JPH02216816A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPH02216816A JPH02216816A JP1037635A JP3763589A JPH02216816A JP H02216816 A JPH02216816 A JP H02216816A JP 1037635 A JP1037635 A JP 1037635A JP 3763589 A JP3763589 A JP 3763589A JP H02216816 A JPH02216816 A JP H02216816A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- duct
- turntable
- controller
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、レジスト塗布方法に関する。
（従来の技術）
半導体装置の製造においては、酸化膜や各種の導電膜が
被覆されたウェハ上にレジスト膜を形成し、露光、現像
処理を施して所望のレジストパターンを形成し、このレ
ジストパターンをマスクとして下地の膜を選択的にエツ
チングしてパターンを形成する工程や、前記レジストパ
ターンをマスクとして不純物をウェハ表面にイオン注入
する工程が行なわれている。
被覆されたウェハ上にレジスト膜を形成し、露光、現像
処理を施して所望のレジストパターンを形成し、このレ
ジストパターンをマスクとして下地の膜を選択的にエツ
チングしてパターンを形成する工程や、前記レジストパ
ターンをマスクとして不純物をウェハ表面にイオン注入
する工程が行なわれている。
ところで、上記ウェハ上にレジスト膜を形成（塗布）す
るには従来より次のような方法が採用されている。即ち
、ターンテーブル上に真空チャックされたウェハ上にレ
ジスト液を滴下し、周囲をダクト引きしながら前記ター
ンテーブルを高速回転してレジスト液をウェハ上に流延
させた後、高速回転を続行させながら乾燥してウェハ上
にレジスト膜を塗布することが行なわれている。
るには従来より次のような方法が採用されている。即ち
、ターンテーブル上に真空チャックされたウェハ上にレ
ジスト液を滴下し、周囲をダクト引きしながら前記ター
ンテーブルを高速回転してレジスト液をウェハ上に流延
させた後、高速回転を続行させながら乾燥してウェハ上
にレジスト膜を塗布することが行なわれている。
しかしながら、上述した従来の方法では高速回転させな
がら乾燥を行なうため、粘性をもつレジスト膜が流動し
ながら乾燥されることになり、乾燥後のレジスト膜が波
打ち、膜厚が不均一となる問題があった。
がら乾燥を行なうため、粘性をもつレジスト膜が流動し
ながら乾燥されることになり、乾燥後のレジスト膜が波
打ち、膜厚が不均一となる問題があった。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、上記従来の課題を解決するために゛（
なされたもので、ウェハ上に均一膜厚のレジスト膜を短
時間で塗布し得るレジスト塗布方法を提供しようとする
ものである。
時間で塗布し得るレジスト塗布方法を提供しようとする
ものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、ターンテーブル上に真空チャックされたウェ
ハ上にレジスト液を滴下し、周囲をダクト引きしながら
前記ターンテーブルを高速回転してレジスト液をウェハ
上に流延させた後、回転を停止し、更に前記レジスト液
の流延時より高い吸引力でダクト引きを行ないながら乾
燥することを特徴とするレジスト塗布方法である。
ハ上にレジスト液を滴下し、周囲をダクト引きしながら
前記ターンテーブルを高速回転してレジスト液をウェハ
上に流延させた後、回転を停止し、更に前記レジスト液
の流延時より高い吸引力でダクト引きを行ないながら乾
燥することを特徴とするレジスト塗布方法である。
上記レジスト液をウェハ上に流延させる時にダクト引き
するのは、高速回転させる際にウェハから飛散するレジ
スト液をダクト側に吸引してターンテーブル周辺のカッ
プから跳返るレジスト液が再びウェハ上に付着するのを
防止するためである。
するのは、高速回転させる際にウェハから飛散するレジ
スト液をダクト側に吸引してターンテーブル周辺のカッ
プから跳返るレジスト液が再びウェハ上に付着するのを
防止するためである。
上記レジスト液をウェハ上に流延させるための高速回転
速度は、１５００〜３５００ｒｐｍの範囲とすることが
望ましい。
速度は、１５００〜３５００ｒｐｍの範囲とすることが
望ましい。
（作用）
本発明によれば、ターンテーブル上に真空チャックされ
たウェハ上にレジスト液を滴下し、周囲をダクト引きし
ながら前記ターンテーブルを高速回転してレジスト液を
ウェハ上に流延させることによって、均一膜厚の粘性を
有するレジスト膜を形成できる。この後、ターンテーブ
ルの回転を停止し、前記レジスト液の流延時より高い吸
引力でダクト引きを行ないながら乾燥することによって
、従来法のようにレジスト膜の波打ちを生じることなく
短時間で乾燥できるため、均一膜厚のレジスト膜をウェ
ハ上に塗布することができる。
たウェハ上にレジスト液を滴下し、周囲をダクト引きし
ながら前記ターンテーブルを高速回転してレジスト液を
ウェハ上に流延させることによって、均一膜厚の粘性を
有するレジスト膜を形成できる。この後、ターンテーブ
ルの回転を停止し、前記レジスト液の流延時より高い吸
引力でダクト引きを行ないながら乾燥することによって
、従来法のようにレジスト膜の波打ちを生じることなく
短時間で乾燥できるため、均一膜厚のレジスト膜をウェ
ハ上に塗布することができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
第１図は、本実施例で使用するレジスト塗布装置を示す
概略図である。図中の１は、カップであり、このカップ
ｌの下部にはガス流通用の室２が連通されている。前記
カップｌ内には、真空チャック機能を有するターンテー
ブル３が配置されており、かつ該テーブル３の底部には
前記室２上部に配置されたモータ４により回転される円
