JPH0433886A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、レーザビーム等の光ビームがその照射条件を
変えて交互に照射されることにより結晶相と非晶質相が
所定の幅て交互に可逆的に形成される記録層を有し、こ
の記録層に形成された異なる相をそれぞれ透過する光信
号の強度の違いから記録層に記録された情報を読み取る
ことができる情報記録媒体に関する。

（従来の技術） 従来から、情報を高密度に記憶でき且つ随時情報の消去
書き込みか可能な光デイスク材料として光の透過率が固
体の相に依存する相変化型のものが知られている。

この相変化型の材料はレーザビームをその照射条件、例
えは照射エネルギー、照射強度、あるいは照射時間を変
え照射すると、照射された部分が相異なる相の間で可逆
的に変化するものである。

上記の相変化型の材料としては、例えばテルル（Ｔｅ＞
、ゲルマニウム（Ｇｅ）、これらの化合物であるＴ　ｃ
　Ｇ　ｅ　、インジウム（Ｉｎ）とセレン（Ｓｅ）の化
合物であるＴ　ｎ　Ｓ　ｃ　、アンチモン（Ｓｂ）とセ
レンの化合物である５ｂＳｅ、あるいはアンチモンとテ
ルルの化合物である５ｂＴｅ等の半導体、半導体化合物
、あるいは金属間化合物が知られている。

上記材料は、レーザビームの照射を受けると、その照射
条件に応して結晶相あるいは非晶質相の２つの状態のい
づれかを形成するもので、上記２つの状態は複素屈折率
Ｎ＝口（１−ｉｋ）（ここで、ｎは屈折率、ｋは吸収指
数）が相違する。即ち、相に応じて屈折率ｎのみならず
吸収指数には異なる値を示すので、上記材料に入射する
光は異なる透過率を示す。

それで、上記特質を持つ材料を情報の消去、書き込み可
能な光メモリとして用いる着想は、５Ｒｏｖｓｈｉｎｓ
ｋｙ等によって提案されている（ＨｅｔａｌｌｕｒＱｉ
ｃａｌ　Ｔｒａｎｓａｃ目ｏｎｓ　２．６４１（１９７
１）　）。

この提案によれば、上記材料からなる記録層を挟み込ん
だディスクを回転させながら照射条件を変えたレーザビ
ームを上記ディスクに交互に照射し、結晶相及び非晶質
相が交互に配列してなる所定の相パターンを可逆的に形
成する。次いて照射エネルギーの小さい再生用レーザビ
ームが上記結晶相及び非晶質相に順次照射される。この
照射された再生用レーザビームは上記結晶相あるいは非
晶質相のいずれかを交互に透過＠後方に適宜設けられた
反射層で反射され、次いて反射された再生用レーザビー
ムは再生信号として適宜の光電変換器で変換され、相に
応した透過率の違いかｊ）相状態を判別することにより
上記相パターンからなる情報を再生するものである。

さらに詳しくは、上記材料からなる記録層に情報を記録
する場合、記録層にその融点を超える温度に加熱可能な
高パワーで且つパルス幅の短いレザビームが照射され、
次いて照射部分が溶融急冷され、非晶質相からなる記録
マークが形成される。また、記録層に記録された情報を
消去する場合、記録層材料の結晶化温度を超える程度の
温度（融点よりも低い温度）に加熱可能なパワーて且つ
比較的パルス幅の長いレーザビームが照射され、次いで
照射部分が徐冷され、非晶質相は結晶相に変化する。即
ち、記録マークが消去される。

このような情報の記録、消去においては、照射部分を溶
融急冷し非晶質化するための円形スポットのレーザビー
ムと、照射部分を徐冷結晶化するための長楕円形スポッ
トのレーザビームとを互いに独立に用いる２ヒ一ム方式
が採用されている。

