JPH043441A - Ｔａｂインナーリードのバンプ形成方法およびその形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体素子の実装に用いられるＴＡＢ（Ｔａ
ｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）用テープ
キャリアのインナーリード先端部に、機械的なプレス加
工によリバンプを形成する方法およびバンプ形成装置に
関する。

〔従来の技術〕

一般に、半導体素子をＴＡＢ用テープキャリアに実装す
るには、半導体素子の電極部またはテープキャリアのイ
ンナーリード先端部のいずれか一方に、バンプとなる突
起を形成する必要がある。半導体素子の電極部にバンプ
形成する方法には、例えば、［アイビーエムジャーナル
（ＩＢＭ　Ｊｏｕｒｎａｌ）Ｊ第８巻（１９６４年）１
０２頁に記載のように電極部に直接バンプとなる突起を
メツキ法により形成する方法や、［エレクトロニック・
パッケージング・アンド”プロダクション（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ　＆Ｐｒｏｄｕｃｔｉ
Ｏｎ）Ｊ、■９８４年１２月号、３３〜３９頁に記載の
ようにエツチング技術を用いたペデスタル法、すなわち
バンプを形成する部分をマスキングしておき、他のイン
ナーリード部分をハーフエツチングすることにより、３
０〜４０μｍの高さの突起を形成する方法がある。しか
し、これらの方法でバンプを形成するには、高価な露光
装置やメツキ装置なとの設備が必要となるだけでなく、
パターンニングのためのりソゲラフイエ程やエツチング
工程が必要になるためバンプ形成処理に長時間を費する
等の課題がある。

このため、特公昭６４−１００９４号公報に記載のよう
に、金型を用いた機械的なプレス成形加工技術を用いて
インナーリード先端部にペデスタルを製作する方法が提
案されている。この方法は、第５図（ａ）に示すように
下型２４ヘフイルム２５とインナーリード１８が一体と
なったテープキャリア２６を装着し、上方からインナー
リード１８の幅よりも大きな凸部２７を有する上型２８
を降下させてインナーリード１８の先端部を凸部２７に
よりプレス加工し、バンプとなるペデスタル２９をイン
ナーリード先端部に形成する方法である。なお、上型２
８の凸部２７により押圧されたインナーリード１８の凹
部３０の材料の逃げのため、幅方向に切欠き３１が設け
られている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、このようなプレス加工方法によりインナーリ
ード先端部に成形されたバンプは、インナーリードの外
形部分を金型を用いて成形した断面形状が中実構造のバ
ンプのため、半導体素子とバンプとを熱圧着で接合する
工程において作用させる圧縮荷重に対して、はぼ剛体と
して作用する。

このため個々のバンプの高さにバラツキがあると、半導
体素子とバンプとを一括で接合するとき、すべてのバン
プを均一に接合することができず、電気的に接続不良が
発生するという課題がある。接続不良を発生させないた
めには、バンプの高さのバラツキを少なくとも０．５μ
ｍ以下とすることが必要であり、極めて高精度にバンプ
を形成することが要求される。また、インナーリードの
凹部には、事前に切欠きを設ける加工を行う必要がある
等の課題がある。

本発明の目的はこのような従来の課題を解決し、バンプ
形成工程が簡単で、バンプ高さのバラツキが存在しても
十分な接合強度で、しかも信頼性高く半導体素子との接
合が達成できるＴＡＢインナーリードのバンプ形成方法
およびバンプ形成装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 前記目的を達成するため、本発明に係るＴＡＢインナー
リードのバンプ形成方法においては、ストッパ材料打抜
工程と、移送工程と、ストッパ材料埋込み・バンプ形成
工程とを有するＴＡＢインナーリードのバンプ形成方法
であって、 前記ストッパ材料打抜工程は、対をなす第１のダイスと
ポンチとの間に送り込まれたリボン状ストッパ材料から
補強用ストッパ材料をポンチで打抜加工する工程であり
、 前記移送工程は、リボン状ストッパ材料に形成された貫
通孔を突出するポンチで圧下して補強用ストッパ材料を
第２のダイスに向けて押し出す工程であり、 前記ストッパ材料埋込み・バンプ形成工程は、補強用ス
トッパ材料を介して前記第２のダイスに支持されたイン
ナーリードを前記ポンチで圧下する工程であり、ポンチ
の圧下により該インナーリードにドーム状中空構造のバ
ンプを形成し、且つ形成されたドーム状中空構造のバン
プ内に打抜がれだ補強用ストッパ材料を圧入して埋込む
ものである。

