JPH04333267A - 表面実装半導体装置の製造方法 - Google Patents
表面実装半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04333267A JPH04333267A JP10232791A JP10232791A JPH04333267A JP H04333267 A JPH04333267 A JP H04333267A JP 10232791 A JP10232791 A JP 10232791A JP 10232791 A JP10232791 A JP 10232791A JP H04333267 A JPH04333267 A JP H04333267A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- groove
- plating layer
- resin
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表面実装用の半導体装置
の製造方法に関して、特にリード切離し後のリード端面
の形状改善に関する。
の製造方法に関して、特にリード切離し後のリード端面
の形状改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の表面実装半導体装置の製造におい
ては、リード切離しを行なった後リード部のめっきを行
う方法がとられていた。すなわち、リードフレームに半
導体チップを搭載し、樹脂封止を行なった後、リード切
離しを行ない、リード部にめっき層を形成するのである
。
ては、リード切離しを行なった後リード部のめっきを行
う方法がとられていた。すなわち、リードフレームに半
導体チップを搭載し、樹脂封止を行なった後、リード切
離しを行ない、リード部にめっき層を形成するのである
。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の表面実装半
導体装置の製造方法においては、リードが切離された状
態でめっきが行なわれるためにめっき工程中のハンドリ
ング等により、リードが曲る場合があり、後の工程でリ
ード修正を行なう必要があるという問題点がある。さら
にリード厚さが０．２ｍｍ以下の非常に薄いリードにな
ると、リード曲りが非常に発生しやすくなるため、リー
ド切離しを行う前にめっきを行なう必要がある。しかし
ながら、この場合にはリードの端面すなわち切断した面
にめっきがされていないため、実装時にリード端面への
半田付着性が悪くなる場合がある。図５にめっきをした
後切離しを行なった場合のリード端面形状を示す。リー
ド端面の上側はリード表面のめっき層がだれており、め
っき金属が表面に付着しているのに対してリード端面の
下側（破断面１０）にはめっき金属は付着しない。従っ
て実装した場合半田の付着性が悪いという問題がある。 図６，図７に示すように、このような半導体装置をプリ
ント基板１０３に実装した場合のリード端面に半田フィ
レット１０４ａが付着しない場合がある。
導体装置の製造方法においては、リードが切離された状
態でめっきが行なわれるためにめっき工程中のハンドリ
ング等により、リードが曲る場合があり、後の工程でリ
ード修正を行なう必要があるという問題点がある。さら
にリード厚さが０．２ｍｍ以下の非常に薄いリードにな
ると、リード曲りが非常に発生しやすくなるため、リー
ド切離しを行う前にめっきを行なう必要がある。しかし
ながら、この場合にはリードの端面すなわち切断した面
にめっきがされていないため、実装時にリード端面への
半田付着性が悪くなる場合がある。図５にめっきをした
後切離しを行なった場合のリード端面形状を示す。リー
ド端面の上側はリード表面のめっき層がだれており、め
っき金属が表面に付着しているのに対してリード端面の
下側（破断面１０）にはめっき金属は付着しない。従っ
て実装した場合半田の付着性が悪いという問題がある。 図６，図７に示すように、このような半導体装置をプリ
ント基板１０３に実装した場合のリード端面に半田フィ
レット１０４ａが付着しない場合がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の表面実装半導体
装置の製造方法は、リードの所定箇所に所定寸法の溝を
設けたリードフレームを準備する工程と、前記リードフ
レームに半導体チップを搭載し樹脂封止する工程と、前
記リードフレームの封止樹脂で覆われていないリード表
面にめっき層を形成する工程と、前記リードの溝のある
表面をダイで受けてせん断加工によりリードを外枠から
切離す工程とを有するというものである。
装置の製造方法は、リードの所定箇所に所定寸法の溝を
設けたリードフレームを準備する工程と、前記リードフ
レームに半導体チップを搭載し樹脂封止する工程と、前
記リードフレームの封止樹脂で覆われていないリード表
面にめっき層を形成する工程と、前記リードの溝のある
表面をダイで受けてせん断加工によりリードを外枠から
切離す工程とを有するというものである。
【０００５】
【実施例】図１〜図３を参照して本発明の一実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【０００６】本実施例は、図１に示すように、リード２
の所定箇所に所定寸法の溝３を設けたリードフレームを
準備する工程と、前述のリードフレームに図示しない半
導体チップを搭載し樹脂封止する工程と、図２に示すよ
うに、前述のリードフレームの封止樹脂１で覆われてい
ないリード２表面にめっき層６を形成する工程と、リー
ドの溝３のある表面をダイ８で受けてせん断加工により
リードを外枠５から切離す工程とを有するというもので
ある。図３に示すように、溝部分にはもともとめっき層
６が形成されているが、切断面の部分にも、リード表面
のめっき層がだれており、端面全部に金が付着した状態
となる。
の所定箇所に所定寸法の溝３を設けたリードフレームを
準備する工程と、前述のリードフレームに図示しない半
導体チップを搭載し樹脂封止する工程と、図２に示すよ
うに、前述のリードフレームの封止樹脂１で覆われてい
ないリード２表面にめっき層６を形成する工程と、リー
ドの溝３のある表面をダイ８で受けてせん断加工により
リードを外枠５から切離す工程とを有するというもので
ある。図３に示すように、溝部分にはもともとめっき層
６が形成されているが、切断面の部分にも、リード表面
のめっき層がだれており、端面全部に金が付着した状態
となる。
【０００７】リードフレームの材質は厚さ０．１２５ｍ
ｍの鉄−ニッケル−コバルト合金板を使用し、厚さ１０
μｍの金めっきを行なうものとする。溝３の幅は１００