しかしながら、上記の２ビ一ム方式ではレーザビームを
照射するための光字系か複雑となる。特に、記録層が挟
み込まれたディスクの回転に合わせ、非晶質相と結晶相
が交互に並へられてなるディスク内のスパイラル状のト
ラックに長楕円形スポットのレーザビームを追従させる
ことは困離であり、複雑なサーボ機槽が必要となる。

そこで、情報の記録、消去とを１つのレーザビームで行
う１ビ一ム方式の研究が行われている。

この１ビ一ム方式においては、ディスク内のトラックに
追従させるレーザビーム源は単一であるので、記録層に
既に記録されている情報分消去し、次いで新しい情報を
書き込むオーバライドを容易に行うことができる。

即ち、単一のレーザビーム源から照射される１つのレー
ザビームを２段階のパワーレヘル、つまり消去用レーザ
ビームのパワーレベルＰｅあるいは記録用レーザビーム
のパワ〜レヘルＰｗ（Ｐｅ＜　Ｐ　ｗ　）にパワー変調
し、既に情報が記録されている記録層に」１記の２種の
レーザビームを所定の幅で交互に照射し、古い情報を消
去すると同時に新しい情報を重ね書きするものである。

このように１ビームのレーザてオーバライドを行う方式
は１ビ一ムオーベライト方式と称され、上述した２ビ一
ム方式の欠点である複雑なサーボ機構の必要性か無く、
レーザビームの位置設定が容易である。

しかしながら、１ビ一ムオーバライド方式を相変化型記
録層に適用する場合、他の困難性を伴うことになる。

即ち、非晶質相及び結晶相からなる相パターンを形成す
ｌ＼きディスクの回転速度は一定であるので、所定間隔
をおいて非晶質相あるいは結晶相を形成するべく記録層
に照射されたレーザビーム熱が放出される時間はディス
クが上記所定間隔を移動する時間になる。換言すれは、
レーザビーム熱の放出時間は形成される相に依存せず、
レーザビムが照射される記録層部分が非晶質相になるか
結晶相になるかは照射されるレーザビームのパワの大き
さのみて決まる。

従って、非晶質化と同程度の短い時間で結晶化を行わな
けれはならないので、情報の消去において徐冷に充分な
時間をかけて結晶化を行うことができない。

また、情報を記録する場合、非晶質相からなる記録マー
クが形成されるべき部分の端部を非晶質相に変化させる
のは困難である。その理由は、上記非晶質相形成直前に
結晶相を形成すべく照射された消去用レーザビームによ
って記録層に与えられた熱の一部が放熱されること無く
残っており、この余熱により上記記録マークが形成され
るべき部分の端部の急冷が損なわれるからである。

従って、非晶質相と結晶相を所定の幅で交互に形成する
ことができなくなり、誤った情報が読み取られる原因に
なる。

そこで近年、上述の１ビ一ムオーバライド方式を相変化
型記録層に適用することが可能な材料として、インジウ
ム（Ｉｎ）とアンチモン（Ｓｂ）からなる化合物Ｉｎ、
、Ｓｂ、。が知られている。

本願発明者の実験によれは上記化合物Ｔｎ、。Ｓｂ、。

の結晶化速度は４５０ｓｅｃに過ぎない。それで、上記
化合ｆｑ　Ｉ　ｎ　５゜Ｓｂ、。は１ビ一ムオーバライ
ド方式における必要条件の１っである短時間に結晶化す
る特性（以下、高速結晶化特性と呼称する）を満足する
。しかも、上記化合物Ｉｎ５．Ｓｂ％、の組成に対しイ
ンジウムを過剰にした合金、即ちＺ原子％のアンチモン
及び１００−Ｚ原子％のインジウムからなるＩｒｌ＋ｏ
。−ｚＳｂｚ（式中Ｚは３０≦Ｚく５０とする）でも速
い結晶化速度が維持されるので、Ｉｎ−５ｂ系の合金製
造時において厳密に組成配分を決める必要性がなく、上
記合金の製造は容易であり実用に適する。