また、本発明に係るＴＡＢインナーリードのバンプ形成
方法においては、貫通孔形成工程と、バンプ形成工程と
、ストッパ材料打抜工程と、ストッパ材料移送・埋込み
工程とを有するＴＡＢインナーリードのバンプ形成方法
であって、 前記貫通孔形成工程は、対をなす第１のダイスとポンチ
との間に送込まれたリボン状ストッパ材料にポンチで貫
通孔を打抜加工する工程であり、前記バンプ形成工程は
、第２のダイスに支持されたインナーリードを前記リボ
ン状ストッパ材料に形成された貫通孔を突出するポンチ
でさらに圧下してインナーリードにドーム状中空構造の
バンプを形成する工程であり、 前記ストッパ材料形成工程は、前記ポンチと第１のダイ
スとの間に送込まれたリボン状ストッパ材料の打抜加工
されていない領域をポンチで打抜加工して補強用ストッ
パ材料を形成する工程であり、 前記ストッパ材料移送・埋込み工程は、リボン状ストッ
パ材料を貫通して突出する前記ポンチで補強用ストッパ
材料を前記第２のダイスに向けて押出し、且つ該第２の
ダイスに支持された前記インナーリードのドーム状中空
構造のバンプ内に打抜かれた前記補強用ストッパ材料を
圧入して埋込むものであり、 最初にＴＡＢインナーリードのバンプを形成するにあた
っては、貫通孔形成工程、バンプ形成工程。

ストッパ材料打抜工程、ストッパ材料移送・埋込み工程
を連続して行い、次回以降はバンプ形成工程、ストッパ
材料打抜工程、ストッパ材料移送・埋込み工程を繰り返
すものである。

また、本発明に係るＴＡＢインナーリードのバンプ形成
装置においては、第１および第２のダイスと、該両ダイ
スに共用する単一のポンチとを有するＴＡＢインナーリ
ードのバンプ形成装置であって、前記第１のダイスは、
リボン状ストッパ材料を支持するもので、前記ポンチの
圧下により該リボン状ストッパ材料に打抜加工する上下
に貫通したダイス孔を備えており、 前記第２のダイスは、インナーリードを支持するもので
、前記ポンチの圧下により該インナーリードにドーム状
中空構造のバンプを形成するダイス穴を備えており、 前記第１のダイスと第２のダイスとは、両者のダイス孔
とダイス穴との細心を一致させて、第１のダイスを上段
に、第２のダイスを下段にそれぞれ配設したものであり
、 前記ポンチは、第１のダイスのダイス孔を貫通して第２
のダイスのダイス穴に達する移動ストロークを有するも
のである。

［作用］ ポンチとダイスとを用いた機械的プレス法によりインナ
ーリード上に形成されるバンプは、第４図６）に示すよ
うに少なくともリードの幅よりも小さなドーム状に形成
した中空構造のバンプ２１である。中空構造バンプでは
バンプ形成のための前加工が不要となり、バンプ形成工
程を大幅に簡略化できるという利点があり、しかも中実
構造に比べ圧縮力に対して変形し易いバンプ構造となる
ため、バンプの高さにバラツキが存在しても熱圧着時の
圧縮荷重によりバンプが塑性変形し均一な高さに矯正す
ることができる。

ところが、１組のポンチとダイスによりプレス成形した
第４図（ロ）に示すような中空構造のバンプ２１では、
バンプ強度が不十分なため、熱圧着時の荷重によりバン
プの変形が生じやすく、接続後のバンプ高さを十分に保
つことが困難となる。バンプ高さを十分に確保するため
には、第４図（ａ）及び（ｃ）に示すように、中空構造
バンプ２１の内面の一部にストッパ材料２０を埋め込み
、バンプの機械的強度を補強することが必要となる。こ
のようなストッパ材料２０を埋め込んだ中空バンプ構造
では、中実構造バンプに比べると、変形しやすい特性を
有し、バンプ高さにバラツキが存在しても熱圧着時にバ
ンプ高さを容易に矯正することが可能となる。

