JPH0433356A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、多層構造の保護膜を有する半導体装置の製造
方法、特に、多層構造の保護膜の開口の側壁からの水分
の侵入による耐湿性の劣化を防止する方法に関する。

〔従来の技術］ 第２図は従来の半導体装置の多層構造の保護膜の開口の
構造の一例を示す。

図において１は絶縁膜、２は導体、３はＰＳＧ膜などの
第１保護膜、４はＰＳｉＮ膜などの第２保護膜である。

従来のものは、耐湿性の強いＰＳｉＮ膜だけだと応力が
大きいので、保護膜のストレス緩和のため多層構造にし
、通常は一層目にＰＳＧ膜などの耐湿性の弱いものを用
いていた。

図において、耐湿性の弱いＰＳＧ膜などの第１保護膜３
は開口の側壁面において露出したままの構造になってい
た。

〔発明が解決しようとする課題］ 上記のような従来の開口の構造では、第１保護膜３に水
分のブロック性が弱い材質のものを使用しているので、
開口の側壁面から水分が侵入し、表面リーク、ｌのコロ
−ジョンとなるので耐湿性の劣化を招くという問題があ
った。

本発明は上記の問題を解消するためになされたもので１
、下層の保Ｍ膜に水分のブロック性が弱い材質のものを
使用しているので、開口の側壁面からの水分の侵入によ
り耐湿性が劣化することのない方法を提供することを目
的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の方法は、多層構造の保護膜に開口を設けたとき
、表面に上層の保護膜と同し材質の膜を再びデポし、デ
ポした膜を異方性エツチングして該膜の開口側壁を覆う
部分以外を除去することにより、開口側壁を上層の保護
膜と同じ材質の膜で覆うものである。

図において１，２，３．４は第２図の同一符号と同一ま
たは相当するものを示し、５は第２保護膜４と同じ材質
からなる第３保護膜である。

２層構造の各保護膜３．４を開口した後、表面に第２保
護膜４と同じ材質の第３保護膜５をデポし〔第１図（ａ
）Ｌデポした膜５を異方性エツチングして開口の側壁を
覆う部分以外を除去する〔第１図（ｂ）〕。

上記のようにして、開口の側壁を第２保護膜４と同し材
質の第３保護膜５で覆うと、水分のブロツク性が弱い第
１保護膜３の露出部分がな（なり、耐湿性が向上する。

上記には、ポンディング・パッドの開口を示したが、ス
クライブラインにおける側壁も同様にカバーすることが
できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、多層構造の保護
膜の開口の側壁において露出した下層の耐湿性の低い保
護膜を耐湿性の高い保護膜で覆ったので、耐湿性が向上
し、Ａｎのコロ−ジョンの発生などによる不良が減り、
信頬性が上がるという効果がある。

従来の半導体装置の多層構造の保護膜の開口の構造の一
例を示す断面図である。

１・・・絶縁膜、２・・・導体、３・・・第１保護膜、
４・・・第２保護膜、５・・・第３保護膜。

なお、図中同一符号は同一または相当するものを示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　多層構造の保護膜を有する半導体装置の製造方法にお
   いて、多層構造の保護膜に開口を設けたとき、表面に上
   層の保護膜と同じ材質の膜を再びデポし、デポした膜を
   異方性エッチングして該膜の開口側壁を覆う部分以外を
   除去することにより、開口側壁を上層の保護膜と同じ材
   質の膜で覆うことを特徴とする半導体装置の製造方法。