しかしながら、上記化合物Ｉｒ＋、。ｓｂ、。あるいは
合金Ｉｎｕ。。−２８ｂ２は結晶化速度が速い反面非晶
質化が困難であり、１ビ一ムオーバライド方式における
他の必要条件である急冷することなく非晶質化する特性
（以下、非晶質化容易特性と呼称する）を得ることがで
きない。

（発明が解決しようとする課題） 上記の如く、１ビ一ムオーバライド方式で記録層にレー
ザビームを照射し非晶質相及び結晶相を形成する場合、
非晶質化と同程度の短い時間で結晶化を行わなければな
らない。また、非晶質相からなる記録マークの端部を非
晶質相に変化させるのは難しいという問題があった。

この問題を解決すべく、短時間に結晶化するＩｎ＋ｏｏ
　−２Ｓｂｚ　　（式中Ｚは３０≦Ｚ≦５０である）を
記録層の材料とすることが考えられたが、依然として非
晶質化容易特性を満足させることができないという問題
があった。

そこで、本発明は上記従来技術の問題点を解消するもの
で、その目的とするところは、高速結晶化特性及び非晶
質化容易特性に代表されるオーバライド特性が良好な情
報記録媒体を提供することである。

［発明の構成コ （課題を解決するための手段） 上記課題を解決するための本発明は、基板と、該基板上
に設けられ光ビームの照射を受けたときその照射ニオ・
ルキ−の条件に応じて結晶相と非晶質相との間で可逆的
に相変化する記録層から構成される情報記録媒体におい
て、前記記録層はくＩｎ　（１ｏｏ−Ｘｌ／１００５　
ｂｘ／＋ａｏ　）　１００−Ｙ　Ｔ　ｅ　ｙ　　Ｃ式中
Ｘ、）′は３５≦Ｘ≦４５．２５≦Ｙ≦４０とする）で
表される組成の合金からなることを特徴とする。

（作用） 本発明の情報記録媒体では、記録層はインジウム（Ｉｎ
）、アンチモン′（Ｓｂ）、及びテルル（Ｔｅ）を上述
した組成，即ち（　Ｉ　ｎ　ｕａｏ−ｘ＋７＋。

ｏ　Ｓ　ｂ　ｘｙ％ｏｏ　）　ＩＱ（１−Ｙ　Ｔ　ｅ　
Ｙ　　（式中Ｘ．Ｙは３５≦Ｘ≦４５、２５≦Ｙ≦４０
とする）からなる合金であるのて、■丁］，。。−ｚｓ
ｂｚ（式中Ｚは３０≦Ｚ≦５０である）が有する速やか
に結晶化する特性を生かしつつ、テルルの容易に非晶質
化する特性を得ることができる。

従って、１ビ一ムオーバライド方式における必要条件で
ある高速結晶化特性及び非晶質化容易特性を有する記録
層を得ることかできるので、上記組成からなる記録層に
光ビームをそのエネルギ条件を変えて照射して結晶相と
非晶質相の配列からなる相パターンを形成し、この相パ
ターンを２進符号のデータとみなすことにより上記記録
層に情報を記録できる。

（実施例） 以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例に係わる情報記録媒体の断面
図である。

図示するように、本実施例の情報記録媒体は記録用及び
消去用レーザビーム並びに情報再生用レーザビームを透
過する基板１と、該基板１上に設けられ熱的に安定な保
護層２と、該保護層２上に設けられ情報を記録する記録
層３と、該記録層３上に設けられ保護層２と共に記録層
３を密封して保護する保護層４と、該保護層４上に積層
され情報再生用レーザビームを反射する反射層５と、該
反射層５上に設けられた樹脂層６から構成される。