しかも第４図（ｂ）に示すような中空構造バンプに比べ
、機械的強度が増加しているため、熱圧着時にも十分な
バンプ高さを十分に確保することができる。ストッパ材
料の体積およびボンディング温度における高温強度を変
化することにより、ボンディング後のバンプ高さを調整
できる特徴を有する。

このため、ストッパ材料を埋め込んだ中空構造のバンプ
では、半導体素子の全ての！極部と均一に接触させるこ
とができ、機械的にも電気的にも良好な接続を行うこと
ができる。

本発明のＴＡＢインナーリードのバンプ形成装置は、第
１図に示すように、少なくとも一部が弾性体１２で構成
されるリング状断面を有する筒状のポンチホルダ１１に
ポンチ１３が支持され、ポンチ１３がポンチホルダ１１
の上段ホルダ部１１ａに固定されている。筒状のポンチ
ホルダ＋１には、スリット状（角穴）のリボンガイド１
４が設けられており、リボンガイド１４にリボン状スト
ッパ材料１７が挿入される。さらにリボンガイド１４の
下方に、ポンチホルダ＋１の下段ホルダ部１１ｂに支持
された第１のダイス１５が配置されており、第１のダイ
ス１５の下方に、第２のダイス１６が配置されている。

第１のダイス１５は、−ポンチ１３の圧下によりリボン
状ストッパ材料１７に打抜加工する上下に貫通したダイ
ス孔＋５ａを備えており、第２のダイス１６は、チップ
１３の圧下によりインナーリード１８にドーム状中空構
造のバンプ２１を形成するダイス穴１６ａ備えており、
ダイス１５とダイス１６とは、両者のダイス孔１５ａと
ダイス穴１６ａとの軸心を一致した状態で第１のダイス
１５を上段に、第２のダイス１６を下段にそれぞれ配設
したものである。ポンチ１３はダイス１５のダイス孔１
５ａを貫通してダイス１６のダイス穴１６ａに達する移
動ストロークを有する。

ポンチ１３を下方に移動すると、ポンチ１３はポンチホ
ルダ１１と一体となり下方に移動する。第１のダイス１
５がインナーリード１８に接触すると、ポンチホルダ１
１に設けられた弾性体１２が収縮変形し、ポンチ１３の
みが下方に移動し、ポンチ１３と第１のダイス１５によ
りリボン状ストッパ材料１７を打ち抜くことができる。

さらにストッパ材料１７に形成された貫通孔を突出する
ポンチＩ３を下方に移動すると、ポンチ１３と第２のダ
イス１６により、インナーリード１８をプレス成形する
ことができる。

本発明のＴＡＢインナーリードのバンプ形成方法では、
第２図（ａ）に示すようにポンチ１３と第１のダイス１
５の間にリボン状ストッパ材料１７が挿入されており、
第１のダイス１５と第２のダイス１６の間にインナーリ
ード１８が配置されている。まず第２図（ロ）に示すよ
うに、ポンチ１３と第１のダイス１５のダイス孔１５ａ
との組合せによりリボン状ストッパ材料１７を打ち抜き
、補強用ストッパ材料２０を形成する。さらに第２図（
ｃ）に示すように、ダイス孔１５ａを突出するポンチ１
３を第２図（ロ）の動作と連続的にダイス１６に向けて
下降させ、ポンチ１３とダイス１６のダイス穴１６ａと
の組合せにより、インナーリード１８をプレス成形する
ことにより、第４図（ａ）に示すようなストッパ材料２
０を埋め込んだ中空構造のバンプ２１を形成することが
できる。ここで、第２図（ｃ）において、ポンチｊ３は
ストッパ材料２０を介してインナーリード１８をプレス
加工し、ポンチ１３の圧下によりインナーリード１８に
ドーム状中空構造のバンプ２Ｉを形成し、ストッパ材料
２０をバンプ２１のガイド穴内に圧入するため、ストッ
パ材料２０がポンチ１３の一部として作用する。

