JPS61173253A - フオトマスクブランクの形成方法 - Google Patents
フオトマスクブランクの形成方法Info
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- JPS61173253A JPS61173253A JP60016205A JP1620585A JPS61173253A JP S61173253 A JPS61173253 A JP S61173253A JP 60016205 A JP60016205 A JP 60016205A JP 1620585 A JP1620585 A JP 1620585A JP S61173253 A JPS61173253 A JP S61173253A
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- Japan
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- metal
- silicon
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- silicide film
- forming
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造工程において使用される
フォトマスク形成のためのフォトマスク材料の形成方法
に関するものである。
フォトマスク形成のためのフォトマスク材料の形成方法
に関するものである。
半導体装置、特に微細パターンを要する半導体装置の製
造に際し、写真製版工程で使用されるクロム等のハード
マスクは、従来のエマルジョンマスクに比べて膜厚の薄
い材料が使えるためパターンの微細化が可能となり、か
つその寿命も長くなる等の多くの利点がある。このフォ
トマスク材料としてのハードマスクの形成は、例えは材
料がクロムの場合は第２図に示すように、透明ガラス基
板１上にスパッタ法等によりクロム膜２を５００〜１０
０ＯＸ程度の膜厚に形成する。このりｐム膜２の形成は
、第３図に示すようなスパッタ装置を用いる。
造に際し、写真製版工程で使用されるクロム等のハード
マスクは、従来のエマルジョンマスクに比べて膜厚の薄
い材料が使えるためパターンの微細化が可能となり、か
つその寿命も長くなる等の多くの利点がある。このフォ
トマスク材料としてのハードマスクの形成は、例えは材
料がクロムの場合は第２図に示すように、透明ガラス基
板１上にスパッタ法等によりクロム膜２を５００〜１０
０ＯＸ程度の膜厚に形成する。このりｐム膜２の形成は
、第３図に示すようなスパッタ装置を用いる。
すなわち、第３図において、１０’、１１はそれぞれカ
ソードおよび７ノード電極であり、１２はクロム、タン
タルまたは金槙シリサイド等のターゲット、１３は高周
波電源である。
ソードおよび７ノード電極であり、１２はクロム、タン
タルまたは金槙シリサイド等のターゲット、１３は高周
波電源である。
図示０ように↑′等０不括性ガ８を導入２・０れにより
ターゲット１２０表面を衝撃することによりターゲット
１２の金属に対応した金属薄膜、例えばクロム膜２が対
向する透明ガラス基板１上に形成される。
ターゲット１２０表面を衝撃することによりターゲット
１２の金属に対応した金属薄膜、例えばクロム膜２が対
向する透明ガラス基板１上に形成される。
上記したように、半導体製造工程で用いられるクロム等
のハードマスクは膜厚が薄いためパターンの微細化が可
能であり、寿命も長くなる等の多。
のハードマスクは膜厚が薄いためパターンの微細化が可
能であり、寿命も長くなる等の多。
くの利点がある。透明ガラス基板１上にクロム等のハー
ドマスクを抵抗加熱法で蒸着する場合には、蒸着時に不
純物が混入する等の問題があり、良質のハードマスク材
料が形成できなかった。特に、融点の高い金属は困難で
ある。しかし、第３図のようなスパッタ法によるハード
マスクの形成方法では、 Ａｒプラズマで所望のターゲ
ット（マスク材）１２を物理的にスパッタさせることに
より透明ガラス基板１上にフォトマスク材料を形成でき
るので、高融点材料にも有利となる。＃ｉＬいフォトマ
スク材料としての金属シリサイド膜の形成も、ターゲッ
ト１２に金属シリサイドを用いることで容易に形成でき
る。
ドマスクを抵抗加熱法で蒸着する場合には、蒸着時に不
純物が混入する等の問題があり、良質のハードマスク材
料が形成できなかった。特に、融点の高い金属は困難で
ある。しかし、第３図のようなスパッタ法によるハード
マスクの形成方法では、 Ａｒプラズマで所望のターゲ
ット（マスク材）１２を物理的にスパッタさせることに
より透明ガラス基板１上にフォトマスク材料を形成でき
るので、高融点材料にも有利となる。＃ｉＬいフォトマ
スク材料としての金属シリサイド膜の形成も、ターゲッ
ト１２に金属シリサイドを用いることで容易に形成でき
る。
ところで、従来はフォトマスク材料として透明ガラス基
板１上にクロムＩＣ’ｒ）ｉ換２が形成され用いられて
いる。近年の半導体産業において大容量。
板１上にクロムＩＣ’ｒ）ｉ換２が形成され用いられて
いる。近年の半導体産業において大容量。
高集積化が進む中で、高信頼性マスクあ必要性が増して
きた。つまり、ウェハステッパ用のンテイクルマルクは
無欠陥マスクか要求され、かつマスク洗浄に対しても洗
浄による欠損が問題となる。