ここで、基板１は、経時変化が少ない材料であるポリカ
ーボネイト製の直径５インチのディスク状基板である。

記録層３は、インジウム（Ｉｎ）及びアンチモン（ｓｂ
）並びにテルル（Ｔぐ）の合金、即ちインジウムが（１
００−Ｘ）・　（１００−Ｙ）／１００原子％、アンチ
モンかＸ　　（１００−Ｙ）、／１００原子％、テルル
カバ′原子％である（　Ｉ　ｎ　ｃ、ｏｏ−ｘ＋ｚ＋ｏ
ｏ　Ｓ　ｂｘ、ｚ＋ｏｏ　＞　ｌ０６−Ｙ　Ｔ　ｅ　Ｙ
（式中Ｘ、）′は３０≦Ｘ≦５０．２０≦）”≦５０と
する）を３００Ａの厚みに形成したちのである。

上記合金からなる記録層３は所定のパワーレベルを有す
る記録用レーザビームの照射を受けると融点（５００乃
至６００°Ｃ）を越える温度に加熱され、次いて保護層
２．４にレーザビーム熱が放出され非晶質化し、非晶質
相７を形成するものである。また、記録層３は所定のパ
ワーレベルを有する消去用レーザビームの照射を受ける
と結晶化温度を越える程度の温度に加熱され、次いて保
護層２．４にレーザビーム熱か放出され結晶化し、結晶
相８を形成するものである。

保護層２．４は、１００ＯＡ厚みの酸化アルミニウム（
Ａ　ｌ　２０．）の結晶からなる誘電体で熱的に安定（
融点は１３００°Ｃ程度である。）であると共に、レー
ザビームに対し透明であり保護層２．４に挟まれた記録
層３を保護するものである。

即ち、保護層２．４は記録層３を熱的に安定した物質で
密封することにより、記録用あるいは消去用レーザビー
ムが記録層３に照射され、照射された部分が蒸発したと
き空洞部が形成されるのを防ぐ。また、保護層２．４は
上記し〜ザビームの照射で熱ぜられな記録層３が融点あ
るいは結晶化温度を越える程度に昇温すると共に、放熱
して非晶質相あるいは結晶相を形成する程度の熱伝導度
を有し、昇温した記録層３がら熱を適度に吸収する。

さらに、波長８３０ｎｍの半導体レーザからなる記録再
生用レーザビームが記録層３に照射された後、記録層３
及び反射層５でそれぞれ反射されて基板１から出射され
たとき、保護層４はこの保護層４を透過する一方のレー
ザビーム、即ち反射層５で反射したレーザビームのみに
光学的伝播距離を与え、出射する上記２つのレーザビー
ムに干渉を生じせしめてエンハンスし、このレーザビー
ムの強度測定を容易ならしめる。

反射層５は本実施例では５００Ａの厚みを有する金（Ａ
ｕ）の薄膜からなる。

樹脂層６は１０μｍの厚みを有する紫外線硬化樹脂から
形成され、表面に傷などが発生するのを防止している。

次に、上記構成を有する情報記録媒体の製造方法につい
て説明する。

まず、ディスク状の基板１を酸化アルミニウム（Ａ１２
０．）なとのターゲットを有するスパッタリング装置の
真空チャンバ内に設置し、次いてチャンバ内を適宜の真
空装置を用いて高真空にする。

次に、チャンバ内にアルゴンガスを導入し、このアルゴ
ンガスて上記酸化アルミニウムのターゲットをラジオフ
リークエンシーパワー（以下、Ｒ８Ｆ、パワーと称する
。）を投入してスパッタリングし基板１上に保護層２を
形成する。

次に、チャンバ内をアルゴンガス雰囲気に維持した状態
で、化合物Ｉｎ、。。−ｚＳｂｚ（式中Ｚは３０≦Ｚ≦
５０である）及び単体であるテルルの各ターゲットを同
時にアルゴンガスてスバ・ツタリングし記録層３を成膜
する。

