が配置されており、この上部には半導体レ
ーザ１３および第１のレンズ１５等の所定の部品を実装
した基板３３が配置されている。
【００２０】本実施例でも、半導体レーザ１３から出射
したレーザ光は、第１のレンズ１３によって平行光に変
えられ、第２のレンズ１７によって集光されてファイバ
２１に結合するようになっている。ここで第１および第
２のレンズ１５、１７ならびにファイバ２１は、半導体
レーザ１３とファイバ２１の結合効率が最大となるよう
に位置関係を調整されて固定されている。また、ペルチ
エクーラ３１には、図示しないサーミスタ等の温度検出
素子の検出した温度に応じた電流が流され、これによっ
て半導体レーザ１３から出射されるレーザ光の中心波長
が周囲温度の変化に関係なくほぼ一定となるような温度
の冷却制御が行われる。
【００２１】図２は、本実施例のペルチエクーラの構造
を表わしたものである。ペルチエクーラ３１は、ペルチ
エ素子４１と、その両側に配置された金属電極４２、４
３を図で上下に挟むような形で配置された第１および第
２のＡｌＮ基板４４、４５と、これらを更に図で上下に
挟むような形で配置された第１および第２のＦｅＮｉＣ
ｏ基板４６、４７から構成されている。
【００２２】ペルチエ素子４１は、これら金属電極４
２、４３と高温はんだとしてのＳｎＳｂで固定されるこ
とで、電気的に直列に接続されている。ＳｎＳｂは、ク
リープの小さなはんだである。直列に接続されたペルチ
エ素子４１には、それぞれ図示しないリード線が設けら
れている。これらのリード線は、外部からペルチエ素子
４１に電流を供給するためのものである。
【００２３】第１のＡｌＮ基板４４とその上側に配置さ
れた第１のＦｅＮｉＣｏ基板４６とは、ＡｇＣｕによる
ロー付けで接合されている。同様に、第２のＡｌＮ基板
４５とその下側に配置された第２のＦｅＮｉＣｏ基板４
７も、ＡｇＣｕによるロー付けで接合されている。
【００２４】このような構成のペルチエクーラ３１は、
その第２のＦｅＮｉＣｏ基板４７が、図１に示すように
半導体レーザのモジュールパッケージ１１の内部底面と
第１の接合部４８Ａ、４８ＢでＹＡＧ（イットリウム、
アルミニウム、ガーネット）レーザ溶接により固定され
ている。ペルチエクーラ３１の上に配置された図１に示
す基板３３は、ＦｅＮｉＣｏ合金をベースにしたもので
あり、第２の接合部４９Ａ、４９ＢでＹＡＧレーザ溶接
により固定されている。
【００２５】このように本実施例のペルチエクーラを使
用した半導体レーザモジュールでは、従来、低温はんだ
を使用した光学系の固定部分をロー付けやＹＡＧレーザ
溶接で固定している。したがって、光学系におけるクリ
ープは極めて小さく、長期的に安定した光学系の配置を
確保することができる。
【００２６】なお、実施例ではペルチエ素子４１をその
両側から第１および第２のＡｌＮ基板４４、４５で挟む
ようにしたが、Ａｌ2 Ｏ3 等の他のセラミック基板を使
用することも可能である。また、実施例ではペルチエ素
子４１と金属電極４２、４３の固定にはＳｎＳｂを使用
したが、ＳｎＡｇ等のクリープの小さい高温はんだを使
用してもよい。
【００２７】更に実施例ではセラミック基板としての第
１または第２のＡｌＮ基板４４、４５に第１または第２
のＦｅＮｉＣｏ基板４６、４７を使用したが、ＹＡＧレ
ーザ溶接に適するものであれば他の金属板を使用しても
よい。例えばＳＵＳ３０４等の合金の使用も可能であ
る。また、実施例では第１または第２のＡｌＮ基板４
４、４５と第１または第２のＦｅＮｉＣｏ基板４６、４
７をＡｇＣｕによってロー付けしたが、このようなセラ
ミック基板と金属基板を接合するロー材はこれに限るも
のではない。例えばＡｕＧｅを使用することも可能であ
る。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように請求項１〜請求項４
記載の発明によれば、複数のペルチエ素子の両側に配置
された金属電極を第１および第２のセラミック基板で挟
持すると共に、その更に外側を第１および第２の金属基
板でロー付けによって固定し、これら第１および第２の
金属基板によってＹＡＧレーザ溶接が可能な構成とした
ので、従来のような低温はんだによる固定や円筒状の特
別のユニット内に光学部品を配置する構成を不要とし、
