JPH04340730A - 半導体装置の封止工程におけるゲートブレイク方法 - Google Patents
半導体装置の封止工程におけるゲートブレイク方法Info
- Publication number
- JPH04340730A JPH04340730A JP11205291A JP11205291A JPH04340730A JP H04340730 A JPH04340730 A JP H04340730A JP 11205291 A JP11205291 A JP 11205291A JP 11205291 A JP11205291 A JP 11205291A JP H04340730 A JPH04340730 A JP H04340730A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- sectional area
- package
- cutting
- breaking method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/38—Cutting-off equipment for sprues or ingates
- B29C45/382—Cutting-off equipment for sprues or ingates disposed outside the mould
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の封止工程に
おけるゲートブレイク方法に関し、特に切削工具を用い
たゲートブレイク方法に関する。
おけるゲートブレイク方法に関し、特に切削工具を用い
たゲートブレイク方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体装置の封止工程におけるゲ
ートブレイク方法は、図2に示す様に、ランナ5をラン
ナクランプ6で固定し、回転中心7に対してパッケージ
8をそれぞれA,A′方向に折り曲げることにより、応
力をゲート部4のB点に集中させ、ゲートブレイクを行
っていた。この時、ゲート部4のB点の断面積が過大の
場合、ゲート部4の一部がパッケージ8に残るいわゆる
ゲート残りが発生する。この為に、ゲート部4のB点か
ら折れ易くなる様に、ゲート部4のB点の断面積を極力
小さくする必要がある。
ートブレイク方法は、図2に示す様に、ランナ5をラン
ナクランプ6で固定し、回転中心7に対してパッケージ
8をそれぞれA,A′方向に折り曲げることにより、応
力をゲート部4のB点に集中させ、ゲートブレイクを行
っていた。この時、ゲート部4のB点の断面積が過大の
場合、ゲート部4の一部がパッケージ8に残るいわゆる
ゲート残りが発生する。この為に、ゲート部4のB点か
ら折れ易くなる様に、ゲート部4のB点の断面積を極力
小さくする必要がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のゲー
トブレイク方法ではゲート部4のB点の断面積が過大の
場合、ゲート残りが発生し、切断及び曲げ工程において
、パッケージクラックやリード打痕等の原因となってい
た。また、ゲート残り対策として、ゲート部4のB点の
断面積を小さくすると、ボイド,未充填の発生率が高く
なる弊害があり、金型のゲート部4のB点断面積の設定
が非常に難しくなるという問題点があった。
トブレイク方法ではゲート部4のB点の断面積が過大の
場合、ゲート残りが発生し、切断及び曲げ工程において
、パッケージクラックやリード打痕等の原因となってい
た。また、ゲート残り対策として、ゲート部4のB点の
断面積を小さくすると、ボイド,未充填の発生率が高く
なる弊害があり、金型のゲート部4のB点断面積の設定
が非常に難しくなるという問題点があった。
【0004】本発明の目的は、前記問題点を解決し、B
点の断面積が容易に設定できるようにした半導体装置の
封止工程におけるゲートブレイク方法を提供することに
ある。
点の断面積が容易に設定できるようにした半導体装置の
封止工程におけるゲートブレイク方法を提供することに
ある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の封
止工程におけるゲートブレイク方法は、切削工具により
ゲートの切削してランナとパッケージとを離脱させるこ
とを特徴とする。
止工程におけるゲートブレイク方法は、切削工具により
ゲートの切削してランナとパッケージとを離脱させるこ
とを特徴とする。
【0006】
【実施例】図1は本発明の一実施例のダイヤモンドブレ
ードによるゲートブレイク方法の正面図である。
ードによるゲートブレイク方法の正面図である。
【0007】図1において、本実施例では、樹脂封止済
のリードフレーム1をリードフレームクランプ2で固定
する。次に、回転するダイヤモンドブレード3をゲート
4側パッケージ8の端面狙いで上昇させ、ゲート残りが
最大で0.1mmとなる精度でゲート4を切削しゲート
ブレイクを行う。
のリードフレーム1をリードフレームクランプ2で固定
する。次に、回転するダイヤモンドブレード3をゲート
4側パッケージ8の端面狙いで上昇させ、ゲート残りが
最大で0.1mmとなる精度でゲート4を切削しゲート
ブレイクを行う。
【0008】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、切削物
によりゲートを切削し、ゲートブレイクを行う様にした
ので、ゲート残り不良の発生率が1%から0%に等しく
なり、切断,曲げ工程でのパッケージクラックやリード
打痕の発生率もほぼ0%となるという効果があり、また
特にゲート部4のB点の断面積の過大によるゲート残り
を考慮する必要が無くなる為に、ゲート部4のB点を断
面積の設定が容易になるという効果もある。
によりゲートを切削し、ゲートブレイクを行う様にした
ので、ゲート残り不良の発生率が1%から0%に等しく
なり、切断,曲げ工程でのパッケージクラックやリード
打痕の発生率もほぼ0%となるという効果があり、また
特にゲート部4のB点の断面積の過大によるゲート残り
を考慮する必要が無くなる為に、ゲート部4のB点を断
面積の設定が容易になるという効果もある。
【0009】更に、本発明では、ゲート部4のB点の断
面積を大きくすることが可能で、樹脂の流れがスムーズ
になり、ボイド,未充填の発生率が低減するという効果
もある。
面積を大きくすることが可能で、樹脂の流れがスムーズ
になり、ボイド,未充填の発生率が低減するという効果
もある。
【図1】本発明の一実施例の半導体装置の封止工程にお
けるゲートブレイク方法を示す正面図である。
けるゲートブレイク方法を示す正面図である。
【図2】従来のゲートブレイク方法を示す正面図である
。
。
1 リードフレーム
2 リードフレームクランプ
3 ダイヤモンドブレード
4 ゲート
5 ランナ
6 ランナークランプ
7 回転中心
8 パッケージ
Claims (1)
- 【請求項1】 切削工具によりゲートを切削してラン
ナとパッケージとを離脱させることを特徴とする半導体
