JPH0433792A - レーザマーキング用光学装置 - Google Patents

レーザマーキング用光学装置

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Publication number
JPH0433792A
JPH0433792A JP2138225A JP13822590A JPH0433792A JP H0433792 A JPH0433792 A JP H0433792A JP 2138225 A JP2138225 A JP 2138225A JP 13822590 A JP13822590 A JP 13822590A JP H0433792 A JPH0433792 A JP H0433792A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
light source
laser marking
laser light
laser
Prior art date
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Pending
Application number
JP2138225A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Ishiguro
浩二 石黒
Kiyoshi Okumura
奥村 清
Minoru Fujimoto
実 藤本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0433792A publication Critical patent/JPH0433792A/ja
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  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザマーキング用の光学装置に係り、特に、
マスクを用いるレーザマーキング用光学装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の装置は、実開昭63−196382号公報に記載
(第5図)の様に、レーザ光源10から出射されたビー
ムをビーム整形用レンズ20によってビーム整形を行い
、非コリメート光111としてマスク21を照射し、マ
スクを透過したビーム112をレンズ22で集光し、マ
スクの像をIC1電子部品などのパッケージ30上に照
射する。光学系は非コリメート系を用いて、マスクでの
反射光がビーム整形用レンズにもどりビームが収束され
、パワー密度の高い反射スポットが光学素子やジンバル
を損傷させることを防いでいる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術は、光学設計の簡単化の点について考慮さ
れておらず、非コリメート光学系を用いているため、用
いる光学素子の位置焦点距離を決める光学設計が難しく
なる。
本発明の目的は、光学系設計の簡素化を図ることにある
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明は光学設計が容易な
コリメート光学系を用い、かつ、レーザ光の入射方向と
マスク反射面の接線方向となす角が90°とならない様
にマスク配置、又は、マスク反射面形状としたものであ
る。
〔作用〕
不要光反射型のマスクをレーザビーム光に対し傾斜させ
て取り付けることにより、マスクでの反射光が光源近傍
で収束することが無く、レーザ光源へ損傷を与えること
がない。
マスク形状を凹面とすることにより、マスクでの反射光
がビーム整形手段のレンズの焦点距離の内側で収束し、
レーザ光源には発散光が戻るためレーザ光源へ損傷を与
えることがない。
マスク形状を凸面とすることにより、マスクでの反射光
がビーム整形手段のレンズの外側へ発散し、レーザ光源
には発散光が戻るためレーザ光源へ損傷を与えることが
ない。
マスク形状を凸凹面とすることにより、マスクでの反射
光が乱反射光となり、レーザ光源には発散光が戻るため
、レーザ光源へ損傷を与えることがない。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を第1図により説明する。
第1図は本発明の一実施例のレーザマーキング用光学系
であり、光ファイバで導びかれたレーザ光源10はビー
ム整形手段を通り、マスク21を照射する。マスク21
を透過したビーム212は結像レンズ22を通りビーム
213となって被加工物3o上にマスク上のパターンを
焼付ける。このとき、マスク21は傾斜しているので反
射光はジンバル41、又は、レーザ光源10の表面、又
は、その近傍に像を結ぶことがなく、損傷を与えること
がない。
第2図は、本発明の第二の実施例を示す。マスク形状を
凹面とすることによってマスク上で反射されたビームは
、ビーム整形手段のレンズの焦点距離の内側で収束し、
レーザ光源には発散光が戻るためレーザ光源へ損傷を与
えることは無い。
第3図は本発明の第三の実施例を示す。マスク反射面を
凸面とすることによってマスク上で反射されたビームは
、ビーム整形手段の外側へ発散し、レーザ光源には発散
光が戻るため、レーザ光源へ損傷を与えることは無い。
第4図は本発明の第四の実施例を示す。マスク反射面を
凹凸面とすることによってマスク上で反射されたビーム
は、乱反射光となり、レーザ光源に発散光が戻るため、
レーザ光源へ損傷を与えることは無い。
〔発明の効果〕
本発明によれば、光学設計が容易となるコリメート光学
系を用いた上で、レーザ光の入射方向とマスク反射面の
接線方向となす角度が90’にならない様に、マスクの
配置位置、マスク形状にするという簡単な方法でマスク
での反射光によるレーザ発振器への損傷を無くすること
ができ、光学系の設計が容易になる。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第4図はそれぞれ異なる本発明の詳細な説
明図、第5図は従来のレーザマーキング用光学系構成の
側面図である。 10・・・レーザ光源、40.41・・・ジンバル、2
0・・・ビーム整形手段のレンズ、21・・・マスク、
22・・・結像用レンズ、30・・・被加工物、110
.111゜112.113,120,121,210,
211゜第1図 第3図 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、レーザ光源から発せられたビームをマスク形状に合
    わせるためのビーム整形手段によつて拡げ、不要光反射
    型のマスクに形成されたパターンをレンズで結像するレ
    ーザマーキング用光学系において、 前記マスクで反射された前記ビームが前記ビーム整形手
    段にもどつた後、前記レーザ光源の近傍で収束すること
    がないように前記マスクの反射面が前記レーザ光源に対
    し直角をなさぬように取り付けたことを特徴とするレー
    ザマーキング用光学装置。 2、請求項1において、前記マスクの反射面が凹面をな
    すレーザマーキング用光学装置。3、請求項1において
    、前記マスクの反射面が凸面をなすレーザマーキング用
    光学装置。
JP2138225A 1990-05-30 1990-05-30 レーザマーキング用光学装置 Pending JPH0433792A (ja)

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