ここで、上記操作でスパッタリングされる各タゲットの
スパッタリング量は予め調製されており、後述する所望
の組成からなる記録層３を得ることができる。

なお、上記各ターゲットを交互にスパッタリングしても
良い。

また、インジウム（Ｉｎ）及びアンチモン（Ｓｂ）並び
にテルル（Ｔｅ）の各単体からなるタゲットに対し同時
にスパッタリングしても同しことである。

次に、保護層２と同様に保護層４を形成する。

次いで、金（Ａｕ）のターゲットにＲＦ、パワを投入し
てスパッタリングし反射層５を積層する。

最後に、上記操作で得られたディスクをスパッタリング
装置から取り出し、次いてスピナーにセットし、紫外線
硬化樹脂をスピンコードした後紫外線を照射して硬化さ
せ、樹脂層６を形成する。

以上説明した情報記録媒体の製造方法を用い第２図に示
される本実施例における情報記録媒体の記録層材の組成
範囲９内でサンプルＡ群乃至サンプルＥ群からなる３０
枚のディスクサンプルを作成した。

サンプルＡ群　； （Ｉ　ｎｏ、ｔｏｓｂｏ、ｉｏ＞　１００−Ｙ　Ｔｅｖ
￥＝２０．２５．３０．３５．４０．５０サンプルＢ群
　； （Ｉ　ｎ　Ｏ，６５Ｓ　ｂ　ｏ、　ｉｓ）　ｔｏｏ−ｙ
　Ｔ　ｅ　ｖ￥＝２０．２５．３０．３５．４０．５０
サンプルＣ群　； （Ｉ　ｎｏ、６０ｓ　ｂｏ４ｏ）　ｔｏｏ　−ｖ　Ｔｅ
Ｙ￥＝２０．２５　３０　３５　４０　５０サンプルＤ
群 （Ｉ　ｎｏ６，５ｂｏ４ｓ）　Ｉａｏ　−ｙ　Ｔｅｙ￥
＝２０．２５．３０．３５．４０５０サンプルＥ群 （Ｔ　ｎｏ　　５ｏｓｂｏ　　、ａ）　Ｉａｏ−ｖ　Ｔ
ｅＹ￥−２０，２５，３０，３５，４０，５０即ち、サ
ンプルＡ群ではＩｎ、。。−２８ｂ２としてＺ−３０原
子％の合金を用いた。また同様に、サンプル８群ではＺ
＝３５原子％、サンプルＣ群ではＺ＝４０原子％、サン
プル０群ではＺ−４５原子％、サンプルＥ群ではｚ＝５
０原子％の合金あるいは化合物を用いた。

次に、このようにして得られた情報記録媒体の初期化、
情報のオーバライド、及び情報の再生について説明する
。

記録層３はスパッタリングで成膜され基板１上に堆積す
るとき急冷されるので非晶質相になる。

それて、所定の幅からなる非晶質相の記録マークを形成
するため、記録層３を全て結晶相に相変化させなければ
ならない。これが情報記録媒体の初期化である。

本実施例では、前述した製造方法で作成されたテ゛イス
クサンプルを１８００　ｒ、ｐ、ｇｎで回転させ、記録
層面におけるパワーが１４ｍＷでかつ連続発光するレ−
づ光を記録層３のスパイラル状になった所定のトラック
に照射し、上記初期化を行った。

ここで、スパッタリングで基板１上に成膜された非晶質
相は熱的に非常に安定であるので、特にパワーが大きい
１４ｍＷの記録用レーザビームを用いた。また、記録層
３の結晶化を完全に行うため、同一トラ・ツクを３回レ
ーザ光で照射した。

初期化が終了した後、上記トラックに沿って非晶質相及
び結晶相か所定の幅で交互に配列されてなる相パターン
を形成し、この相パターンを読み取ることにより情報を
得ることができる。上記相パターンの形成が情報のオー
ツ〈ライトである。

