JPH10263717A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH10263717A JPH10263717A JP9067550A JP6755097A JPH10263717A JP H10263717 A JPH10263717 A JP H10263717A JP 9067550 A JP9067550 A JP 9067550A JP 6755097 A JP6755097 A JP 6755097A JP H10263717 A JPH10263717 A JP H10263717A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- semiconductor device
- punching
- lead
- stamping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910002555 FeNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Punching Or Piercing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の耐湿性を向上するとともに、半
導体装置を安価に且つ能率良く製造することができるよ
うに成した半導体装置用リードフレームを提供する。 【解決手段】 打ち抜き加工によって形成された半導体
装置用リードフレームにおいて、側面における打ち抜き
方向の先端縁に面取り加工が施されたことを特徴とす
る。
導体装置を安価に且つ能率良く製造することができるよ
うに成した半導体装置用リードフレームを提供する。 【解決手段】 打ち抜き加工によって形成された半導体
装置用リードフレームにおいて、側面における打ち抜き
方向の先端縁に面取り加工が施されたことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置用リード
フレームに関するものである。
フレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、半導体装置用リードフレ
ームは、素子が搭載されてワイヤボンディングが行われ
た後に、水分等が侵入しないようにモールドによって封
止される。
ームは、素子が搭載されてワイヤボンディングが行われ
た後に、水分等が侵入しないようにモールドによって封
止される。
【０００３】ところで、リードフレームは主としてスタ
ンピング加工によって形成されるが、スタンピング加工
時にリードフレームの側面における打ち抜き方向の先端
縁に沿ってバリが生じ易く、このバリが有る状態でリー
ドフレームをモールドによって封止すると、リフロー等
の熱応力負荷がかかったときにバリとモールドの間に隙
間が生じ、そこから水分が侵入して素子の性能が低下す
ることがある。
ンピング加工によって形成されるが、スタンピング加工
時にリードフレームの側面における打ち抜き方向の先端
縁に沿ってバリが生じ易く、このバリが有る状態でリー
ドフレームをモールドによって封止すると、リフロー等
の熱応力負荷がかかったときにバリとモールドの間に隙
間が生じ、そこから水分が侵入して素子の性能が低下す
ることがある。
【０００４】この問題を解決するために、従来は、リ
ードフレームをバリが発生しにくいFeNiによって形成す
る、モールドキュア時間を長くしてバリとモールドの
間に隙間ができないようにする、水分が多少侵入して
も性能が損なわれないように素子を改善する（例えば、
素子のＰＮ接合の全周にガラスを多く塗布する、素子を
大きくしてガラスの塗布量を多くする）等の対策が採ら
れていた。
ードフレームをバリが発生しにくいFeNiによって形成す
る、モールドキュア時間を長くしてバリとモールドの
間に隙間ができないようにする、水分が多少侵入して
も性能が損なわれないように素子を改善する（例えば、
素子のＰＮ接合の全周にガラスを多く塗布する、素子を
大きくしてガラスの塗布量を多くする）等の対策が採ら
れていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の技術の
場合、はコストが高騰する、は生産能率が低下す
る、は、設備的に困難である、コストが高騰するとい
う問題が有った。
場合、はコストが高騰する、は生産能率が低下す
る、は、設備的に困難である、コストが高騰するとい
う問題が有った。
【０００６】本発明は、上述した事情に鑑みて創案され
たものであって、その目的は、半導体装置の耐湿性を向
上するとともに、半導体装置を安価に且つ能率良く製造
することができるように成した半導体装置用リードフレ
ームを提供することにある。
たものであって、その目的は、半導体装置の耐湿性を向
上するとともに、半導体装置を安価に且つ能率良く製造
することができるように成した半導体装置用リードフレ
ームを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、請求項１の発明は、打ち抜き加工によって形成
された半導体装置用リードフレームにおいて、側面にお
ける打ち抜き方向の先端縁に面取り加工が施されたこと
を特徴とするものである。
ために、請求項１の発明は、打ち抜き加工によって形成
された半導体装置用リードフレームにおいて、側面にお
ける打ち抜き方向の先端縁に面取り加工が施されたこと
を特徴とするものである。
【０００８】また、請求項２の発明は、打ち抜き加工に
よって形成された半導体装置用リードフレームにおい
て、側面における打ち抜き方向の先端縁に曲面加工が施
されたことを特徴とするものである。
よって形成された半導体装置用リードフレームにおい
て、側面における打ち抜き方向の先端縁に曲面加工が施
されたことを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施形態
