JPH043448A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
- Publication number
- JPH043448A JPH043448A JP10384690A JP10384690A JPH043448A JP H043448 A JPH043448 A JP H043448A JP 10384690 A JP10384690 A JP 10384690A JP 10384690 A JP10384690 A JP 10384690A JP H043448 A JPH043448 A JP H043448A
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- JP
- Japan
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- aluminum layer
- contact
- film
- integrated circuit
- circuit device
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- Pending
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集積回路装置に関し、特にコンタクト用第１
のアルミ層と配線用第２のアルミ層からなるコンタクト
の構造に関する。
のアルミ層と配線用第２のアルミ層からなるコンタクト
の構造に関する。
従来、集積回路装置は不純物拡散層及び多結晶シリコン
をコンタクト工程によりアルミ層に接続する際、アルミ
層の同一平面上においてコンタクト開口部のサイドエッ
チを考慮してコンタクト工程の回りのみアルミ層を大き
く形成していた。
をコンタクト工程によりアルミ層に接続する際、アルミ
層の同一平面上においてコンタクト開口部のサイドエッ
チを考慮してコンタクト工程の回りのみアルミ層を大き
く形成していた。
上述した従来の集積回路装置は、第３図、第４図に示す
ように多結晶シリコン３上にコンタクト工程９により開
口部を形成し、アルミ層８と接続させる際、コンタクト
開口部のサイドエッチを考慮し、前記アルミ層８をコン
タクト工程９の回りのみ大きく形成しているので、チッ
プサイズの縮少化が困難という欠点がある。
ように多結晶シリコン３上にコンタクト工程９により開
口部を形成し、アルミ層８と接続させる際、コンタクト
開口部のサイドエッチを考慮し、前記アルミ層８をコン
タクト工程９の回りのみ大きく形成しているので、チッ
プサイズの縮少化が困難という欠点がある。
本発明の集積回路装置は、不純物拡散層及び多結晶シリ
コンをコンタクト工程によりアルミ層に接続させる際、
コンタクト用第１アルミ層と配線用第２アルミ層を設け
た構造を有している。
コンをコンタクト工程によりアルミ層に接続させる際、
コンタクト用第１アルミ層と配線用第２アルミ層を設け
た構造を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図、第２図は本発明の一実施例の平面図及び縦断面
図である。
図である。
Ｓｉｎｇ膜２上に多結晶シリコン３を形成したのちその
上に第１ＰＳＧ膜４で全面を覆い、コンタクト工程９に
より第１ＰＳＧ膜４に窓を開け、コンタクト用第１アル
ミ層５に接続される。
上に第１ＰＳＧ膜４で全面を覆い、コンタクト工程９に
より第１ＰＳＧ膜４に窓を開け、コンタクト用第１アル
ミ層５に接続される。
さらにコンタクト用アルミ層５の上に薄い第２ＰＳＧｉ
６を覆い、再度コンタクト工程９により第２ＰＳＧ膜６
に窓を開は配線用第２アルミ層７に接続させる。
６を覆い、再度コンタクト工程９により第２ＰＳＧ膜６
に窓を開は配線用第２アルミ層７に接続させる。
以上説明したように本発明は、同一平面上にあったアル
ミ層をコンタクト用第１アルミ層と配線用第２アルミ層
とに分けることにより、必要面積の小さな集積回路装置
を得ることができる。
ミ層をコンタクト用第１アルミ層と配線用第２アルミ層
とに分けることにより、必要面積の小さな集積回路装置
を得ることができる。
７・・・・・・配線用第２アルミ層、
９・・・・・・コンタクト工程。
Claims (1)
- 集積回路装置において、不純物拡散層及び多結晶シリ
コンをアルミ配線に接続する構造においてコンタクト用
第１アルミ層と、配線用第２アルミ層とから成ることを
特徴とする集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10384690A JPH043448A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10384690A JPH043448A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043448A true JPH043448A (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=14364802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10384690A Pending JPH043448A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043448A (ja) |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP10384690A patent/JPH043448A/ja active Pending
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