本実施例では、第３１Ｔ８Ｉに示すようにパワーレベル
が最も高いＰ　ｗ　”　１４　ｍ　Ｗである記録用レー
ザビームと、この記録用レーザビームよりも低いパワー
レベルＰＩ！＝８ｍＷである消去用レーザヒムとを用い
た。つまり、４ＭＨ２あるいは５Ｍ８２周波数に相当す
る周期、即ち周波数の逆数からなる周期で切り替えた上
記２種のレーザビームを記録層３のトラックに照射し上
記オーバライドを行った。

即ち、ディスクサンプルは所定速度で回転しているので
、例えば記録用レーザビームの照射を受けた部分は非晶
質相になり記録マークが形成される。次いで、レーザビ
ームの上記切り替え周期経過後消去用レーザビームの照
射に切り替えられたときには、上記非晶質相部は移動し
、新たな被照射部が消去用レーザビームの照射を受は結
晶相となる。このようにして、非晶質相及び結晶相がレ
ザビームの切り替え周期に対応した所定の幅で交互に配
列されてなる相パターンが形成される。

なお、最初のオーバライド時は初期化が既になされ、記
録層３は結晶相化しているので消去用レザビームを用い
る必要はなく、記録用レーザビムのみを断続的に照射す
れば良い。

また、パワーレベルの切り替えは等間隔であるので、デ
ユーティ比は５０％である。

オーバライドの終了後、記録層３を照射しても相変化を
生しせしめない程度に照射エネルギーの小さい再生用レ
ーザビームで記録層３を照射し、次いで非晶質相及び結
晶相をそれぞれ交互に透過する上記レーザビ一ムのエネ
ルギー強度の違いを測定し相パターンを読み取る。この
非晶質相及び結晶相が所定の幅で交互に配列してなる相
パタンは２進符号系列からなるデータとみなすことがで
き、このデータを記録層３に書き込まれた情報として得
る。これが情報の再生である。

本実施例では、再生用レーザビームとして０゜８　ｍ　
Ｗのパワーレベルを有する半導体レーザビム（波長８３
０ｎｍ）を用いた。即ち、ディスクサンプルをオーバラ
イド時の所定速度で回転させ、上記レーザビームを基板
１がら保護層２，４及び記録層３に入射し、記録層３及
び反射層５で反射したレーザビームを再び記録層３及び
保護層２．４を透過させ、基［１から出射した反射光を
光電変換素子で検出した。検出された反射光は再生信号
としてＡ／Ｄ変換され、スペクトロアナライザにて上記
サンプルＡ群乃至サンプルＥ群の各ディスクサンプルご
とに周波数分布が測定された。

即ち、非晶質相あるいは結晶相を透過した再生信号は、
上記各相が４ＭＨｚあるいは５ＭＨｚ周波数でレーザビ
ームパワーを切り替えて形成されたものであるので、各
相のレーザに対する特有の透過率に基づきエネルギー強
度が変動し、その変動周期はレーザビームパワーの切り
替え周期に一致する。つまり、再生信号は４ＭＨｚある
いは５ＭＨｚの周波数になる。

次いで、各ディスクサンプルの記録層３に記録された情
報の再生特性の評価を行った。即ち、測定された周波数
分布から再生信号のＣ／Ｎ値及び消去度を算出した。

ここで、Ｃ／Ｎ値は様々な周波数からなる雑音の大きさ
に対する特定周波数（４ＭＨｚあるいは５ＭＨｚ）から
なる再生信号の大きさの比であり、対数化したデンベル
（ｄＢ）単位で表現される。