筒状軸５が連結されている。なお、このモータ４は制御
器Ｂにより回転数が制御されるようになっている。
概略図である。図中の１は、カップであり、このカップ
ｌの下部にはガス流通用の室２が連通されている。前記
カップｌ内には、真空チャック機能を有するターンテー
ブル３が配置されており、かつ該テーブル３の底部には
前記室２上部に配置されたモータ４により回転される円
筒状軸５が連結されている。なお、このモータ４は制御
器Ｂにより回転数が制御されるようになっている。
前記ターンテーブル３の上方には、レジスト液を滴下す
るためのノズル１が配置されており、かつ該ノズル７に
はレジスト液導入管８が連結されている。前記室２の下
部側壁にはダクト９が連結され、このダクト９には前、
記制御器６により開度調節されるバルブｌＯが介装され
ている。
るためのノズル１が配置されており、かつ該ノズル７に
はレジスト液導入管８が連結されている。前記室２の下
部側壁にはダクト９が連結され、このダクト９には前、
記制御器６により開度調節されるバルブｌＯが介装され
ている。
次に、前記塗布装置によるレジスト塗布方法を説明する
。
。
まず、ターンテーブル３上にウェハ１１を真空チャック
した後、第２図のタイミングチャートに示すように制御
器６からの信号によりバルブ１０の開度を調整してダク
ト圧を０．４Ｋｇ ／ｃ■２の条件でダクト引きしなが
ら、レジスト液導入管８を通してノズル７から粘度が１
４ｃＰのレジスト液をウェハ１１上に滴下すると共に、
制御器６からの信号によりモータ４を駆動してターンテ
ーブル３上のウェハ１１を２００Ｏｒｐｍの条件で高速
回転してレジスト液をウェハ１１全面に流延した。つづ
いて、同第２図に示すように制御器６からの信号により
モータ４を停止してターンテーブル３の回転を停止する
と同時にバルブ１０の開度を大きくしてダクト圧を２Ｋ
ｇ／ａｍ２と上げて８０〜７０秒間ダクト引きを続行し
た。この時、カップ１及び室２内での矢印１２に示す流
れが強くなり、ウェハ１１上の粘性を有するレジスト膜
が乾燥してウェハ１１上にレジスト膜を塗布した。
した後、第２図のタイミングチャートに示すように制御
器６からの信号によりバルブ１０の開度を調整してダク
ト圧を０．４Ｋｇ ／ｃ■２の条件でダクト引きしなが
ら、レジスト液導入管８を通してノズル７から粘度が１
４ｃＰのレジスト液をウェハ１１上に滴下すると共に、
制御器６からの信号によりモータ４を駆動してターンテ
ーブル３上のウェハ１１を２００Ｏｒｐｍの条件で高速
回転してレジスト液をウェハ１１全面に流延した。つづ
いて、同第２図に示すように制御器６からの信号により
モータ４を停止してターンテーブル３の回転を停止する
と同時にバルブ１０の開度を大きくしてダクト圧を２Ｋ
ｇ／ａｍ２と上げて８０〜７０秒間ダクト引きを続行し
た。この時、カップ１及び室２内での矢印１２に示す流
れが強くなり、ウェハ１１上の粘性を有するレジスト膜
が乾燥してウェハ１１上にレジスト膜を塗布した。
ウェハ１１上に塗布されたレジスト膜を観察したところ
、極めて均一な膜厚を有することがわかった。
、極めて均一な膜厚を有することがわかった。
［発明の効果］
以上詳述した如く、本発明のレジスト塗布方法によれば
ウェハ上に均一膜厚のレジスト膜を短時間で塗布でき、
ひいては塗布されたレジスト膜への露光、現像処理によ
り半導体装置の微細加工などに好適な高精度かつ微細な
レジストパターンを再現性よく形成できる等顕著な効果
を有する。
ウェハ上に均一膜厚のレジスト膜を短時間で塗布でき、
ひいては塗布されたレジスト膜への露光、現像処理によ
り半導体装置の微細加工などに好適な高精度かつ微細な
レジストパターンを再現性よく形成できる等顕著な効果
を有する。
第１図は本発明の実施例で使用したレジスト塗布装置の
一形態を示す概略図、第２図はレジスト膜の塗布工程に
おけるウェハの回転数及びダクト圧を示すタイミングチ
ャートである。 ■・・・カップ、８・・・ターンテーブル、４・・・モ
ータ、６・・・制御器、？・・・ノズル、９・・・ダク
ト、ｌＯ・・・バルブ、１１・・・ウェハ。
一形態を示す概略図、第２図はレジスト膜の塗布工程に
おけるウェハの回転数及びダクト圧を示すタイミングチ
ャートである。 ■・・・カップ、８・・・ターンテーブル、４・・・モ
ータ、６・・・制御器、？・・・ノズル、９・・・ダク
ト、ｌＯ・・・バルブ、１１・・・ウェハ。
Claims (1)
- ターンテーブル上に真空チャックされたウェハ上にレジ
スト液を滴下し、周囲をダクト引きしながら前記ターン
テーブルを高速回転してレジスト液をウェハ上に流延さ
せた後、回転を停止し、更に前記レジスト液の流延時よ
り高い吸引力でダクト引きを行ないながら乾燥すること
を特徴とするレジスト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1037635A JPH02216816A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1037635A JPH02216816A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | レジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02216816A true JPH02216816A (ja) | 1990-08-29 |
Family
ID=12503103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1037635A Pending JPH02216816A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02216816A (ja) |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP1037635A patent/JPH02216816A/ja active Pending
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