以上のようにして、第４図（ａ）に示すようなストッパ
材料２０を埋め込んだ中空構造のバンプ２１を形成する
ことができる。

また、本発明のＴＡＢインナーリードのバンプ形成方法
では、まず第３図（ａ）に示すように、ポンチ１３と第
１のダイス１５によりリボン状ストッパ材料１７を打ち
抜き、ポンチ１３を元の位置に戻す。このとき、リボン
状ストッパ材料ｊ７には、ポンチ１３の直径に等しい貫
通孔２２が形成される。ついで第３図（ロ）に示すよう
に、第１のダイス１５と第２のダイス１６の間にインナ
ーリード１８を配置し、ポンチ１３を下方に移動する。

第３図（ａ）で形成したリボン状ストッパ材料１７の貫
通孔２２およびダイス１５のダイス孔＋５ａをポンチ１
３が通過し、第２のダイス１６とポンチ１３によりイン
ナーリード１８をプレス成形し第４図（ロ）に示すよう
な中空構造のバンプ２１を形成する。このとき、中空構
造のバンプ２１の裏面には、ポンチ１３の直径に等しい
ガイド穴２３が形成される。

ついで第３図（ｃ）に示すように、リボン状ストッパ材
料１７を移動し、貫通孔２２の位置を移動する。最後に
第３図（ｄ）に示すように、第１のダイス１５とポンチ
１３によりリボン状ストッパ材料１７を打ち抜き、柱状
の補強用ストッパ材料２０を形成し、ストッパ材料２０
を圧入して埋め込む。

以上のようにして、第４［Ｊ（ｃ）に示すような、スト
ッパ材料２０を埋め込んだ中空構造のバンプ２１を形成
することができる。ここで、第３図（ロ）〜（ｄ）の工
程において、ポンチ１３、第２のダイス１６のダイス穴
１６ａ、およびガイド穴２３の軸心は常に一致している
ため、ストッパ材料２０をガイド穴２３に埋め込む際に
、ガイド穴２３とポンチ１３との特別な位置決めを行う
必要はなく、容易に第４図（ｃ）に示すような中空構造
のバンプ２１を形成することができる。

なお以後のバンプ形成においては、第３図（ｄ）の工程
によりリボン状ストッパ材料１７にポンチ１３と軸心が
一致した貫通孔が形成されるため、第３図（ａ）の工程
は不要となり、第３図（ハ）〜（社）の工程を繰り返せ
ばよい。

Ｃ実施例］ 以下、本発明について図面を用いて詳細に説明する。

第１図は本発明の実施例に係るＴＡＢインナーリードの
バンプ形成装置を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は
本発明の実施例１に係るＴＡＢインナーリードのバンプ
形成方法を工程順に示す断面図、第３図（ａ）〜（ｃｌ
）は本発明の実施例２に係るＴＡＢインナーリードのバ
ンプ形成方法を工程順に示す断面図である。

（実施例１） まず、本発明の実施例１について図面を参照して詳細に
説明する。第１図に示すように、外径６馴の円筒状のポ
ンチホルダ１１の内面に先端直径が３０μｍであるポン
チ１３を挿入し、ポンチホルダＩＩの上段ホルダ部１１
ａにポンチ１３を固定した。ポンチホルダ１１の上段ホ
ルダ部１１ａと下段ホルダ部１１ｂとは上下方向に伸縮
する弾性体（バネ構造）＋２により連結されている。ポ
ンチホルダＩＩの下段ホルダ部１１ｂはその下端の一部
に、リボン状ストッパ材料】７を挿入する幅１．２ｍｍ
、高さ５０μｍの断面を有するスリット状のリボンガイ
ド１４が設けられている。