簡単な構成で光学的な特性の安定化を図ることができ
る。
【００２９】また、請求項５記載の発明では、請求項１
記載の発明と同様の構成のペルチエクーラを使用して半
導体レーザモジュールを構成し、第１の金属基板が光学
部品を配置した光学部品基板とＹＡＧレーザ溶接で固定
すると共に、第２の金属基板がモジュールパッケージの
内面底部とＹＡＧレーザ溶接で固定したので、従来のよ
うな低温はんだによる固定や円筒状の特別のユニット内
に光学部品を配置する構成を不要とし、コストダウンと
長期的に安定した光学系を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例のペルチエクーラを使用した半導体レ
ーザモジュールの断面図である。
【図２】図１に示した半導体レーザモジュール内のペル
チエクーラの概略構成図である。
【図３】従来のペルチエクーラを使用した半導体レーザ
モジュールの断面図である。
【符号の説明】
１１ モジュールパッケージ １３ 半導体レーザ １５ 第１のレンズ １７ 第２のレンズ ３１ ペルチエクーラ ３３ 基板 ４１ ペルチエ素子 ４２、４３ 金属電極 ４４、４５ ＡｌＮ基板 ４６、４７ ＦｅＮｉＣｏ基板 ４８Ａ、４８Ｂ 第１の接合部 ４９Ａ、４９Ｂ 第２の接合部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数のペルチエ素子と、 これらのペルチエ素子を直列に接続するためにこれらの
    両側に配置された金属電極と、 これらの金属電極を外側から挟持するようにそれぞれ配
    置された第１および第２のセラミック基板と、 これら第１および第２のセラミック基板を更に外側から
    挟持するようにこれらとそれぞれロー付けにより固定さ
    れた第１および第２の金属基板とを具備することを特徴
    とするペルチエクーラ。
  2. 【請求項２】 前記第１および第２のセラミック基板が
    ＡｌＮから構成されていることを特徴とするセラミック
    基板１記載のペルチエクーラ。
  3. 【請求項３】 前記第１および第２のセラミック基板が
    Ａｌ2 Ｏ3 から構成されていることを特徴とする請求項
    １記載のペルチエクーラ。
  4. 【請求項４】 前記第１および第２の金属基板がＦｅＮ
    ｉＣｏ合金から構成されていることを特徴とする請求項
    １記載のペルチエクーラ。
  5. 【請求項５】 所定のモジュールパッケージと、 このモジュールパッケージ内に収容され半導体レーザや
    所定の光学部品を配置した光学部品基板と、 同じく前記モジュールパッケージ内に収容され、複数の
    ペルチエ素子と、これらのペルチエ素子を直列に接続す
    るためにこれらの両側に配置された金属電極と、これら
    の金属電極を外側から挟持するようにそれぞれ配置され
    た第１および第２のセラミック基板と、これら第１およ
    び第２のセラミック基板を更に外側から挟持するように
    これらとそれぞれロー付けにより固定された第１および
    第２の金属基板から構成され、このうちの第１の金属基
    板が前記光学部品基板とＹＡＧレーザ溶接で固定され、
    第２の金属基板が前記モジュールパッケージの内面底部
    とＹＡＧレーザ溶接で固定されたペルチエクーラとを具
    備することを特徴とする半導体レーザモジュール。
JP7054004A 1995-03-14 1995-03-14 ペルチエクラーク Expired - Lifetime JP2937791B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7054004A JP2937791B2 (ja) 1995-03-14 1995-03-14 ペルチエクラーク
US08/616,051 US5706302A (en) 1995-03-14 1996-03-14 Temperature control type semiconductor laser device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7054004A JP2937791B2 (ja) 1995-03-14 1995-03-14 ペルチエクラーク