装置の封止工程におけるゲートブレイク方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11205291A JPH04340730A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 半導体装置の封止工程におけるゲートブレイク方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11205291A JPH04340730A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 半導体装置の封止工程におけるゲートブレイク方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340730A true JPH04340730A (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=14576825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11205291A Pending JPH04340730A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 半導体装置の封止工程におけるゲートブレイク方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04340730A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972103A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-24 | 日本インタ−ナシヨナル整流器株式会社 | 樹脂モ−ルドアキシヤルリ−ド型電子部品の製造方法 |
| JPS6092625A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-24 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置の樹脂バリ除去方法 |
| JPH02140963A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Yamada Seisakusho:Kk | リードフレームおよびこのリードフレームを用いたゲートの分離方法 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP11205291A patent/JPH04340730A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972103A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-24 | 日本インタ−ナシヨナル整流器株式会社 | 樹脂モ−ルドアキシヤルリ−ド型電子部品の製造方法 |
| JPS6092625A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-24 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置の樹脂バリ除去方法 |
| JPH02140963A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Yamada Seisakusho:Kk | リードフレームおよびこのリードフレームを用いたゲートの分離方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5119171A (en) | Semiconductor die having rounded or tapered edges and corners | |
| US3260495A (en) | Form tie | |
| JPH04340730A (ja) | 半導体装置の封止工程におけるゲートブレイク方法 | |
| JP2928120B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2637852B2 (ja) | 半導体ウェハーのダイシング方法 | |
| US5451549A (en) | Semiconductor dicing method which uses variable sawing speeds | |
| JPH06252184A (ja) | 樹脂封止型半導体素子のモールドゲート部の切断方法 | |
| JPH08227960A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPS6373656A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2826508B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JP2710515B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム | |
| JPH05326695A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06216241A (ja) | ウェーハ等の切削方法 | |
| JPH0297048A (ja) | リードフレーム | |
| JPH04192541A (ja) | ウェハーダイシング装置 | |
| JP3005503B2 (ja) | タイバー切断型用パンチガイドおよびその切断方法 | |
| JPH1168002A (ja) | 半導体装置のパッケージゲート部の切断パンチ及びその切断方法 | |
| JPH10263717A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPS6165450A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04324970A (ja) | 半導体装置のリードフレームの製造方法 | |
| JP5688857B2 (ja) | 下削り用チェザー | |
| JP2005085860A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置用インターポーザ | |
| JPH06224348A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| KR20090128661A (ko) | 하드디스크 드라이브용 스크류 및 그의 제조방법 | |
| JPS63136636A (ja) | 成形金型 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970610 |