丈な、消去度は以下のように定義される。即ち、初期化
後４ＭＨ２周波数の記録用レーザビームで第１回目の記
録を行い、第５図（Ａ＞に示すように得られた再生信号
１０のＣ／Ｎ値が例えばＡてあり、次いで５ＭＨｚ周波
数の記録用及び消去用レーザビームを用い相）（ターン
を変えてオーバライドしたとき、第５図（Ｂ）に示すよ
うに前回の再生信号１０が完全に消去されずに残った消
去残り信号１１のＣ／Ｎ値が例えばＢであった場合、再
生信号１０の大きさに対する消去残り信隊１１の大きさ
の比を対数化して得られるＢ−Ａの値が消去度である。

なお、第５図（Ｂ）に上記オーバライドで新しく書き込
才れた情報に対応する再生信号１２が消去残り信号１１
と共に示されている。

第４図（Ａ＞乃至第４図（Ｅ）に情報の再生特性の評価
として再生信号１２のＣ／Ｎ値Ｃ１及び消去度Ｂ−Ａを
サンプル群ことに示す。

即ち、横軸に記録層３におけるテルルの含有量が原子％
で示される。また、左側の縦軸にＣ／Ｎ値が示され各デ
ータを実線で結んだ祈れ線に対応し、右側の縦軸に消去
度が示され各データを破線で結んだ折れ線に対応する。

図示されるように、サンプルＡ群を除く他のサンプル群
、即ちサンプル８群乃至サンプルＥ群においてテルル含
有量が２５乃至４０原子％の場合、Ｃ／Ｎ値は３５ｄＢ
以上を示し、消去度は一２０ｄＢ以下を示す。これは、
誤信号による雑音の影響を受けることなく明瞭な再生信
号が得られることを意味し、高速結晶化特性及び非晶質
化容易特性に代表される良好なオーバライド特性が得ら
れたと判断できる。

このようにオーバライド特性が良好である理由は、従来
の技術で説明したようにＩｎ＋ｏｏ−２ｓｂ（式中Ｚは
３０≦Ｚ≦５０とする）の高速結晶化特性を生かしつつ
、テルルの非晶質化容易特性を生かすことができるから
である。

また、テルルの単体は結晶化速度が速く約１５ｎｓｅｃ
であるので、このテルルの特性も生かされるからである
。

次に、上記サンプルＡ群乃至サンプルＥ群の各ディスク
サンプルに対しオーバライドを多数回繰り返した後間ら
れる再生信号のＣ／Ｎ値及び消去度による特性評価の結
果を第２図に示す情報記録媒体の記録層材の組成範囲９
を抜き出し拡大して第６図に示す。

即ち、３０枚のディスクサンプルが有する各組成に対応
する位置に○記号あるいはム記号を記した。ここで、○
記号は良好なオーバライド特性を示しＣ／Ｎ値が３５ｄ
Ｂ以上で、消去度が一２０ｄＢ以下である。ム記号は○
記号で示される特性評価規準に達せずオーバライド特性
が不良であることを示す。

図示するように、サンプル８群乃至サンプル０群におい
てテルルの含有量が２５乃至４０原子％の場合良好なオ
ーバライド特性を示す○記号となっている。

即ち、オーバライドを多数回繰り返すことによりサンプ
ルＥ群の全てのディスクサンプルはＣ／Ｎ値ないし消去
度が劣化しオーバライド特性は不良となったが、サンプ
ル８群乃至サンプル０群におけるテルルの含有量が２５
乃至４０原子％の範囲では依然として良好なオーバライ
ド特性を得ることができる。

従って、アンチモンが３５乃至４５原子％占めるＩｎ−
５ｂ系の合金に対しテルルを添加し、添加して得られる
Ｔｎ−５ｂ−Ｔｅ系の合金に対しテルルが２５乃至４０
原子％占める合金（Ｉ　ｎ　＋＋。ｏ−ｘ＋ｚ＋ｏｏ　
Ｓｂｘ／ｌｏｏ　）　１００−Ｙ　ＴｅＹ（式中Ｘ、Ｙ
は３５≦Ｘ≦４５．２５≦Ｙ≦４０とする）と同一の組
成からなる合金を用いて記録層３を形成すれば、オーバ
ライドを多数回繰り返しても高速結晶化特性及び非晶質
化容易特性に代表されるオバライト特性が維持され、誤
信号による雑音の影響を受けることなく明瞭な再生信号
が得られる情報記録媒体を得ることができる。