を図面を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施
形態である半導体装置用リードフレーム１の斜視図、図
２は図１のリードフレーム１のリード部３の幅方向断面
図、図３はリードフレーム１に面取り加工を施す工程の
説明図、図４はリードフレーム１によって形成された半
導体装置の断面図である。
を図面を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施
形態である半導体装置用リードフレーム１の斜視図、図
２は図１のリードフレーム１のリード部３の幅方向断面
図、図３はリードフレーム１に面取り加工を施す工程の
説明図、図４はリードフレーム１によって形成された半
導体装置の断面図である。
【００１０】図１に示す半導体装置用リードフレーム１
は、Cu製のフープ状の素材をスタンピング加工すること
によって形成されたもので、素子搭載部２と、これに連
続し、素子搭載部２に対して幅が縮小したリード部３と
を有している。なお、図１では、説明の都合上、一つの
リードフレーム１のみを切り離した状態で示している
が、実際には、フープ状の素材中に多数のリードフレー
ム１、１、・・・がその幅方向に整列した状態で形成さ
れており、各リードフレーム１、１、・・・はリード部
３を介して素材につながっている。
は、Cu製のフープ状の素材をスタンピング加工すること
によって形成されたもので、素子搭載部２と、これに連
続し、素子搭載部２に対して幅が縮小したリード部３と
を有している。なお、図１では、説明の都合上、一つの
リードフレーム１のみを切り離した状態で示している
が、実際には、フープ状の素材中に多数のリードフレー
ム１、１、・・・がその幅方向に整列した状態で形成さ
れており、各リードフレーム１、１、・・・はリード部
３を介して素材につながっている。
【００１１】図１、２に示すように、リード部３の左右
の側面３ａ、３ａにおける打ち抜き方向（矢印Ａ方向）
の先端縁３ｂ、３ｂには全長に亘って面取り４、４が形
成されている。打ち抜き後のリードフレーム１の側面に
おける打ち抜き方向の先端縁には、素材につながってい
る部分を除いてバリが生じており、本実施形態では、図
３に示すように、リード部３の左右の側面３ａ、３ａの
先端縁３ｂ、３ｂを金型６、６によって矢印Ｂ方向にス
タンピングすることによってバリ５、５を潰し、面取り
４、４を形成している。
の側面３ａ、３ａにおける打ち抜き方向（矢印Ａ方向）
の先端縁３ｂ、３ｂには全長に亘って面取り４、４が形
成されている。打ち抜き後のリードフレーム１の側面に
おける打ち抜き方向の先端縁には、素材につながってい
る部分を除いてバリが生じており、本実施形態では、図
３に示すように、リード部３の左右の側面３ａ、３ａの
先端縁３ｂ、３ｂを金型６、６によって矢印Ｂ方向にス
タンピングすることによってバリ５、５を潰し、面取り
４、４を形成している。
【００１２】スタンピング加工と面取り加工が終了した
フープ状のリードフレーム１、１、・・・は半導体製造
装置に装着され、素子搭載部２に素子が搭載されてワイ
ヤボンディングが行われた後にモールドによって封止さ
れ、リード部３において切断され、半導体装置となる。
フープ状のリードフレーム１、１、・・・は半導体製造
装置に装着され、素子搭載部２に素子が搭載されてワイ
ヤボンディングが行われた後にモールドによって封止さ
れ、リード部３において切断され、半導体装置となる。
【００１３】得られた半導体装置は、図４に示すよう
に、リード部３の左右の側面における打ち抜き方向の先
端縁に面取り４、４が形成されており、この部分とモー
ルド８とが密着しているため、半導体装置７内部に水分
等が侵入して素子９の性能が損なわれることが無い。
に、リード部３の左右の側面における打ち抜き方向の先
端縁に面取り４、４が形成されており、この部分とモー
ルド８とが密着しているため、半導体装置７内部に水分
等が侵入して素子９の性能が損なわれることが無い。
【００１４】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れるものではない。例えば、リードフレームの側面にお
ける打ち抜き方向の先端縁に面取り加工を施す代わりに
アール等の曲面加工を施すようにしても良い。
れるものではない。例えば、リードフレームの側面にお
ける打ち抜き方向の先端縁に面取り加工を施す代わりに
アール等の曲面加工を施すようにしても良い。
【００１５】また、面取りや曲面は、必ずしもリードフ
レームの側面における打ち抜き方向の先端縁の全長に亘
って形成する必要は無く、半導体装置内部に水分等が侵
入するのを防止することができれば、本実施形態のよう
に、前記先端縁の一部にのみ形成するようにしても良
い。
レームの側面における打ち抜き方向の先端縁の全長に亘
って形成する必要は無く、半導体装置内部に水分等が侵
入するのを防止することができれば、本実施形態のよう
に、前記先端縁の一部にのみ形成するようにしても良
い。
【００１６】本発明は、特に、打ち抜き時にバリが発生
しやすいCu製のリードフレームに適している。
しやすいCu製のリードフレームに適している。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置用リードフレームによれば、打ち抜き加工によって形
成された半導体装置用リードフレームの側面における打
ち抜き方向の先端縁に面取り加工または曲面加工を施し
たことにより、モールドで封止した後にリードフレーム
とモールドの間に隙間が生じず、半導体装置内部に水分
が侵入するのを防止することができるので、半導体装置
の耐湿性が向上する。
置用リードフレームによれば、打ち抜き加工によって形
成された半導体装置用リードフレームの側面における打
ち抜き方向の先端縁に面取り加工または曲面加工を施し