きた。つまり、ウェハステッパ用のンテイクルマルクは
無欠陥マスクか要求され、かつマスク洗浄に対しても洗
浄による欠損が問題となる。
その対策として考えられる金属シリサイド膜を用いたハ
ードマスクは、基板ガラスがＳ ｉ ０２ 、 ’Ａｌ
２Ｏ３等の金属酸化膜でできており、接着性は強固とな
る。
ードマスクは、基板ガラスがＳ ｉ ０２ 、 ’Ａｌ
２Ｏ３等の金属酸化膜でできており、接着性は強固とな
る。
一方、上記金属シリサイド膜形成において、金属とシリ
コンの比率が一定でない場合１例えは１つの金属シリサ
イドのターゲット１２を用いた場合、透明ガラス基板１
上にシリコンと金属の融点の差から成分が不均一な金属
シリサイド膜か形成サレ、後のマスクプロセス、特にエ
ツチング工程でエツチングのムラができることがあった
り、部分的に金属のみの部分ができることで、後のマス
ク洗浄により膜ハガンが生じる場合がある。
コンの比率が一定でない場合１例えは１つの金属シリサ
イドのターゲット１２を用いた場合、透明ガラス基板１
上にシリコンと金属の融点の差から成分が不均一な金属
シリサイド膜か形成サレ、後のマスクプロセス、特にエ
ツチング工程でエツチングのムラができることがあった
り、部分的に金属のみの部分ができることで、後のマス
ク洗浄により膜ハガンが生じる場合がある。
従来のハードマスクは１層または２層構造のものが多く
、膜形成は簡単であるが、例えば金属シリサイドをマス
ク材料として用いる場合、前記金属シリサイドは金属と
シリコンの２柚類の化合物でターゲットが構成されてい
るため、各々のスパッタ率の差から一様で安定した金属
シリサイド膜の形成が困難となる問題点があった。
、膜形成は簡単であるが、例えば金属シリサイドをマス
ク材料として用いる場合、前記金属シリサイドは金属と
シリコンの２柚類の化合物でターゲットが構成されてい
るため、各々のスパッタ率の差から一様で安定した金属
シリサイド膜の形成が困難となる問題点があった。
この発明は、上記のような従来の問題点を解決するため
になされたもので、一様で高品質のフォトマスク材料を
形成することを目的としている。
になされたもので、一様で高品質のフォトマスク材料を
形成することを目的としている。
この発明に係るフォトマスク材料の形成方法は、金属と
シリコンのターゲットを別々に設け、このターゲットか
らの金属とシリコンを適切な比率に制御して石英等の透
明ガラス基板上に金属シリサイド膜を形成するようにし
たものである。
シリコンのターゲットを別々に設け、このターゲットか
らの金属とシリコンを適切な比率に制御して石英等の透
明ガラス基板上に金属シリサイド膜を形成するようにし
たものである。
この発明においては、金属とシリコンのターゲットが別
々であるため適切な比率で一様に、かつ均一な金属シリ
サイド膜か形成される。
々であるため適切な比率で一様に、かつ均一な金属シリ
サイド膜か形成される。
第１図はこの発明の一実施例を示すフォトマスク材料を
形成するためのスパッタ装置の概略構成図である。第１
図において、１０．１１はそれぞれカソードおよび７ノ
ード電極である。１４．１５は棟類の異なった被スパツ
タ材料、例えば１４はシリコン、１５はＭｏ ＋ Ｔ
ａ 、Ｗ等の金属材料のターゲットである。カソード電
極１０上に設けられた石英等の透明ガラス基板１上に、
Ａｒ等の不活性ガスプラズマで１ノード篭極１１側に設
けられた２つの被スパツタ材料のターゲラ） １４．１
５をスパッタして金属シリサイド膜を形成する。
形成するためのスパッタ装置の概略構成図である。第１
図において、１０．１１はそれぞれカソードおよび７ノ
ード電極である。１４．１５は棟類の異なった被スパツ
タ材料、例えば１４はシリコン、１５はＭｏ ＋ Ｔ
ａ 、Ｗ等の金属材料のターゲットである。カソード電
極１０上に設けられた石英等の透明ガラス基板１上に、
Ａｒ等の不活性ガスプラズマで１ノード篭極１１側に設
けられた２つの被スパツタ材料のターゲラ） １４．１
５をスパッタして金属シリサイド膜を形成する。
このように、この発明ではシリコンと金属の２つの異な
ったターゲットをそれぞれ制御よ（用いることで、均一
な金属シリサイド膜を形成することができる、例えは石
英等の透明ガラス基板１または１ノード電極１１を制御
よく回転させたり、単振動を透明ガラス基板１に与える
ことで得られる。また、７ノード竜極１１上のターゲッ
ト１４゜１５０面積を変えることで、金属とシリコンの
比率を制御して一様で均一な金属シリサイド膜を形成す
ることができる。
ったターゲットをそれぞれ制御よ（用いることで、均一
な金属シリサイド膜を形成することができる、例えは石
英等の透明ガラス基板１または１ノード電極１１を制御
よく回転させたり、単振動を透明ガラス基板１に与える
ことで得られる。また、７ノード竜極１１上のターゲッ
ト１４゜１５０面積を変えることで、金属とシリコンの
比率を制御して一様で均一な金属シリサイド膜を形成す
ることができる。
また、シリコンと金属の比率は、金属１に対してシリコ
ン２以上に制御され、光学濃度はマスクパターン形成後
の欠陥検食等が可能な３０程度に制御されるのがよい。
ン２以上に制御され、光学濃度はマスクパターン形成後
の欠陥検食等が可能な３０程度に制御されるのがよい。
この発明は以上説明したとおり、金属とシリコンの２つ
の異なったターゲットを適切な比率になるように制御し
てスパッタすることにより、金属とシリコンを別々に石