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08250796A true JPH08250796A (ja) 1996-09-27
JP2937791B2 JP2937791B2 (ja) 1999-08-23

Family

ID=12958451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7054004A Expired - Lifetime JP2937791B2 (ja) 1995-03-14 1995-03-14 ペルチエクラーク

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5706302A (ja)
JP (1) JP2937791B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0824281A1 (en) * 1996-08-13 1998-02-18 Nec Corporation Peltier cooler and semiconductor laser module using peltier cooler
JP2002280621A (ja) * 2001-01-15 2002-09-27 Furukawa Electric Co Ltd:The レーザーモジュール、ペルチェモジュールおよびペルチェモジュール一体型ヒートスプレッダー
JP2004354674A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Hitachi Ltd 光モジュール及びその製造方法
JP2006269995A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Aisin Seiki Co Ltd 熱電変換モジュール及び電子デバイス
JP2011049534A (ja) * 2009-07-30 2011-03-10 Aisin Seiki Co Ltd 熱電モジュールおよび光送信装置
WO2024201921A1 (ja) * 2023-03-30 2024-10-03 日本碍子株式会社 光トランシーバ

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19506093C2 (de) * 1995-02-22 2000-12-07 Dilas Diodenlaser Gmbh Diodenlaserbauelement
JPH11103120A (ja) * 1997-09-25 1999-04-13 Rohm Co Ltd 半導体レーザ装置
US6281120B1 (en) 1998-12-18 2001-08-28 National Semiconductor Corporation Temperature control structure for integrated circuit
US6082115A (en) * 1998-12-18 2000-07-04 National Semiconductor Corporation Temperature regulator circuit and precision voltage reference for integrated circuit
US6246100B1 (en) 1999-02-03 2001-06-12 National Semiconductor Corp. Thermal coupler utilizing peltier and seebeck effects
WO2000064018A1 (en) * 1999-04-20 2000-10-26 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser module
JP2002043673A (ja) * 2000-07-28 2002-02-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 光モジュール組立方法及び組立装置
JP2002252420A (ja) * 2000-12-15 2002-09-06 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ素子、半導体レーザモジュールおよびその製造方法ならびに光ファイバ増幅器
US6792008B2 (en) * 2001-04-30 2004-09-14 Jds Uniphase Corporation Tracking error suppression and method of reducing tracking error
US6842567B2 (en) * 2002-02-07 2005-01-11 Teraxion Inc. Power efficient assemblies for applying a temperature gradient to a refractive index grating
DE10258745A1 (de) * 2002-12-13 2004-07-08 Hentze-Lissotschenko Patentverwaltungs Gmbh & Co.Kg Halbleiterlaservorrichtung, Halbleiterlaserbaustein für eine derartige Halbleiterlaservorrichtung sowie ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleiterlaservorrichtung
US7589417B2 (en) * 2004-02-12 2009-09-15 Intel Corporation Microelectronic assembly having thermoelectric elements to cool a die and a method of making the same
US7352784B2 (en) * 2004-07-20 2008-04-01 Jds Uniphase Corporation Laser burst boosting method and apparatus
US20060239314A1 (en) * 2005-04-20 2006-10-26 Hosking Lucy G Electro-optic transducer die mounted directly upon a temperature sensing device
US20060237807A1 (en) * 2005-04-20 2006-10-26 Hosking Lucy G Electro-optic transducer die including a temperature sensing PN junction diode
US7701988B2 (en) * 2005-04-20 2010-04-20 Finisar Corporation Optical transmit assembly including thermally isolated laser, temperature sensor, and temperature driver
US7706421B2 (en) * 2005-04-20 2010-04-27 Finisar Corporation Temperature sensing device patterned on an electro-optic transducer die
US7832944B2 (en) 2007-11-08 2010-11-16 Finisar Corporation Optoelectronic subassembly with integral thermoelectric cooler driver
US8483248B2 (en) 2010-09-14 2013-07-09 Raytheon Company Laser crystal components joined with thermal management devices
US8804782B2 (en) 2012-10-29 2014-08-12 Coherent, Inc. Macro-channel water-cooled heat-sink for diode-laser bars
US8804781B2 (en) 2012-10-29 2014-08-12 Coherent, Inc. Macro channel water-cooled heat-sink for diode-laser bars