以上において、本実施例における情報記録媒体では保護
層２及び樹脂層６を設けたが必ずしも必要はない。

また、本実施例では情報記録媒体の特性評価のために、
４ＭＨｚあるいは５ＭＨｚ周波数からなるレーザビーム
のパワーを切り替えることにより第３図に示されるレー
ザビームのパワーパターンを得、デユーティ比５０％で
レーザビームを記録層に照射したが、レーザビームの周
波数及びパワパターンは上記に限られることなく自在に
変えることができ、デユーティ比も同様に変えても良い 本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、適宜
の設計的変更により、適宜の態様で実施し得るものであ
る。

［発明の効果コ 以上説明したように本発明によれば、基板と、該基板上
に設けられ光ビームの照射を受けたときその照射エネル
ギーの条件に応して結晶相と非晶質相との間で可逆的に
相変化する記録層から機成される情報記録媒体において
、前記記録層は（Ｉｎ　ｚｏｏ−ｘ＋、ｚ＋ａｏ　Ｓ　
ｂｘ／＋ｏｏ　）　ＩｏＯ−Ｙ　Ｔ　ｅ　Ｙ　　（式中
Ｘ、Ｙは３５≦Ｘ≦４５．２５≦￥≦４０とする）で表
される組成の合金からなるので、高速結晶化特性及び非
晶質化容易特性に代表されるオーバライド特性が良好で
、かつオーバライドを多数回繰り返しても上記オーバラ
イド特性を維持てきる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係わる情報記録媒体の断面
図、 第２図は第１図に示した情報記録媒体の記録層の組成範
囲を示すＩｎ−３ｂ−Ｔｅ組成図、第３図は消去用レー
ザビーム及び記録用レーザビームを交互に切り替えてな
るビームパワーのパタンに関する説明図。 第４図＜Ａ）乃至第４図（Ｅ）は作成したディスクサン
プルのＣ／Ｎ値及び消去度を示す特性図、第５図（Ａ＞
及び第５図（Ｂ）は消去度を説明するための再生信号表
示図、 第６図はオーバライドを繰り返しな場合における再生特
性の評価図である。 １・・・基板　　　　　　　２．４・保護層３・・・記
録層　　　　　　５・・反射層６・・樹脂層　　　　　
　７・非晶質相８・・結晶相 代理ノ諮［±三好秀和 第２図 第３図 １・基板 ３・・記録層 ６・樹脂層 ８・・・結晶相 ２．４・・保護層 ５・反射層 ７・・非晶質相 第１図 号ン７°ルＤ群 号）プルＥ群 チル＆（Ｔｅ）含有！！（原子２） 第４図（Ｅ） ′！Ｆ：也郵毛 ０＼′ｚ、垣 、ｙ＠郵毛 Ｑ＼Ｚ壇毛 Ｐ廻亘 Ｑ＼２場も

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板と、該基板上に設けられ光ビームの照射を受けたと
   きその照射エネルギーの条件に応じて結晶相と非晶質相
   との間で可逆的に相変化する記録層から構成される情報
   記録媒体において、前記記録層は（Ｉｎ＿（＿１＿０＿
   ０＿−＿Ｘ＿）＿／＿１＿０＿０Ｓｂ＿Ｘ＿／＿１＿０
   ＿０）＿１＿０＿０＿−＿ＹＴｅ＿Ｙ（式中Ｘ、Ｙは３
   ５≦Ｘ≦４５、２５≦Ｙ≦４０とする）で表される組成
   の合金からなることを特徴とする情報記録媒体。