たことにより、モールドで封止した後にリードフレーム
とモールドの間に隙間が生じず、半導体装置内部に水分
が侵入するのを防止することができるので、半導体装置
の耐湿性が向上する。
【００１８】また、本発明の半導体装置用リードフレー
ムは、少ない設備投資で製造することができ、且つ量産
性にも優れているため、半導体装置を安価に且つ能率良
く製造することができる。
ムは、少ない設備投資で製造することができ、且つ量産
性にも優れているため、半導体装置を安価に且つ能率良
く製造することができる。
【図１】 本発明の一実施形態であるリードフレーム１
の斜視図。
の斜視図。
【図２】 図１のリードフレーム１のリード部３の幅方
向断面図。
向断面図。
【図３】 リードフレーム１に面取り加工を施す工程を
示す説明図。
示す説明図。
【図４】 リードフレーム１によって形成された半導体
装置の断面図。
装置の断面図。
１ リードフレーム ４ 面取り
Claims (2)
- 【請求項１】 打ち抜き加工によって形成された半導体
装置用リードフレームにおいて、側面における打ち抜き
方向の先端縁に面取り加工が施されたことを特徴とする
半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】 打ち抜き加工によって形成された半導体
装置用リードフレームにおいて、側面における打ち抜き
方向の先端縁に曲面加工が施されたことを特徴とする半
導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9067550A JPH10263717A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9067550A JPH10263717A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10263717A true JPH10263717A (ja) | 1998-10-06 |
Family
ID=13348194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9067550A Pending JPH10263717A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10263717A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006313830A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Nippon Inter Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US10367127B2 (en) | 2016-03-31 | 2019-07-30 | Nichia Corporation | Lead frame including hanger lead, package, and light-emitting device |
| CN115643799A (zh) * | 2021-05-18 | 2023-01-24 | 株式会社Pole | 用于对二次电池的引线接头的边缘倒圆的处理设备 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677374A (ja) * | 1992-08-27 | 1994-03-18 | Nec Corp | 半導体装置用リードおよびその製造方法 |
-
1997
- 1997-03-21 JP JP9067550A patent/JPH10263717A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677374A (ja) * | 1992-08-27 | 1994-03-18 | Nec Corp | 半導体装置用リードおよびその製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006313830A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Nippon Inter Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US10367127B2 (en) | 2016-03-31 | 2019-07-30 | Nichia Corporation | Lead frame including hanger lead, package, and light-emitting device |
| US10937666B2 (en) | 2016-03-31 | 2021-03-02 | Nichia Corporation | Method for manufacturing lead frame including electrode and hanger lead, method for manufacturing package having lead frame, and method for manufacturing light-emitting device having package |
| CN115643799A (zh) * | 2021-05-18 | 2023-01-24 | 株式会社Pole | 用于对二次电池的引线接头的边缘倒圆的处理设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040224 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051115 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060307 |