μｍ、深さは６５μｍである。実験によると、溝３の深
さをリード２の厚さの少なくとも１／２とすることによ
り、厚さ０．１５μｍ以下のリードの場合、標準的なせ
ん断加工により端面のほぼ全面に金を付着させることが
できた。
ｍの鉄−ニッケル−コバルト合金板を使用し、厚さ１０
μｍの金めっきを行なうものとする。溝３の幅は１００
μｍ、深さは６５μｍである。実験によると、溝３の深
さをリード２の厚さの少なくとも１／２とすることによ
り、厚さ０．１５μｍ以下のリードの場合、標準的なせ
ん断加工により端面のほぼ全面に金を付着させることが
できた。
【０００８】本実施例の表面実装半導体装置を実装する
と、図４に示すように、半田フィレット１０４がリード
１０２の端面に十分に接合される。リード端面の半田付
着性が改善されるからである。
と、図４に示すように、半田フィレット１０４がリード
１０２の端面に十分に接合される。リード端面の半田付
着性が改善されるからである。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、リ
ード切離し工程の前にリードにめっきを行なうので、め
っき工程におけるハンドリングによるリード曲りの発生
がない、リード端面の全部分にめっき金属を付着させる
ことができ、実装した時にリード端面の半田付着性が従
来より改善されるという効果がある。
ード切離し工程の前にリードにめっきを行なうので、め
っき工程におけるハンドリングによるリード曲りの発生
がない、リード端面の全部分にめっき金属を付着させる
ことができ、実装した時にリード端面の半田付着性が従
来より改善されるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の説明に使用する平面図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例の説明に使用する断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の一実施例の説明に使用する断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の一実施例による表面実装半導体装置の
実装状態を示す断面図である。
実装状態を示す断面図である。
【図５】従来の技術の説明に使用する断面図である。
【図６】表面実装半導体装置の実装状態を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】従来の技術の説明に使用する断面図である。
１ 封止樹脂
２ リード
３ 溝
４ 吊りピン
５ 外枠
６ めっき層
７ パンチ
８ ダイ
９ 切断面
１０ 破断面
１０１ 表面実装半導体装置
１０２ リード
１０３ プリント基板
１０４，１０４ａ 半田フィレット１０５
プリント基板の電極
プリント基板の電極
Claims (2)
- 【請求項１】リードの所定箇所に所定寸法の溝を設けた
リードフレームを準備する工程と、前記リードフレーム
に半導体チップを搭載し樹脂封止する工程と、前記リー
ドフレームの封止樹脂で覆われていないリード表面にめ
っき層を形成する工程と、前記リードの溝のある表面を
ダイで受けてせん断加工によりリードを外枠から切離す
工程とを有することを特徴とする表面実装半導体装置の
製造方法。 - 【請求項２】溝の深さはリードの厚さの少なくとも１／
２である請求項１記載の表面実装半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10232791A JPH04333267A (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | 表面実装半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10232791A JPH04333267A (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | 表面実装半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04333267A true JPH04333267A (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=14324449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10232791A Pending JPH04333267A (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | 表面実装半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04333267A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008034830A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置およびリードフレームとその製造方法 |
| JP2013118270A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-06-13 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2015072947A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-16 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-05-08 JP JP10232791A patent/JPH04333267A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008034830A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置およびリードフレームとその製造方法 |
| JP2013118270A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-06-13 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2015072947A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-16 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990330 |