リボンガイド１４の下方には、直径３５μｍ、深さｌ１
００ｐのダイス孔１５ａを有する第１のダイスＩ５を有
し、ポンチホルダｌｌの下段ホルダ部１１ｂと第１のダ
イス１５とを一体構造となるように構成した。第１のダ
イス１５の下方には、直径５０ｐｍのダイス穴１６ａを
有する第２のダイス１６が配置されており、第１のダイ
ス１５と第２のダイス１６の間にインナーリード１８を
配置した。第１のダイス１５の貫通ダイス孔１５ａと第
２のダイス１６のダイス穴１６ａとの軸心は一致してお
り、第１のダイスＩ５と第２のダイス１６とはポンチ１
３に対して上下二段に配設されている。

上述した第１図に示すＴＡＢインナーリードのバンプ形
成装置を用いて、バンプ形成を行った。まず第２図（ａ
）〜（Ｃ）を参照して、本発明の実施例について詳細に
説明する。第２図（ａ）に示すように、リボンガイド１
４にリボン状ストッパ材料１７を挿入した。ここで、リ
ボン状ストッパ材料１７として、幅１ｉｏｎ、厚さ３５
μｍの銅リボンを用いた。次に、第２図（ロ）に示すよ
うにポンチ１３を上下動可能なアクチュエータ１９に固
定し、ポンチ１３をアクチュエータＩ９により下方に移
動した。ポンチホルダ１１および第１のダイス１５は一
体となり下方に移動し、第１のダイス１５がインナーリ
ート１８に接触した。

さらにアクチュエータ１９を下方に移動すると、ポンチ
ホルダ１１の一部は弾性体（バネ）構造となっているた
め、弾性体＋２（バネ）が収縮し、ポンチホルダ１１の
下段ホルダ部１１ｂはインナーリート１８に接触したま
まの状態で、上段ホルダ部１１ａとポンチ１３とが下方
に移動し、ポンチ１３と第１のダイス１５により高さ約
３５ｐｍ、直径３５μｍの補強用ストッパ材料２０が打
ち抜かれた。さらにストッパ材料１７に形成された貫通
孔を突出するポンチ１３を第２図（ｂ）の工程と連続的
にアクチュエータ１９により下方に移動したところ、打
ち抜かれたストッパ材料２０はポンチＩ３で圧下されて
下方に移動し、ポンチ１３の圧下により第２のダイス１
６上のインナーリート１８がプレス成形された。ストッ
パ材料２０がインナーリード１８に接触してからアクチ
ュエータ１９を４０１１ｍ下方に移動したところ、イン
ナーリード１８にストッパ材料２０が埋め込まれ、第４
図（ａ）に示すような高さ３５±２ｐｍ、直径５０μｍ
の中空構造のバンプ２１が形成された。このとき、スト
ッパ材料２０は第４図（ａ）に示すように、バンプ裏面
から約１６μｍの深さで埋め込まれた。ストッパ材料２
０は、インナーリード１８に埋め込まれる際に塑性変形
が生じるため、直径は広がり高さが減少した。ここで、
埋め込まれた後のストッパ材料２０の直径は、約４２ｐ
ｍであった。

以上のようにしてＴＡＢテープの複数のインナーリード
１８に第４図（ａ）に示すような中空構造のバンプ２１
を形成し、半導体素子のＡＱ電極部と低温ボンディング
法（素子加熱温度：１５０℃、加圧用ツール温度：５０
０℃、圧カニ　６０ｇｆ／　ＩＪ−ド、接合時間１秒）
により接合した結果、強度的（リード１本当たりのせん
断強度６０ｇｆ以上）にも電気的にも良好な接続が達成
された。また熱圧着後のバンプ高さは２０Ｆｌｌｌと十
分な高さであり、ＴＡＢインナーリードのバンプとして
十分に使用できることを確認した。なお、バンプ高さに
±２μｍのバラツキがあるにもかかわらず、６０　ｇ　
ｒ／リードの圧力で良好な接続を達成できたのは、バン
プ２１が中空構造であり塑性変形を生じ易い特性がある
ためである。

（実施例２） 次に本発明の実施例２について、第３図（ａ）〜（ｄ）
を参照にして詳細に説明する。バンプ形成装置は、本発
明の実施例１と同様に第１図に示すＴＡＢインナーリー
ドのバンプ形成装置を用いた。