英等の透明ガラス基板上に形成して金属シリサイド膜を
形成するようにしたので、一様で、かつ均一なフォトマ
スク材料を形成することかできる効果がある。
の異なったターゲットを適切な比率になるように制御し
てスパッタすることにより、金属とシリコンを別々に石
英等の透明ガラス基板上に形成して金属シリサイド膜を
形成するようにしたので、一様で、かつ均一なフォトマ
スク材料を形成することかできる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を説明するための装置の概
略構成図、第２図は従来のフォトマスクの断面図、第３
図は従来のスパッタ法を説明する装置の概略構成図であ
る。 図においで、１は透明ガラス基板、１０はカンード電極
、１１は１メート電極、１３は高周波電源、１４はシリ
コンのターゲット、１５は金属のターゲットである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩 増雄 （外２名） 第１図 ］、透明ガラス基板 １４ シソコンのグーゲ・フト ］５金属ｎターゲ−）Ｆ 第２図 第３図 Δμ二 °゛ンｌ Ｃ４１叉°パ １、事件の表示 特願昭６０−０１６２０５号２１
発明の名称 フ第１・マスク材料の形成方法３、補
正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社住 所 東
京都千代田区丸の内二丁目２番３号５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄 ６、補正の内容 明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正する。 以 上 ２、特許請求の範囲 （１） 透明ガラス基板上に金属シリサイド膜を形成
する方法において、前記金属シリサイド膜を、別々に設
けられたシリコンと金属のターゲットを制御してスパッ
タし、前記シリコに４金属が所要の比率および膜厚とな
るように形成することを特徴とするフ第１・マスク材料
の形成方法。 （２）透明ガラス基板は、石英ガラス基板であることを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のフ第１・マ
スク材料の形成方法。 （３） スパッタ工程におけるシリコンと金属の比率
は、金属１に対してシリコン２以上である乙とを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項または第（２）項記載の
フ第１・マスク材料の形成方法。 （４）金属シリサイド膜の膜厚は、光学濃度が３゜０８
度になるように制御されていることを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項乃至第（３）項記載のフ第１・マス
ク材料の形成方法。
略構成図、第２図は従来のフォトマスクの断面図、第３
図は従来のスパッタ法を説明する装置の概略構成図であ
る。 図においで、１は透明ガラス基板、１０はカンード電極
、１１は１メート電極、１３は高周波電源、１４はシリ
コンのターゲット、１５は金属のターゲットである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩 増雄 （外２名） 第１図 ］、透明ガラス基板 １４ シソコンのグーゲ・フト ］５金属ｎターゲ−）Ｆ 第２図 第３図 Δμ二 °゛ンｌ Ｃ４１叉°パ １、事件の表示 特願昭６０−０１６２０５号２１
発明の名称 フ第１・マスク材料の形成方法３、補
正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社住 所 東
京都千代田区丸の内二丁目２番３号５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄 ６、補正の内容 明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正する。 以 上 ２、特許請求の範囲 （１） 透明ガラス基板上に金属シリサイド膜を形成
する方法において、前記金属シリサイド膜を、別々に設
けられたシリコンと金属のターゲットを制御してスパッ
タし、前記シリコに４金属が所要の比率および膜厚とな
るように形成することを特徴とするフ第１・マスク材料
の形成方法。 （２）透明ガラス基板は、石英ガラス基板であることを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のフ第１・マ
スク材料の形成方法。 （３） スパッタ工程におけるシリコンと金属の比率
は、金属１に対してシリコン２以上である乙とを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項または第（２）項記載の
フ第１・マスク材料の形成方法。 （４）金属シリサイド膜の膜厚は、光学濃度が３゜０８
度になるように制御されていることを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項乃至第（３）項記載のフ第１・マス
ク材料の形成方法。
Claims (4)
- （１）透明ガラス基板上に金属シリサイド膜を形成する
方法において、前記金属シリサイド膜を、別々に設けら
れたシリコンと金属のターゲットを制御してスパッタし