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62276892A (ja) * 1986-05-26 1987-12-01 Hitachi Ltd 電子部品
JPH04332186A (ja) * 1991-05-07 1992-11-19 Nec Corp 半導体レーザモジュール
JPH05275795A (ja) * 1992-03-25 1993-10-22 Fujitsu Ltd 温度制御装置を具えた半導体レーザ装置とその製造方法
JPH0677366A (ja) * 1992-04-27 1994-03-18 Nec Corp 半導体装置
JPH06216471A (ja) * 1993-01-14 1994-08-05 Nec Corp 光半導体装置
JPH07140362A (ja) * 1993-11-17 1995-06-02 Nec Corp 半導体レーザモジュール
JPH07273407A (ja) * 1995-04-26 1995-10-20 Sony Corp ワイヤボンド対応ペルチェ素子
JPH07321378A (ja) * 1994-05-27 1995-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱電素子およびその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4615031A (en) * 1982-07-27 1986-09-30 International Standard Electric Corporation Injection laser packages
EP0373225B1 (en) * 1988-03-22 1994-12-14 Fujitsu Limited Optical semiconductor device and production thereof
JP2833760B2 (ja) * 1988-08-31 1998-12-09 日本電気株式会社 フラットパッケージ形半導体レーザ光モジュール
JP3035852B2 (ja) * 1990-07-18 2000-04-24 富士通株式会社 半導体レーザモジュール
JPH04105572U (ja) * 1991-02-26 1992-09-10 ソニー株式会社 レーザ装置
AU659270B2 (en) * 1992-02-20 1995-05-11 Sony Corporation Laser light beam generating apparatus

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62276892A (ja) * 1986-05-26 1987-12-01 Hitachi Ltd 電子部品
JPH04332186A (ja) * 1991-05-07 1992-11-19 Nec Corp 半導体レーザモジュール
JPH05275795A (ja) * 1992-03-25 1993-10-22 Fujitsu Ltd 温度制御装置を具えた半導体レーザ装置とその製造方法
JPH0677366A (ja) * 1992-04-27 1994-03-18 Nec Corp 半導体装置
JPH06216471A (ja) * 1993-01-14 1994-08-05 Nec Corp 光半導体装置
JPH07140362A (ja) * 1993-11-17 1995-06-02 Nec Corp 半導体レーザモジュール
JPH07321378A (ja) * 1994-05-27 1995-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱電素子およびその製造方法
JPH07273407A (ja) * 1995-04-26 1995-10-20 Sony Corp ワイヤボンド対応ペルチェ素子

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0824281A1 (en) * 1996-08-13 1998-02-18 Nec Corporation Peltier cooler and semiconductor laser module using peltier cooler
US5960142A (en) * 1996-08-13 1999-09-28 Nec Corporation Peltier cooler and semiconductor laser module using Peltier cooler
JP2002280621A (ja) * 2001-01-15 2002-09-27 Furukawa Electric Co Ltd:The レーザーモジュール、ペルチェモジュールおよびペルチェモジュール一体型ヒートスプレッダー
JP2004354674A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Hitachi Ltd 光モジュール及びその製造方法
JP2006269995A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Aisin Seiki Co Ltd 熱電変換モジュール及び電子デバイス
JP2011049534A (ja) * 2009-07-30 2011-03-10 Aisin Seiki Co Ltd 熱電モジュールおよび光送信装置
WO2024201921A1 (ja) * 2023-03-30 2024-10-03 日本碍子株式会社 光トランシーバ

Also Published As

Publication number Publication date
US5706302A (en) 1998-01-06
JP2937791B2 (ja) 1999-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2937791B2 (ja) ペルチエクラーク
JP3076246B2 (ja) ペルチェクーラ内蔵半導体レーザモジュール
US6490303B1 (en) Laser diode module
US6027256A (en) Composite laser diode enclosure and method for making the same
US5872803A (en) Laser diode pumped solid-state laser apparatus
JP2003262766A (ja) 光結合装置
JP2003198042A (ja) 光モジュール、および光送信もしくは光受信装置
US5233622A (en) Structure of semiconductor laser package
JPH03120884A (ja) 半導体レーザモジュール
US6116792A (en) Semiconductor laser module
JPH01243488A (ja) 光半導体モジュール
JP2002329920A (ja) 光モジュール
JPH08213688A (ja) 光モジュールの製造方法および光モジュール
JPH071811Y2 (ja) 半導体レ−ザモジユ−ル
JP2913890B2 (ja) 半導体レーザモジュール
JPH0745974Y2 (ja) 半導体レーザモジュール
JP2001168447A (ja) レーザーダイオード光モジュール
JP3939398B2 (ja) 光ファイバモジュール
JPS61226989A (ja) デュアルインラインパッケージ形発光素子モジュールおよびその組立方法
JPH07131106A (ja) 半導体レーザモジュール
JP2586123B2 (ja) 半導体レーザモジュール
JP2675927B2 (ja) 光半導体素子固定方法
JPH05299777A (ja) 光半導体モジュール
JPH05267794A (ja) 半導体レーザモジュールのチップキャリア固定構造
JP2003309318A (ja) 半導体レーザ装置の起動方法及び半導体レーザ装置を用いた光通信機器

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19970930