JPH01121936U - - Google Patents
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- JPH01121936U JPH01121936U JP1781588U JP1781588U JPH01121936U JP H01121936 U JPH01121936 U JP H01121936U JP 1781588 U JP1781588 U JP 1781588U JP 1781588 U JP1781588 U JP 1781588U JP H01121936 U JPH01121936 U JP H01121936U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit elements
- wiring region
- insulating film
- conductor
- master slice
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図ａ及びｂは本考案による基本構造を示す
基板断面図及び等価回路図、第２図は本考案によ
る一実施例を示すレイアウト図、第３図は従来の
マスター・スライス型半導体装置のレイアウト図
、第４図は第３図の要部拡大図、第５図ａ及びｂ
はＣＭＯＳ構成の基本セルレイアウト図及び等価
回路図である。 ２０：ゲート用多結晶Ｓｉ、２１：ゲート絶縁
膜、２２，２３：ｐ型拡散領域、２４：ｐウエル
、２５：基板、２６，２７，２８：コンデンサ、
３：基本セル、３１：配線領域のｐ型拡散、３１
：多結晶Ｓｉ。
基板断面図及び等価回路図、第２図は本考案によ
る一実施例を示すレイアウト図、第３図は従来の
マスター・スライス型半導体装置のレイアウト図
、第４図は第３図の要部拡大図、第５図ａ及びｂ
はＣＭＯＳ構成の基本セルレイアウト図及び等価
回路図である。 ２０：ゲート用多結晶Ｓｉ、２１：ゲート絶縁
膜、２２，２３：ｐ型拡散領域、２４：ｐウエル
、２５：基板、２６，２７，２８：コンデンサ、
３：基本セル、３１：配線領域のｐ型拡散、３１
：多結晶Ｓｉ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板に多数の回路素子があらかじめ形成
され、該回路素子間に配線領域が配置されたマス
タースライス型半導体装置において、 配線領域に不純物拡散領域、絶縁膜及び導電体
の積層構造からなるバイパス・コンデンサを設け
たことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1781588U JPH01121936U (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1781588U JPH01121936U (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01121936U true JPH01121936U (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=31231927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1781588U Pending JPH01121936U (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01121936U (ja) |
-
1988
- 1988-02-12 JP JP1781588U patent/JPH01121936U/ja active Pending
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