まず第３図（ａ）に示すように、リボン状ストッパ材料
１７を第１のダイス１５とポンチ１３により打ち抜き、
リボン状ストッパ材料１７に直径３５ｐｍの貫通孔２２
を形成した。ここで用いたリボン状ストッパ材料Ｉ７は
、幅ＩＭ、厚さ２５ｐｍの銅リボンとした。次に第３図
（ハ）に示すように、インナーリード１８を第１のダイ
ス１５と第２のダイス１６の間に配置し、アクチュエー
タ１９を下方に移動し、ストッパ材料１７の貫通孔２２
を突出するポンチ１３と第２のダイス１６によりインナ
ーリード１８をプレス成形し、第４図■に示すような直
径５０μｍ、高さ３０±２μｍの中空構造のバンプ２１
を形成した。中空構造のバンプ２Ｊの裏面には、ガイド
穴２３か形成された。ここで、アクチュエータ１９によ
りポンチ１３を下方に移動する際、ポンチ１３は第３図
（ａ）で形成した貫通孔２２を通過するため、リボン状
ストッパ材料１７を打ち抜くことなくインナーリード１
８のみがプレス成形される。なお形成したガイド穴２３
は、直径３０μｍ、深さ４０μｍであった。

次いで第３図（ｃ）に示すように、リボン状ストッパ材
料１７を移動し、貫通孔２２の位置を移動した。

最後に第３図（社）に示すようにアクチュエータ１９に
よりポンチ１３を下方に移動した。リボン状ストッパ材
料１７はポンチＩ３と第１のダイス１５により打ち抜か
れ、直径３５μｍ、高さ２５μｍの補強用ストッパ材料
２０が形成された。さらに連続的にポンチ１３を下方に
移動してストッパ材料２０をポンチ１３で圧下したとこ
ろ、ストッパ材料２０はポンチ１３と一体となって下方
に移動し、第３図（ロ）で形成したガイド穴２３にスト
ッパ材料２０が埋め込まれた。埋め込まれたストッパ材
料２０の直径は約３５ｐｍであり、インナーリード１８
に埋め込む前と形状にほとんど変化がなかった。これは
、インナーリード１８に予め、ストッパ材料２０の直径
よりも若干小さな直径を有するガイド穴２３が形成され
ているためであり、ストッパ材料２０を埋め込む際にス
トッパ材料２０には殆ど塑性変形が生じなかったためで
ある。一方、中空構造のバンプ２１はストッパ材料２０
を埋め込む際に塑性変形が生じ、バンプ高さは３５ｐｍ
±２ｐｍに増加した。

以上のようにしてＴＡＢテープの複数のインナーリード
１８に第４図（ｃ）に示すような中空構造のバンプ２１
を形成し、半導体素子のＡＱ＠極部と低温ボンディング
法（素子加熱温度：１５０℃、加圧用ツール温度：５０
０℃、圧力＋　６０ｇｆ／リード、接合時間１秒）によ
り接合した結果、強度的（ジー１１本当たりのせん断強
度６０ｇｆ以上）にも電気的にも良好な接続が達成され
た。また熱圧着後のバンプ高さは２０ｐｍと十分な高さ
であり、ＴＡＢインナーリードのバンプとして十分に使
用できることを確認した。なお、バンプ高さに±２ｐｍ
のバラツキがあるにもがかわらず、６０　ｇ　ｆ／リー
ドの圧力で良好な接続を達成できたのは、バンプ２Ｉが
中空構造であり塑性変形を生じ易い特性があるためであ
る。