、前記シリコント金属が所要の比率および膜厚となるよ
うに形成することを特徴とするフォトマスク材料の形成
方法。 - （２）透明ガラス基板は、石英ガラス基板であることを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のフォトマス
ク材料の形成方法。 - （３）スパッタ工程におけるシリコンと金属の比率は、
金属１に対してシリコン２以上であることを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項または第（２）項記載のフォ
トマスク材料の形成方法。 - （４）金属シリサイド膜の膜厚は、光学濃度が３．０程
度になるように制御されていることを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項乃至第（３）項記載のフォトマスク
材料の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60016205A JPS61173253A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | フオトマスクブランクの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60016205A JPS61173253A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | フオトマスクブランクの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61173253A true JPS61173253A (ja) | 1986-08-04 |
| JPH0434143B2 JPH0434143B2 (ja) | 1992-06-05 |
Family
ID=11910009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60016205A Granted JPS61173253A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | フオトマスクブランクの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61173253A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006028168A1 (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| JP2009294681A (ja) * | 2009-09-24 | 2009-12-17 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5323277A (en) * | 1976-08-14 | 1978-03-03 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photomasking material and photomask |
| JPS60176235A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Ｘ線露光用マスク原板 |
-
1985
- 1985-01-28 JP JP60016205A patent/JPS61173253A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5323277A (en) * | 1976-08-14 | 1978-03-03 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photomasking material and photomask |
| JPS60176235A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Ｘ線露光用マスク原板 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006028168A1 (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| US7691546B2 (en) | 2004-09-10 | 2010-04-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask |
| US8007964B2 (en) | 2004-09-10 | 2011-08-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask |
| JP2009294681A (ja) * | 2009-09-24 | 2009-12-17 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0434143B2 (ja) | 1992-06-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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