［発明の効果１ 以上説明したように本発明のＴＡＢインナーリードのバ
ンプ形成装置によれば、ストッパ材料を埋め込んだ中空
構造のバンプを容易に形成できる効果がある。また、本
発明のＴＡＢインナーリードのバンプ形成方法によれば
、バンプ高さにバラツキが存在しても、全てのバンプと
半導体素子の電極部と機械的にも電気的にも良好に接続
でき、しかも接合後に十分なバンプ高さを確保できるス
トッパ材料が打ち込まれた中空構造のバンプを容易に形
成できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るＴＡＢインナーリードのバンプ形
成装置を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の
実施例１に係るＴＡＢインナーリードのバンプ形成方法
を工程順に示す断面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明
の実施例２に係るＴＡＢインナーリードのバンプ形成方
法を工程順に示す断面図、第４図（ａ）〜（ｃ）は本発
明の実施例により形成された中空構造のバンプを示す断
面図、第５図（ａ）は従来法の課題を説明する断面図、
（ロ）は同平面図、（ｃ）は同側面図である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）ストッパ材料打抜工程と、移送工程と、ストッパ
   材料埋込み・バンプ形成工程とを有するＴＡＢインナー
   リードのバンプ形成方法であって、前記ストッパ材料打
   抜工程は、対をなす第１のダイスとポンチとの間に送り
   込まれたリボン状ストッパ材料から補強用ストッパ材料
   をポンチで打抜加工する工程であり、 前記移送工程は、リボン状ストッパ材料に形成された貫
   通孔を突出するポンチで圧下して補強用ストッパ材料を
   第２のダイスに向けて押し出す工程であり、 前記ストッパ材料埋込み・バンプ形成工程は、補強用ス
   トッパ材料を介して前記第２のダイスに支持されたイン
   ナーリードを前記ポンチで圧下する工程であり、ポンチ
   の圧下により該インナーリードにドーム状中空構造のバ
   ンプを形成し、且つ形成されたドーム状中空構造のバン
   プ内に打抜かれた補強用ストッパ材料を圧入して埋込む
   ものであることを特徴とするＴＡＢインナーリードのバ
   ンプ形成方法。
2. （２）貫通孔形成工程と、バンプ形成工程と、ストッパ
   材料打抜工程と、ストッパ材料移送・埋込み工程とを有
   するＴＡＢインナーリードのバンプ形成方法であって、 前記貫通孔形成工程は、対をなす第１のダイスとポンチ
   との間に送込まれたリボン状ストッパ材料にポンチで貫
   通孔を打抜加工する工程であり、前記バンプ形成工程は
   、第２のダイスに支持されたインナーリードを前記リボ
   ン状ストッパ材料に形成された貫通孔を突出するポンチ
   でさらに圧下してインナーリードにドーム状中空構造の
   バンプを形成する工程であり、 前記ストッパ材料形成工程は、前記ポンチと第１のダイ
   スとの間に送込まれたリボン状ストッパ材料の打抜加工
   されていない領域をポンチで打抜加工して補強用ストッ
   パ材料を形成する工程であり、 前記ストッパ材料移送・埋込み工程は、リボン状ストッ
   パ材料を貫通して突出する前記ポンチで補強用ストッパ
   材料を前記第２のダイスに向けて押出し、且つ該第２の
   ダイスに支持された前記インナーリードのドーム状中空
   構造のバンプ内に打抜かれた前記補強用ストッパ材料を
   圧入して埋込むものであり、 最初にＴＡＢインナーリードのバンプを形成するにあた
   っては、貫通孔形成工程、バンプ形成工程、ストッパ材
   料打抜工程、ストッパ材料移送・埋込み工程を連続して
   行い、次回以降はバンプ形成工程、ストッパ材料打抜工
   程、ストッパ材料移送・埋込み工程を繰り返すことを特
   徴とするＴＡＢインナーリードのバンプ形成方法。
3. （３）第１および第２のダイスと、該両ダイスに共用す
   る単一のポンチとを有するＴＡＢインナーリードのバン
   プ形成装置であって、 前記第１のダイスは、リボン状ストッパ材料を支持する
   もので、前記ポンチの圧下により該リボン状ストッパ材
   料に打抜加工する上下に貫通したダイス孔を備えており
   、 前記第２のダイスは、インナーリードを支持するもので
   、前記ポンチの圧下により該インナーリードにドーム状
   中空構造のバンプを形成するダイス穴を備えており、 前記第１のダイスと第２のダイスとは、両者のダイス孔
   とダイス穴との軸心を一致させて、第１のダイスを上段
   に、第２のダイスを下段にそれぞれ配設したものであり
   、 前記ポンチは、第１のダイスのダイス孔を貫通して第２
   のダイスのダイス穴に達する移動ストロークを有するも
   のであることを特徴とするＴＡＢインナーリードのバン
   プ形成装置。